Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146214) > Сторінка 1122 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1117 1118 1119 1120 1121 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S onsemi NVBG030N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1039.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S onsemi NVBG030N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1847.45 грн
10+1291.89 грн
50+1224.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3S NVH4L030N120M3S onsemi nvh4l030n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1896.05 грн
30+1173.59 грн
60+1096.12 грн
120+970.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5921BT3 1SMA5921BT3 onsemi %28SZ%291SMA59xxBT3%28G%29.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1.5W SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 2.5 Ohms
Supplier Device Package: SMA
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 5.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV91300MNWBTXG onsemi ncv91300-d.pdf Description: IC REG BUCK PROG 0.6V 3A 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: Up to 2.15MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Input (Min): 1.9V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14SJX 74LCX14SJX onsemi FAIRS46351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC INVERTER
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3G onsemi nxh80t120l3q0s3g-d.pdf Description: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2PG NXH450N65L4Q2F2PG onsemi nxh450n65l4q2f2sg-d.pdf Description: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8220.65 грн
10+6808.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G NXH450N65L4Q2F2S1G onsemi nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf Description: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9594.68 грн
12+8003.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NRVSRD620VCTT4G NRVSRD620VCTT4G onsemi msrd620ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVSRD620VCTT4G NRVSRD620VCTT4G onsemi msrd620ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+58.95 грн
100+45.88 грн
500+36.50 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPS2907ARLRM MPS2907ARLRM onsemi MPS2907%20SERIES.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2039-E 2SA2039-E onsemi EN6912-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 297071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
504+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LA5735M-TE-L-E LA5735M-TE-L-E onsemi LA5735M.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 700MA 8MFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 700mA (Switch)
Operating Temperature: -30°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz
Voltage - Input (Max): 32V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-MFP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 32V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.23V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LV8013T-A-TLM-E LV8013T-A-TLM-E onsemi LV8013T.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 300mOhm
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 1.2A
Current - Peak Output: 2A, 3.8A
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Fault Protection: Over Temperature
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LV8013T-A-TLM-E LV8013T-A-TLM-E onsemi LV8013T.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 24TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 300mOhm
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 1.2A
Current - Peak Output: 2A, 3.8A
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Fault Protection: Over Temperature
Load Type: Inductive
на замовлення 60854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FLZ12VC FLZ12VC onsemi FAIRS44737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 12.1V 500MW SOD80
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 9.5 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 133 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FLZ12VC FLZ12VC onsemi FAIRS44737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 12.1V 500MW SOD80
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 9.5 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 133 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3227CMX FAN3227CMX onsemi FAN3229T-D.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.87 грн
5000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3227CMX FAN3227CMX onsemi FAN3229T-D.PDF Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+96.24 грн
25+87.65 грн
100+73.37 грн
250+69.13 грн
500+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3223TMX-F085 FAN3223TMX-F085 onsemi ONSM-S-A0004903499-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT3 1SMF16BT3 onsemi Description: TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: SOD-123FL
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT3G 1SMF16BT3G onsemi 1SMF16BT1-D.PDF Description: TVS ZENER 175W 16V SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT1 onsemi Description: TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: SOD-123FL
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT1G onsemi Description: TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: SOD-123FL
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTWG NRTS6100TFSTWG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTWG NRTS6100TFSTWG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTAG NRTS6100TFSTAG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.36 грн
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTAG NRTS6100TFSTAG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.27 грн
100+27.50 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTWG MBR8170TFSTWG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.11 грн
10000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTWG MBR8170TFSTWG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.25 грн
100+50.40 грн
500+37.28 грн
1000+34.06 грн
2000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTXG MBR8170TFSTXG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTXG MBR8170TFSTXG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTBG MBR8170TFSTBG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTBG MBR8170TFSTBG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTAG MBR8170TFSTAG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTAG MBR8170TFSTAG onsemi mbr8170tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+59.25 грн
