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NLX1G74MUTCG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLX1G74MUTCG - Flipflop, D, 2.6 ns, 200 MHz, UQFNtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: UQFN IC-Ausgang: Differenz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 200MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLX1G74MUTCG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLX1G74MUTCG - Flipflop, D, 2.6 ns, 200 MHz, UQFNtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: UQFN IC-Ausgang: Differenz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 200MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV27WZ08USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV27WZ08USG - AND-Gatter, 7WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, US8-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 27WZ Bauform - Logikbaustein: US8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: US8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV27WZ08USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV27WZ08USG - AND-Gatter, 7WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, US8-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 27WZ Bauform - Logikbaustein: US8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: US8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 0 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC14053BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14053BDR2G - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 3 Schaltkreise, 80 Ohm, 3V bis 18V, SOIC-16tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 18V Einschaltwiderstand, max.: 80ohm Einschaltwiderstand, typ.: 80ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 3Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 Schalterkonfiguration: SPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 80ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC640TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC640TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 69048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS5C628NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS5C628NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS5C628NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZNUP2125WTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZNUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVMSD1819A-RT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVMSD1819A-RT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVMUN5234T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMUN5234T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 202mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUP2125WTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SC-70 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUP2125WTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SC-70 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSR14 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2575D2T-3.3R4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2575D2T-3.3R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 3.3V/1Aout, 52kHz, TO-263-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: Y-EX Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1A Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.75V Topologie: Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A Wirkungsgrad: 75% Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCXR162245MTX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCXR162245MTX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7416245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCXR Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCXR162245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, bidirektional Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCXR162245MTX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCXR162245MTX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7416245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCXR Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCXR162245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, bidirektional Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4503NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGD3N60LSDTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGD3N60LSDTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRD5H100T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD5H100T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 710 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 105A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 710mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS3100T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS3100T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS3 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC856BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR0530T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR05 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 67619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR0530T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR0530T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 5.