Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144973) > Сторінка 2345 з 2417

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2410 2417  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MC74HC165AMN2TWG-Q ONSEMI mc74hc165a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; SMD; QFN16; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 225ns
Supply voltage: 4.5...5.5V
Kind of output: complementary
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 9
Case: QFN16
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 86mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Polarisation: unipolar
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.01 грн
10+60.12 грн
25+49.09 грн
100+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383YTA KSC2383YTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.02 грн
13+33.44 грн
14+30.39 грн
50+18.94 грн
100+14.74 грн
2000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383OTA KSC2383OTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.02 грн
15+28.83 грн
17+24.87 грн
50+17.05 грн
100+14.50 грн
500+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ONSEMI FDMS86101.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A ONSEMI fdms86101a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI fdms86101dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14021BDR2G MC14021BDR2G ONSEMI mc14014b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SO16; HEF4000B; -55÷125°C; 3÷18VDC
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 600µA
Kind of package: reel; tape
Case: SO16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: 8bit; asynchronous; static shift register; synchronous
Number of channels: 1
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.70 грн
18+22.90 грн
25+19.19 грн
100+15.98 грн
2500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14049BDG MC14049BDG ONSEMI mc14049b-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,inverting; Ch: 6; CMOS; SMD; SO16; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Kind of package: tube
Case: SO16
Kind of integrated circuit: buffer; inverting
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.48 грн
15+27.67 грн
17+25.04 грн
25+21.99 грн
48+20.18 грн
144+18.45 грн
240+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14082BDG MC14082BDG ONSEMI MC14082BDG.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMD
Family: HEF4000B
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 4
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of gate: AND
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.29 грн
30+14.00 грн
55+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG MC14025BDG ONSEMI MC14001B-D.pdf description Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Number of channels: triple; 3
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Family: HEF4000B
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Mounting: SMD
Kind of gate: NOR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.38 грн
19+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14013BDTR2G MC14013BDTR2G ONSEMI MC14013B-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DG MC74ACT74DG ONSEMI mc74ac74-d.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; ACT; SMD; SO14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: ACT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.48 грн
19+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DTR2G MC74ACT74DTR2G ONSEMI MC74AC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; TTL; ACT; SMD; TSSOP14; ACT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Family: ACT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D ES2D ONSEMI ES2D-D.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.35mA
Capacitance: 18pF
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
26+16.39 грн
50+12.35 грн
100+11.28 грн
250+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ONSEMI ES2DAF-D.PDF es2daf-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA flat; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADR2G-Q MC74HC164ADR2G-Q ONSEMI mc74hc164a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC; -55÷125°C; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Kind of output: push-pull
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADTR2G-Q MC74HC164ADTR2G-Q ONSEMI mc74hc164a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Kind of output: push-pull
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164BDR2G MC74HC164BDR2G ONSEMI mc74hc164b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of channels: 1
Kind of output: push-pull
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG ONSEMI N93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 ONSEMI CAT93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.63 грн
10+179.54 грн
50+171.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.05 грн
5+219.07 грн
10+181.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T3G ONSEMI tl331-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T3G ONSEMI tl331-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T1G ONSEMI tl331-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0530 MBR0530 ONSEMI MBR0530.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STU BD13810STU ONSEMI BD136_138_140.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
25+24.79 грн
120+21.91 грн
480+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138G ONSEMI bd136-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3163M MOC3163M ONSEMI MOC3163M.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Case: DIP6
Output voltage: 600V
Number of channels: 1
Mounting: THT
Trigger current: 5mA
Slew rate: 1kV/μs
Insulation voltage: 4.17kV
Manufacturer series: MOC3163M
Kind of output: zero voltage crossing driver
Type of optocoupler: optotriac
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.35 грн
12+35.50 грн
25+33.35 грн
50+31.13 грн
100+29.73 грн
500+25.37 грн
1000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB2S MB2S ONSEMI MB6S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.91 грн
14+30.64 грн
16+26.60 грн
50+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM301ADR2G ONSEMI lm301a-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 1; ±5÷15VDC; SO8; 7.5mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...15V DC
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 7.5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.25µA
Input offset current: 50nA
Slew rate: 10V/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14555BDG MC14555BDG ONSEMI MC14555B-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; binary 1 to 4,decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: binary 1 to 4; decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450US ONSEMI fsb50450us-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 14W
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250AS ONSEMI fsb50250as-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.2A; MOSFET; Uoper: 500V; 13.4W
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 13.4W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250US ONSEMI fsb50250us-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Insulation voltage: 1.5kV
Case: PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450AS ONSEMI fsb50450at-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.5A; MOSFET; Uoper: 500V; 14W
