Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141197) > Сторінка 2281 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2276 2277 2278 2279 2280 2281 2282 2283 2284 2285 2286 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS40300CTWG NSS40300CTWG ONSEMI 3993734.pdf Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.95 грн
500+39.63 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG ONSEMI 4424009.pdf Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.95 грн
500+39.63 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD1035CTLT4G MBRD1035CTLT4G ONSEMI 2354261.pdf Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.62 грн
50+53.06 грн
100+46.85 грн
500+34.19 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD360T4G MBRD360T4G ONSEMI 2353762.pdf Description: ONSEMI - MBRD360T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.13 грн
500+32.55 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD1035CTLT4G MBRD1035CTLT4G ONSEMI 2354261.pdf Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.85 грн
500+34.19 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD660CTT4G MBRD660CTT4G ONSEMI mbrd620ct-d.pdf Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.21 грн
500+33.04 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV214RSQT2G NCV214RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.83 грн
500+40.04 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV214RSQT2G NCV214RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.99 грн
13+71.17 грн
100+47.83 грн
500+40.04 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ270 MMBFJ270 ONSEMI ONSM-S-A0003590106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 60695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.01 грн
500+14.34 грн
1500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4688T1G MMSZ4688T1G ONSEMI mmsz4678t1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.91 грн
1000+2.54 грн
10500+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5230BT1G SZMMSZ5230BT1G ONSEMI 2878990.pdf Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.69 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4V7T1G MMSZ4V7T1G ONSEMI ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.61 грн
9000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP163ASN330T1G NCP163ASN330T1G ONSEMI 2711390.pdf Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.57 грн
500+13.10 грн
1000+11.87 грн
5000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
74AC14MTCX 74AC14MTCX ONSEMI 2298472.pdf Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.93 грн
500+20.52 грн
1000+17.42 грн
2500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI 1n914-d.pdf Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+1.01 грн
7500+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937BT3G 1SMA5937BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.69 грн
250+14.20 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC86DR2G MC74VHC86DR2G ONSEMI 1878599.pdf Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.79 грн
500+17.14 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC86DR2G MC74AC86DR2G ONSEMI MC74AC86-D.PDF Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SC431AVSNT1G SC431AVSNT1G ONSEMI 2236974.pdf Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.525V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.475V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SC431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.39 грн
500+17.63 грн
1500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CM1213A-04SO CM1213A-04SO ONSEMI 2236812.pdf Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CM1213
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.85 грн
500+15.49 грн
1000+12.78 грн
5000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
H11D1SR2M H11D1SR2M ONSEMI MOC8204M-D.pdf Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.32 грн
16+58.92 грн
25+56.61 грн
50+50.34 грн
100+34.38 грн
500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
H11D1SR2M H11D1SR2M ONSEMI MOC8204M-D.pdf Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.38 грн
500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTG NXH020P120MNF1PTG ONSEMI 3708148.pdf Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10408.65 грн
5+9648.19 грн
10+8887.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTG NXH010P120MNF1PTG ONSEMI NXH010P120MNF1-D.PDF Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14068.09 грн
5+13697.18 грн
10+13325.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTG NXH040P120MNF1PTG ONSEMI ONSM-S-A0014762558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9021.72 грн
5+8286.10 грн
10+7550.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHG ONSEMI 4073654.pdf Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12673.18 грн
5+12271.20 грн
10+11869.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG NXH004P120M3F2PTNG ONSEMI nxh004p120m3f2ptng-d.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20035.54 грн
5+19634.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHG ONSEMI 4073655.pdf Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5661.31 грн
5+5532.65 грн
10+5403.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNG NXH003P120M3F2PTNG ONSEMI 4018418.pdf Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19005.32 грн
5+18625.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG NXH004P120M3F2PNG ONSEMI nxh004p120m3f2png-d.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23197.18 грн
5+22733.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG NXH006P120M3F2PTHG ONSEMI 4332486.pdf Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12674.95 грн
5+12272.98 грн
10+11871.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG ONSEMI 4332487.pdf Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13942.09 грн
5+13500.19 грн
10+13057.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG ONSEMI 4332488.pdf Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12573.79 грн
5+11776.95 грн
10+10980.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+27.06 грн
55+16.42 грн
100+10.29 грн
500+7.07 грн
1000+5.80 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.07 грн
1000+5.80 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V6C MM3Z5V6C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.07 грн
