Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142576) > Сторінка 1153 з 2377

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1158 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2377  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FAN73611M FAN73611M onsemi fan73611-d.pdf Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14052BFEL MC14052BFEL onsemi MC14051B-D.pdf Description: IC SWITCH DP4TX2 280OHM 16SOEIAJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 280Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-SOEIAJ
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:4
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 65955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 1397
В кошику  од. на суму  грн.
MC14052BFELG MC14052BFELG onsemi MC14051B-D.pdf Description: IC SWITCH DP4TX2 280OHM 16SOEIAJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 280Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-SOEIAJ
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:4
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 212041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PG NXH300B100H4Q2F2PG onsemi nxh300b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1118V 73A 194W 27-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9682.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N958B 1N958B onsemi 1N9xxB.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 5.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 5.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KAI-2093-12-20-A-EVK onsemi Description: EVAL KIT IMAGE SENSOR CCD INTERL
Packaging: Bulk
Sensor Type: Image Sensor
Utilized IC / Part: KAI-2093
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N757A 1N757A onsemi 1N746A-759A%2C4370A-4372A.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5G NSVBASH20MX2WT5G onsemi bash16mx2w-d.pdf Description: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.74 грн
16000+4.91 грн
24000+4.61 грн
56000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5G NSVBASH20MX2WT5G onsemi bash16mx2w-d.pdf Description: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.86 грн
14+24.54 грн
25+21.48 грн
100+11.53 грн
250+10.81 грн
500+8.65 грн
1000+6.52 грн
2500+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDF02N60ZG NDF02N60ZG onsemi NDx02N60Z.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC00ADTR2G NLV74HC00ADTR2G onsemi mc74hc00a-d.pdf Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 19ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 420735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1212
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4172NT1G NTS4172NT1G onsemi nts4172n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 294mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LC706200CM onsemi Description: IC REG LINEAR MEMS MIC DIG SCS3
Packaging: Bulk
на замовлення 24900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1522+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 1522
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZ FDG410NZ onsemi fdg410nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZ FDG410NZ onsemi fdg410nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STK760-712A-E onsemi Description: IC PFC CTRLR HYBRID INVERTER
Packaging: Tube
на замовлення 13525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1586.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
STK760-712A-E onsemi Description: IC PFC CTRLR HYBRID INVERTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS1560PFST3G NRTS1560PFST3G onsemi NRTS1560PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS1560PFST3G NRTS1560PFST3G onsemi NRTS1560PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.36 грн
10+48.92 грн
100+38.56 грн
500+28.17 грн
1000+24.65 грн
2000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100PFST3G NRTS6100PFST3G onsemi nrts6100pfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100PFST3G NRTS6100PFST3G onsemi nrts6100pfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.92 грн
10+62.42 грн
100+41.40 грн
500+30.38 грн
1000+27.66 грн
2000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS860PFST3G NRTS860PFST3G onsemi NRTS860PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS860PFST3G NRTS860PFST3G onsemi NRTS860PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.40 грн
10+52.51 грн
100+40.88 грн
500+32.52 грн
1000+26.49 грн
2000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1260PFST3G NRVTS1260PFST3G onsemi NRTS1260PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1260PFST3G NRVTS1260PFST3G onsemi NRTS1260PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.47 грн
10+58.27 грн
100+40.50 грн
500+30.52 грн
1000+28.06 грн
2000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1560PFST3G NRVTS1560PFST3G onsemi NRTS1560PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1560PFST3G NRVTS1560PFST3G onsemi NRTS1560PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.55 грн
10+55.71 грн
100+43.34 грн
500+34.47 грн
1000+28.08 грн
2000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS6100PFST3G NRVTS6100PFST3G onsemi nrts6100pfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS6100PFST3G NRVTS6100PFST3G onsemi nrts6100pfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.77 грн
10+59.95 грн
100+39.66 грн
500+29.06 грн
1000+26.43 грн
2000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS12100PFST3G NRTS12100PFST3G onsemi NRTS12100PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS12100PFST3G NRTS12100PFST3G onsemi NRTS12100PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.94 грн
10+63.46 грн
100+44.26 грн
500+33.46 грн
1000+30.82 грн
