Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144090) > Сторінка 1173 з 2402

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1200 1440 1680 1920 2160 2400 2402  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NLX3G16DMUTCG NLX3G16DMUTCG onsemi nlx3g16-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8UDFN
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.95x1)
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 8-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLX3G16DMUTCG NLX3G16DMUTCG onsemi nlx3g16-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8UDFN
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.95x1)
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 8-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLX3G16DMUTCG NLX3G16DMUTCG onsemi nlx3g16-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8UDFN
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.95x1)
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 8-UFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2355+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 2355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU2G17MUTCG NLU2G17MUTCG onsemi nlu2g17-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Input Type: Schmitt Trigger
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 6-UFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 149000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1582+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT126MUTCG NLU1GT126MUTCG onsemi nlu1gt126-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT126MUTCG NLU1GT126MUTCG onsemi nlu1gt126-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT126MUTCG NLU1GT126MUTCG onsemi nlu1gt126-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
на замовлення 275300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1307+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 1307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU2G07MUTCG NLU2G07MUTCG onsemi NLU2G07.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLU2G07MUTCG NLU2G07MUTCG onsemi NLU2G07.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1G86MUTCG NLU1G86MUTCG onsemi NLU1G86.pdf Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.8ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 232351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT32MUTCG NLU1GT32MUTCG onsemi NLU1GT32.pdf Description: IC GATE OR 1CH 2-INP 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.18 грн
10+170.81 грн
100+119.59 грн
500+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1G NSS35200CF8T1G onsemi nss35200cf8t1g-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN3644 PN3644 onsemi PN3644.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 35nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3645 PN3645 onsemi PN3645.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 35nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3642 PN3642 onsemi PN3642.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3643 PN3643 onsemi PN3643.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3646 PN3646 onsemi PN3646.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10ELT28DG MC10ELT28DG onsemi Description: IC TRANSLTR UNIDIRECTIONAL 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Differential, Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: TTL, PECL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 2
Input Signal: PECL, TTL
Number of Circuits: 1
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+264.99 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10K EGP10K onsemi EGP10K-D.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.58 грн
10000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10K EGP10K onsemi EGP10K-D.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 18661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
14+21.99 грн
100+15.73 грн
500+11.16 грн
1000+9.69 грн
2000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 onsemi ffsb0665b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.90 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B-F085 FFSB0665B-F085 onsemi ffsb0665b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.83 грн
10+197.08 грн
100+139.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B FFSB0665B onsemi ffsb0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B FFSB0665B onsemi ffsb0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.68 грн
10+134.62 грн
100+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DFT1 MC74HC1G08DFT1 onsemi mc74hc1g08-d.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SC88A
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Bulk
на замовлення 83960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q MC74HC1G08DBVT1G-Q onsemi mc74hc1g08-d.pdf Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SC-74A
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q MC74HC1G08DBVT1G-Q onsemi mc74hc1g08-d.pdf Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Qualification: AEC-Q100
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SC-74A
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.14 грн
80+3.82 грн
92+3.33 грн
110+2.61 грн
250+2.37 грн
500+2.22 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NS3L500MTTWG NS3L500MTTWG onsemi ns3l500-d.pdf Description: IC ETH LAN SW 2:1GB 8CH 56-WQFN
Features: 10/100/1000 Base-T, LAN, LED
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Networking
On-State Resistance (Max): 7Ohm
-3db Bandwidth: 800MHz
Supplier Device Package: 56-WQFN (5x11)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 8
на замовлення 431751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+111.55 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G NRVHP160SFT3G onsemi nhp160sf-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G NRVHP160SFT3G onsemi nhp160sf-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
13+24.20 грн
100+19.09 грн
500+13.58 грн
1000+11.56 грн
2000+11.00 грн
5000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G NRVB140ESFT3G onsemi mbr140esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G NRVB140ESFT3G onsemi mbr140esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
11+29.17 грн
100+18.75 грн
500+13.35 грн
1000+11.98 грн
2000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140SFT3G NRVB140SFT3G onsemi mbr140sft1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4752A 1N4752A onsemi 1n4736at-d.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 25.1 V
на замовлення 67347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
30+10.23 грн
100+6.38 грн
500+4.39 грн
1000+3.88 грн
3000+3.22 грн
6000+2.84 грн
12000+2.57 грн
51000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1T3G MMSZ5V1T3G onsemi mmsz2v4t1-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 539500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1ET1 MMSZ5V1ET1 onsemi mmsz2v4et1-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5975+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 5975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC4020ADTR2G NLV74HC4020ADTR2G onsemi ONSMS39177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NLV74HC4020 - 14-STAGE BINARY RI
Packaging: Bulk
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07ASP onsemi FPF2G120BF07ASP-D.pdf Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS FPF2G120BF07AS onsemi TND6237-D.PDF Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7104.64 грн
