Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145322) > Сторінка 2345 з 2423

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2420 2423  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMSZ5239BT1G MMSZ5239BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N5239BTR ONSEMI 1N52xxB.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100EG ONSEMI MUR8100E.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.55 грн
10+80.60 грн
50+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.08 грн
10+105.53 грн
25+91.41 грн
100+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.49 грн
10+68.97 грн
25+61.49 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI FDMS86163P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.20 грн
5+168.69 грн
10+155.39 грн
25+139.60 грн
50+128.80 грн
100+118.83 грн
500+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.81 грн
5+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.35 грн
5+149.57 грн
10+131.29 грн
50+98.05 грн
100+87.25 грн
250+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.53 грн
25+41.55 грн
100+37.39 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.34 грн
5+114.67 грн
10+102.21 грн
25+87.25 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 78W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 ONSEMI FDMS86300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI FDMS86104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352 ONSEMI FDMS5352.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P ONSEMI fdms86263p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S ONSEMI FDMS3604S-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 ONSEMI fdms86181-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 ONSEMI fdms86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 ONSEMI fdms7694-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS ONSEMI fdms0308as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ07P6X NC7WZ07P6X ONSEMI NC7WZ07.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; SC70-6; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
100+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E ONSEMI 2SK3557-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-7-TB-E ONSEMI 2SK3557-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 16mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
9+47.37 грн
11+41.22 грн
50+29.50 грн
100+25.59 грн
500+19.03 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BRLG 1N5359BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.95 грн
16+27.09 грн
18+23.52 грн
50+17.78 грн
100+16.04 грн
250+13.79 грн
500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BG 1N5359BG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.90 грн
21+20.28 грн
24+18.03 грн
100+13.71 грн
250+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP54 BCP54 ONSEMI BCP54-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 25...250
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.90 грн
10+43.54 грн
11+39.22 грн
50+25.34 грн
100+20.44 грн
250+16.12 грн
500+14.29 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M ONSEMI GBU4x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC132MTCX 74VHC132MTCX ONSEMI 74VHC132-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; VHC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Family: VHC
Kind of gate: NAND
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.64 грн
23+18.70 грн
25+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC132M 74VHC132M ONSEMI 74VHC132-D.pdf 74vhc132-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; tube
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC132MX 74VHC132MX ONSEMI 74VHC132-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; 20uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC132ADR2G-Q MC74HC132ADR2G-Q ONSEMI mc74hc132a-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; Schmitt trigger; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SOIC14; 1uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 155ns
Supply voltage: 2...6V
Kind of gate: NAND
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 1µA
Number of inputs: 2
Case: SOIC14
Family: HC
Number of outputs: 1
Kind of integrated circuit: Schmitt trigger
Number of channels: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC132DG MC74VHC132DG ONSEMI mc74vhc132-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC132DR2G MC74VHC132DR2G ONSEMI MC74VHC132-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; Schmitt trigger; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SOIC14
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC14
Family: VHC
Kind of integrated circuit: Schmitt trigger
Number of channels: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC132DTR2G MC74VHC132DTR2G ONSEMI mc74vhc132-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; 20uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC7906CTG MC7906CTG ONSEMI MC7900-D.PDF Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -6V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Tolerance: ±4%
Mounting: THT
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Manufacturer series: MC7900
Output current: 1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 1.3V
Operating temperature: 0...125°C
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output voltage: -6V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Number of channels: 1
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.16 грн
14+30.50 грн
25+27.75 грн
50+26.18 грн
100+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G NCP5181DR2G ONSEMI ncp5181-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 600V
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.44 грн
5+98.88 грн
25+94.73 грн
100+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 FDD8445 ONSEMI FDD8445.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.22 грн
9+51.19 грн
10+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444 ONSEMI fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC253DR2G MC74AC253DR2G ONSEMI MC74AC253-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3-state,multiplexer; Ch: 2; IN: 5; CMOS; SMD; SOIC16; AC
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 5
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Family: AC
Kind of integrated circuit: 3-state; multiplexer
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.75 грн
10+45.54 грн
100+30.66 грн
250+26.34 грн
500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E ONSEMI en6912-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H ONSEMI en6912-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5353BG 1N5353BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 16V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 16V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
20+21.11 грн
22+19.53 грн
50+16.95 грн
100+16.20 грн
500+12.55 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI FDD5353.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 20.3mΩ
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.66 грн
5+108.86 грн
10+95.56 грн
25+80.60 грн
50+70.63 грн
100+62.32 грн
500+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5353BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 16V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 16V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC08MTCX 74VHC08MTCX ONSEMI 74VHC08.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; VHC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...5.5V DC
Number of inputs: 2
Family: VHC
Kind of gate: AND
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5239BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5239BTR 1N52xxB.PDF
1N5239BTR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; reel,tape; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR8100EG MUR8100E.PDF
MUR8100EG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 100ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 1.5V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.55 грн
10+80.60 грн
