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QSB363 QSB363 ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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QSB34CZR QSB34CZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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QSB34ZR QSB34ZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BZX84C3V6LT1G BZX84C3V6LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+8.03 грн
175+4.74 грн
354+2.34 грн
500+2.09 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 103
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UC3525AN UC3525AN ONSEMI 1506477.pdf description Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.27 грн
17+51.42 грн
100+39.37 грн
500+31.04 грн
1000+24.40 грн
5000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
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SL05T1G SL05T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.13 грн
45+18.49 грн
100+13.70 грн
500+9.89 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
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SL05T1G SL05T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.70 грн
500+9.89 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
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HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.07 грн
69+12.05 грн
150+5.51 грн
500+4.83 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 46
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.04 грн
58+14.28 грн
130+6.35 грн
500+5.36 грн
1000+3.32 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 38
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS5C453NLTAG NTTFS5C453NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 ONSEMI FFSP1065B-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI 2572498.pdf Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.60 грн
10+327.64 грн
100+217.05 грн
500+179.32 грн
1000+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NSR05T30XV2T5G NSR05T30XV2T5G ONSEMI 2339385.pdf Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.93 грн
78+10.65 грн
112+7.43 грн
500+4.83 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 52
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FDS3890 FDS3890 ONSEMI fds3890-d.pdf Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.24 грн
10+129.57 грн
100+89.13 грн
500+65.45 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
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HUFA76429D3 HUFA76429D3 ONSEMI HUFA76429D3ST-F085-D.PDF Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDS6982AS FDS6982AS ONSEMI 2304316.pdf Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NL27WZ02USG NL27WZ02USG ONSEMI 1878616.pdf Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.80 грн
36+23.52 грн
100+13.45 грн
500+10.42 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
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NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTH4L060N090SC1 NTH4L060N090SC1 ONSEMI NTH4L060N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.94 грн
5+671.78 грн
10+653.62 грн
50+590.84 грн
100+529.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
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NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 ONSEMI ONSM-S-A0017607183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1997.19 грн
5+1837.08 грн
10+1557.31 грн
50+1185.52 грн
100+1072.40 грн
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FQP2N90 FQP2N90 ONSEMI 1793291.pdf Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.73 грн
10+121.32 грн
100+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.42 грн
10+228.60 грн
100+181.56 грн
500+141.77 грн
1000+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDB86360-F085 FDB86360-F085 ONSEMI FDB86360_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86566-F085 FDB86566-F085 ONSEMI 2907356.pdf Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86563-F085 FDB86563-F085 ONSEMI FDB86563_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86566-F085 ONSEMI 2907356.pdf Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86366-F085 FDB86366-F085 ONSEMI FDB86366_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86135 FDB86135 ONSEMI 2265054.pdf Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDB86569-F085 FDB86569-F085 ONSEMI FDB86569_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDS4141 FDS4141 ONSEMI 2303916.pdf Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDS4141 FDS4141 ONSEMI 2303916.pdf Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NCP1622AEASNT1G NCP1622AEASNT1G ONSEMI NCP1622-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1622AEASNT1G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGHL50T65SQ FGHL50T65SQ ONSEMI ONSM-S-A0011486496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.83 грн
10+182.39 грн
100+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.12 грн
50+96.56 грн
100+67.76 грн
500+51.34 грн
1000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.76 грн
500+51.34 грн
1000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDD6637. FDD6637. ONSEMI 2284198.pdf Description: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
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FGA50T65SHD FGA50T65SHD ONSEMI FGA50T65SHD-D.pdf Description: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NC7WZU04P6X NC7WZU04P6X ONSEMI 2303959.pdf Description: ONSEMI - NC7WZU04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 8mA, 1.8V bis 5.5V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: 7404
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W04
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7W04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.91 грн
30+28.14 грн
100+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
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NC7SV04P5X NC7SV04P5X ONSEMI 2299632.pdf Description: ONSEMI - NC7SV04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 24mA, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.27 грн
56+14.86 грн
100+8.67 грн
500+7.57 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
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NC7S04P5X NC7S04P5X ONSEMI 2298126.pdf Description: ONSEMI - NC7S04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.60 грн
75+11.14 грн
146+5.67 грн
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
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NC7SZU04P5X NC7SZU04P5X ONSEMI 2298197.pdf Description: ONSEMI - NC7SZU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NC7SVU04P5X NC7SVU04P5X ONSEMI 1860770.pdf Description: ONSEMI - NC7SVU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NC7S04P5X NC7S04P5X ONSEMI 2298126.pdf Description: ONSEMI - NC7S04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NC7S04L6X NC7S04L6X ONSEMI NC7S04-D.PDF Description: ONSEMI - NC7S04L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7S04
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NC7SZU04P5X NC7SZU04P5X ONSEMI 2298197.pdf Description: ONSEMI - NC7SZU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.60 грн
75+11.14 грн
146+5.67 грн
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 35