100+46.83 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2 NTTD4401FR2 onsemi nttd4401f-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS5100ETFSTAG NRVTS5100ETFSTAG onsemi nrvts5100etfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26.5pF @ 100V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSTAG NRVTS360ETFSTAG onsemi NRVTS360TFS-D.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.02 грн
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSTAG NRVTS360ETFSTAG onsemi NRVTS360TFS-D.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+26.27 грн
100+18.24 грн
500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTXG NRTS6100TFSTXG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTXG NRTS6100TFSTXG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTBG NRTS6100TFSTBG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTBG NRTS6100TFSTBG onsemi nrts6100tfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSWFTAG NRVTS360ETFSWFTAG onsemi NRVTS360ETFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSWFTAG NRVTS360ETFSWFTAG onsemi NRVTS360ETFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
10+34.34 грн
100+23.91 грн
500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTWG NRVTS560ETFSWFTWG onsemi nrvts560etfs-d.pdf Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTWG NRVTS560ETFSWFTWG onsemi nrvts560etfs-d.pdf Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTAG NRVTS560ETFSWFTAG onsemi Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTAG NRVTS560ETFSWFTAG onsemi Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH30120ADN-F155 FFSH30120ADN-F155 onsemi ffsh30120adn-d.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.07 грн
30+940.89 грн
120+885.53 грн
510+753.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C22 BZX55C22 onsemi BZX55C2V4%20-%20BZX55C56.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
Tolerance: ±6%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 17 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5461 MMBF5461 onsemi MMBF5460-62.pdf Description: JFET P-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DV SI3457DV onsemi si3457dv-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DV SI3457DV onsemi si3457dv-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7571N2T5G SZESD7571N2T5G onsemi ESD7571-D.PDF Description: TVS DIODE 5.3VWM 15VC 2X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 3500pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: 2-X2DFN (1x0.6)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2766+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMH20TR1G IMH20TR1G onsemi imh20tr1g.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 15V SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMH20TR1G IMH20TR1G onsemi imh20tr1g.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 15V SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMH20TR1G IMH20TR1G onsemi imh20tr1g.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 15V SC-74R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
на замовлення 242925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2522+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S-D.PDF
NVBG030N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1039.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S-D.PDF
NVBG030N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1847.45 грн
10+1291.89 грн
50+1224.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L030N120M3S nvh4l030n120m3s-d.pdf
NVH4L030N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1896.05 грн
30+1173.59 грн
60+1096.12 грн
120+970.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5921BT3 %28SZ%291SMA59xxBT3%28G%29.pdf
1SMA5921BT3
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6.8V 1.5W SMA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 2.5 Ohms
Supplier Device Package: SMA
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 5.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV91300MNWBTXG ncv91300-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK PROG 0.6V 3A 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: Up to 2.15MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Input (Min): 1.9V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14SJX FAIRS46351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LCX14SJX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
416+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3G nxh80t120l3q0s3g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2PG nxh450n65l4q2f2sg-d.pdf
NXH450N65L4Q2F2PG
Виробник: onsemi
Description: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8220.65 грн
10+6808.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf
NXH450N65L4Q2F2S1G
Виробник: onsemi
Description: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9594.68 грн
12+8003.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NRVSRD620VCTT4G msrd620ct-d.pdf
NRVSRD620VCTT4G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVSRD620VCTT4G msrd620ct-d.pdf
NRVSRD620VCTT4G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.46 грн
10+58.95 грн
100+45.88 грн
500+36.50 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPS2907ARLRM MPS2907%20SERIES.pdf
MPS2907ARLRM
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4537+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2039-E EN6912-D.PDF
2SA2039-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 297071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
504+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LA5735M-TE-L-E LA5735M.pdf
LA5735M-TE-L-E
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 700MA 8MFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 700mA (Switch)
Operating Temperature: -30°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz
Voltage - Input (Max): 32V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-MFP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 32V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.23V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LV8013T-A-TLM-E LV8013T.pdf
LV8013T-A-TLM-E
Виробник: onsemi
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 300mOhm
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 1.2A
Current - Peak Output: 2A, 3.8A
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Fault Protection: Over Temperature
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LV8013T-A-TLM-E LV8013T.pdf
LV8013T-A-TLM-E
Виробник: onsemi
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 24TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 300mOhm
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 1.2A
Current - Peak Output: 2A, 3.8A
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Fault Protection: Over Temperature
Load Type: Inductive
на замовлення 60854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FLZ12VC FAIRS44737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FLZ12VC