50+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.08 грн
10+105.53 грн
25+91.41 грн
100+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.49 грн
10+68.97 грн
25+61.49 грн
100+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P.pdf
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.20 грн
5+168.69 грн
10+155.39 грн
25+139.60 грн
50+128.80 грн
100+118.83 грн
500+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460.pdf
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.81 грн
5+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+201.35 грн
5+149.57 грн
10+131.29 грн
50+98.05 грн
100+87.25 грн
250+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
FDMS8333L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+46.53 грн
25+41.55 грн
100+37.39 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.34 грн
5+114.67 грн
10+102.21 грн
25+87.25 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200.pdf
FDMS86200
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
FDMS2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 78W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 78W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300.pdf
FDMS86300
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672.pdf
FDMS5672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352.pdf
FDMS5352
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC fdms86200dc-d.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P fdms86263p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3604S FDMS3604S-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622 fdms8622-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181 fdms86181-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 fdms7694-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS fdms0308as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ07P6X NC7WZ07.pdf
NC7WZ07P6X
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; SMD; SC70-6; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.26 грн
100+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 16mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-DTE.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.33 грн
9+47.37 грн
11+41.22 грн
50+29.50 грн
100+25.59 грн
500+19.03 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BRLG description 1N53xx.PDF
1N5359BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.95 грн
16+27.09 грн
18+23.52 грн
50+17.78 грн
100+16.04 грн
250+13.79 грн
500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5359BG description 1N53xx.PDF
1N5359BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 24V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 24V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.90 грн
21+20.28 грн
24+18.03 грн
100+13.71 грн
250+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP54 BCP54-D.PDF
BCP54
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 25...250
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.90 грн
10+43.54 грн
11+39.22 грн
50+25.34 грн
100+20.44 грн
250+16.12 грн
500+14.29 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4x.PDF
GBU4M
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 150A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ndb5060l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC132MTCX 74VHC132-D.pdf
74VHC132MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; VHC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Family: VHC
Kind of gate: NAND
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.64 грн
23+18.70 грн
25+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC132M 74VHC132-D.pdf 74vhc132-d.pdf
74VHC132M
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; tube
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC132MX 74VHC132-D.pdf
74VHC132MX
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; 20uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC132ADR2G-Q mc74hc132a-d.pdf
MC74HC132ADR2G-Q
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; Schmitt trigger; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SOIC14; 1uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Delay time: 155ns
Supply voltage: 2...6V
Kind of gate: NAND
Kind of output: push-pull
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 1µA
Number of inputs: 2
Case: SOIC14
Family: HC
Number of outputs: 1
Kind of integrated circuit: Schmitt trigger
Number of channels: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC132DG mc74vhc132-d.pdf
MC74VHC132DG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: tube
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC132DR2G MC74VHC132-D.pdf
MC74VHC132DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; Schmitt trigger; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SOIC14
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Manufacturer series: VHC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC14
Family: VHC
Kind of integrated circuit: Schmitt trigger
Number of channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC132DTR2G mc74vhc132-d.pdf
MC74VHC132DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; 20uA
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of gate: NAND
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: VHC
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC7906CTG MC7900-D.PDF
MC7906CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -6V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Tolerance: ±4%
Mounting: THT
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Manufacturer series: MC7900
Output current: 1A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 1.3V
Operating temperature: 0...125°C
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Output voltage: -6V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Number of channels: 1
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.16 грн
14+30.50 грн
25+27.75 грн
50+26.18 грн
100+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G ncp5181-d.pdf
NCP5181DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 600V
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.44 грн
5+98.88 грн
25+94.73 грн
100+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 FDD8445.pdf
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.22 грн
9+51.19 грн
10+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444 fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC253DR2G MC74AC253-D.pdf
MC74AC253DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3-state,multiplexer; Ch: 2; IN: 5; CMOS; SMD; SOIC16; AC
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 5
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Family: AC
Kind of integrated circuit: 3-state; multiplexer
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.75 грн
10+45.54 грн
100+30.66 грн
250+26.34 грн
500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-E en6912-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-H en6912-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5353BG 1N53xx.PDF
1N5353BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 16V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 16V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
20+21.11 грн
22+19.53 грн
50+16.95 грн
100+16.20 грн
500+12.55 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353.pdf
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 20.3mΩ
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.66 грн
5+108.86 грн
10+95.56 грн
25+80.60 грн
50+70.63 грн
100+62.32 грн
500+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5353BRLG 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 16V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 16V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC08MTCX 74VHC08.pdf
74VHC08MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; -40÷85°C; VHC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...5.5V DC
Number of inputs: 2
Family: VHC
Kind of gate: AND
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2340 2341 2342 2343 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2420 2423  [ Наступна Сторінка >> ]