Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145203) > Сторінка 1105 з 2421

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1100 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1927.60 грн
30+1195.82 грн
120+1057.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.02 грн
30+659.55 грн
120+568.71 грн
510+493.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+749.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 94084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1426.68 грн
10+982.92 грн
100+883.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.98 грн
10+508.55 грн
100+394.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1615.40 грн
10+1121.21 грн
100+1035.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 9530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1592.10 грн
30+970.83 грн
120+847.97 грн
510+778.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTC040N120SC1 NTC040N120SC1 onsemi ntc040n120sc1-d.pdf Description: SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 26306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+1010.28 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A FFSP10120A onsemi ffsp10120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.38 грн
50+259.48 грн
100+238.11 грн
500+189.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B FFSP1065B onsemi ffsp1065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
на замовлення 27003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.50 грн
50+128.38 грн
100+116.34 грн
500+89.39 грн
1000+83.03 грн
2000+79.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A FFSP1265A onsemi ffsp1265a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.21 грн
10+246.80 грн
50+193.52 грн
100+165.52 грн
500+137.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A FFSP1065A onsemi ffsp1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.43 грн
50+193.70 грн
100+176.62 грн
500+137.70 грн
1000+128.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 onsemi ffsp1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.24 грн
10+184.65 грн
100+130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A FFSP1665A onsemi ffsp1665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.75 грн
10+306.18 грн
50+241.61 грн
100+207.24 грн
500+173.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A FFSP15120A onsemi ffsp15120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.58 грн
50+266.57 грн
100+244.71 грн
500+195.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G NSVMUN531335DW1T3G onsemi mun531335dw1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G NSVMUN531335DW1T3G onsemi mun531335dw1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC onsemi AFGHL75T65SQDC-D.PDF Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.71 грн
30+460.96 грн
120+393.02 грн
510+326.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 FGH4L75T65MQDC50 onsemi fgh4l75t65mqdc50-d.pdf Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.49 грн
30+461.73 грн
120+393.69 грн
510+327.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20MELG MC74AC20MELG onsemi mc74ac20-d.pdf Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP SOEIAJ-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: SOEIAJ-14
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20NG MC74AC20NG onsemi mc74ac20-d.pdf Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-PDIP
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 23240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PG NXH100B120H3Q0PG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4660.58 грн
24+3256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTG NXH100B120H3Q0PTG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4660.58 грн
24+3256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SG NXH100B120H3Q0SG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4660.58 грн
24+3256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STG NXH100B120H3Q0STG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4370.12 грн
24+3011.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNG NXH40B120MNQ0SNG onsemi nxh40b120mnq0-d.pdf Description: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6095.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 onsemi nth4l015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 11049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1798.68 грн
30+1212.57 грн
120+1117.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 onsemi nthl015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1862.37 грн
30+1162.26 грн
120+1112.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P NTH4L014N120M3P onsemi nth4l014n120m3p-d.pdf Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2093.03 грн
10+1476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRAG MPSA18RLRAG onsemi mpsa18-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 122913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRMG MPSA18RLRMG onsemi mpsa18-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1832Z-GT3 CAT1832Z-GT3 onsemi ONSM-S-A0000710844-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: CAT1832 - 3.3V SUPPLY MONITOR, W
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 2.55V, 2.88V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1232LPZ-GT3 CAT1232LPZ-GT3 onsemi CAT1232LP%2CCAT1832.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8MSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain, Push-Pull
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 4.37V, 4.62V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG NXH240B120H3Q1PG onsemi nxh240b120h3q1pg-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5896.98 грн
21+4596.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10898.50 грн
12+9525.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG NXH450B100H4Q2F2PG onsemi nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10476.79 грн
12+8531.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G NXH350N100H4Q2F2S1G onsemi nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12124.03 грн
12+10127.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-R onsemi nxh300b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15938.07 грн
12+13996.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-R NXH450B100H4Q2F2PG-R onsemi nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17469.59 грн
12+15489.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-R NXH350N100H4Q2F2S1G-R onsemi nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17050.99 грн
12+16027.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG NXH400N100H4Q2F2SG onsemi nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15044.94 грн
