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Доступність |
Ціна |
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| NSBC144WF3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC144WF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1AtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSBC123TF3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1AtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSBC144TF3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSBC114YDXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NSBC114YDP6T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 182991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSB9435T1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS4201T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS4 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS4201T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRS4201T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM3Z3V0ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z3V0ST1G - Zener-Diode, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxST1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM3Z6V8ST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z6V8ST1G - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3Z6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV4276CDTADJRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 2.5V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: -42V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 400mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV4276CDTADJRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 2.5V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: -42V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 400mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURS480ET3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MURS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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H11AG2300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11AG2300 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HGT1S14N41G3VLT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MOC70P1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC70P1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MOC8100SR2M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC8100SR2M - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MUN2231T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MUN5240T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FJP5555ATU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSS40500UW3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 36300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FMM7G20US60N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| KSC2785YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 338995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MCT5211TVM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCT5211TVM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| KSB772YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| HGT1S20N36G3VLS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 48196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSB1151YSTSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB1151YSTSTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MUN5131T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5131T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 721000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MUN5136DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FJN3304RBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 54050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BD535J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD535J - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FQD4N50TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MOC8111TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC8111TM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CS951254DR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FJT44KTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| H11D2SR2VM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MUN2114T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 530511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGD2N40L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FJP5555STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FJP5555TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FJZ733OTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVTFS5C453NLWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVTFS4C02NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVTFS4C02NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR2H200SFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 940mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT1640LI-45-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT1641LI-42-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT1640LI-25-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 0 rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT1320LI-45-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423190 Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V rohsCompliant: YES Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: PDIP Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FFPF10F150STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 170ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: FFPF1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7329MW0R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8tariffCode: 85423990 Bausteintyp: LIN-Transceiver rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Baudrate: 20Kbaud hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV663SQ33T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD57100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCD57100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: - Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 70ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS6H800NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS6H800NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMTS0D7N06CLTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 19642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMTS0D7N06CLTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 19642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSBC144WF3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC144WF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBC144WF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 8.21 грн |
| NSBC123TF3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 7.82 грн |
| NSBC144TF3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBC144TF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 4.59 грн |
| NSBC114YDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBC114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NSBC114YDP6T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 182991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 4.77 грн |
| NSB9435T1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NSB9435T1 - NSB9435T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 9.10 грн |
| MBRS4201T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.92 грн |
| 50+ | 81.43 грн |
| 100+ | 66.85 грн |
| 500+ | 50.11 грн |
| 1000+ | 44.28 грн |
| MBRS4201T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.85 грн |
| 500+ | 50.11 грн |
| 1000+ | 44.28 грн |
| MBRS4201T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRS4201T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 4 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 860 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 860mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 47.34 грн |
| 7500+ | 46.36 грн |
| BCP56-16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 11.57 грн |
| 3000+ | 11.30 грн |
| MM3Z3V0ST1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z3V0ST1G - Zener-Diode, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z3V0ST1G - Zener-Diode, 3 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.08 грн |
| 1000+ | 1.78 грн |
| 5000+ | 1.26 грн |
| MM3Z6V8ST1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z6V8ST1G - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z6V8ST1G - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.27 грн |
| 1500+ | 2.02 грн |
| NCV4276CDTADJRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 133.35 грн |
| 10+ | 103.33 грн |
| 50+ | 92.73 грн |
| 100+ | 75.94 грн |
| 250+ | 60.94 грн |
| 500+ | 55.34 грн |