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR05 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NJW21194G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS9407 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP11185A130PG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP11185A130PG - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 37W, DIP-7tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 130kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 800V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Maximale Nennleistung: 37W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 265VAC euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 85VAC Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP51705MNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51705MNTXG - MOSFET-Treiber, Low-Side, 10V bis 22V Versorgung, 6Aout, 25ns Verzögerung, QFN-24tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 22V Eingabeverzögerung: 25ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP51705MNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51705MNTXG - MOSFET-Treiber, Low-Side, 10V bis 22V Versorgung, 6Aout, 25ns Verzögerung, QFN-24tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 22V Eingabeverzögerung: 25ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB560 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB560 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR1P02T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4501NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVJD4401NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 550mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 550mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SS32 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7WZ04L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7WZ Bauform - Logikbaustein: MLP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7W04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCID9411 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCID9411 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 MbpstariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: - Eingangspegel: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Isolationsspannung: 5kV Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Übertragungsrate: 10Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ47T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 47V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5261BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ5261BT1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 47V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMMSZ5261BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ5261BT1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 47V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTA7002NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 25405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTB25P06T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SD12CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SD12CT1G - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 24 V, SOD-323, 2 Pin(s), 200 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 24V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NZL7V5AXV3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZL7V5AXV3T1G - ESD-Schutzbaustein, 13.5 V, SC-89, 3 Pin(s), 240 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-89 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NVMFS5C404NLWFAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - T6 40V HEFET/ REEL 31AC1109tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP551SN30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN30T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 12V, 40mV Dropout, 3Vout, 150mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC7815BDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7815BDTRKG - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 17V bis 35V Eingangsspannung, 15V/1Aout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 15V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: 17V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 15V 1A Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 1A Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33201DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33201DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 1 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz Eingangsoffsetspannung: 6mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 80nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCN5121MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCN5121MNTWG - Spezielle Schnittstelle, KNX-Bus, KNX-Twisted-Pair-Netzwerke, 3.13 V, 3.47 V, QFN, 40 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Schnittstellenanwendungsbereich: KNX-Twisted-Pair-Netzwerke hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: KNX-Bus Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.13V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.47V Bauform - Schnittstellenbaustein: QFN Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCN5121MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCN5121MNTWG - Spezielle Schnittstelle, KNX-Bus, KNX-Twisted-Pair-Netzwerke, 3.13 V, 3.47 V, QFN, 40 Pin(s)tariffCode: 85423990 Ethernettyp: - rohsCompliant: YES Bauform - Controller-IC: QFN-EP Schnittstellenanwendungsbereich: KNX-Twisted-Pair-Netzwerke hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: KNX-Bus Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.13V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 40Pin(s) Übertragungsrate: 9.375Kbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.47V Bauform - Schnittstellenbaustein: QFN Betriebstemperatur, max.: 105°C Unterstützte Standards: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX00MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX00MTCX - NAND-Gatter, 74LCX00, 2 Eingänge, 24mA, 2V bis 3.6V, TSSOP-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74LCX Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74LCX00 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB3682 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57000DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 66ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57000DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 66ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM5Z3V3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM5Z3V3T1G - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM5Z3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NLX1G74MUTCG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLX1G74MUTCG - Flipflop, D, 2.6 ns, 200 MHz, UQFN
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: UQFN
IC-Ausgang: Differenz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NLX1G74MUTCG - Flipflop, D, 2.6 ns, 200 MHz, UQFN
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: UQFN