12+13026.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG NXH400N100H4Q2F2PG onsemi nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15044.94 грн
12+13026.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-R NXH400N100H4Q2F2SG-R onsemi nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22020.67 грн
12+20217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8164CSN180T1G NCV8164CSN180T1G onsemi PdfFile168577.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 5-TSOP
Qualification: AEC-Q100
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 300mA
PSRR: 83dB ~ 61dB (100Hz ~ 100kHz)
Grade: Automotive
Control Features: Enable, Power Good
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 5-TSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
12+26.32 грн
25+23.60 грн
100+19.29 грн
250+17.94 грн
500+17.12 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G NCV97311MW33AR2G onsemi ncv97311a-d.pdf Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+228.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G NCV97311MW33AR2G onsemi ncv97311a-d.pdf Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.57 грн
10+382.31 грн
25+364.54 грн
100+283.71 грн
250+258.67 грн
500+241.99 грн
1000+213.40 грн
2500+205.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G NSVDTA144WET1G onsemi dta144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+2.17 грн
9000+2.04 грн
15000+1.77 грн
21000+1.69 грн
30000+1.60 грн
75000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G NSVDTA144WET1G onsemi dta144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
41+7.40 грн
100+4.61 грн
500+3.15 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SG NXH600B100H4Q2F2SG onsemi nxh600b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11714.74 грн
36+10366.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1G NTD3055-150-1G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 onsemi nvh4l020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2832.38 грн
30+2285.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 onsemi nthl020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2631.23 грн
30+1677.12 грн
120+1562.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1 NVHL020N120SC1 onsemi nvhl020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3282.05 грн
30+2243.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 onsemi nth4l020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 29824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2432.42 грн
30+1551.03 грн
120+1547.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G NRVHP820MFDT1G onsemi nhp820mfd-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G NRVHP820MFDT1G onsemi nhp820mfd-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+77.85 грн
100+51.16 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX2SN016KB-LTI NOIX2SN016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16MP 12PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 42.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN016KB-LTI NOIX1SN016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16MP 24PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 65.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50246.63 грн
5+45788.00 грн
10+44818.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1927.60 грн
30+1195.82 грн
120+1057.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1116.02 грн
30+659.55 грн
120+568.71 грн
510+493.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+749.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 94084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1426.68 грн
10+982.92 грн
100+883.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+764.98 грн
10+508.55 грн
100+394.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1615.40 грн
10+1121.21 грн
100+1035.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 9530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1592.10 грн
30+970.83 грн
120+847.97 грн
510+778.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTC040N120SC1 ntc040n120sc1-d.pdf
NTC040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 26306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
819+1010.28 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120A ffsp10120a-d.pdf
FFSP10120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.38 грн
50+259.48 грн
100+238.11 грн
500+189.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B ffsp1065b-d.pdf
FFSP1065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
на замовлення 27003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.50 грн
50+128.38 грн
100+116.34 грн
500+89.39 грн
1000+83.03 грн
2000+79.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ffsp1265a-d.pdf
FFSP1265A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.21 грн
10+246.80 грн
50+193.52 грн
100+165.52 грн
500+137.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
FFSP1065A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+384.43 грн
50+193.70 грн
100+176.62 грн
500+137.70 грн
1000+128.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
FFSP1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.24 грн
10+184.65 грн
100+130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A ffsp1665a-d.pdf
FFSP1665A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.75 грн
10+306.18 грн
50+241.61 грн
100+207.24 грн
500+173.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
FFSP15120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.58 грн
50+266.57 грн
100+244.71 грн
500+195.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G mun531335dw1-d.pdf
NSVMUN531335DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G mun531335dw1-d.pdf
NSVMUN531335DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC-D.PDF
AFGHL75T65SQDC
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+800.71 грн
30+460.96 грн
120+393.02 грн
510+326.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 fgh4l75t65mqdc50-d.pdf
FGH4L75T65MQDC50
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+801.49 грн
30+461.73 грн
120+393.69 грн
510+327.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20MELG mc74ac20-d.pdf
MC74AC20MELG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP SOEIAJ-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: SOEIAJ-14
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20NG mc74ac20-d.pdf
MC74AC20NG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-PDIP
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 23240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4660.58 грн
24+3256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0PTG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4660.58 грн