| NCV4276CDTADJRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV4276CDTADJRKG - LDO-Spannungsregler, einstellbar, -42V bis 45V, 250mV Dropout, 2.5V bis 20V/400mAout, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 2.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -42V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 75.94 грн |
| 250+ | 60.94 грн |
| 500+ | 55.34 грн |
| MURS480ET3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURS480ET3G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 100 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MURS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.57 грн |
| H11AG2300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11AG2300 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - H11AG2300 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1069+ | 31.70 грн |
| HGT1S14N41G3VLT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 180.16 грн |
| MOC70P1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC70P1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MOC70P1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 517+ | 65.53 грн |
| MOC8100SR2M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC8100SR2M - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MOC8100SR2M - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 24.29 грн |
| MUN2231T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN2231T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.44 грн |
| MUN5240T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.44 грн |
| FJP5555ATU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 916+ | 37.00 грн |
| NSS40500UW3T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.63 грн |
| FMM7G20US60N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMM7G20US60N - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 2407.44 грн |
| KSC2785YTA |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2785YTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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на замовлення 338995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13889+ | 2.44 грн |
| MCT5211TVM |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 56.34 грн |
| KSB772YS |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HGT1S20N36G3VLS |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 48196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 179+ | 189.88 грн |
| KSB1151YSTSTU |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1233+ | 27.47 грн |
| MUN5131T1G |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 721000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.71 грн |
| MUN5136DW1T1G |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 3.25 грн |
| FJN3304RBU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJN3304RBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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на замовлення 54050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13889+ | 2.44 грн |
| BD535J |
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Виробник: ONSEMI
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на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1687+ | 20.14 грн |
| FQD4N50TF |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 822+ | 41.24 грн |
| MOC8111TM |
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Виробник: ONSEMI
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1781+ | 19.08 грн |
| CS951254DR8G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS951254DR8G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 517+ | 62.70 грн |
| FJT44KTF |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJT44KTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.19 грн |
| H11D2SR2VM |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D2SR2VM - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 891+ | 38.06 грн |
| MUN2114T1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN2114T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 530511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.44 грн |
| FGD2N40L |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGD2N40L - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1394+ | 24.29 грн |
| FJP5555STU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 891+ | 38.06 грн |
| FJP5555TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 43.54 грн |
| FJZ733OTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FJZ733OTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 501+ | 67.65 грн |
| NVTFS5C453NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 3100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.16 грн |
| 500+ | 56.83 грн |
| 1000+ | 49.43 грн |
| NVTFS4C02NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.94 грн |
| 12+ | 77.27 грн |
| 100+ | 73.39 грн |
| 500+ | 64.54 грн |
| 1000+ | 56.17 грн |
| 2000+ | 52.84 грн |
| NVTFS4C02NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 73.39 грн |
| 500+ | 64.54 грн |
| 1000+ | 56.17 грн |
| 2000+ | 52.84 грн |
| MBR2H200SFT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 14.13 грн |
| CAT1640LI-45-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1640LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 116.57 грн |
| CAT1641LI-42-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1641LI-42-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.5V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.25V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Active-High, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 116.57 грн |
| CAT1640LI-25-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1640LI-25-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 0
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 2.55V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 116.57 грн |
| CAT1320LI-45-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT1320LI-45-G - VOLTAGE DETECTOR, PDIP-8, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423190
Reset-Schwellenspannung, max.: 4.75V
rohsCompliant: YES
Reset-Schwellenspannung, min.: 4.5V
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PDIP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 85.93 грн |
| FFPF10F150STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFPF10F150STU - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 10 A, Einfach, 1.6 V, 170 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 170ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FFPF1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 119.22 грн |
| 10+ | 94.50 грн |
| 100+ | 88.14 грн |
| 500+ | 68.97 грн |
| 1000+ | 56.85 грн |
| 5000+ | 52.46 грн |
| NCV7329MW0R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV7329MW0R2G - LIN-TRANSCEIVER, AEC-Q100, DFN-EP-8
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: LIN-Transceiver
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Baudrate: 20Kbaud
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.06 грн |
| 500+ | 26.49 грн |
| 1000+ | 22.33 грн |
| 2500+ | 21.88 грн |
| NCV663SQ33T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV663SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, max. 6Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/100mAout, SC-82AB-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-82AB
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 46.45 грн |
| 23+ | 39.30 грн |
| 100+ | 26.94 грн |
| NCD57100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 128.69 грн |
| 250+ | 121.12 грн |
| 500+ | 117.33 грн |
| 1000+ | 112.79 грн |
| NCD57100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57100 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 243.75 грн |
| 10+ | 182.81 грн |
| 25+ | 166.03 грн |
| 50+ | 146.79 грн |
| 100+ | 128.69 грн |
| 250+ | 121.12 грн |
| 500+ | 117.33 грн |
| 1000+ | 112.79 грн |
| NVMFS6H800NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 242.86 грн |
| 500+ | 222.24 грн |
| 1000+ | 194.54 грн |
| NVMFS6H800NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 445.99 грн |
| 10+ | 337.36 грн |
| 100+ | 242.86 грн |
| 500+ | 222.24 грн |
| 1000+ | 194.54 грн |
| NVMTS0D7N06CLTXG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: DFNW
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 858.41 грн |
| 5+ | 725.94 грн |
| 10+ | 592.59 грн |
| 50+ | 522.38 грн |
| 100+ | 451.92 грн |
| 250+ | 442.83 грн |
| NVMTS0D7N06CLTXG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 124W
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Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 592.59 грн |
| 50+ | 522.38 грн |
| 100+ | 451.92 грн |
| 250+ | 442.83 грн |

