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NC7SVU04P5X NC7SVU04P5X ONSEMI 2288027.pdf Description: ONSEMI - NC7SVU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
Logik-IC-Sockelnummer: 7404
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SVU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S04
Logiktyp: Inverter-Gate
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S04
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7SPU04P5X NC7SPU04P5X ONSEMI 1486607.pdf Description: ONSEMI - NC7SPU04P5X - Inverter-Gatter, 1 Eingang, 1 Gatter, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
Logik-IC-Sockelnummer: 7404
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SPU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S04
Logiktyp: Inverter-Gate
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S04
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NL17SZ07DFT2G NL17SZ07DFT2G ONSEMI 2007350.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ07DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -50
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDD6690A FDD6690A ONSEMI 2304199.pdf Description: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.59 грн
10+99.03 грн
100+77.08 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NCP170AXV280T2G NCP170AXV280T2G ONSEMI 2354817.pdf Description: ONSEMI - NCP170AXV280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 210mV Dropout, 2,8V/150mAout, SOT-563-6
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-563
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 210
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NCP170AXV280T2G NCP170AXV280T2G ONSEMI 2354817.pdf Description: ONSEMI - NCP170AXV280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 210mV Dropout, 2,8V/150mAout, SOT-563-6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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CPH3910-TL-E CPH3910-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0014872462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.04 грн
500+15.56 грн
1500+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
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2SK932-24-TB-E 2SK932-24-TB-E ONSEMI 2337913.pdf Description: ONSEMI - 2SK932-24-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 24 mA, -1.4 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 24
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7.3
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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2SK932-24-TB-E 2SK932-24-TB-E ONSEMI 2337913.pdf Description: ONSEMI - 2SK932-24-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 24 mA, -1.4 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15
Qualifikation: -
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NCD57200DR2G NCD57200DR2G ONSEMI 3005715.pdf Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.89 грн
10+117.19 грн
50+103.16 грн
100+71.04 грн
250+56.94 грн
500+51.78 грн
1000+47.54 грн
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCD57200DR2G NCD57200DR2G ONSEMI 3005715.pdf Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.04 грн
250+56.94 грн
500+51.78 грн
1000+47.54 грн
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP4308QDR2G NCP4308QDR2G ONSEMI 2236605.pdf Description: ONSEMI - NCP4308QDR2G - Synchrongleichrichter-Controller, Schaltnetzteil, 7.3 bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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QSB363 QSB363-D.pdf
QSB363
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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QSB34CZR QSB34-D.PDF
QSB34CZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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QSB34ZR QSB34-D.PDF
QSB34ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BZX84C3V6LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V6LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+8.03 грн
175+4.74 грн
354+2.34 грн
500+2.09 грн
1500+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 103
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UC3525AN description 1506477.pdf
UC3525AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.27 грн
17+51.42 грн
100+39.37 грн
500+31.04 грн
1000+24.40 грн
5000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
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SL05T1G 2578376.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.13 грн
45+18.49 грн
100+13.70 грн
500+9.89 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
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SL05T1G 2578376.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.70 грн
500+9.89 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
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HN1B01FDW1T1G ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.07 грн
69+12.05 грн
150+5.51 грн
500+4.83 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 46
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.04 грн
58+14.28 грн
130+6.35 грн
500+5.36 грн
1000+3.32 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 38
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTTFS5C453NLTAG ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C453NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085-D.PDF
FFSP1065B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDA69N25 2572498.pdf
FDA69N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+365.60 грн
10+327.64 грн
100+217.05 грн
500+179.32 грн
1000+161.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NSR05T30XV2T5G 2339385.pdf
NSR05T30XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+15.93 грн
78+10.65 грн
112+7.43 грн
500+4.83 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 52
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FDS3890 fds3890-d.pdf
FDS3890
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.24 грн
10+129.57 грн
100+89.13 грн
500+65.45 грн
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
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HUFA76429D3 HUFA76429D3ST-F085-D.PDF
HUFA76429D3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDS6982AS 2304316.pdf
FDS6982AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NL27WZ02USG 1878616.pdf
NL27WZ02USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.80 грн
36+23.52 грн
100+13.45 грн
500+10.42 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
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NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTH4L060N090SC1 NTH4L060N090SC1-D.PDF
NTH4L060N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+689.94 грн
5+671.78 грн
10+653.62 грн
50+590.84 грн
100+529.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
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NTHL020N090SC1 ONSM-S-A0017607183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHL020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1997.19 грн
5+1837.08 грн
10+1557.31 грн
50+1185.52 грн
100+1072.40 грн
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FQP2N90 1793291.pdf
FQP2N90
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.73 грн
10+121.32 грн
100+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDB86363-F085 2729317.pdf