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AB ONSEMI fsb50825ab-d.pdf ONSM-S-A0003588523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; DIP; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; Usup: 150V; Uinsul: 1.5kV
Insulation voltage: 1.5kV
Case: DIP
Operating voltage: 250V
Mounting: THT
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AS ONSEMI fsb50825as-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; 14.2W
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 250V
Mounting: SMD
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.59 грн
5+99.65 грн
10+88.12 грн
50+64.24 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ONSEMI ntljs2103p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G-Q MC74HC04ADR2G-Q ONSEMI mc74hc04a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; SOIC14; -55÷125°C; 2uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 2µA
Number of inputs: 6
Case: SOIC14
Family: HC
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UCMR6T1G NUP2114UCMR6T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.65 грн
11+39.20 грн
13+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI nup2114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS30R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 3A; D2PAK-5; SMD; Ch: 1
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 3V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS28R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 3A; D2PAK-5; SMD
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 2.8V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.09 грн
6+78.40 грн
10+67.95 грн
50+49.00 грн
100+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33067PG ONSEMI mc34067-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; THT; DIP16; -40÷85°C; 20V; 1MHz; MC
Manufacturer series: MC
Topology: flyback
Mounting: THT
Input voltage: 20V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 5...5.2V
Case: DIP16
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5924BT3G 1SMB5924BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 9.1V; SMD; SMB; single diode; reel,tape; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.04 грн
19+22.24 грн
22+18.94 грн
50+12.85 грн
100+11.04 грн
250+9.39 грн
500+8.40 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ5239BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N5239BTR ONSEMI 1N52xxB.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100EG ONSEMI MUR8100E.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.38 грн
10+79.89 грн
50+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.65 грн
10+104.59 грн
25+90.59 грн
100+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.69 грн
10+68.36 грн
25+60.94 грн
100+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.87 грн
5+167.19 грн
10+154.01 грн
25+138.36 грн
50+127.65 грн
100+117.77 грн
500+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.59 грн
5+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165AMN2TWG-Q mc74hc165a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; SMD; QFN16; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 225ns
Supply voltage: 4.5...5.5V
Kind of output: complementary
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 9
Case: QFN16
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 fds3590-d.pdf
FDS3590
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 86mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Polarisation: unipolar
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.01 грн
10+60.12 грн
25+49.09 грн
100+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383YTA KSC2383.pdf
KSC2383YTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.02 грн
13+33.44 грн
14+30.39 грн
50+18.94 грн
100+14.74 грн
2000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383OTA KSC2383.pdf
KSC2383OTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.02 грн
15+28.83 грн
17+24.87 грн
50+17.05 грн
100+14.50 грн
500+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101.pdf
FDMS86101
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A fdms86101a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC fdms86101dc-d.pdf
FDMS86101DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14021BDR2G mc14014b-d.pdf
MC14021BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SO16; HEF4000B; -55÷125°C; 3÷18VDC
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 600µA
Kind of package: reel; tape
Case: SO16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: 8bit; asynchronous; static shift register; synchronous
Number of channels: 1
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.70 грн
18+22.90 грн
25+19.19 грн
100+15.98 грн
2500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14049BDG mc14049b-d.pdf
MC14049BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,inverting; Ch: 6; CMOS; SMD; SO16; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Kind of package: tube
Case: SO16
Kind of integrated circuit: buffer; inverting
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.48 грн
15+27.67 грн
17+25.04 грн
25+21.99 грн
48+20.18 грн
144+18.45 грн
240+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14082BDG MC14082BDG.PDF
MC14082BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMD
Family: HEF4000B
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 4
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of gate: AND
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.29 грн
30+14.00 грн
55+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG description MC14001B-D.pdf
MC14025BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Number of channels: triple; 3
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Family: HEF4000B
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Mounting: SMD
Kind of gate: NOR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.38 грн
19+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14013BDTR2G MC14013B-D.pdf
MC14013BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DG mc74ac74-d.pdf
MC74ACT74DG
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; ACT; SMD; SO14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: ACT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.48 грн
19+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DTR2G MC74AC74-D.pdf
MC74ACT74DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; TTL; ACT; SMD; TSSOP14; ACT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Family: ACT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D ES2D-D.pdf
ES2D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.35mA
Capacitance: 18pF
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
26+16.39 грн
50+12.35 грн
100+11.28 грн
250+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ES2DAF-D.PDF es2daf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA flat; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADR2G-Q mc74hc164a-d.pdf
MC74HC164ADR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC; -55÷125°C; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Kind of output: push-pull
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADTR2G-Q mc74hc164a-d.pdf
MC74HC164ADTR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of channels: 1
Delay time: 250ns
Kind of output: push-pull