1500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI 706319.pdf Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 7WBD3306USG ONSEMI 2255405.pdf Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.86 грн
27+33.10 грн
100+27.06 грн
500+24.39 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 7WBD3306USG ONSEMI 2255405.pdf Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.06 грн
500+24.39 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06LT1G SMMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.22 грн
1500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LM224DR2G LM224DR2G ONSEMI 2236828.pdf Description: ONSEMI - LM224DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.24 грн
500+13.18 грн
1000+11.48 грн
5000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BLT1G BC848BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.04 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BWT1G BC848BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.91 грн
1000+2.40 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMA-40035-GEVB MICROFJ-SMA-40035-GEVB ONSEMI MICROFJ-SMA-40035-GEVB_Web.pdf Description: ONSEMI - MICROFJ-SMA-40035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-40035, 3 SMA-Steckverbinder, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-40035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-40035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30413.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC550CTA BC550CTA ONSEMI BC550-D.PDF Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+23.34 грн
63+14.11 грн
101+8.83 грн
500+6.02 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT1TXG NIS4461MT1TXG ONSEMI 3191497.pdf Description: ONSEMI - NIS4461MT1TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.38 грн
10+97.61 грн
50+95.83 грн
100+86.52 грн
250+78.34 грн
500+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT3TXG NIS4461MT3TXG ONSEMI 3191497.pdf Description: ONSEMI - NIS4461MT3TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.40 грн
10+162.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 MMSD4448 ONSEMI ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+16.06 грн
106+8.39 грн
194+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 MMSD4448 ONSEMI ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5501DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.43 грн
500+33.29 грн
1000+27.76 грн
2500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT1G BC847CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC547BTA ONSEMI BC546-50.pdf FAIR-S-A0000134114-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC547BTA - TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+22.54 грн
63+14.11 грн
101+8.83 грн
500+6.02 грн
1000+4.90 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BTT1G BC857BTT1G ONSEMI 2354480.pdf Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
9000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.11 грн
9000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.94 грн
1500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI 2907086.pdf Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.53 грн
28+32.03 грн
100+22.98 грн
500+16.73 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI 2907086.pdf Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.98 грн
500+16.73 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14490DWR2G MC14490DWR2G ONSEMI MC14490-D.PDF Description: ONSEMI - MC14490DWR2G - Kontakt-Entpreller, sechsfach, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Kontakt-Entpreller
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.36 грн
250+42.82 грн
500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FNB33060T FNB33060T ONSEMI fnb33060t-d.pdf Description: ONSEMI - FNB33060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2167.80 грн
5+1871.43 грн
10+1574.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWG 3993734.pdf
NSS40300CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.95 грн
500+39.63 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG 4424009.pdf
NSS1C300CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.95 грн
500+39.63 грн
1000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD1035CTLT4G 2354261.pdf
MBRD1035CTLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.62 грн
50+53.06 грн
100+46.85 грн
500+34.19 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD360T4G 2353762.pdf
MBRD360T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD360T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.13 грн
500+32.55 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD1035CTLT4G 2354261.pdf
MBRD1035CTLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.85 грн
500+34.19 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD660CTT4G mbrd620ct-d.pdf
MBRD660CTT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.21 грн
500+33.04 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV214RSQT2G 2711393.pdf
NCV214RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.83 грн
500+40.04 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV214RSQT2G 2711393.pdf
NCV214RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.99 грн
13+71.17 грн
100+47.83 грн
500+40.04 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ270 ONSM-S-A0003590106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ270
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 60695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.01 грн
500+14.34 грн
1500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4688T1G mmsz4678t1-d.pdf
MMSZ4688T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.91 грн
1000+2.54 грн
10500+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5230BT1G 2878990.pdf
SZMMSZ5230BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.69 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4V7T1G ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ4V7T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.61 грн
9000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP163ASN330T1G 2711390.pdf
NCP163ASN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.57 грн
500+13.10 грн
1000+11.87 грн
5000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
