Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145656) > Сторінка 1106 з 2428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FAN7621SJX FAN7621SJX onsemi ONSM-S-A0003584861-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC OFFLINE SW HALF-BRDG 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: Up to 300kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 11.3V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-SOP
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 14.5 V
Control Features: Frequency Control
Power (Watts): 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5H663NLT1G NVMFS5H663NLT1G onsemi nvmfs5h663nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.82 грн
3000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5H663NLT1G NVMFS5H663NLT1G onsemi nvmfs5h663nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.45 грн
10+71.38 грн
100+55.53 грн
500+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15P05 RFP15P05 onsemi RFD15P05%2C05SM_RFP15P05.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KAI-04050-FBA-JB-B2-T KAI-04050-FBA-JB-B2-T onsemi KAI-04050.pdf Description: IMAGE SENSOR CCD 4.1MP 67CPGA
Packaging: Tray
Package / Case: 67-BCPGA
Type: CCD
Operating Temperature: -50°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 14.5V ~ 15.5V
Pixel Size: 5.5µm x 5.5µm
Active Pixel Array: 2336H x 1752V
Supplier Device Package: 67-CPGA (33.02x20.07)
Frames per Second: 32.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KAI-04050-FBA-JB-B2 KAI-04050-FBA-JB-B2 onsemi KAI-04050.pdf Description: IMAGE SENSOR CCD 4.1MP 67CPGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 67-BCPGA
Type: CCD
Operating Temperature: -50°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 14.5V ~ 15.5V
Pixel Size: 5.5µm x 5.5µm
Active Pixel Array: 2336H x 1752V
Supplier Device Package: 67-CPGA (33.02x20.07)
Frames per Second: 32.0
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34057.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273M 74VHC273M onsemi 74vhc273-d.pdf Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC
Number of Bits per Element: 8
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-SOIC
Input Capacitance: 4 pF
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950ACDT-3.3RK LP2950ACDT-3.3RK onsemi lp2950-d.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 100MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 120 µA
Voltage - Input (Max): 30V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60IHLWG NGTB40N60IHLWG onsemi NGTB40N60IHLWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 451312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT4051ADTR2G MC74HCT4051ADTR2G onsemi Description: IC MUX 8:1 100OHM 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC4051AADR2G MC74HC4051AADR2G onsemi Description: MC74HC4051AADR2G
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C12ET3G SZBZX84C12ET3G onsemi bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.86 грн
20000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C12ET3G SZBZX84C12ET3G onsemi bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.61 грн
31+10.10 грн
50+7.21 грн
100+5.87 грн
500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSH210TF KSH210TF onsemi KSH210.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5431MT1TXG NIS5431MT1TXG onsemi Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST9431MTR2G NLAST9431MTR2G onsemi nlast9431-d.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 1 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 29650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS9431MTR2G NLAS9431MTR2G onsemi nlas9431-d.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 175MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 23320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC823435TA-2H onsemi Description: PORTABLE SOUND SOLUTIONS
Packaging: Bulk
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+499.67 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N60C FQP6N60C onsemi fqpf6n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD 6N137SD onsemi HCPL2631-D.PDF Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD 6N137SD onsemi HCPL2631-D.PDF Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+97.29 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TU FQI7N60TU onsemi fqi7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.13 грн
10+143.06 грн
100+103.88 грн
500+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60YDTU FCPF7N60YDTU onsemi FCPF7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1 BC856BLT1 onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 534133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS130NT3G NRVBS130NT3G onsemi MBRS130T3-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.02 грн
15+21.20 грн
50+15.37 грн
100+12.62 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG LC709205FXE-01TBG onsemi lc709205f-d.pdf Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG LC709205FXE-01TBG onsemi lc709205f-d.pdf Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.76 грн
10+163.18 грн
25+139.12 грн
100+104.97 грн
250+92.40 грн
500+84.67 грн
1000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2901VN LM2901VN onsemi lm339-d.pdf Description: IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14DIP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA22N60N FCA22N60N onsemi fca22n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT244MTC MM74HCT244MTC onsemi mm74hct244-d.pdf Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.2mA, 7.2mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 107772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.63 грн
10+37.23 грн
75+30.05 грн
150+26.64 грн
300+25.36 грн
525+24.49 грн
1050+23.19 грн
2550+22.28 грн
5025+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC 74LVXC3245QSC onsemi DS_488_74LVXC3245.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC 74LVXC3245QSC onsemi DS_488_74LVXC3245.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74LVXC3245QSCX onsemi 74lvxc3245-d.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74LVXC3245QSCX onsemi 74lvxc3245-d.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5H NTMT185N60S5H onsemi ntmt185n60s5h-d.pdf Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3SK264-5-TG-E 3SK264-5-TG-E onsemi EN4901-D.PDF Description: RF MOSFET 6V CP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 23dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.2dB
Supplier Device Package: 4-CP
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD261CGTA KSD261CGTA onsemi KSD261.pdf Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 onsemi ntbg020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1684.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 onsemi ntbg020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2727.20 грн