2000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS3060MFST3G NRVTS3060MFST3G onsemi nrvts3060mfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS3060MFST3G NRVTS3060MFST3G onsemi nrvts3060mfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
10+108.62 грн
100+86.46 грн
500+68.65 грн
1000+58.25 грн
2000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3245DWR2 74FST3245DWR2 onsemi 74FST3245%20Rev2.pdf Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3244DWR2 74FST3244DWR2 onsemi 74FST3244%20Rev2.pdf Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3244DTR2 74FST3244DTR2 onsemi 74FST3244%20Rev2.pdf Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3383DWR2 74FST3383DWR2 onsemi 74FST3383%20Rev6.pdf Description: IC BUS FET EXCHG SW 5X2:2 24SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 5 x 2:2
Type: Bus FET Exchange Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 24-SOIC
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
KBP01M KBP01M onsemi KBP005M,3N246 - KBP10M,3N252.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A KBPM
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MV2101G MV2101G onsemi mmbv2101lt1-d.pdf Description: DIODE TUNING 30V 6.8PF TO92-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C30
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 3.2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1680
В кошику  од. на суму  грн.
MC7924CT MC7924CT onsemi mc7900-d.pdf description Description: IC REG LINEAR -24V 1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Voltage - Input (Max): -40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -24V
PSRR: 56dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 25875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC7924CTG MC7924CTG onsemi mc7900-d.pdf description Description: IC REG LINEAR -24V 1A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Voltage - Input (Max): -40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -24V
PSRR: 56dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 809
В кошику  од. на суму  грн.
2N2369 onsemi 2N%2CPN%2CMPS%2CFTSO%20NPN%20Type.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBD2837LT1G SMMBD2837LT1G onsemi mmbd2837lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 30V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBD2837LT1G SMMBD2837LT1G onsemi mmbd2837lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 30V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD2835LT1 MMBD2835LT1 onsemi mmbd2835lt1-d.pdf Description: DIODE SWITCH DUAL 35V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBD2835LT1G SMMBD2835LT1G onsemi mmbd2835lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT28LV65W25 CAT28LV65W25 onsemi cat28lv65-d.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 28-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: Parallel
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+445.96 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG NVTFS6H850NWFTAG onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.28 грн
3000+32.31 грн
4500+30.98 грн
7500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG NVTFS6H850NWFTAG onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.67 грн
10+75.93 грн
100+50.87 грн
500+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAG NVTFS6H850NLWFTAG onsemi nvtfs6h850nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.58 грн
3000+39.84 грн
4500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAG NVTFS6H850NLWFTAG onsemi nvtfs6h850nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.57 грн
10+91.12 грн
100+61.68 грн
500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB68AT3 P6SMB68AT3 onsemi P6SMB6.8AT3%20Series.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 305pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB68AT3 P6SMB68AT3 onsemi P6SMB6.8AT3%20Series.pdf Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 305pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LA72715V-TLM-E onsemi ONSMS35928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: JPN MTS (MULTI CHANNEL TELEVISIO
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+95.80 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TRBR onsemi as0140at?pdf=Y Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+1791.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TRBR onsemi as0140at?pdf=Y Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1805.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TPBR onsemi as0140at?pdf=Y Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+1811.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TPBR onsemi as0140at?pdf=Y Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1825.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MAC12HCM MAC12HCM onsemi MAC12HCDG_MG_NG.pdf Description: TRIAC 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: TO-220
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 23243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
KSH45H11ITU KSH45H11ITU onsemi KSH45H11.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 70302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73611M fan73611-d.pdf
FAN73611M
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14052BFEL MC14051B-D.pdf
MC14052BFEL
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DP4TX2 280OHM 16SOEIAJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 280Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-SOEIAJ
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:4
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 65955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1397+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 1397
В кошику  од. на суму  грн.
