Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147494) > Сторінка 1269 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1470 1715 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBZ5242B MMBZ5242B onsemi MMBZ5221B-5257B.pdf Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5242B onsemi MMBZ5221B-5257B.pdf Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BLT1 MMBZ5242BLT1 onsemi mmbz5221blt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 225MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QTLP321CR onsemi QTLP321Cx.pdf Description: LED RED POWER LED T/H
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Color: Red
Size / Dimension: 7.62mm L x 7.62mm W
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Current - Test: 70mA
Viewing Angle: 50°
Height (Max): 6.50mm
Wavelength - Peak: 640nm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: POWER LED
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3.00mm Dia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C-TL-H onsemi EC4H08C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H09C-TL-H EC4H09C-TL-H onsemi EC4H09C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 26GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D1R2G NIS5112D1R2G onsemi nis5112-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+126.35 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D2R2G NIS5112D2R2G onsemi nis5112-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+147.15 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTR2G NB4N7132DTR2G onsemi NB4N7132.pdf Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+294.06 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTG NB4N7132DTG onsemi NB4N7132.pdf Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+294.06 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG NCP81611AMNTXG onsemi Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG NCP81611AMNTXG onsemi Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.25 грн
10+124.27 грн
25+113.42 грн
100+95.30 грн
250+89.98 грн
500+86.78 грн
1000+82.76 грн
2500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWG onsemi nvmjd5d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.18 грн
10+125.81 грн
25+106.59 грн
100+79.62 грн
250+69.58 грн
500+63.42 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWG onsemi NVMJD7D4N04CL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G onsemi nss35200mr6-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 357599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 1565
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259 onsemi RMPA2259.pdf Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259 onsemi RMPA2259.pdf Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB24CAT3G SZ1SMB24CAT3G onsemi ONSMS21675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 366pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30B TIP30B onsemi TIP29B-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30A TIP30A onsemi TIP29B-D.PDF Description: TRANS PNP 60V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4800AUM FAN4800AUM onsemi fan4800cu-d.pdf Description: IC PFC CTR AV CURR 268KHZ 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Frequency - Switching: 240kHz ~ 268kHz
Mode: Average Current
Supplier Device Package: 16-SOIC
Current - Startup: 30 µA
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.22 грн
10+100.45 грн
25+84.84 грн
100+63.03 грн
250+54.88 грн
500+49.86 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FD6M043N08 FD6M043N08 onsemi FD6M043N08.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Packaging: Tube
Package / Case: EPM15
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: EPM15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX LM317LMX onsemi lm317l-d.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX LM317LMX onsemi lm317l-d.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H NDS8858H onsemi NDS8858H.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H NDS8858H onsemi NDS8858H.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31 TIP31 onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31ATU TIP31ATU onsemi TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SC 74ACT74SC onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJ 74ACT74SJ onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJX 74ACT74SJX onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4G 1.5KE12ARL4G onsemi ONSMS21119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 45074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1040+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 1040
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 TIP122 onsemi TIP120-22.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2328AOBU KSC2328AOBU onsemi ksc2328a-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 onsemi da008696 Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1065.60 грн
30+650.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 UJ3D1250K2 onsemi da008695 Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1795.55 грн
30+1352.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS onsemi da008687 Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 27343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.21 грн
25+179.52 грн
100+155.05 грн
250+134.37 грн
500+124.63 грн
1000+120.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD onsemi DS_UJ3D06560KSD.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1231.83 грн
30+1055.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K UJ3D1250K onsemi da008694 Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1795.55 грн
30+1352.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS onsemi UJ3D1202TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.69 грн
50+106.88 грн
100+103.56 грн
500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS onsemi DS_UJ3D06506TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.72 грн
25+117.23 грн
100+100.90 грн
250+87.03 грн
500+81.46 грн
1000+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS onsemi DS_UJ3D06508TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
