Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145632) > Сторінка 2345 з 2428

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSP1065A ONSEMI ffsp1065a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ONSEMI ffsp1065b-f085-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ONSEMI ffsp1265a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ONSEMI ffsp15120a-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15024G MJ15024G ONSEMI MJ15022.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+497.15 грн
5+428.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.91 грн
53+8.14 грн
77+5.58 грн
100+4.72 грн
250+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G NSVMMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5027OTU KSC5027OTU ONSEMI KSC5027.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 20...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 15MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.52 грн
10+59.78 грн
100+47.11 грн
250+42.22 грн
500+38.54 грн
1000+34.86 грн
2500+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB15201VMNWTWG FUSB15201VMNWTWG ONSEMI FUSB15201-D.PDF Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: interface; QFN24; 3÷5.5V; 24MHz; Interface: I2C
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD
DC supply current: 330µA
Case: QFN24
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 24MHz
Interface: I2C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI KSD2012.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1845FTA KSC1845FTA ONSEMI KSC1845.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Frequency: 100MHz
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 300...600
Collector current: 50mA
Collector-emitter voltage: 120V
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.21 грн
29+15.07 грн
33+13.19 грн
50+9.16 грн
100+7.83 грн
200+6.71 грн
500+5.51 грн
1000+4.78 грн
2000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.06 грн
5+85.65 грн
10+73.49 грн
50+50.87 грн
100+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.60 грн
6+81.54 грн
10+71.26 грн
50+51.65 грн
100+45.14 грн
500+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI FQA36P15.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.28 грн
10+251.80 грн
30+213.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI FQP47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.77 грн
5+204.70 грн
10+179.00 грн
25+149.88 грн
50+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.86 грн
8+59.78 грн
10+52.42 грн
50+38.63 грн
100+34.09 грн
500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.91 грн
10+65.09 грн
75+50.53 грн
100+47.96 грн
500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.77 грн
5+141.32 грн
10+124.19 грн
25+104.49 грн
50+91.64 грн
100+81.36 грн
500+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI FQP17P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.32 грн
5+120.76 грн
10+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI FQT7N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.57 грн
500+25.09 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.20 грн
10+79.65 грн
25+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.71 грн
5+207.27 грн
10+182.43 грн
25+152.45 грн
100+133.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.08 грн
7+68.69 грн
10+60.21 грн
50+43.59 грн
100+38.20 грн
500+28.78 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PFDMC2523P
FDMC2523PFDMC2523P
 FDMC2523P ONSEMI FDMC2523P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.73 грн
5+98.49 грн
10+90.79 грн
50+73.66 грн
100+66.80 грн
250+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.62 грн
5+144.74 грн
10+127.61 грн
50+93.36 грн
100+84.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI FQPF47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.88 грн
3+211.55 грн
10+178.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI FQB47P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.51 грн
10+204.70 грн
25+184.14 грн
50+167.87 грн
100+162.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.41 грн
10+144.74 грн
30+139.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.17 грн
8+54.64 грн
10+48.05 грн
50+36.31 грн
100+32.46 грн
500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.60 грн
6+78.11 грн
10+68.86 грн
50+51.65 грн
100+45.74 грн
500+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF ONSEMI FQT4N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.11 грн
11+40.51 грн
100+29.21 грн
250+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.88 грн
5+103.63 грн
10+77.08 грн
50+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.10 грн
11+42.05 грн
25+35.46 грн
100+27.84 грн
250+24.07 грн
500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.61 грн
5+149.88 грн
10+131.04 грн
50+97.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 158W
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.45 грн
5+174.72 грн
10+162.73 грн
25+145.60 грн
50+131.90 грн
100+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 220W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+213.99 грн
10+120.76 грн
50+106.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.36 грн
5+161.02 грн
10+141.32 грн
25+119.05 грн
50+104.49 грн
100+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.17 грн
10+107.06 грн
25+94.21 грн
50+85.65 грн
100+77.08 грн
500+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI FQD6N40C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.13 грн
10+75.37 грн
25+65.61 грн
100+54.30 грн
250+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.19 грн
10+107.06 грн
50+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7905CTG MC7905CTG ONSEMI MC7900-D.PDF description Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Tolerance: ±4%
Mounting: THT
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Manufacturer series: MC7900
Output current: 1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 1.3V
Operating temperature: 0...125°C
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output voltage: -5V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Number of channels: 1
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+41.51 грн
16+27.75 грн
25+25.44 грн
50+23.72 грн
100+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C512MUW3VTBG ONSEMI NV24C512MUW-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 0.4ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C512YE-GT3 ONSEMI CAV24C512-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G ONSEMI ne5534-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 1; ±3÷20VDC; SO8; 2mV
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 2mV
Slew rate: 13V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low noise
Input bias current: 0.8µA
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
Case: SO8
