Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (30961) > Сторінка 249 з 517

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 51 102 153 204 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 306 357 408 459 510 517  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
74LVC2G32GXX 74LVC2G32GXX Nexperia USA Inc. 74LVC2G32.pdf Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8X2SON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x0.8)
Input Logic Level - High: 0.95V ~ 3.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 58353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1406+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 1406
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B4VL Nexperia USA Inc. PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B3:2 Nexperia USA Inc. PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Nexperia USA Inc. PSMN057-200P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ PXP011-20QXJ Nexperia USA Inc. Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ PXP011-20QXJ Nexperia USA Inc. Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.06 грн
11+29.10 грн
25+26.03 грн
100+21.25 грн
250+19.74 грн
500+18.83 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856AQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856AQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856AQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856AQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.05 грн
28+11.40 грн
50+8.13 грн
100+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G79GW125 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G79.pdf Description: NOW NEXPERIA 74AHCT1G79GW-Q100 -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G80GF132 74AUP1G80GF132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G80.pdf Description: IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G80GM,115 74LVC1G80GM,115 Nexperia USA Inc. PHGLS25117-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 400 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 6-XSON (1.45x1)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4661+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 4661
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.22 грн
31+10.53 грн
50+7.54 грн
100+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.22 грн
30+10.84 грн
50+7.75 грн
100+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZU7.5B,115 Nexperia USA Inc. PZUXB_SER.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZU7.5B,115 Nexperia USA Inc. PZUXB_SER.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
25+13.24 грн
50+9.47 грн
100+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005ESF315 PMEG4005ESF315 Nexperia USA Inc. PMEG4005ESF.pdf Description: NEXPERIA PMEG4005ESF - RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7969+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 7969
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EGW,115 PMEG4005EGW,115 Nexperia USA Inc. PMEG4005EGW.pdf Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.5A,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EH/6X PMEG4005EH/6X Nexperia USA Inc. PMEG4005EH.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 43pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX Nexperia USA Inc. PSMN1R5-50YLH.pdf Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX Nexperia USA Inc. PSMN1R5-50YLH.pdf Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.41 грн
10+224.54 грн
50+174.60 грн
100+148.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.24 грн
10+261.54 грн
100+214.26 грн
500+171.18 грн
1000+144.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLD,115 PSMN1R2-25YLD,115 Nexperia USA Inc. Description: PSMN1R2-25YLD - N-CHANNEL 25V, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLD115 Nexperia USA Inc. NEXP-S-A0003107878-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NOW NEXPERIA PSMN1R7-25YLD - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30EL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 74HCT10DB,112 Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 74HCT10DB,112 Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP6R1-30QL.pdf Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP6R1-30QL.pdf Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.77 грн
10+85.88 грн
50+64.24 грн
100+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G125GF,132 74AHCT1G125GF,132 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G125.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1)
Part Status: Obsolete
на замовлення 130643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
74HC20PW118 74HC20PW118 Nexperia USA Inc. Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMT1 PUMT1 Nexperia USA Inc. PHGLS19727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PUMT1 - PNP GENERAL PURPOSE DOUB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN5R4-30QL.pdf Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN5R4-30QL.pdf Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.78 грн
11+29.18 грн
100+20.23 грн
500+15.88 грн
1000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-C62-QX Nexperia USA Inc. BZX58550-Q_SER.pdf Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-C62-QX Nexperia USA Inc. BZX58550-Q_SER.pdf Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28,115 Nexperia USA Inc. BCV28.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28,115 Nexperia USA Inc. BCV28.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.14 грн
10+34.13 грн
100+21.95 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GF/S500,1 74LVC1G08GF/S500,1 Nexperia USA Inc. PHGLS25110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AND SNGL 2-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GM,115 74LVC1G08GM,115 Nexperia USA Inc. 74LVC1G08.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.73 грн
32+10.29 грн
50+8.31 грн
100+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB30Z PESD3USB30Z Nexperia USA Inc. PESDxUSB30.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 15WLCSP
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1159+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 1159
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB3S/CZ Nexperia USA Inc. PESDXUSB3S_SER.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 15-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 15-WLCSP (2.37x1.17)
Unidirectional Channels: 3
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD2USB3S/CZ PESD2USB3S/CZ Nexperia USA Inc. PESDXUSB3S_SER.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.57x1.17)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD1USB3S/CZ PESD1USB3S/CZ Nexperia USA Inc. PESDXUSB3S_SER.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 5WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 5-WLCSP (0.77x1.17)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B47,215 BZB84-B47,215 Nexperia USA Inc. PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER ARRAY 47V SOT-23
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 32.9 V
на замовлення 9273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9273+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 9273
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-C4V3,215 BZB84-C4V3,215 Nexperia USA Inc. PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT-23
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10764+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B30,215 BZB84-B30,215 Nexperia USA Inc. PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER ARRAY 30V TO-236AB
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: TO-236AB
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 21 V
на замовлення 58251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9616+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 9616
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQCZ PDTA143ZQCZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143XQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143XQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.39 грн
32+10.13 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
2000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.39 грн
32+9.97 грн
100+6.16 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQC-QZ PDTA143ZQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQC-QZ PDTA143ZQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.70 грн
26+12.36 грн
50+8.85 грн
100+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G32GXX 74LVC2G32.pdf
