Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142400) > Сторінка 2241 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2236 2237 2238 2239 2240 2241 2242 2243 2244 2245 2246 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTA7002NT1G NTA7002NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.67 грн
1500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC33740TA BC33740TA ONSEMI ONSM-S-A0003590550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC33740TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.49 грн
60+14.19 грн
100+8.87 грн
500+6.09 грн
1000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25LT1G BC807-25LT1G ONSEMI 1575992.pdf Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25LT1G BC807-25LT1G ONSEMI 1575992.pdf Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY ONSEMI 2284382.pdf Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.03 грн
500+37.97 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY-D.PDF Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z6V2T1G SZMM3Z6V2T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - SZMM3Z6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.04 грн
162+5.23 грн
195+4.34 грн
500+3.29 грн
1000+2.79 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z6V2T1G SZMM3Z6V2T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - SZMM3Z6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.29 грн
1000+2.79 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T1G TL331VSN4T1G ONSEMI 4424024.pdf Description: ONSEMI - TL331VSN4T1G - Analoger Komparator, Geringe Leistungsaufnahme, 1 Kanäle, 700 ns, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Komparatorausgang: CMOS, DTL, ECL, TTL, Open-Collector
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.86 грн
500+9.34 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.29 грн
500+98.06 грн
1000+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1G NVMFD5C650NLWFT1G ONSEMI 4130789.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+406.36 грн
10+285.55 грн
100+212.90 грн
500+168.66 грн
1000+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G NVS4001NT1G ONSEMI 1748870.pdf Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.12 грн
43+19.77 грн
100+10.64 грн
500+9.41 грн
1000+7.60 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B16LT1G BZX84B16LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.63 грн
1000+2.29 грн
5000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81151BMNTBG NCP81151BMNTBG ONSEMI 2355113.pdf Description: ONSEMI - NCP81151BMNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 25ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.67 грн
500+16.47 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81151BMNTBG NCP81151BMNTBG ONSEMI 2355113.pdf Description: ONSEMI - NCP81151BMNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 25ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.33 грн
29+29.74 грн
100+18.67 грн
500+16.47 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G ONSEMI 1750846.pdf Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 43276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.77 грн
1000+3.11 грн
10500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N3070TR. 1N3070TR. ONSEMI 2288283.pdf Description: ONSEMI - 1N3070TR. - SMALL SIGNAL DIODE 200V 500mA DO-35
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
50A02CH-TL-E 50A02CH-TL-E ONSEMI 50A02CH-D.PDF Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.18 грн
500+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS29 BAS29 ONSEMI ONSM-S-A0003585175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BAS29 - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
9000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S100 S100 ONSEMI ONSM-S-A0013750272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - S100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S100
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.08 грн
50+38.36 грн
250+28.56 грн
1000+16.08 грн
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
S100 S100 ONSEMI ONSM-S-A0013750272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - S100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.36 грн
250+28.56 грн
1000+16.08 грн
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1076STBT3G NCP1076STBT3G ONSEMI NCP1070-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1076STBT3G - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 15W, SOT223-4
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH81 MMBTH81 ONSEMI 2304302.pdf Description: ONSEMI - MMBTH81 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: -50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.77 грн
1500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ27T1G MMSZ27T1G ONSEMI ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ27T1G - Zener-Diode, 27 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+5.83 грн
197+4.31 грн
295+2.87 грн
500+2.51 грн
1500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ27T1G MMSZ27T1G ONSEMI ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ27T1G - Zener-Diode, 27 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.51 грн
1500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5935BT3G SZ1SMB5935BT3G ONSEMI ONSM-S-A0013660488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZ1SMB5935BT3G - Zener-Diode, 27 V, 550 mW, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.58 грн
500+27.46 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z27VST1G MM3Z27VST1G ONSEMI mm3z2v4st1-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z27VST1G - Zener-Diode, 27 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.75 грн
1000+1.50 грн
5000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5935BT3G SZ1SMB5935BT3G ONSEMI ONSM-S-A0013660488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZ1SMB5935BT3G - Zener-Diode, 27 V, 550 mW, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.70 грн
16+52.97 грн
100+36.58 грн
500+27.46 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V6T1G MMSZ5V6T1G ONSEMI ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5V6T1G - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.69 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
9000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MC14175BDR2G MC14175BDR2G ONSEMI 1878547.pdf Description: ONSEMI - MC14175BDR2G - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, MC14175, D, 160 ns, 14 MHz, SOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 4175
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC141
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 14MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14175