10+1985.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3875.88 грн
10+3028.72 грн
50+2857.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1 NTHL060N065SC1 onsemi nthl060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.70 грн
30+492.81 грн
60+453.40 грн
120+394.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+385.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.90 грн
10+573.65 грн
50+465.28 грн
100+426.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 onsemi nth4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.13 грн
30+519.41 грн
60+478.31 грн
120+416.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1 NVH4L060N065SC1 onsemi nvh4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1269.55 грн
30+753.35 грн
60+697.51 грн
120+610.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi nvbg060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+714.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi nvbg060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1383.21 грн
10+949.42 грн
50+841.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1 NVHL060N065SC1 onsemi nvhl060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.29 грн
10+792.25 грн
50+651.21 грн
450+517.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64VP2I-GT3 onsemi CAT24C64.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64VP2I-GT3 onsemi CAT24C64.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950ACDT-3.3 LP2950ACDT-3.3 onsemi lp2950-d.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 100MA DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: DPAK
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 30V
Current - Quiescent (Iq): 120 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Supply (Max): 12 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 100mA
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS59201GDR8 CS59201GDR8 onsemi CS59201GDR8.pdf Description: IC AMP SPECIAL 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Applications: Winchester Servo Preamplifier
Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC04MTC MM74HC04MTC onsemi mm74hc04-d.pdf Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 16ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBB017LN1TAG NBXDBB017LN1TAG onsemi NBXxxx017.pdf Description: IC OSC XTAL 312.5MHZ 6-CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 156.25MHz, 312.5MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 78 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1 BC858ALT1 onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCFFS40120AF onsemi pcffs40120af-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+710.68 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G SMBT1505T3G onsemi Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G SMBT1505T3G onsemi Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2001T1G SMBT2001T1G onsemi Description: DIODE STD REC SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+3.20 грн
9000+3.17 грн
15000+2.79 грн
21000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7621SJX ONSM-S-A0003584861-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FAN7621SJX
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SW HALF-BRDG 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: Up to 300kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 11.3V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-SOP
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 14.5 V
Control Features: Frequency Control
Power (Watts): 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5H663NLT1G nvmfs5h663nl-d.pdf
NVMFS5H663NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+39.82 грн
3000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5H663NLT1G nvmfs5h663nl-d.pdf
NVMFS5H663NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.45 грн
10+71.38 грн
100+55.53 грн
500+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15P05 RFD15P05%2C05SM_RFP15P05.pdf
RFP15P05
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KAI-04050-FBA-JB-B2-T KAI-04050.pdf
KAI-04050-FBA-JB-B2-T
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR CCD 4.1MP 67CPGA
Packaging: Tray
Package / Case: 67-BCPGA
Type: CCD
Operating Temperature: -50°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 14.5V ~ 15.5V
Pixel Size: 5.5µm x 5.5µm
Active Pixel Array: 2336H x 1752V
Supplier Device Package: 67-CPGA (33.02x20.07)
Frames per Second: 32.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KAI-04050-FBA-JB-B2 KAI-04050.pdf
KAI-04050-FBA-JB-B2
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR CCD 4.1MP 67CPGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 67-BCPGA
Type: CCD
Operating Temperature: -50°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 14.5V ~ 15.5V
Pixel Size: 5.5µm x 5.5µm
Active Pixel Array: 2336H x 1752V
Supplier Device Package: 67-CPGA (33.02x20.07)
Frames per Second: 32.0
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+34057.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273M 74vhc273-d.pdf
74VHC273M
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC
Number of Bits per Element: 8
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-SOIC
Input Capacitance: 4 pF
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950ACDT-3.3RK lp2950-d.pdf
LP2950ACDT-3.3RK
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 100MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 120 µA
Voltage - Input (Max): 30V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 12 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60IHLWG NGTB40N60IHLWG.pdf
NGTB40N60IHLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 451312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT4051ADTR2G
MC74HCT4051ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC MUX 8:1 100OHM 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 130pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 200nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC4051AADR2G
MC74HC4051AADR2G
Виробник: onsemi
Description: MC74HC4051AADR2G
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 80MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C12ET3G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C12ET3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.86 грн
20000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C12ET3G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C12ET3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.61 грн
31+10.10 грн
50+7.21 грн
100+5.87 грн
500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSH210TF KSH210.pdf
KSH210TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5431MT1TXG
NIS5431MT1TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST9431MTR2G nlast9431-d.pdf
NLAST9431MTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DPDT X 1 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 29650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS9431MTR2G nlas9431-d.pdf