10+6180.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1C2P5BF07A FPF1C2P5BF07A onsemi ONSM-S-A0003587275-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
Packaging: Tray
Package / Case: F1 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 5 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: F1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC75812PTS-8565-H LC75812PTS-8565-H onsemi Description: IC DRVR DOT MATRIX 100TQFP
Current - Supply: 500 µA
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Digits or Characters: 16 Characters, 240 Characters, 12 Digits, 13 Digits
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: Dot Matrix
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: LCD
Package / Case: 100-TQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+210.83 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5258BLT1G SZMMBZ5258BLT1G onsemi mmbz5221blt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
26+11.91 грн
100+7.41 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5258BLT1 MMBZ5258BLT1 onsemi mmbz5221blt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845EMTF onsemi FJV1845.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845EMTF onsemi FJV1845.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FEP16BTA FEP16BTA onsemi FEP16AT.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4730A 1N4730A onsemi 1N4728A-58A.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYD FCPF1300N80ZYD onsemi fcpf1300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1 FCPF165N65S3L1 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 30060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+127.38 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L onsemi fcpf165n65s3r0l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+136.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L onsemi fcpf165n65s3r0l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16TT1 BAS16TT1 onsemi bas16tt1-d.pdf Description: DIODE SS SW 75V 200MA SC-75
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NG onsemi nxh100t120l3q0s1ng-d.pdf Description: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 122 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4434.06 грн
24+3881.69 грн
48+3752.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG NXH011F120M3F2PTHG onsemi nxh011f120m3f2pt-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 244W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7991.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG NXH007F120M3F2PTHG onsemi nxh007f120m3f2-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Power - Max: 353W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10886.91 грн
20+10216.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG NXH004P120M3F2PTNG onsemi nxh004p120m3f2ptng-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13614.59 грн
20+12280.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG NXH004P120M3F2PNG onsemi nxh004p120m3f2png-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13898.46 грн
20+12578.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SG1577ASY SG1577ASY onsemi Description: IC REG CTRLR BUCK/BOOST 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 15V
Supplier Device Package: 20-SOIC
Duty Cycle (Max): 95%
Number of Outputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLX3G16DMUTCG nlx3g16-d.pdf
NLX3G16DMUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8UDFN
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.95x1)
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 8-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLX3G16DMUTCG nlx3g16-d.pdf
NLX3G16DMUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8UDFN
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.95x1)
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 8-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLX3G16DMUTCG nlx3g16-d.pdf
NLX3G16DMUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8UDFN
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.95x1)
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 3
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 8-UFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2355+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 2355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU2G17MUTCG nlu2g17-d.pdf
NLU2G17MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Input Type: Schmitt Trigger
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 6-UFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 149000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1582+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT126MUTCG nlu1gt126-d.pdf
NLU1GT126MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT126MUTCG nlu1gt126-d.pdf
NLU1GT126MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT126MUTCG nlu1gt126-d.pdf
NLU1GT126MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
на замовлення 275300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1307+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 1307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU2G07MUTCG NLU2G07.pdf
NLU2G07MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLU2G07MUTCG NLU2G07.pdf
NLU2G07MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1G86MUTCG NLU1G86.pdf
NLU1G86MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.8ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 232351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1567+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLU1GT32MUTCG NLU1GT32.pdf
NLU1GT32MUTCG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.2x1)
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1567+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+271.18 грн
10+170.81 грн
100+119.59 грн
500+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1G nss35200cf8t1g-d.pdf
NSS35200CF8T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN3644 PN3644.pdf
PN3644
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 35nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3645 PN3645.pdf
PN3645
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 35nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3642 PN3642.pdf
PN3642
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3643 PN3643.pdf
PN3643
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN3646 PN3646.pdf
PN3646
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10ELT28DG
MC10ELT28DG
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR UNIDIRECTIONAL 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Differential, Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: TTL, PECL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 2
Input Signal: PECL, TTL
Number of Circuits: 1
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
83+264.99 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10K EGP10K-D.pdf
EGP10K
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+8.58 грн
10000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10K EGP10K-D.pdf
EGP10K
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 18661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.51 грн
14+21.99 грн
100+15.73 грн
500+11.16 грн
1000+9.69 грн