IC-Ausgang: Differenz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.99 грн |
| 500+ | 17.34 грн |
| 1000+ | 14.34 грн |
| 5000+ | 12.24 грн |
| NLX1G74MUTCG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLX1G74MUTCG - Flipflop, D, 2.6 ns, 200 MHz, UQFN
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: UQFN
IC-Ausgang: Differenz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NLX1G74MUTCG - Flipflop, D, 2.6 ns, 200 MHz, UQFN
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: UQFN
IC-Ausgang: Differenz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 200MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.28 грн |
| 24+ | 35.65 грн |
| 100+ | 23.99 грн |
| 500+ | 17.34 грн |
| 1000+ | 14.34 грн |
| 5000+ | 12.24 грн |
| NLV27WZ08USG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV27WZ08USG - AND-Gatter, 7WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLV27WZ08USG - AND-Gatter, 7WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 46.13 грн |
| 22+ | 39.20 грн |
| 100+ | 26.53 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| 1000+ | 17.23 грн |
| 2500+ | 16.87 грн |
| 5000+ | 16.51 грн |
| NLV27WZ08USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV27WZ08USG - AND-Gatter, 7WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLV27WZ08USG - AND-Gatter, 7WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.53 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| 1000+ | 17.23 грн |
| 2500+ | 16.87 грн |
| 5000+ | 16.51 грн |
| MC14053BDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14053BDR2G - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 3 Schaltkreise, 80 Ohm, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 80ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 80ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 80ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC14053BDR2G - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 3 Schaltkreise, 80 Ohm, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 18V
Einschaltwiderstand, max.: 80ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 80ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 80ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 52.55 грн |
| 23+ | 37.43 грн |
| 100+ | 29.40 грн |
| 500+ | 24.24 грн |
| 1000+ | 21.58 грн |
| BC640TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC640TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC640TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.06 грн |
| 50+ | 28.81 грн |
| 100+ | 18.33 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 10.72 грн |
| MMBT3906LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.30 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
| 5000+ | 1.42 грн |
| NVMFS5C628NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.43 грн |
| 500+ | 91.00 грн |
| 1000+ | 82.55 грн |
| NVMFS5C628NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 131.79 грн |
| 500+ | 109.83 грн |
| 1000+ | 91.24 грн |
| NVMFS5C628NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 258.52 грн |
| 10+ | 172.34 грн |
| 100+ | 131.79 грн |
| 500+ | 109.83 грн |
| 1000+ | 91.24 грн |
| SZNUP2125WTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZNUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.34 грн |
| 29+ | 29.65 грн |
| 100+ | 22.73 грн |
| 500+ | 16.08 грн |
| 1000+ | 13.25 грн |
| NSVMSD1819A-RT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 23.57 грн |
| 41+ | 20.95 грн |
| 100+ | 12.42 грн |
| 500+ | 7.53 грн |
| 1000+ | 3.19 грн |
| 5000+ | 2.53 грн |
| NSVMSD1819A-RT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 23.57 грн |
| 41+ | 20.95 грн |
| 100+ | 12.42 грн |
| 500+ | 7.53 грн |
| 1000+ | 3.19 грн |
| 5000+ | 2.53 грн |
| NSVMUN5234T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5234T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSVMUN5234T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 17.23 грн |
| 80+ | 10.64 грн |
| 179+ | 4.73 грн |
| 500+ | 3.45 грн |
| 1000+ | 2.32 грн |
| 5000+ | 2.10 грн |
| NUP2125WTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-70
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-70
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.40 грн |
| 500+ | 14.51 грн |
| 1000+ | 9.05 грн |
| NUP2125WTT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-70
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NUP2125WTT1G - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-70
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 49.76 грн |
| 22+ | 38.61 грн |
| 100+ | 23.40 грн |
| 500+ | 14.51 грн |
| 1000+ | 9.05 грн |
| BSR14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.87 грн |
| 500+ | 10.36 грн |
| 1500+ | 8.54 грн |
| LM2575D2T-3.3R4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2575D2T-3.3R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 3.3V/1Aout, 52kHz, TO-263-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Wirkungsgrad: 75%
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM2575D2T-3.3R4G - Abwärts-Schaltregler (Buck), feste Ausgangsspannung, 4.75V bis 40Vin, 3.3V/1Aout, 52kHz, TO-263-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Wirkungsgrad: 75%
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.88 грн |
| 10+ | 130.10 грн |
| 50+ | 119.12 грн |
| 100+ | 98.84 грн |
| 250+ | 86.17 грн |
| 74LCXR162245MTX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCXR162245MTX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7416245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCXR
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCXR162245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 74LCXR162245MTX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7416245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCXR
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCXR162245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 152.07 грн |
| 10+ | 118.28 грн |
| 50+ | 100.53 грн |
| 100+ | 76.88 грн |
| 250+ | 66.55 грн |
| 500+ | 65.24 грн |
| 74LCXR162245MTX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCXR162245MTX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7416245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCXR