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 160ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.09 грн
500+23.85 грн
1000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI fdc6324l-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.21 грн
50+29.23 грн
100+25.43 грн
500+20.87 грн
1500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI 2298376.pdf Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.43 грн
500+20.87 грн
1500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.44 грн
500+28.56 грн
1500+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LDR2G LM317LDR2G ONSEMI 2353804.pdf description Description: ONSEMI - LM317LDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/100mA/1 Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 1.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.93 грн
250+9.72 грн
1000+8.39 грн
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7080MX-GF085 FAN7080MX-GF085 ONSEMI 2298390.pdf Description: ONSEMI - FAN7080MX-GF085 - IGBT/MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-20V Versorgungsspannung, 300mAout, 130ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 300mA
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 130ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC08MX MM74HC08MX ONSEMI 2298489.pdf Description: ONSEMI - MM74HC08MX - AND-Gatter, 74HC08, 2 Eingänge, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.18 грн
500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI nvmts0d7n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.31 грн
5+525.48 грн
10+464.66 грн
50+376.55 грн
100+304.86 грн
250+301.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXG NVMTS0D7N04CLTXG ONSEMI 2711442.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.81 грн
5+766.26 грн
10+649.67 грн
50+568.75 грн
100+501.83 грн
250+491.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT1G ONSEMI nvmfs5c404n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.50 грн
5+397.07 грн
10+328.64 грн
50+280.84 грн
100+207.10 грн
250+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT1G ONSEMI nvmfs5c404n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+328.64 грн
50+280.84 грн
100+207.10 грн
250+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI nvmts0d7n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+464.66 грн
50+376.55 грн
100+304.86 грн
250+301.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXG NVMTS0D7N04CLTXG ONSEMI 2711442.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 205W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+649.67 грн
50+568.75 грн
100+501.83 грн
250+491.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG ONSEMI nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15940.21 грн
5+15621.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7ST04M5X NC7ST04M5X ONSEMI 2298185.pdf Description: ONSEMI - NC7ST04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2mA, 4.5V bis 5.5V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7ST
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+8.79 грн
141+6.02 грн
188+4.49 грн
500+3.58 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NC7ST04M5X NC7ST04M5X ONSEMI 2298185.pdf Description: ONSEMI - NC7ST04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2mA, 4.5V bis 5.5V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7ST
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.52 грн
1000+4.84 грн
5000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ONSEMI ONSM-S-A0013669924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.00 грн
500+37.26 грн
1000+32.88 грн
5000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4G NTD6416ANLT4G ONSEMI ntd6416anl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.46 грн
500+48.79 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5232BLT1G MMBZ5232BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5232BLT1G - Zener-Diode, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
1000+2.09 грн
15000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C6V2LT1G BZX84C6V2LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C6V2LT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+9.88 грн
174+4.87 грн
353+2.40 грн
1000+2.07 грн
15000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C6V2LT1G BZX84C6V2LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C6V2LT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.40 грн
1000+2.07 грн
15000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ONSEMI NVBG022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1504.64 грн
50+1390.89 грн
100+1277.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ONSEMI NVBG022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1927.05 грн
5+1773.29 грн
10+1504.64 грн
50+1390.89 грн
100+1277.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5235BT1G MMSZ5235BT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5235BT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.59 грн
1500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5236BT1G MMSZ5236BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.71 грн
1000+2.22 грн
10500+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CLT3G BAT54CLT3G ONSEMI 2236825.pdf Description: ONSEMI - BAT54CLT3G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.92 грн
1000+1.56 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MB4S MB4S ONSEMI ONSM-S-A0013297924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MB4S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB4S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.28 грн
28+30.24 грн
100+20.11 грн
500+14.59 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MB4S MB4S ONSEMI ONSM-S-A0013297924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MB4S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB4S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.11 грн
500+14.59 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33153DR2G MC33153DR2G ONSEMI 1802011.pdf Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTA7002NT1G ONSM-S-A0013749853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTA7002NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.67 грн
1500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC33740TA ONSM-S-A0003590550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC33740TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33740TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.49 грн
60+14.19 грн
100+8.87 грн
500+6.09 грн
1000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25LT1G 1575992.pdf
BC807-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25LT1G 1575992.pdf
BC807-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 2284382.pdf