24+3256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4660.58 грн
24+3256.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0STG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4370.12 грн
24+3011.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNG nxh40b120mnq0-d.pdf
NXH40B120MNQ0SNG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6095.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 nth4l015n065sc1-d.pdf
NTH4L015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 11049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1798.68 грн
30+1212.57 грн
120+1117.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
NTHL015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1862.37 грн
30+1162.26 грн
120+1112.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P nth4l014n120m3p-d.pdf
NTH4L014N120M3P
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2093.03 грн
10+1476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRAG mpsa18-d.pdf
MPSA18RLRAG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 122913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2597+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRMG mpsa18-d.pdf
MPSA18RLRMG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2597+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1832Z-GT3 ONSM-S-A0000710844-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CAT1832Z-GT3
Виробник: onsemi
Description: CAT1832 - 3.3V SUPPLY MONITOR, W
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 2.55V, 2.88V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1232LPZ-GT3 CAT1232LP%2CCAT1832.pdf
CAT1232LPZ-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8MSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain, Push-Pull
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 4.37V, 4.62V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG nxh240b120h3q1pg-d.pdf
NXH240B120H3Q1PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5896.98 грн
21+4596.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf
NXH350N100H4Q2F2P1G
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10898.50 грн
12+9525.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
NXH450B100H4Q2F2PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10476.79 грн
12+8531.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf
NXH350N100H4Q2F2S1G
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12124.03 грн
12+10127.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-R nxh300b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15938.07 грн
12+13996.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-R nxh450b100h4q2f2-d.pdf
NXH450B100H4Q2F2PG-R
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17469.59 грн
12+15489.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-R nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf
NXH350N100H4Q2F2S1G-R
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17050.99 грн
12+16027.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
NXH400N100H4Q2F2SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15044.94 грн
12+13026.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
NXH400N100H4Q2F2PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15044.94 грн
12+13026.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-R nxh400n100h4q2f2-d.pdf
NXH400N100H4Q2F2SG-R
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22020.67 грн
12+20217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8164CSN180T1G PdfFile168577.pdf
NCV8164CSN180T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 5-TSOP
Qualification: AEC-Q100
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 300mA
PSRR: 83dB ~ 61dB (100Hz ~ 100kHz)
Grade: Automotive
Control Features: Enable, Power Good
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 5-TSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.83 грн
12+26.32 грн
25+23.60 грн
100+19.29 грн
250+17.94 грн
500+17.12 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G ncv97311a-d.pdf
NCV97311MW33AR2G
Виробник: onsemi
Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+228.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G ncv97311a-d.pdf
NCV97311MW33AR2G
Виробник: onsemi
Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+439.57 грн
10+382.31 грн
25+364.54 грн
100+283.71 грн
250+258.67 грн
500+241.99 грн
1000+213.40 грн
2500+205.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G dta144w-d.pdf
NSVDTA144WET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.53 грн
6000+2.17 грн
9000+2.04 грн
15000+1.77 грн
21000+1.69 грн
30000+1.60 грн
75000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G dta144w-d.pdf
NSVDTA144WET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.43 грн
41+7.40 грн
100+4.61 грн
500+3.15 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SG nxh600b100h4q2f2-d.pdf
NXH600B100H4Q2F2SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11714.74 грн
36+10366.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1G ntd3055-150-d.pdf
NTD3055-150-1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1010+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 nvh4l020n120sc1-d.pdf
NVH4L020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2832.38 грн
30+2285.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 nthl020n120sc1-d.pdf
NTHL020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2631.23 грн
30+1677.12 грн
120+1562.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1 nvhl020n120sc1-d.pdf
NVHL020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3282.05 грн
30+2243.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1 nth4l020n120sc1-d.pdf
NTH4L020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 29824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2432.42 грн
30+1551.03 грн
120+1547.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G nhp820mfd-d.pdf
NRVHP820MFDT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G nhp820mfd-d.pdf
NRVHP820MFDT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.05 грн
10+77.85 грн
100+51.16 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX2SN016KB-LTI image-sensors
NOIX2SN016KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP 12PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 42.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN016KB-LTI image-sensors
NOIX1SN016KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP 24PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 65.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+50246.63 грн
5+45788.00 грн
10+44818.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1100 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]