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCXR162245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 74LCXR162245MTX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7416245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCXR
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCXR162245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 76.88 грн |
| 250+ | 66.55 грн |
| 500+ | 65.24 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 37.17 грн |
| 50+ | 28.22 грн |
| 100+ | 14.45 грн |
| 500+ | 12.63 грн |
| 1500+ | 10.36 грн |
| FGD3N60LSDTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 147.84 грн |
| 18+ | 48.49 грн |
| 100+ | 37.00 грн |
| 500+ | 31.61 грн |
| 1000+ | 28.60 грн |
| FGD3N60LSDTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 31.61 грн |
| 1000+ | 28.60 грн |
| MBRD5H100T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD5H100T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 710 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 105A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MBRD5H100T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 710 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 105A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.64 грн |
| 500+ | 44.01 грн |
| 1000+ | 35.70 грн |
| MBRS3100T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.41 грн |
| 500+ | 23.06 грн |
| 1000+ | 19.33 грн |
| MBRS3100T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRS3100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.90 грн |
| 50+ | 36.58 грн |
| 100+ | 30.41 грн |
| 500+ | 23.06 грн |
| 1000+ | 19.33 грн |
| BC856BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.34 грн |
| 1500+ | 1.95 грн |
| MBR0530T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR05
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR05
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.50 грн |
| 1500+ | 5.85 грн |
| MBR0530T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR0530T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR05
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR0530T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR05
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.13 грн |
| 1000+ | 3.99 грн |
| 5000+ | 3.53 грн |
| NJW21194G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 410.59 грн |
| 10+ | 230.64 грн |
| 100+ | 190.93 грн |
| NDS9407 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 37.85 грн |
| 500+ | 27.77 грн |
| 1000+ | 22.88 грн |
| NCP11185A130PG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP11185A130PG - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 37W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 130kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 37W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP11185A130PG - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 37W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 130kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 37W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 294.84 грн |
| 10+ | 201.91 грн |
| 50+ | 174.88 грн |
| 100+ | 125.52 грн |
| 250+ | 102.83 грн |
| 500+ | 95.59 грн |
| 1000+ | 86.90 грн |
| 2500+ | 82.55 грн |
| NCP51705MNTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51705MNTXG - MOSFET-Treiber, Low-Side, 10V bis 22V Versorgung, 6Aout, 25ns Verzögerung, QFN-24
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP51705MNTXG - MOSFET-Treiber, Low-Side, 10V bis 22V Versorgung, 6Aout, 25ns Verzögerung, QFN-24
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 461.28 грн |
| 10+ | 303.29 грн |
| 25+ | 261.90 грн |
| 50+ | 222.01 грн |
| 100+ | 184.66 грн |
| 250+ | 164.38 грн |
| NCP51705MNTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51705MNTXG - MOSFET-Treiber, Low-Side, 10V bis 22V Versorgung, 6Aout, 25ns Verzögerung, QFN-24
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP51705MNTXG - MOSFET-Treiber, Low-Side, 10V bis 22V Versorgung, 6Aout, 25ns Verzögerung, QFN-24
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 184.66 грн |
| 250+ | 164.38 грн |
| FSB560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 54.83 грн |
| 26+ | 33.62 грн |
| 100+ | 21.88 грн |
| 500+ | 14.98 грн |
| 1000+ | 13.18 грн |
| FSB560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.88 грн |
| 500+ | 14.98 грн |
| 1000+ | 13.18 грн |
| NTR1P02T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.08 грн |
| 500+ | 8.32 грн |
| 1500+ | 7.53 грн |
| NTR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.89 грн |
| 9000+ | 5.00 грн |
| NVJD4401NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.88 грн |
| SS32 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.41 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 23.46 грн |
| NC7WZ04L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.45 грн |
| 500+ | 11.61 грн |
| 1000+ | 8.98 грн |
| NCID9411 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9411 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCID9411 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 496.76 грн |
| 10+ | 381.86 грн |
| 25+ | 352.29 грн |
| 50+ | 299.67 грн |
| 100+ | 265.76 грн |
| 250+ | 254.90 грн |
| MMSZ47T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.55 грн |
| 1000+ | 2.28 грн |
| MMSZ5261BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5261BT1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ5261BT1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.79 грн |
| 1000+ | 2.44 грн |
| 15000+ | 1.13 грн |
| SZMMSZ5261BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5261BT1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ5261BT1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.39 грн |
| 1000+ | 4.84 грн |
| NTA7002NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 17.32 грн |
| 95+ | 8.96 грн |
| 135+ | 6.28 грн |
| 500+ | 5.67 грн |
| 1500+ | 4.74 грн |
| NTB25P06T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTB25P06T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 273.72 грн |
| 10+ | 157.98 грн |
| 50+ | 136.02 грн |
| 100+ | 105.12 грн |