SI4435DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.03 грн
500+37.97 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY-D.PDF
SI4435DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z6V2T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
SZMM3Z6V2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.04 грн
162+5.23 грн
195+4.34 грн
500+3.29 грн
1000+2.79 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z6V2T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
SZMM3Z6V2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z6V2T1G - Zener-Diode, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.29 грн
1000+2.79 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TL331VSN4T1G 4424024.pdf
TL331VSN4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL331VSN4T1G - Analoger Komparator, Geringe Leistungsaufnahme, 1 Kanäle, 700 ns, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Komparatorausgang: CMOS, DTL, ECL, TTL, Open-Collector
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.86 грн
500+9.34 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L 2304493.pdf
FDMS86103L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.29 грн
500+98.06 грн
1000+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD5C650NLWFT1G 4130789.pdf
NVMFD5C650NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+406.36 грн
10+285.55 грн
100+212.90 грн
500+168.66 грн
1000+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G 1748870.pdf
NVS4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.12 грн
43+19.77 грн
100+10.64 грн
500+9.41 грн
1000+7.60 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B16LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B16LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.63 грн
1000+2.29 грн
5000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81151BMNTBG 2355113.pdf
NCP81151BMNTBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81151BMNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 25ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.67 грн
500+16.47 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81151BMNTBG 2355113.pdf
NCP81151BMNTBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81151BMNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 25ns In/30ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 30ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.33 грн
29+29.74 грн
100+18.67 грн
500+16.47 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427LT1G 1750846.pdf
MMBT6427LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 43276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.77 грн
1000+3.11 грн
10500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
1N3070TR. 2288283.pdf
1N3070TR.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N3070TR. - SMALL SIGNAL DIODE 200V 500mA DO-35
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
50A02CH-TL-E 50A02CH-D.PDF
50A02CH-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.18 грн
500+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS29 description ONSM-S-A0003585175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS29
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS29 - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.99 грн
9000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S100 ONSM-S-A0013750272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S100
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.08 грн
50+38.36 грн
250+28.56 грн
1000+16.08 грн
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
S100 ONSM-S-A0013750272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.36 грн
250+28.56 грн
1000+16.08 грн
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1076STBT3G NCP1070-D.PDF
NCP1076STBT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1076STBT3G - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 15W, SOT223-4
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+62.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTH81 2304302.pdf
MMBTH81
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH81 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: -50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT8099LT1G 791597.pdf
MMBT8099LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.77 грн
1500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ27T1G ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ27T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ27T1G - Zener-Diode, 27 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+5.83 грн
197+4.31 грн
295+2.87 грн
500+2.51 грн
1500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ27T1G ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ27T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ27T1G - Zener-Diode, 27 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.51 грн
1500+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5935BT3G ONSM-S-A0013660488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZ1SMB5935BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMB5935BT3G - Zener-Diode, 27 V, 550 mW, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.58 грн
500+27.46 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z27VST1G mm3z2v4st1-d.pdf
MM3Z27VST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z27VST1G - Zener-Diode, 27 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.75 грн
1000+1.50 грн
5000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZ1SMB5935BT3G ONSM-S-A0013660488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZ1SMB5935BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZ1SMB5935BT3G - Zener-Diode, 27 V, 550 mW, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZ1SMB59xxT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.70 грн
16+52.97 грн
100+36.58 грн
500+27.46 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V6T1G ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5V6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5V6T1G - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.69 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA42LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.19 грн
9000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MC14175BDR2G 1878547.pdf
MC14175BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14175BDR2G - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, MC14175, D, 160 ns, 14 MHz, SOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 4175
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: MC141
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 14MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14175
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 160ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.09 грн
