Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145225) > Сторінка 1269 з 2421

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SZNZ8F5V1MX2WT5G SZNZ8F5V1MX2WT5G onsemi nz8f2v4mx2w-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 250MW 2-X2DFNW
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-XDFN
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AR0145CS1C00SMKA0-CP-E AR0145CS1C00SMKA0-CP-E onsemi ar0145cs-pd-d.pdf Description: 1MP, 1/4.3, GLOBAL SHUTTER IMAGE
Voltage - Supply: 1.2V ~ 2.8V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: CMOS
Package / Case: 47-VFBGA, CSPBGA
Packaging: Tray
Frames per Second: 120.0
Supplier Device Package: 47-ODCSP (5.74x4.42)
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Pixel Size: 2.8µm x 2.8µm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2673.17 грн
10+2098.82 грн
25+1980.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0145CS1C28SMKA0-CP-E AR0145CS1C28SMKA0-CP-E onsemi ar0145cs-pd-d.pdf Description: 1MP, 1/4.3, GLOBAL SHUTTER IMAGE
Frames per Second: 120.0
Supplier Device Package: 47-ODCSP (5.74x4.42)
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Pixel Size: 2.8µm x 2.8µm
Voltage - Supply: 1.2V ~ 2.8V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: CMOS
Package / Case: 47-VFBGA, CSPBGA
Packaging: Tray
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2673.17 грн
10+2098.82 грн
25+1980.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120TS FOD3120TS onsemi fod3120-d.pdf Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Current - Peak Output: 3A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 60ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 400ns, 400ns
Pulse Width Distortion (Max): 100ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3200HU2-GT3 CAT3200HU2-GT3 onsemi CAT3200HU2-D.PDF Description: IC REG CHARGE PUMP ADJ/5V 8UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable (Fixed)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Up
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2MHz
Voltage - Input (Max): 4.5V
Topology: Charge Pump
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x2)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 6V
Voltage - Input (Min): 2.2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V (5V)
на замовлення 538399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H150CTG MBRF10H150CTG onsemi mbrf10h150ct-d.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 5A TO220FP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -20°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 103959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G-M07 onsemi Description: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G MC74HC574ADTR2G onsemi mc74hc574a-d.pdf Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G MC74HC574ADTR2G onsemi mc74hc574a-d.pdf Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+21.99 грн
25+19.59 грн
100+15.96 грн
250+14.80 грн
500+14.10 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G-Q MC74HC574ADTR2G-Q onsemi mc74hc574a-d.pdf Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IE NVBG030N120M3S-IE onsemi nvbg030n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1098.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IE NVBG030N120M3S-IE onsemi nvbg030n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1687.62 грн
10+1306.38 грн
25+1226.83 грн
100+1069.23 грн
250+1030.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022M MOC3022M onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 143108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
50+32.11 грн
100+29.47 грн
500+23.19 грн
1000+21.73 грн
2000+20.49 грн
5000+18.82 грн
10000+17.99 грн
25000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G RS1G onsemi rs1m-d.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G RS1G onsemi rs1m-d.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.04 грн
100+12.71 грн
500+8.92 грн
1000+7.95 грн
2000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DTG MC74VHC259DTG onsemi mc74vhc259-d.pdf Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-TSSOP
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
на замовлення 68216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DG MC74VHC259DG onsemi mc74vhc259-d.pdf Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 19488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT259DR2 MC74ACT259DR2 onsemi mc74ac259-d.pdf Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14050BDTR2G MC14050BDTR2G onsemi mc14049b-d.pdf Description: IC BUFF NON-INVERT 18V 16-TSSOP
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Current - Output High, Low: 10mA, 40mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 55916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM SSR1N60BTM onsemi SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM-WS SSR1N60BTM-WS onsemi SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S onsemi UJ4C075033L8S-D.PDF Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S onsemi UJ4C075033L8S-D.PDF Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+969.24 грн
10+656.63 грн
100+591.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0165RLX FSQ0165RLX onsemi fsq0365-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Power (Watts): 15 W
Control Features: Sync
Voltage - Start Up: 12 V
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: 8-LSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 650V
Internal Switch(s): Yes
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NLTAG onsemi nttfs6h880nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.99 грн
100+24.72 грн
500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAG NVTFS6H880NLWFTAG onsemi nvtfs6h880nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.26 грн
100+33.10 грн
500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAG NVTFS6H880NLTAG onsemi NVTFS6H880NL-D.PDF Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.50 грн
100+23.69 грн
500+17.07 грн
1000+15.40 грн
2000+14.00 грн
5000+12.28 грн
10000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG NVTFS6H880NWFTAG onsemi nvtfs6h880n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG NVTFS6H880NWFTAG onsemi nvtfs6h880n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG NTTFS6H880NTAG onsemi nttfs6h880n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG NTTFS6H880NTAG onsemi nttfs6h880n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC14SJX MM74HC14SJX onsemi mm74hc14-d.pdf Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C onsemi fqp12n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS onsemi hgt1s12n60a4ds-d.pdf Description: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
10+135.44 грн
100+93.98 грн