| 250+ | 94.86 грн |
| SD12CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SD12CT1G - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 24 V, SOD-323, 2 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 24V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SD12CT1G - ESD-Schutzbaustein, bidirektional, 24 V, SOD-323, 2 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 24V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 39.71 грн |
| 36+ | 24.08 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
| 500+ | 10.36 грн |
| 1000+ | 8.69 грн |
| 5000+ | 7.02 грн |
| NZL7V5AXV3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZL7V5AXV3T1G - ESD-Schutzbaustein, 13.5 V, SC-89, 3 Pin(s), 240 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NZL7V5AXV3T1G - ESD-Schutzbaustein, 13.5 V, SC-89, 3 Pin(s), 240 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.38 грн |
| 33+ | 25.68 грн |
| 100+ | 14.19 грн |
| 500+ | 12.24 грн |
| NVMFS5C404NLWFAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - T6 40V HEFET/ REEL 31AC1109
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - T6 40V HEFET/ REEL 31AC1109
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 341.31 грн |
| NCP551SN30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN30T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 12V, 40mV Dropout, 3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN30T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 12V, 40mV Dropout, 3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.60 грн |
| 500+ | 16.08 грн |
| 1000+ | 14.27 грн |
| 2500+ | 13.98 грн |
| MC7815BDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7815BDTRKG - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 17V bis 35V Eingangsspannung, 15V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 17V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 15V 1A Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC7815BDTRKG - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 17V bis 35V Eingangsspannung, 15V/1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 17V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 15V 1A Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.88 грн |
| 500+ | 17.96 грн |
| 1000+ | 15.57 грн |
| 2500+ | 13.90 грн |
| MC33201DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33201DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 1 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 6mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33201DR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 1 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 6mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.61 грн |
| 500+ | 21.65 грн |
| 1000+ | 16.87 грн |
| 2500+ | 14.70 грн |
| NCN5121MNTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5121MNTWG - Spezielle Schnittstelle, KNX-Bus, KNX-Twisted-Pair-Netzwerke, 3.13 V, 3.47 V, QFN, 40 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: KNX-Twisted-Pair-Netzwerke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: KNX-Bus
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.47V
Bauform - Schnittstellenbaustein: QFN
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCN5121MNTWG - Spezielle Schnittstelle, KNX-Bus, KNX-Twisted-Pair-Netzwerke, 3.13 V, 3.47 V, QFN, 40 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: KNX-Twisted-Pair-Netzwerke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: KNX-Bus
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.47V
Bauform - Schnittstellenbaustein: QFN
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 668.26 грн |
| 10+ | 466.34 грн |
| 25+ | 445.22 грн |
| 50+ | 386.75 грн |
| 100+ | 331.66 грн |
| 250+ | 316.45 грн |
| NCN5121MNTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5121MNTWG - Spezielle Schnittstelle, KNX-Bus, KNX-Twisted-Pair-Netzwerke, 3.13 V, 3.47 V, QFN, 40 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ethernettyp: -
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: QFN-EP
Schnittstellenanwendungsbereich: KNX-Twisted-Pair-Netzwerke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: KNX-Bus
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 9.375Kbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.47V
Bauform - Schnittstellenbaustein: QFN
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Unterstützte Standards: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCN5121MNTWG - Spezielle Schnittstelle, KNX-Bus, KNX-Twisted-Pair-Netzwerke, 3.13 V, 3.47 V, QFN, 40 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ethernettyp: -
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: QFN-EP
Schnittstellenanwendungsbereich: KNX-Twisted-Pair-Netzwerke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: KNX-Bus
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Übertragungsrate: 9.375Kbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.47V
Bauform - Schnittstellenbaustein: QFN
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Unterstützte Standards: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 466.34 грн |
| 25+ | 445.22 грн |
| 50+ | 386.75 грн |
| 100+ | 331.66 грн |
| 250+ | 316.45 грн |
| 74LCX00MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX00MTCX - NAND-Gatter, 74LCX00, 2 Eingänge, 24mA, 2V bis 3.6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74LCX00MTCX - NAND-Gatter, 74LCX00, 2 Eingänge, 24mA, 2V bis 3.6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.11 грн |
| 500+ | 11.53 грн |
| 1000+ | 10.21 грн |
| FDB3682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.31 грн |
| 500+ | 85.51 грн |
| 1000+ | 74.59 грн |
| NCV57000DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 300.76 грн |
| 10+ | 210.36 грн |
| 25+ | 190.93 грн |
| 50+ | 159.25 грн |
| 100+ | 129.62 грн |
| 250+ | 123.83 грн |
| NCV57000DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 129.62 грн |
| 250+ | 123.83 грн |
| MM5Z3V3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM5Z3V3T1G - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM5Z3V3T1G - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |





