500+23.85 грн
1000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L fdc6324l-d.pdf
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.21 грн
50+29.23 грн
100+25.43 грн
500+20.87 грн
1500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L 2298376.pdf
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.43 грн
500+20.87 грн
1500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6327C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.44 грн
500+28.56 грн
1500+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LDR2G description 2353804.pdf
LM317LDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM317LDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/100mA/1 Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 1.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.93 грн
250+9.72 грн
1000+8.39 грн
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7080MX-GF085 2298390.pdf
FAN7080MX-GF085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7080MX-GF085 - IGBT/MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 5.5V-20V Versorgungsspannung, 300mAout, 130ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 300mA
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 130ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC08MX 2298489.pdf
MM74HC08MX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC08MX - AND-Gatter, 74HC08, 2 Eingänge, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.18 грн
500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG nvmts0d7n04c-d.pdf
NVMTS0D7N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+586.31 грн
5+525.48 грн
10+464.66 грн
50+376.55 грн
100+304.86 грн
250+301.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXG 2711442.pdf
NVMTS0D7N04CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1002.81 грн
5+766.26 грн
10+649.67 грн
50+568.75 грн
100+501.83 грн
250+491.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1G nvmfs5c404n-d.pdf
NVMFS5C404NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+465.50 грн
5+397.07 грн
10+328.64 грн
50+280.84 грн
100+207.10 грн
250+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NT1G nvmfs5c404n-d.pdf
NVMFS5C404NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+328.64 грн
50+280.84 грн
100+207.10 грн
250+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG nvmts0d7n04c-d.pdf
NVMTS0D7N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+464.66 грн
50+376.55 грн
100+304.86 грн
250+301.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CLTXG 2711442.pdf
NVMTS0D7N04CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 512A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 205W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+649.67 грн
50+568.75 грн
100+501.83 грн
250+491.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15940.21 грн
5+15621.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7ST04M5X 2298185.pdf
NC7ST04M5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7ST04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2mA, 4.5V bis 5.5V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7ST
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+8.79 грн
141+6.02 грн
188+4.49 грн
500+3.58 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NC7ST04M5X 2298185.pdf
NC7ST04M5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7ST04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2mA, 4.5V bis 5.5V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7ST
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.52 грн
1000+4.84 грн
5000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ONSM-S-A0013669924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD6416ANT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.00 грн
500+37.26 грн
1000+32.88 грн
5000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4G ntd6416anl-d.pdf
NTD6416ANLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.46 грн
500+48.79 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5232BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5232BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5232BLT1G - Zener-Diode, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1000+2.09 грн
15000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C6V2LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C6V2LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C6V2LT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+9.88 грн
174+4.87 грн
353+2.40 грн
1000+2.07 грн
15000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C6V2LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C6V2LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C6V2LT1G - Zener-Diode, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.40 грн
1000+2.07 грн
15000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S-D.PDF
NVBG022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1504.64 грн
50+1390.89 грн
100+1277.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S-D.PDF
NVBG022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1927.05 грн
5+1773.29 грн
10+1504.64 грн
50+1390.89 грн
100+1277.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5235BT1G ONSM-S-A0013307349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5235BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5235BT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.59 грн
1500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5236BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5236BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.71 грн
1000+2.22 грн
10500+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CLT3G 2236825.pdf
BAT54CLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CLT3G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.92 грн
1000+1.56 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MB4S ONSM-S-A0013297924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MB4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB4S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB4S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.28 грн
28+30.24 грн
100+20.11 грн
500+14.59 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MB4S ONSM-S-A0013297924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MB4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB4S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB4S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.11 грн
500+14.59 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33153DR2G 1802011.pdf
MC33153DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2236 2237 2238 2239 2240 2241 2242 2243 2244 2245 2246 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]