| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS0D7N04XLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 349A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS0D5N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 414A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS0D5N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 414A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS1D3N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMTS0D6N04CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 533A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: Power 88 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NVJD5121NT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVJD5121NT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMSZ5263BT1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTBLS1D5N08MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTBLS1D5N08MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 298A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTTFS6H850NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTTFS6H850NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTTFS5D9N08HTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTTFS5D9N08HTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFWS1D5N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 253A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: DFNW-EP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS3D5N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTMFWS1D5N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 253A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: DFNW-EP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS3D5N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS3D0N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 457A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 325W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS6H858NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS2D5N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 181A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS6H858NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NCP693HMN08TCG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NCP662SQ18T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG CtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 20926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MM3Z4V3C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z2V7C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MM3Z4V3C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z30VC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z4V3B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z2V7C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MM3Z30VC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z4V3B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z7V5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MM3Z5V6C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3Z5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SZMM3Z10VST1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMM3Z10VST1G - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV303N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQP47P06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AMX330TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 PinstariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: XDFN Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 450mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AMX300TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: XDFN Nennausgangsspannung: 3V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 12135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AMX330TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 PinstariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: XDFN Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 450mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AMX300TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: XDFN Nennausgangsspannung: 3V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 12135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCT310T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP Nennausgangsspannung: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 450mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.1V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCT310T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP Nennausgangsspannung: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 450mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.1V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCS280T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCS280T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 343348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCS285T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCS285T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCT350T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCT350T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.5V/450mAout, SSOP-5, WLCSP-EP, 150°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP Nennausgangsspannung: 0 usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 450mA Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 4Pins Ausgangsspannung, nom.: 3.5V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1595000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCS450T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCS450T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 304500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161BMX514TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161BMX514TBG - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 131500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AMX514TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AMX514TBG - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCS300T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCS300T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 709470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NCP161BFCS285T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161BFCS285T2G - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGCtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NCP161BFCS250T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161BFCS250T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 44990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161BFCT500T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161BFCT500T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP161AFCS330T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCS330T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 309580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NCP161BFCT285T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161BFCT285T2G - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGCtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NCP161AMX285TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AMX285TBG - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGCtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NCP161AFCT514T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP161AFCT514T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTMFS0D7N04XLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 219.02 грн |
| 10+ | 158.97 грн |
| 100+ | 118.34 грн |
| 500+ | 109.07 грн |
| 1000+ | 98.41 грн |
| NTMFS0D5N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 190.76 грн |
| 10+ | 151.02 грн |
| 100+ | 120.99 грн |
| 500+ | 97.59 грн |
| NTMFS0D5N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.99 грн |
| 500+ | 97.59 грн |
| NTMFS1D3N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 162.50 грн |
| 10+ | 120.11 грн |
| 100+ | 82.57 грн |
| 500+ | 65.03 грн |
| 1000+ | 54.88 грн |
| NTMTS0D6N04CTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NVJD5121NT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 34.80 грн |
| 34+ | 26.32 грн |
| 100+ | 14.66 грн |
| 500+ | 10.00 грн |
| 1000+ | 5.84 грн |
| 5000+ | 5.05 грн |
| NVJD5121NT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 10.00 грн |
| 1000+ | 5.84 грн |
| 5000+ | 5.05 грн |
| MMSZ5263BT1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.44 грн |
| NTBLS1D5N08MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 578.46 грн |
| 5+ | 481.31 грн |
| 10+ | 384.17 грн |
| 50+ | 328.02 грн |
| 100+ | 264.94 грн |
| 250+ | 259.64 грн |