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802GMJ802G
MJ802GMJ802G
 MJ802G ONSEMI mj802-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+552.49 грн
5+419.67 грн
10+375.13 грн
50+364.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PIR-GEVB ONSEMI PIR-GEVB_Web.pdf Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Kit contents: prototype board
Components: NCS36000
Connection: Pmod connector
Interface: GPIO; I2C
development kits accessories features: motion sensor
Type of accessories for development kits: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADR2G MC33274ADR2G ONSEMI MC3327xA.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.53 грн
11+42.74 грн
25+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADTBR2G MC33274ADTBR2G ONSEMI mc33272a-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; 1.8mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.8µA
Input offset current: 80nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262PG MC33262PG ONSEMI mc34262-d.pdf description Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; DIP8; tube; SMPS; 12÷28VDC
Output current: 0.5A
Type of integrated circuit: PMIC
Application: SMPS
Output voltage: 6.4V
Kind of package: tube
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: PFC controller
Operating voltage: 12...28V DC
Mounting: THT
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.62 грн
10+59.95 грн
25+54.81 грн
50+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262DR2G MC33262DR2G ONSEMI mc34262-d.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; SO8; reel,tape; SMPS; 12÷28VDC
Output current: 0.5A
Type of integrated circuit: PMIC
Application: SMPS
Output voltage: 6.4V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: PFC controller
Operating voltage: 12...28V DC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC597ADR2G MC74HC597ADR2G ONSEMI MC74HC597A-D.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HC; HC; -55÷125°C; 2÷6VDC; IN: 13
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; latch; parallel in; serial input; serial output; shift register
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Manufacturer series: HC
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216 FOD4216 ONSEMI FOD420.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1; FOD4216; t(on): 60us
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SD ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: SMT6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of output: triac
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SDV ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: SMT6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of output: triac
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SV ONSEMI fod4218-d.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; tube
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: SMT6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Kind of output: triac
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265A ffsp1265a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15024G description MJ15022.PDF
MJ15024G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 4MHz
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+497.15 грн
5+428.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.91 грн
53+8.14 грн
77+5.58 грн
100+4.72 грн
250+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
NSVMMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5027OTU KSC5027.PDF
KSC5027OTU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 20...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 15MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 106W
Drain current: 114A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 628A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.52 грн
10+59.78 грн
100+47.11 грн
250+42.22 грн
500+38.54 грн
1000+34.86 грн
2500+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB15201VMNWTWG FUSB15201-D.PDF
FUSB15201VMNWTWG
Виробник: ONSEMI
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: interface; QFN24; 3÷5.5V; 24MHz; Interface: I2C
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD
DC supply current: 330µA
Case: QFN24
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 24MHz
Interface: I2C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1845FTA KSC1845.PDF
KSC1845FTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Frequency: 100MHz
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 300...600
Collector current: 50mA
Collector-emitter voltage: 120V
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.21 грн
29+15.07 грн
33+13.19 грн
50+9.16 грн
100+7.83 грн
200+6.71 грн
500+5.51 грн
1000+4.78 грн
2000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.06 грн
5+85.65 грн
10+73.49 грн
50+50.87 грн
100+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+111.60 грн
6+81.54 грн
10+71.26 грн
50+51.65 грн
100+45.14 грн
500+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15.pdf
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+329.28 грн
10+251.80 грн
30+213.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06.pdf
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.77 грн
5+204.70 грн
10+179.00 грн
25+149.88 грн
50+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10.pdf
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.86 грн
8+59.78 грн
10+52.42 грн
50+38.63 грн
100+34.09 грн
500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20.pdf
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.91 грн
10+65.09 грн
75+50.53 грн
100+47.96 грн
500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10.pdf
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.77 грн
5+141.32 грн
10+124.19 грн
25+104.49 грн
50+91.64 грн
100+81.36 грн
500+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06.pdf
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.32 грн
5+120.76 грн
10+99.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10L.pdf
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.57 грн
500+25.09 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.20 грн
10+79.65 грн
25+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.71 грн
5+207.27 грн
10+182.43 грн
25+152.45 грн
100+133.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.08 грн
7+68.69 грн
10+60.21 грн
50+43.59 грн
100+38.20 грн
500+28.78 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P.pdf
FDMC2523PFDMC2523P
FDMC2523PFDMC2523P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.73 грн
5+98.49 грн
10+90.79 грн
50+73.66 грн
100+66.80 грн
250+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.62 грн
5+144.74 грн
10+127.61 грн
50+93.36 грн
100+84.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06.pdf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.88 грн
3+211.55 грн
10+178.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+326.51 грн