FDB86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.42 грн
10+228.60 грн
100+181.56 грн
500+141.77 грн
1000+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDB86360-F085 FDB86360_F085-D.PDF
FDB86360-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86566-F085 2907356.pdf
FDB86566-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86563-F085 FDB86563_F085-D.PDF
FDB86563-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86566-F085 2907356.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB86366-F085 FDB86366_F085-D.PDF
FDB86366-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDB86135 2265054.pdf
FDB86135
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDB86569-F085 FDB86569_F085-D.PDF
FDB86569-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FDS4141 2303916.pdf
FDS4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDS4141 2303916.pdf
FDS4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NCP1622AEASNT1G NCP1622-D.PDF
NCP1622AEASNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1622AEASNT1G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGHL50T65SQ ONSM-S-A0011486496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FGHL50T65SQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.83 грн
10+182.39 грн
100+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.12 грн
50+96.56 грн
100+67.76 грн
500+51.34 грн
1000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.76 грн
500+51.34 грн
1000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDD6637. 2284198.pdf
FDD6637.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
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FGA50T65SHD FGA50T65SHD-D.pdf
FGA50T65SHD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA50T65SHD - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NC7WZU04P6X 2303959.pdf
NC7WZU04P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZU04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 8mA, 1.8V bis 5.5V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: 7404
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W04
Logiktyp: Inverter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7W04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.91 грн
30+28.14 грн
100+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
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NC7SV04P5X 2299632.pdf
NC7SV04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 24mA, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.27 грн
56+14.86 грн
100+8.67 грн
500+7.57 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
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NC7S04P5X 2298126.pdf
NC7S04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.60 грн
75+11.14 грн
146+5.67 грн
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
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NC7SZU04P5X 2298197.pdf
NC7SZU04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NC7SVU04P5X 1860770.pdf
NC7SVU04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SVU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7S04P5X 2298126.pdf
NC7S04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NC7S04L6X NC7S04-D.PDF
NC7S04L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S04L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7S04
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7SZU04P5X 2298197.pdf
NC7SZU04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.60 грн
75+11.14 грн
146+5.67 грн
500+4.94 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 35
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NC7SVU04P5X 2288027.pdf
NC7SVU04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SVU04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
Logik-IC-Sockelnummer: 7404
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SVU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S04
Logiktyp: Inverter-Gate
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S04
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7SPU04P5X 1486607.pdf
NC7SPU04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SPU04P5X - Inverter-Gatter, 1 Eingang, 1 Gatter, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
Logik-IC-Sockelnummer: 7404
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SPU
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S04
Logiktyp: Inverter-Gate
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S04
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NL17SZ07DFT2G 2007350.pdf
NL17SZ07DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ07DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -50
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDD6690A 2304199.pdf
FDD6690A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.59 грн
10+99.03 грн
100+77.08 грн
500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NCP170AXV280T2G 2354817.pdf
NCP170AXV280T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP170AXV280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 210mV Dropout, 2,8V/150mAout, SOT-563-6
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-563
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 210
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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NCP170AXV280T2G 2354817.pdf
NCP170AXV280T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP170AXV280T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 210mV Dropout, 2,8V/150mAout, SOT-563-6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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CPH3910-TL-E ONSM-S-A0014872462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH3910-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.04 грн
500+15.56 грн
1500+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
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2SK932-24-TB-E 2337913.pdf
2SK932-24-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK932-24-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 24 mA, -1.4 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 24
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7.3
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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2SK932-24-TB-E 2337913.pdf
2SK932-24-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK932-24-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 24 mA, -1.4 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15
Qualifikation: -
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NCD57200DR2G 3005715.pdf
NCD57200DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.89 грн
10+117.19 грн
50+103.16 грн
100+71.04 грн
250+56.94 грн
500+51.78 грн
1000+47.54 грн
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCD57200DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57200DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
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1000+47.54 грн
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP4308QDR2G 2236605.pdf
NCP4308QDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4308QDR2G - Synchrongleichrichter-Controller, Schaltnetzteil, 7.3 bis 35V Versorgungsspannung, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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