MC14052BFELG MC14051B-D.pdf
MC14052BFELG
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DP4TX2 280OHM 16SOEIAJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 280Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-SOEIAJ
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Switch Circuit: DP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:4
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 2
на замовлення 212041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
550+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PG nxh300b100h4q2f2-d.pdf
NXH300B100H4Q2F2PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1118V 73A 194W 27-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9682.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N958B 1N9xxB.pdf
1N958B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 5.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 5.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KAI-2093-12-20-A-EVK
Виробник: onsemi
Description: EVAL KIT IMAGE SENSOR CCD INTERL
Packaging: Bulk
Sensor Type: Image Sensor
Utilized IC / Part: KAI-2093
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N757A 1N746A-759A%2C4370A-4372A.pdf
1N757A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5G bash16mx2w-d.pdf
NSVBASH20MX2WT5G
Виробник: onsemi
Description: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.74 грн
16000+4.91 грн
24000+4.61 грн
56000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBASH20MX2WT5G bash16mx2w-d.pdf
NSVBASH20MX2WT5G
Виробник: onsemi
Description: 100V & 200V SW DIODE IN X2DFNW2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.86 грн
14+24.54 грн
25+21.48 грн
100+11.53 грн
250+10.81 грн
500+8.65 грн
1000+6.52 грн
2500+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDF02N60ZG NDx02N60Z.pdf
NDF02N60ZG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC00ADTR2G mc74hc00a-d.pdf
NLV74HC00ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 19ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 420735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1212+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1212
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4172NT1G nts4172n-d.pdf
NTS4172NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 294mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LC706200CM
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR MEMS MIC DIG SCS3
Packaging: Bulk
на замовлення 24900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1522+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 1522
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZ fdg410nz-d.pdf
FDG410NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG410NZ fdg410nz-d.pdf
FDG410NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STK760-712A-E
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTRLR HYBRID INVERTER
Packaging: Tube
на замовлення 13525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+1586.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
STK760-712A-E
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTRLR HYBRID INVERTER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS1560PFST3G NRTS1560PFS-D.PDF
NRTS1560PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS1560PFST3G NRTS1560PFS-D.PDF
NRTS1560PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.36 грн
10+48.92 грн
100+38.56 грн
500+28.17 грн
1000+24.65 грн
2000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100PFST3G nrts6100pfs-d.pdf
NRTS6100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100PFST3G nrts6100pfs-d.pdf
NRTS6100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.92 грн
10+62.42 грн
100+41.40 грн
500+30.38 грн
1000+27.66 грн
2000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS860PFST3G NRTS860PFS-D.PDF
NRTS860PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS860PFST3G NRTS860PFS-D.PDF
NRTS860PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.40 грн
10+52.51 грн
100+40.88 грн
500+32.52 грн
1000+26.49 грн
2000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1260PFST3G NRTS1260PFS-D.PDF
NRVTS1260PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1260PFST3G NRTS1260PFS-D.PDF
NRVTS1260PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.47 грн
10+58.27 грн
100+40.50 грн
500+30.52 грн
1000+28.06 грн
2000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1560PFST3G NRTS1560PFS-D.PDF
NRVTS1560PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1560PFST3G NRTS1560PFS-D.PDF
NRVTS1560PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.55 грн
10+55.71 грн
100+43.34 грн
500+34.47 грн
1000+28.08 грн
2000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS6100PFST3G nrts6100pfs-d.pdf
NRVTS6100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS6100PFST3G nrts6100pfs-d.pdf
NRVTS6100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 827pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.77 грн
10+59.95 грн
100+39.66 грн
500+29.06 грн
1000+26.43 грн
2000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS12100PFST3G NRTS12100PFS-D.PDF
NRTS12100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS12100PFST3G NRTS12100PFS-D.PDF
NRTS12100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 930pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.94 грн
10+63.46 грн
100+44.26 грн
500+33.46 грн
1000+30.82 грн
2000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS3060MFST3G nrvts3060mfs-d.pdf
NRVTS3060MFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS3060MFST3G nrvts3060mfs-d.pdf
NRVTS3060MFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3140pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.29 грн
10+108.62 грн
100+86.46 грн
500+68.65 грн
1000+58.25 грн