NLAS9431MTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DPDT X 2 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 175MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 23320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC823435TA-2H
Виробник: onsemi
Description: PORTABLE SOUND SOLUTIONS
Packaging: Bulk
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+499.67 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N60C fqpf6n60c-d.pdf
FQP6N60C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD HCPL2631-D.PDF
6N137SD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD HCPL2631-D.PDF
6N137SD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+97.29 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TU fqi7n60-d.pdf
FQI7N60TU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.13 грн
10+143.06 грн
100+103.88 грн
500+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60YDTU FCPF7N60-D.pdf
FCPF7N60YDTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1 bc856alt1-d.pdf
BC856BLT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 534133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4537+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS130NT3G MBRS130T3-D.PDF
NRVBS130NT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.02 грн
15+21.20 грн
50+15.37 грн
100+12.62 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG lc709205f-d.pdf
LC709205FXE-01TBG
Виробник: onsemi
Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG lc709205f-d.pdf
LC709205FXE-01TBG
Виробник: onsemi
Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.76 грн
10+163.18 грн
25+139.12 грн
100+104.97 грн
250+92.40 грн
500+84.67 грн
1000+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2901VN lm339-d.pdf
LM2901VN
Виробник: onsemi
Description: IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14DIP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA22N60N fca22n60n-d.pdf
FCA22N60N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT244MTC mm74hct244-d.pdf
MM74HCT244MTC
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.2mA, 7.2mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 107772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.63 грн
10+37.23 грн
75+30.05 грн
150+26.64 грн
300+25.36 грн
525+24.49 грн
1050+23.19 грн
2550+22.28 грн
5025+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC DS_488_74LVXC3245.pdf
74LVXC3245QSC
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC DS_488_74LVXC3245.pdf
74LVXC3245QSC
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74lvxc3245-d.pdf
74LVXC3245QSCX
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74lvxc3245-d.pdf
74LVXC3245QSCX
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5H ntmt185n60s5h-d.pdf
NTMT185N60S5H
Виробник: onsemi
Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3SK264-5-TG-E EN4901-D.PDF
3SK264-5-TG-E
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET 6V CP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 23dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.2dB
Supplier Device Package: 4-CP
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD261CGTA KSD261.pdf
KSD261CGTA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 ntbg020n120sc1-d.pdf
NTBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1684.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 ntbg020n120sc1-d.pdf
NTBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2727.20 грн
10+1985.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
NVBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
NVBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3875.88 грн
10+3028.72 грн
50+2857.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
NTHL060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+855.70 грн
30+492.81 грн
60+453.40 грн
120+394.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+385.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+858.90 грн
10+573.65 грн
50+465.28 грн
100+426.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1 nth4l060n065sc1-d.pdf
NTH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+898.13 грн
30+519.41 грн
60+478.31 грн
120+416.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1 nvh4l060n065sc1-d.pdf
NVH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1269.55 грн
30+753.35 грн
60+697.51 грн
120+610.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 nvbg060n065sc1-d.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+714.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 nvbg060n065sc1-d.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1383.21 грн
10+949.42 грн
50+841.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1 nvhl060n065sc1-d.pdf
NVHL060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1166.29 грн
10+792.25 грн
50+651.21 грн
450+517.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64.pdf
CAT24C64VP2I-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64.pdf
CAT24C64VP2I-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
673+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950ACDT-3.3 lp2950-d.pdf
LP2950ACDT-3.3
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 100MA DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: DPAK
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 30V
Current - Quiescent (Iq): 120 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Supply (Max): 12 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 100mA
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS59201GDR8 CS59201GDR8.pdf
CS59201GDR8
Виробник: onsemi
Description: IC AMP SPECIAL 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Applications: Winchester Servo Preamplifier
Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC04MTC mm74hc04-d.pdf
MM74HC04MTC
Виробник: onsemi
Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 16ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBB017LN1TAG NBXxxx017.pdf
NBXDBB017LN1TAG
Виробник: onsemi
Description: IC OSC XTAL 312.5MHZ 6-CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 156.25MHz, 312.5MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 78 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1 BC856ALT1-D.PDF
BC858ALT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7869+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCFFS40120AF pcffs40120af-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
629+710.68 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G
SMBT1505T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G
SMBT1505T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2001T1G
SMBT2001T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.47 грн
6000+3.20 грн
9000+3.17 грн
15000+2.79 грн
21000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 1210 1452 1694 1936 2178 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]