| NTBLS1D5N08MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 384.17 грн |
| 50+ | 328.02 грн |
| 100+ | 264.94 грн |
| 250+ | 259.64 грн |
| NTTFS6H850NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 136.89 грн |
| 14+ | 63.14 грн |
| 100+ | 46.19 грн |
| 500+ | 38.05 грн |
| NTTFS6H850NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.19 грн |
| 500+ | 38.05 грн |
| NTTFS5D9N08HTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 179.28 грн |
| 10+ | 134.24 грн |
| 100+ | 96.26 грн |
| 500+ | 81.19 грн |
| 1000+ | 64.57 грн |
| NTTFS5D9N08HTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.26 грн |
| 500+ | 81.19 грн |
| 1000+ | 64.57 грн |
| NTMFWS1D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 305.57 грн |
| 10+ | 211.07 грн |
| 100+ | 153.67 грн |
| 500+ | 116.45 грн |
| 1000+ | 100.68 грн |
| NTMFS3D0N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 194.29 грн |
| 10+ | 116.57 грн |
| 100+ | 94.50 грн |
| 500+ | 70.11 грн |
| NTMFS3D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.16 грн |
| 500+ | 58.47 грн |
| 1000+ | 50.79 грн |
| NTMFWS1D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 151.02 грн |
| 500+ | 132.03 грн |
| 1000+ | 98.41 грн |
| NTMFS3D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.02 грн |
| 10+ | 111.28 грн |
| 100+ | 78.16 грн |
| 500+ | 58.47 грн |
| 1000+ | 50.79 грн |
| NTBLS0D8N08XTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 627.91 грн |
| 5+ | 544.01 грн |
| 10+ | 459.23 грн |
| 50+ | 403.47 грн |
| 100+ | 350.48 грн |
| NTMFS3D0N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 95.38 грн |
| NTBLS0D8N08XTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 459.23 грн |
| 50+ | 403.47 грн |
| 100+ | 350.48 грн |
| NTMFS6H858NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 81.69 грн |
| 13+ | 68.62 грн |
| 100+ | 43.01 грн |
| 500+ | 33.38 грн |
| 1000+ | 22.03 грн |
| NTMFS2D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 196.94 грн |
| 10+ | 137.77 грн |
| NTMFS6H858NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.01 грн |
| 500+ | 33.38 грн |
| 1000+ | 22.03 грн |
| NCP693HMN08TCG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 56.08 грн |
| NCP662SQ18T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.93 грн |
| MM3Z4V3C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 13.07 грн |
| 125+ | 7.07 грн |
| 175+ | 5.07 грн |
| 500+ | 3.81 грн |
| 1000+ | 3.45 грн |
| 5000+ | 2.48 грн |
| MM3Z2V7C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MM3Z4V3C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.81 грн |
| 1000+ | 3.45 грн |
| 5000+ | 2.48 грн |
| MM3Z30VC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 12.19 грн |
| 125+ | 7.11 грн |
| 215+ | 4.12 грн |
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.95 грн |
| MM3Z4V3B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 13.60 грн |
| 112+ | 7.89 грн |
| 227+ | 3.90 грн |
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 2.69 грн |
| MM3Z2V7C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MM3Z30VC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.95 грн |
| MM3Z4V3B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.52 грн |
| 1000+ | 2.82 грн |
| MM3Z7V5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.62 грн |
| 1500+ | 2.35 грн |
| MM3Z5V6C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 10.95 грн |
| 121+ | 7.32 грн |
| 263+ | 3.36 грн |
| 500+ | 3.05 грн |
| 1500+ | 2.76 грн |
| SZMM3Z10VST1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z10VST1G - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SZMM3Z10VST1G - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 67+ | 13.25 грн |
| 109+ | 8.12 грн |
| 154+ | 5.74 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| 5000+ | 4.31 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.67 грн |
| 9000+ | 4.55 грн |
| FQP47P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 358.55 грн |
| 10+ | 184.58 грн |
| 100+ | 166.91 грн |
| 500+ | 139.41 грн |
| NCP161AMX330TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.67 грн |
| 55+ | 16.07 грн |
| 100+ | 12.28 грн |
| 500+ | 9.92 грн |
| 1000+ | 8.33 грн |
| NCP161AMX300TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 38.77 грн |
| 31+ | 28.88 грн |
| 100+ | 16.51 грн |
| 500+ | 14.60 грн |
| 1000+ | 9.54 грн |
| 5000+ | 8.86 грн |
| 10000+ | 8.71 грн |
| NCP161AMX330TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.87 грн |
| 500+ | 14.84 грн |
| 1000+ | 9.08 грн |
| NCP161AMX300TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.51 грн |
| 500+ | 14.60 грн |
| 1000+ | 9.54 грн |
| 5000+ | 8.86 грн |
| 10000+ | 8.71 грн |
| NCP161AFCT310T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.25 грн |
| 1000+ | 3.86 грн |
| NCP161AFCT310T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 20.31 грн |
| 59+ | 15.01 грн |
| 132+ | 6.71 грн |
| 500+ | 5.25 грн |
| 1000+ | 3.86 грн |
| NCP161AFCS280T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCS280T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCS280T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 343348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.16 грн |
| NCP161AFCS285T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCS285T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCS285T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.48 грн |
| NCP161AFCT350T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCT350T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.5V/450mAout, SSOP-5, WLCSP-EP, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Ausgangsspannung, nom.: 3.5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCT350T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.5V/450mAout, SSOP-5, WLCSP-EP, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Ausgangsspannung, nom.: 3.5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 150mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 150mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.48 грн |
| NCP161AFCS450T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCS450T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCS450T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 304500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.48 грн |
| NCP161BMX514TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161BMX514TBG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161BMX514TBG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.19 грн |
| NCP161AMX514TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX514TBG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AMX514TBG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 8.28 грн |
| NCP161AFCS300T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCS300T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCS300T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 709470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.26 грн |
| NCP161BFCS285T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161BFCS285T2G - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161BFCS285T2G - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 7.15 грн |
| NCP161BFCS250T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161BFCS250T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161BFCS250T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 44990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 9.36 грн |
| NCP161BFCT500T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161BFCT500T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161BFCT500T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.74 грн |
| NCP161AFCS330T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCS330T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCS330T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 309580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.16 грн |
| NCP161BFCT285T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161BFCT285T2G - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161BFCT285T2G - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 7.15 грн |
| NCP161AMX285TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX285TBG - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AMX285TBG - LDO, FIXED, 2.85V, 0.45A, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.95 грн |
| NCP161AFCT514T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCT514T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP161AFCT514T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 8.28 грн |



