500+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z FCP650N80Z onsemi fcp650n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCU850N80Z FCU850N80Z onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCU2250N80Z FCU2250N80Z onsemi fcu2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU onsemi fgh40n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGH40N60UFTU SGH40N60UFTU onsemi sgh40n60uf-d.pdf Description: IGBT 600V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT245PC 74ACT245PC onsemi 74act245-d.pdf description Description: IC TXRX 4.5V/5.5V 20-PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G DTA124XM3T5G onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.30 грн
16000+2.89 грн
24000+2.73 грн
40000+2.41 грн
56000+2.31 грн
80000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G DTA124XM3T5G onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 95999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.92 грн
100+6.82 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
2000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5938B 1N5938B onsemi 1n5913b-d.pdf Description: DIODE ZENER 36V 3W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 38 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403A MMBD1403A onsemi mmbd1405a-d.pdf Description: DIODE ARR GP 175V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 175 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCP11N60N onsemi FCPF11N60NT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC640BU BC640BU onsemi BC640.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC640 BC640 onsemi BC640-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G MC33204DTBR2G onsemi mc33201-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.01 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G MC33204DTBR2G onsemi mc33201-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 31006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+36.65 грн
25+32.94 грн
100+27.12 грн
250+25.30 грн
500+24.21 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTU onsemi FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDW93C BDW93C onsemi BDW93C-D.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC574WMX MM74HC574WMX onsemi MM74HC574-D.PDF Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT 20-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 20-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 150pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG NSVBCP5310MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG NSVBCP5310MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30L45CTH MBR30L45CTH onsemi TWSCS05157-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 30A 45V TO220 SCH HFREE
Packaging: Bulk
на замовлення 400721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M onsemi GBU4M-D.PDF Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
20+84.55 грн
100+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ418-TL-E onsemi Description: MOSFET P-CH 30V
Packaging: Bulk
на замовлення 23028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+348.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ8F5V1MX2WT5G nz8f2v4mx2w-d.pdf
SZNZ8F5V1MX2WT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 250MW 2-X2DFNW
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-XDFN
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AR0145CS1C00SMKA0-CP-E ar0145cs-pd-d.pdf
AR0145CS1C00SMKA0-CP-E
Виробник: onsemi
Description: 1MP, 1/4.3, GLOBAL SHUTTER IMAGE
Voltage - Supply: 1.2V ~ 2.8V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: CMOS
Package / Case: 47-VFBGA, CSPBGA
Packaging: Tray
Frames per Second: 120.0
Supplier Device Package: 47-ODCSP (5.74x4.42)
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Pixel Size: 2.8µm x 2.8µm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2673.17 грн
10+2098.82 грн
25+1980.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AR0145CS1C28SMKA0-CP-E ar0145cs-pd-d.pdf
AR0145CS1C28SMKA0-CP-E
Виробник: onsemi
Description: 1MP, 1/4.3, GLOBAL SHUTTER IMAGE
Frames per Second: 120.0
Supplier Device Package: 47-ODCSP (5.74x4.42)
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Pixel Size: 2.8µm x 2.8µm
Voltage - Supply: 1.2V ~ 2.8V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Type: CMOS
Package / Case: 47-VFBGA, CSPBGA
Packaging: Tray
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2673.17 грн
10+2098.82 грн
25+1980.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120TS fod3120-d.pdf
FOD3120TS
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Current - Peak Output: 3A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 60ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 400ns, 400ns
Pulse Width Distortion (Max): 100ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3200HU2-GT3 CAT3200HU2-D.PDF
CAT3200HU2-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC REG CHARGE PUMP ADJ/5V 8UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable (Fixed)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Up
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2MHz
Voltage - Input (Max): 4.5V
Topology: Charge Pump
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x2)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 6V
Voltage - Input (Min): 2.2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V (5V)
на замовлення 538399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF10H150CTG mbrf10h150ct-d.pdf
MBRF10H150CTG
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 5A TO220FP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -20°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 103959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
329+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G-M07
Виробник: onsemi
Description: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G mc74hc574a-d.pdf
MC74HC574ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G mc74hc574a-d.pdf
MC74HC574ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
14+21.99 грн
25+19.59 грн
100+15.96 грн
250+14.80 грн
500+14.10 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G-Q mc74hc574a-d.pdf
MC74HC574ADTR2G-Q
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IE nvbg030n120m3s-d.pdf
NVBG030N120M3S-IE
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1098.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IE nvbg030n120m3s-d.pdf
NVBG030N120M3S-IE
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1687.62 грн
10+1306.38 грн
25+1226.83 грн
100+1069.23 грн
250+1030.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022M moc3023m-d.pdf
MOC3022M
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 143108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.80 грн
50+32.11 грн
100+29.47 грн
500+23.19 грн
1000+21.73 грн
2000+20.49 грн