2000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3245DWR2 74FST3245%20Rev2.pdf
74FST3245DWR2
Виробник: onsemi
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3244DWR2 74FST3244%20Rev2.pdf
74FST3244DWR2
Виробник: onsemi
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3244DTR2 74FST3244%20Rev2.pdf
74FST3244DTR2
Виробник: onsemi
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74FST3383DWR2 74FST3383%20Rev6.pdf
74FST3383DWR2
Виробник: onsemi
Description: IC BUS FET EXCHG SW 5X2:2 24SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 5 x 2:2
Type: Bus FET Exchange Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 24-SOIC
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
KBP01M KBP005M,3N246 - KBP10M,3N252.pdf
KBP01M
Виробник: onsemi
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A KBPM
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBPM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 165°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPM
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MV2101G mmbv2101lt1-d.pdf
MV2101G
Виробник: onsemi
Description: DIODE TUNING 30V 6.8PF TO92-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C30
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 3.2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1680+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1680
В кошику  од. на суму  грн.
MC7924CT description mc7900-d.pdf
MC7924CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR -24V 1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Voltage - Input (Max): -40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -24V
PSRR: 56dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 25875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC7924CTG description mc7900-d.pdf
MC7924CTG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR -24V 1A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Voltage - Input (Max): -40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -24V
PSRR: 56dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
809+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 809
В кошику  од. на суму  грн.
2N2369 2N%2CPN%2CMPS%2CFTSO%20NPN%20Type.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBD2837LT1G mmbd2837lt1-d.pdf
SMMBD2837LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 30V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBD2837LT1G mmbd2837lt1-d.pdf
SMMBD2837LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 30V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD2835LT1 mmbd2835lt1-d.pdf
MMBD2835LT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE SWITCH DUAL 35V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBD2835LT1G mmbd2835lt1-d.pdf
SMMBD2835LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT28LV65W25 cat28lv65-d.pdf
CAT28LV65W25
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 28-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: Parallel
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+445.96 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG nvtfs6h850n-d.pdf
NVTFS6H850NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.28 грн
3000+32.31 грн
4500+30.98 грн
7500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG nvtfs6h850n-d.pdf
NVTFS6H850NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.67 грн
10+75.93 грн
100+50.87 грн
500+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAG nvtfs6h850nl-d.pdf
NVTFS6H850NLWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+44.58 грн
3000+39.84 грн
4500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLWFTAG nvtfs6h850nl-d.pdf
NVTFS6H850NLWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.57 грн
10+91.12 грн
100+61.68 грн
500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB68AT3 P6SMB6.8AT3%20Series.pdf
P6SMB68AT3
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 305pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB68AT3 P6SMB6.8AT3%20Series.pdf
P6SMB68AT3
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 305pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: SMB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LA72715V-TLM-E ONSMS35928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: JPN MTS (MULTI CHANNEL TELEVISIO
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+95.80 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TRBR as0140at?pdf=Y
Виробник: onsemi
Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+1791.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TRBR as0140at?pdf=Y
Виробник: onsemi
Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1805.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TPBR as0140at?pdf=Y
Виробник: onsemi
Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+1811.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AS0140AT2C00XUSM0-TPBR as0140at?pdf=Y
Виробник: onsemi
Description: 1MP 1/4 CIS SOC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 130-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 130-IBGA (8.5x8.5)
Grade: Automotive
Frames per Second: 60.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1825.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MAC12HCM MAC12HCDG_MG_NG.pdf
MAC12HCM
Виробник: onsemi
Description: TRIAC 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: TO-220
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 23243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
987+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
KSH45H11ITU KSH45H11.pdf
KSH45H11ITU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 70302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1155 1156 1157 1158 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2377  [ Наступна Сторінка >> ]