2000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B-F085 ffsb0665b-f085-d.pdf
FFSB0665B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+111.90 грн
1600+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B-F085 ffsb0665b-f085-d.pdf
FFSB0665B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+310.83 грн
10+197.08 грн
100+139.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B ffsb0665b-d.pdf
FFSB0665B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B ffsb0665b-d.pdf
FFSB0665B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+215.68 грн
10+134.62 грн
100+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DFT1 mc74hc1g08-d.pdf
MC74HC1G08DFT1
Виробник: onsemi
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SC88A
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Bulk
на замовлення 83960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3620+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q mc74hc1g08-d.pdf
MC74HC1G08DBVT1G-Q
Виробник: onsemi
Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SC-74A
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q mc74hc1g08-d.pdf
MC74HC1G08DBVT1G-Q
Виробник: onsemi
Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Qualification: AEC-Q100
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SC-74A
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+7.14 грн
80+3.82 грн
92+3.33 грн
110+2.61 грн
250+2.37 грн
500+2.22 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NS3L500MTTWG ns3l500-d.pdf
NS3L500MTTWG
Виробник: onsemi
Description: IC ETH LAN SW 2:1GB 8CH 56-WQFN
Features: 10/100/1000 Base-T, LAN, LED
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Networking
On-State Resistance (Max): 7Ohm
-3db Bandwidth: 800MHz
Supplier Device Package: 56-WQFN (5x11)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 8
на замовлення 431751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
183+111.55 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G nhp160sf-d.pdf
NRVHP160SFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G nhp160sf-d.pdf
NRVHP160SFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.68 грн
13+24.20 грн
100+19.09 грн
500+13.58 грн
1000+11.56 грн
2000+11.00 грн
5000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G mbr140esf-d.pdf
NRVB140ESFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G mbr140esf-d.pdf
NRVB140ESFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.16 грн
11+29.17 грн
100+18.75 грн
500+13.35 грн
1000+11.98 грн
2000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140SFT3G mbr140sft1-d.pdf
NRVB140SFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4752A 1n4736at-d.pdf
1N4752A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 33V 1W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 25.1 V
на замовлення 67347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
30+10.23 грн
100+6.38 грн
500+4.39 грн
1000+3.88 грн
3000+3.22 грн
6000+2.84 грн
12000+2.57 грн
51000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1T3G mmsz2v4t1-d.pdf
MMSZ5V1T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 539500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6662+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1ET1 mmsz2v4et1-d.pdf
MMSZ5V1ET1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5975+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 5975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC4020ADTR2G ONSMS39177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NLV74HC4020ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: NLV74HC4020 - 14-STAGE BINARY RI
Packaging: Bulk
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
483+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07ASP FPF2G120BF07ASP-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS TND6237-D.PDF
FPF2G120BF07AS
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7104.64 грн
10+6180.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1C2P5BF07A ONSM-S-A0003587275-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF1C2P5BF07A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
Packaging: Tray
Package / Case: F1 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 5 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: F1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC75812PTS-8565-H
LC75812PTS-8565-H
Виробник: onsemi
Description: IC DRVR DOT MATRIX 100TQFP
Current - Supply: 500 µA
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Digits or Characters: 16 Characters, 240 Characters, 12 Digits, 13 Digits
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: Dot Matrix
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: LCD
Package / Case: 100-TQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
105+210.83 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5258BLT1G mmbz5221blt1-d.pdf
SZMMBZ5258BLT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
26+11.91 грн
100+7.41 грн
500+5.12 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5258BLT1 mmbz5221blt1-d.pdf
MMBZ5258BLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7869+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845.pdf
FJV1845EMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845.pdf
FJV1845EMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FEP16BTA FEP16AT.pdf
FEP16BTA
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4730A 1N4728A-58A.pdf
1N4730A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYD fcpf1300n80z-d.pdf
FCPF1300N80ZYD
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 30060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
161+127.38 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L fcpf165n65s3r0l-d.pdf
FCPF165N65S3R0L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
150+136.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L fcpf165n65s3r0l-d.pdf
FCPF165N65S3R0L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16TT1 bas16tt1-d.pdf
BAS16TT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE SS SW 75V 200MA SC-75
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NG nxh100t120l3q0s1ng-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 122 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4434.06 грн
24+3881.69 грн
48+3752.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG nxh011f120m3f2pt-d.pdf
NXH011F120M3F2PTHG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 244W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7991.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG nxh007f120m3f2-d.pdf
NXH007F120M3F2PTHG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Power - Max: 353W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10886.91 грн
20+10216.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG nxh004p120m3f2ptng-d.pdf
NXH004P120M3F2PTNG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+13614.59 грн
20+12280.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG nxh004p120m3f2png-d.pdf
NXH004P120M3F2PNG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+13898.46 грн
20+12578.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SG1577ASY
SG1577ASY
Виробник: onsemi
Description: IC REG CTRLR BUCK/BOOST 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 15V
Supplier Device Package: 20-SOIC
Duty Cycle (Max): 95%
Number of Outputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1176 1177 1178 1200 1440 1680 1920 2160 2400 2402  [ Наступна Сторінка >> ]