74LVC2G32GXX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8X2SON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x0.8)
Input Logic Level - High: 0.95V ~ 3.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 58353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1406+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 1406
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B4VL PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B3:2 PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ
PXP011-20QXJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ
PXP011-20QXJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.06 грн
11+29.10 грн
25+26.03 грн
100+21.25 грн
250+19.74 грн
500+18.83 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856AQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856AQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856AQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856AQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
28+11.40 грн
50+8.13 грн
100+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G79GW125 74AHC_AHCT1G79.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA 74AHCT1G79GW-Q100 -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G80GF132 74AUP1G80.pdf
74AUP1G80GF132
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G80GM,115 PHGLS25117-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVC1G80GM,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 400 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 6-XSON (1.45x1)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4661+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 4661
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856BQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856BQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.22 грн
31+10.53 грн
50+7.54 грн
100+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856BQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856BQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.22 грн
30+10.84 грн
50+7.75 грн
100+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZUXB_SER.pdf
PZU7.5B,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZUXB_SER.pdf
PZU7.5B,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
25+13.24 грн
50+9.47 грн
100+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005ESF315 PMEG4005ESF.pdf
PMEG4005ESF315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA PMEG4005ESF - RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7969+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 7969
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EGW,115 PMEG4005EGW.pdf
PMEG4005EGW,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.5A,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EH/6X PMEG4005EH.pdf
PMEG4005EH/6X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 43pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLH.pdf
PSMN1R5-50YLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLH.pdf
PSMN1R5-50YLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.41 грн
10+224.54 грн
50+174.60 грн
100+148.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.24 грн
10+261.54 грн
100+214.26 грн
500+171.18 грн
1000+144.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLD,115
PSMN1R2-25YLD,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R2-25YLD - N-CHANNEL 25V, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLD115 NEXP-S-A0003107878-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA PSMN1R7-25YLD - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL.pdf
PSMN1R1-30EL,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74HCT10DB,112
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
453+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74HCT10DB,112
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
453+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QL.pdf
PXP6R1-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QL.pdf
PXP6R1-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.77 грн
10+85.88 грн
50+64.24 грн
100+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G125GF,132 74AHC_AHCT1G125.pdf
74AHCT1G125GF,132
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1)
Part Status: Obsolete
на замовлення 130643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
74HC20PW118
74HC20PW118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMT1 PHGLS19727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PUMT1
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PUMT1 - PNP GENERAL PURPOSE DOUB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QL.pdf
PXN5R4-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QL.pdf
PXN5R4-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.78 грн
11+29.18 грн
100+20.23 грн
500+15.88 грн
1000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-Q_SER.pdf
BZX58550-C62-QX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-Q_SER.pdf
BZX58550-C62-QX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28.pdf
BCV28,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28.pdf
BCV28,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.14 грн
10+34.13 грн
100+21.95 грн
500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GF/S500,1 PHGLS25110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVC1G08GF/S500,1
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC AND SNGL 2-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
720+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GM,115 74LVC1G08.pdf
74LVC1G08GM,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.73 грн
32+10.29 грн
50+8.31 грн
100+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB30Z PESDxUSB30.pdf
PESD3USB30Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15WLCSP
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1159+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 1159
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB3S/CZ PESDXUSB3S_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 15WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 15-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 15-WLCSP (2.37x1.17)
Unidirectional Channels: 3
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD2USB3S/CZ PESDXUSB3S_SER.pdf
PESD2USB3S/CZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.57x1.17)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD1USB3S/CZ PESDXUSB3S_SER.pdf
PESD1USB3S/CZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 5WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 5-WLCSP (0.77x1.17)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B47,215 PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZB84-B47,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 47V SOT-23
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 32.9 V
на замовлення 9273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9273+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 9273
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-C4V3,215 PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZB84-C4V3,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT-23
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10764+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B30,215 PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZB84-B30,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 30V TO-236AB
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: TO-236AB
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 21 V
на замовлення 58251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9616+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 9616
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQCZ PDTA143X_TO_124XQC_SER.pdf
PDTA143ZQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA143XQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA143XQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.39 грн
32+10.13 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
2000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA143EQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA143EQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.39 грн
32+9.97 грн
100+6.16 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA143ZQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA143ZQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
26+12.36 грн
50+8.85 грн
100+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 51 102 153 204 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 306 357 408 459 510 517  [ Наступна Сторінка >> ]