25+137.24 грн
100+118.70 грн
250+102.35 грн
500+95.38 грн
1000+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS onsemi DS_UJ3D06510TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.30 грн
25+155.80 грн
100+134.28 грн
250+116.27 грн
500+108.61 грн
1000+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS UJ3D06520TS onsemi DS_UJ3D06520TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.60 грн
25+267.83 грн
100+230.72 грн
250+199.82 грн
500+185.89 грн
1000+179.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS onsemi UJ3D1210TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 8987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.90 грн
50+354.52 грн
100+324.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD onsemi UJ3D1220KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1007.79 грн
30+596.30 грн
120+521.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS UJ3D06504TS onsemi DS_UJ3D06504TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
25+91.25 грн
100+78.64 грн
250+67.53 грн
500+63.36 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS UJ3D06512TS onsemi DS_UJ3D06512TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.95 грн
50+189.10 грн
100+182.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS UJ3D06516TS onsemi DS_UJ3D06516TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.84 грн
25+232.94 грн
100+201.05 грн
250+173.36 грн
500+161.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 onsemi UJ3D1210K2-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.17 грн
30+295.98 грн
120+262.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS UJ3D06530TS onsemi DS_UJ3D06530TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.55 грн
25+390.97 грн
100+337.56 грн
250+291.72 грн
500+271.53 грн
1000+261.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2 onsemi da008692 Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.48 грн
25+506.71 грн
100+437.71 грн
250+378.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD onsemi da008682 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.66 грн
25+324.93 грн
100+280.43 грн
250+242.29 грн
500+234.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD onsemi da008690 Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.78 грн
25+352.40 грн
100+304.17 грн
250+262.48 грн
500+244.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS onsemi UJ3D1210KS-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08WI-G CAT24C08WI-G onsemi cat24c01-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBA009LNHTAG NBXDBA009LNHTAG onsemi Description: IC OSC XTAL DUAL FREQ 6CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 75MHz, 150MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 79 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086BU 2N5086BU onsemi 2N5086%2C%202N5087%2C%20MMBT5087.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5221B-5257B.pdf
MMBZ5242B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5221B-5257B.pdf
MMBZ5242B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BLT1 mmbz5221blt1-d.pdf
MMBZ5242BLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 225MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QTLP321CR QTLP321Cx.pdf
Виробник: onsemi
Description: LED RED POWER LED T/H
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Color: Red
Size / Dimension: 7.62mm L x 7.62mm W
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Current - Test: 70mA
Viewing Angle: 50°
Height (Max): 6.50mm
Wavelength - Peak: 640nm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: POWER LED
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3.00mm Dia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
EC4401C-TL
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
EC4401C-TL
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C.pdf
EC4H08C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H09C-TL-H EC4H09C.pdf
EC4H09C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 26GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D1R2G nis5112-d.pdf
NIS5112D1R2G
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+126.35 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D2R2G nis5112-d.pdf
NIS5112D2R2G
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+147.15 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTR2G NB4N7132.pdf
NB4N7132DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+294.06 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTG NB4N7132.pdf
NB4N7132DTG
Виробник: onsemi
Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+294.06 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG
NCP81611AMNTXG
Виробник: onsemi
Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+88.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG
NCP81611AMNTXG
Виробник: onsemi
Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.25 грн
10+124.27 грн
25+113.42 грн
100+95.30 грн
250+89.98 грн
500+86.78 грн
1000+82.76 грн
2500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWG nvmjd5d4n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.18 грн
10+125.81 грн
25+106.59 грн
100+79.62 грн
250+69.58 грн
500+63.42 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWG NVMJD7D4N04CL-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1G nss35200mr6-d.pdf
NSS35200MR6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 357599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1565+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 1565
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259.pdf
RMPA2259
Виробник: onsemi
Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259.pdf
RMPA2259
Виробник: onsemi
Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB24CAT3G ONSMS21675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SZ1SMB24CAT3G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 366pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
919+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30B TIP29B-D.PDF
TIP30B
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30A TIP29B-D.PDF
TIP30A
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4800AUM fan4800cu-d.pdf