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164BDR2G mc74hc164b-d.pdf
MC74HC164BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of channels: 1
Kind of output: push-pull
Trigger: positive-edge-triggered
Number of inputs: 2
Number of outputs: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG N93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 CAT93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+316.63 грн
10+179.54 грн
50+171.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+329.05 грн
5+219.07 грн
10+181.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T3G tl331-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T3G tl331-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL331SN4T1G tl331-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; 2÷36V; SMT; TSOP5; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: low-power
Number of comparators: 1
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0530 MBR0530.pdf
MBR0530
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5.5A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STU BD136_138_140.pdf
BD13810STU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: tube
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
25+24.79 грн
120+21.91 грн
480+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD138G bd136-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3163M MOC3163M.pdf
MOC3163M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 600V; zero voltage crossing driver; DIP6
Case: DIP6
Output voltage: 600V
Number of channels: 1
Mounting: THT
Trigger current: 5mA
Slew rate: 1kV/μs
Insulation voltage: 4.17kV
Manufacturer series: MOC3163M
Kind of output: zero voltage crossing driver
Type of optocoupler: optotriac
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.35 грн
12+35.50 грн
25+33.35 грн
50+31.13 грн
100+29.73 грн
500+25.37 грн
1000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB2S MB6S.pdf
MB2S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 0.5A; Ifsm: 35A; SO4; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: SO4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.91 грн
14+30.64 грн
16+26.60 грн
50+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM301ADR2G lm301a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 1; ±5÷15VDC; SO8; 7.5mV; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...15V DC
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 7.5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.25µA
Input offset current: 50nA
Slew rate: 10V/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14555BDG MC14555B-D.pdf
MC14555BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; binary 1 to 4,decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: binary 1 to 4; decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450US fsb50450us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 14W
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250AS fsb50250as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.2A; MOSFET; Uoper: 500V; 13.4W
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 13.4W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250US fsb50250us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: driver; PowerSMD; MOSFET; Uoper: 500V; Uinsul: 1.5kV
Insulation voltage: 1.5kV
Case: PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450AS fsb50450at-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 1.5A; MOSFET; Uoper: 500V; 14W
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 500V
Mounting: SMD
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AB fsb50825ab-d.pdf ONSM-S-A0003588523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; DIP; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; Usup: 150V; Uinsul: 1.5kV
Insulation voltage: 1.5kV
Case: DIP
Operating voltage: 250V
Mounting: THT
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50825AS fsb50825as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; Gull wing,PowerSMD; 3.6A; MOSFET; Uoper: 250V; 14.2W
Insulation voltage: 1.5kV
Case: Gull wing; PowerSMD
Operating voltage: 250V
Mounting: SMD
Supply voltage: 150V
Output current: 3.6A
Type of integrated circuit: driver
DC supply current: 0.2mA
Power dissipation: 14.2W
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.59 грн
5+99.65 грн
10+88.12 грн
50+64.24 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ntljs2103p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Drain current: -7.7A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -24A
Drain-source voltage: -12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADR2G-Q mc74hc04a-d.pdf
MC74HC04ADR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 6; CMOS; SMD; SOIC14; -55÷125°C; 2uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 2µA
Number of inputs: 6
Case: SOIC14
Family: HC
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP2114UCMR6T1G nup2114-d.pdf
NUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; ESD; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.65 грн
11+39.20 грн
13+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G nup2114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS30R4G NCP59300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 3A; D2PAK-5; SMD; Ch: 1
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 3V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS28R4G NCP59300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 3A; D2PAK-5; SMD
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP59300
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 2.24...13.5V
Output voltage: 2.8V
Output current: 3A
Voltage drop: 0.5V
Tolerance: ±2.5%
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.09 грн
6+78.40 грн
10+67.95 грн
50+49.00 грн
100+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33067PG mc34067-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; THT; DIP16; -40÷85°C; 20V; 1MHz; MC
Manufacturer series: MC
Topology: flyback
Mounting: THT
Input voltage: 20V
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 5...5.2V
Case: DIP16
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5924BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5924BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 9.1V; SMD; SMB; single diode; reel,tape; 1SMB59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1SMB59xxB
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.04 грн
19+22.24 грн
22+18.94 грн
50+12.85 грн
100+11.04 грн
250+9.39 грн
500+8.40 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5239BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N52xxB.PDF
1N5239BTR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100E.PDF
MUR8100EG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.38 грн
10+79.89 грн
50+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.65 грн
10+104.59 грн
25+90.59 грн
100+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.69 грн
10+68.36 грн
25+60.94 грн
100+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P.pdf
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.87 грн
5+167.19 грн
10+154.01 грн
25+138.36 грн
50+127.65 грн
100+117.77 грн
500+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460.pdf
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.59 грн
5+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2410 2417  [ Наступна Сторінка >> ]