5000+18.82 грн
10000+17.99 грн
25000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G rs1m-d.pdf
RS1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G rs1m-d.pdf
RS1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.04 грн
100+12.71 грн
500+8.92 грн
1000+7.95 грн
2000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DTG mc74vhc259-d.pdf
MC74VHC259DTG
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-TSSOP
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
на замовлення 68216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
685+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DG mc74vhc259-d.pdf
MC74VHC259DG
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 19488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
660+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT259DR2 mc74ac259-d.pdf
MC74ACT259DR2
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14050BDTR2G mc14049b-d.pdf
MC14050BDTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 18V 16-TSSOP
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Current - Output High, Low: 10mA, 40mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 55916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
771+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf
SSR1N60BTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM-WS SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf
SSR1N60BTM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S-D.PDF
UJ4C075033L8S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S-D.PDF
UJ4C075033L8S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+969.24 грн
10+656.63 грн
100+591.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0165RLX fsq0365-d.pdf
FSQ0165RLX
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Power (Watts): 15 W
Control Features: Sync
Voltage - Start Up: 12 V
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: 8-LSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 650V
Internal Switch(s): Yes
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG nttfs6h880nl-d.pdf
NTTFS6H880NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.99 грн
100+24.72 грн
500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAG nvtfs6h880nl-d.pdf
NVTFS6H880NLWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.10 грн
10+50.26 грн
100+33.10 грн
500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAG NVTFS6H880NL-D.PDF
NVTFS6H880NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.35 грн
10+36.50 грн
100+23.69 грн
500+17.07 грн
1000+15.40 грн
2000+14.00 грн
5000+12.28 грн
10000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG nvtfs6h880n-d.pdf
NVTFS6H880NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG nvtfs6h880n-d.pdf
NVTFS6H880NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG nttfs6h880n-d.pdf
NTTFS6H880NTAG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG nttfs6h880n-d.pdf
NTTFS6H880NTAG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC14SJX mm74hc14-d.pdf
MM74HC14SJX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C fqp12n60c-d.pdf
FQP12N60C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS hgt1s12n60a4ds-d.pdf
HGT1S12N60A4DS
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z fcu850n80z-d.pdf
FCD850N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z fcu850n80z-d.pdf
FCD850N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.90 грн
10+135.44 грн
100+93.98 грн
500+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z fcp650n80z-d.pdf
FCP650N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCU850N80Z fcu850n80z-d.pdf
FCU850N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCU2250N80Z fcu2250n80z-d.pdf
FCU2250N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGH40N60UFTU sgh40n60uf-d.pdf
SGH40N60UFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT245PC description 74act245-d.pdf
74ACT245PC
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX 4.5V/5.5V 20-PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G dta124x-d.pdf
DTA124XM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.30 грн
16000+2.89 грн
24000+2.73 грн
40000+2.41 грн
56000+2.31 грн
80000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G dta124x-d.pdf
DTA124XM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 95999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.64 грн
28+10.92 грн
100+6.82 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
2000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5938B 1n5913b-d.pdf
1N5938B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 36V 3W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 38 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403A mmbd1405a-d.pdf
MMBD1403A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 175V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 175 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCPF11N60NT-D.pdf
FCP11N60N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC640BU BC640.pdf
BC640BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC640 BC640-D.PDF
BC640
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G mc33201-d.pdf
MC33204DTBR2G
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.01 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G mc33201-d.pdf
MC33204DTBR2G
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 31006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.59 грн
10+36.65 грн
25+32.94 грн
100+27.12 грн
250+25.30 грн
500+24.21 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU fqpf7n65c-d.pdf
FQPF7N65CYDTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTU FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDW93C BDW93C-D.pdf
BDW93C
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC574WMX MM74HC574-D.PDF
MM74HC574WMX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT 20-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 20-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 150pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG bcp53m-d.pdf
NSVBCP5310MTWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG bcp53m-d.pdf
NSVBCP5310MTWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30L45CTH TWSCS05157-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MBR30L45CTH
Виробник: onsemi
Description: 30A 45V TO220 SCH HFREE
Packaging: Bulk
на замовлення 400721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
284+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M-D.PDF
GBU4M
Виробник: onsemi
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.33 грн
20+84.55 грн
100+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ418-TL-E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V
Packaging: Bulk
на замовлення 23028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+348.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]