FAN4800AUM
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTR AV CURR 268KHZ 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Frequency - Switching: 240kHz ~ 268kHz
Mode: Average Current
Supplier Device Package: 16-SOIC
Current - Startup: 30 µA
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.22 грн
10+100.45 грн
25+84.84 грн
100+63.03 грн
250+54.88 грн
500+49.86 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FD6M043N08 FD6M043N08.pdf
FD6M043N08
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Packaging: Tube
Package / Case: EPM15
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: EPM15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX lm317l-d.pdf
LM317LMX
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX lm317l-d.pdf
LM317LMX
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H NDS8858H.pdf
NDS8858H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H NDS8858H.pdf
NDS8858H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31 tip31a-d.pdf
TIP31
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31ATU TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf
TIP31ATU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SC DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SC
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJ DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SJ
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJX DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SJX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4G ONSMS21119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1.5KE12ARL4G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 45074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1040+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 1040
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 TIP120-22.pdf
TIP122
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2328AOBU ksc2328a-d.pdf
KSC2328AOBU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 da008696
UJ3D1725K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1065.60 грн
30+650.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 da008695
UJ3D1250K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1795.55 грн
30+1352.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS da008687
UJ3D1205TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 27343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.21 грн
25+179.52 грн
100+155.05 грн
250+134.37 грн
500+124.63 грн
1000+120.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD DS_UJ3D06560KSD.pdf
UJ3D06560KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1231.83 грн
30+1055.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K da008694
UJ3D1250K
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1795.55 грн
30+1352.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS-D.PDF
UJ3D1202TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.69 грн
50+106.88 грн
100+103.56 грн
500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS DS_UJ3D06506TS.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
25+117.23 грн
100+100.90 грн
250+87.03 грн
500+81.46 грн
1000+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS DS_UJ3D06508TS.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.82 грн
25+137.24 грн
100+118.70 грн
250+102.35 грн
500+95.38 грн
1000+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS DS_UJ3D06510TS.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.30 грн
25+155.80 грн
100+134.28 грн
250+116.27 грн
500+108.61 грн
1000+104.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS DS_UJ3D06520TS.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.60 грн
25+267.83 грн
100+230.72 грн
250+199.82 грн
500+185.89 грн
1000+179.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS-D.PDF
UJ3D1210TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 8987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.90 грн
50+354.52 грн
100+324.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD-D.PDF
UJ3D1220KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1007.79 грн
30+596.30 грн
120+521.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS DS_UJ3D06504TS.pdf
UJ3D06504TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.41 грн
25+91.25 грн
100+78.64 грн
250+67.53 грн
500+63.36 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS DS_UJ3D06512TS.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.95 грн
50+189.10 грн
100+182.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS DS_UJ3D06516TS.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.84 грн
25+232.94 грн
100+201.05 грн
250+173.36 грн
500+161.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2-D.PDF
UJ3D1210K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.17 грн
30+295.98 грн
120+262.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.55 грн
25+390.97 грн
100+337.56 грн
250+291.72 грн
500+271.53 грн
1000+261.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 da008692
UJ3D1220K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.48 грн
25+506.71 грн
100+437.71 грн
250+378.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSD da008682
UJ3D06520KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.66 грн
25+324.93 грн
100+280.43 грн
250+242.29 грн
500+234.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD da008690
UJ3D1210KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.78 грн
25+352.40 грн
100+304.17 грн
250+262.48 грн
500+244.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS-D.PDF
UJ3D1210KS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08WI-G cat24c01-d.pdf
CAT24C08WI-G
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBA009LNHTAG
NBXDBA009LNHTAG
Виробник: onsemi
Description: IC OSC XTAL DUAL FREQ 6CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 75MHz, 150MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 79 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5086BU 2N5086%2C%202N5087%2C%20MMBT5087.pdf
2N5086BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1470 1715 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]