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12.1V 500MW SOD80
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 9.5 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 133 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FLZ12VC FAIRS44737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FLZ12VC
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12.1V 500MW SOD80
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 9.5 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 133 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3227CMX FAN3229T-D.PDF
FAN3227CMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.87 грн
5000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3227CMX FAN3229T-D.PDF
FAN3227CMX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+96.24 грн
25+87.65 грн
100+73.37 грн
250+69.13 грн
500+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3223TMX-F085 ONSM-S-A0004903499-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FAN3223TMX-F085
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 9ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT3
1SMF16BT3
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: SOD-123FL
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT3G 1SMF16BT1-D.PDF
1SMF16BT3G
Виробник: onsemi
Description: TVS ZENER 175W 16V SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT1
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: SOD-123FL
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMF16BT1G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: SOD-123FL
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTWG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTWG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTWG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTWG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTAG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+17.36 грн
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTAG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+42.27 грн
100+27.50 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTWG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTWG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.11 грн
10000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTWG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTWG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.06 грн
10+75.25 грн
100+50.40 грн
500+37.28 грн
1000+34.06 грн
2000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTXG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTXG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTXG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTXG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTBG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTBG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTBG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTBG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTAG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTAG mbr8170tfs-d.pdf
MBR8170TFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 237pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 170 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.71 грн
10+59.25 грн
100+46.83 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2 nttd4401f-d.pdf
NTTD4401FR2
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS5100ETFSTAG nrvts5100etfs-d.pdf
NRVTS5100ETFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26.5pF @ 100V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSTAG NRVTS360TFS-D.pdf
NRVTS360ETFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+12.02 грн
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSTAG NRVTS360TFS-D.pdf
NRVTS360ETFSTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
12+26.27 грн
100+18.24 грн
500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTXG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTXG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTXG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTXG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTBG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTBG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTBG nrts6100tfs-d.pdf
NRTS6100TFSTBG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSWFTAG NRVTS360ETFS-D.PDF
NRVTS360ETFSWFTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSWFTAG NRVTS360ETFS-D.PDF
NRVTS360ETFSWFTAG
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
10+34.34 грн
100+23.91 грн
500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTWG nrvts560etfs-d.pdf
NRVTS560ETFSWFTWG
Виробник: onsemi
Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTWG nrvts560etfs-d.pdf
NRVTS560ETFSWFTWG
Виробник: onsemi
Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTAG
NRVTS560ETFSWFTAG
Виробник: onsemi
Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS560ETFSWFTAG
NRVTS560ETFSWFTAG
Виробник: onsemi
Description: 60V LOW LEAKAGE TRENCH RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH30120ADN-F155 ffsh30120adn-d.pdf
FFSH30120ADN-F155
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1207.07 грн
30+940.89 грн
120+885.53 грн
510+753.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C22 BZX55C2V4%20-%20BZX55C56.pdf
BZX55C22
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
Tolerance: ±6%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 17 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5461 MMBF5460-62.pdf
MMBF5461
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DV si3457dv-d.pdf
SI3457DV
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457DV si3457dv-d.pdf
SI3457DV
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7571N2T5G ESD7571-D.PDF
SZESD7571N2T5G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5.3VWM 15VC 2X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 3500pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: 2-X2DFN (1x0.6)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2766+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMH20TR1G imh20tr1g.pdf
IMH20TR1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 15V SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMH20TR1G imh20tr1g.pdf
IMH20TR1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 15V SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMH20TR1G imh20tr1g.pdf
IMH20TR1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 15V SC-74R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
на замовлення 242925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2522+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1117 1118 1119 1120 1121 1122 1123 1124 1125 1126 1127 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]