10+204.70 грн
25+184.14 грн
50+167.87 грн
100+162.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.41 грн
10+144.74 грн
30+139.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.17 грн
8+54.64 грн
10+48.05 грн
50+36.31 грн
100+32.46 грн
500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+111.60 грн
6+78.11 грн
10+68.86 грн
50+51.65 грн
100+45.74 грн
500+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20L.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.11 грн
11+40.51 грн
100+29.21 грн
250+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.88 грн
5+103.63 грн
10+77.08 грн
50+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.10 грн
11+42.05 грн
25+35.46 грн
100+27.84 грн
250+24.07 грн
500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+206.61 грн
5+149.88 грн
10+131.04 грн
50+97.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90.pdf
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 158W
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.45 грн
5+174.72 грн
10+162.73 грн
25+145.60 грн
50+131.90 грн
100+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2.pdf
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 220W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+213.99 грн
10+120.76 грн
50+106.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.36 грн
5+161.02 грн
10+141.32 грн
25+119.05 грн
50+104.49 грн
100+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.17 грн
10+107.06 грн
25+94.21 грн
50+85.65 грн
100+77.08 грн
500+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40C.pdf
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.13 грн
10+75.37 грн
25+65.61 грн
100+54.30 грн
250+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.19 грн
10+107.06 грн
50+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7905CTG description MC7900-D.PDF
MC7905CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Tolerance: ±4%
Mounting: THT
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Manufacturer series: MC7900
Output current: 1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 1.3V
Operating temperature: 0...125°C
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output voltage: -5V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Number of channels: 1
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+41.51 грн
16+27.75 грн
25+25.44 грн
50+23.72 грн
100+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C512MUW3VTBG NV24C512MUW-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 0.4ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C512YE-GT3 CAV24C512-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; I2C; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G ne5534-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 1; ±3÷20VDC; SO8; 2mV
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 2mV
Slew rate: 13V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low noise
Input bias current: 0.8µA
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
Case: SO8
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ802G mj802-d.pdf
MJ802GMJ802G
MJ802GMJ802G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.49 грн
5+419.67 грн
10+375.13 грн
50+364.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PIR-GEVB PIR-GEVB_Web.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCS36000
Kit contents: prototype board
Components: NCS36000
Connection: Pmod connector
Interface: GPIO; I2C
development kits accessories features: motion sensor
Type of accessories for development kits: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 25A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADR2G MC3327xA.PDF
MC33274ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+56.53 грн
11+42.74 грн
25+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33274ADTBR2G mc33272a-d.pdf
MC33274ADTBR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 24MHz; Ch: 4; ±1.5÷18VDC,3÷36VDC; 1.8mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 24MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...18V DC; 3...36V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 10V/μs
Input offset voltage: 1.8mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.8µA
Input offset current: 80nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262PG description mc34262-d.pdf
MC33262PG
Виробник: ONSEMI
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; DIP8; tube; SMPS; 12÷28VDC
Output current: 0.5A
Type of integrated circuit: PMIC
Application: SMPS
Output voltage: 6.4V
Kind of package: tube
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: PFC controller
Operating voltage: 12...28V DC
Mounting: THT
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.62 грн
10+59.95 грн
25+54.81 грн
50+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33262DR2G mc34262-d.pdf
MC33262DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: PMIC; PFC controller; SO8; reel,tape; SMPS; 12÷28VDC
Output current: 0.5A
Type of integrated circuit: PMIC
Application: SMPS
Output voltage: 6.4V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: PFC controller
Operating voltage: 12...28V DC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC597ADR2G MC74HC597A-D.pdf
MC74HC597ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HC; HC; -55÷125°C; 2÷6VDC; IN: 13
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; latch; parallel in; serial input; serial output; shift register
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Manufacturer series: HC
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 13
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216 FOD420.pdf
FOD4216
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1; FOD4216; t(on): 60us
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: THT
Kind of output: triac; without zero voltage crossing driver
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SD fod4218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: SMT6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of output: triac
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SDV fod4218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; reel,tape
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: SMT6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of output: triac
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216SV fod4218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; Uout: 600V; triac; SMT6; Ch: 1; FOD4216; tube
Turn-on time: 60µs
Trigger current: 1.3mA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
Insulation voltage: 5kV
Case: SMT6
Manufacturer series: FOD4216
Type of optocoupler: optotriac
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Kind of output: triac
Conform to the norm: VDE
Turn-off time: 52µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2420 2428  [ Наступна Сторінка >> ]