74AC14MTCX 2298472.pdf
74AC14MTCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.93 грн
500+20.52 грн
1000+17.42 грн
2500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 1n914-d.pdf
FDLL4148
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+1.01 грн
7500+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5937BT3G 2140502.pdf
1SMA5937BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.69 грн
250+14.20 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC86DR2G 1878599.pdf
MC74VHC86DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.79 грн
500+17.14 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC86DR2G MC74AC86-D.PDF
MC74AC86DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SC431AVSNT1G 2236974.pdf
SC431AVSNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.525V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.475V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SC431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.39 грн
500+17.63 грн
1500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CM1213A-04SO 2236812.pdf
CM1213A-04SO
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CM1213
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.85 грн
500+15.49 грн
1000+12.78 грн
5000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
H11D1SR2M MOC8204M-D.pdf
H11D1SR2M
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.32 грн
16+58.92 грн
25+56.61 грн
50+50.34 грн
100+34.38 грн
500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
H11D1SR2M MOC8204M-D.pdf
H11D1SR2M
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.38 грн
500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTG 3708148.pdf
NXH020P120MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10408.65 грн
5+9648.19 грн
10+8887.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTG NXH010P120MNF1-D.PDF
NXH010P120MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14068.09 грн
5+13697.18 грн
10+13325.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTG ONSM-S-A0014762558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NXH040P120MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9021.72 грн
5+8286.10 грн
10+7550.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHG 4073654.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12673.18 грн
5+12271.20 грн
10+11869.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG nxh004p120m3f2ptng-d.pdf
NXH004P120M3F2PTNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20035.54 грн
5+19634.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHG 4073655.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5661.31 грн
5+5532.65 грн
10+5403.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNG 4018418.pdf
NXH003P120M3F2PTNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19005.32 грн
5+18625.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG nxh004p120m3f2png-d.pdf
NXH004P120M3F2PNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23197.18 грн
5+22733.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG 4332486.pdf
NXH006P120M3F2PTHG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12674.95 грн
5+12272.98 грн
10+11871.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG 4332487.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13942.09 грн
5+13500.19 грн
10+13057.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG 4332488.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12573.79 грн
5+11776.95 грн
10+10980.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+27.06 грн
55+16.42 грн
100+10.29 грн
500+7.07 грн
1000+5.80 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.07 грн
1000+5.80 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V6C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z5V6C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.07 грн
1500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G 706319.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 2255405.pdf
7WBD3306USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.86 грн
27+33.10 грн
100+27.06 грн
500+24.39 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 2255405.pdf
7WBD3306USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.06 грн
500+24.39 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW32LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
SMMBTA06LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.22 грн
1500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LM224DR2G 2236828.pdf
LM224DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM224DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.24 грн
500+13.18 грн
1000+11.48 грн
5000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.04 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.91 грн
1000+2.40 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMA-40035-GEVB MICROFJ-SMA-40035-GEVB_Web.pdf
MICROFJ-SMA-40035-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MICROFJ-SMA-40035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-40035, 3 SMA-Steckverbinder, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-40035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-40035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30413.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC550CTA BC550-D.PDF
BC550CTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+23.34 грн
63+14.11 грн
101+8.83 грн
500+6.02 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT1TXG 3191497.pdf
NIS4461MT1TXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS4461MT1TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.38 грн
10+97.61 грн
50+95.83 грн
100+86.52 грн
250+78.34 грн
500+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT3TXG 3191497.pdf
NIS4461MT3TXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS4461MT3TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+217.40 грн
10+162.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSD4448
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+16.06 грн
106+8.39 грн
194+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSD4448
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG 1748771.pdf
NCP5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.43 грн
500+33.29 грн
1000+27.76 грн
2500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC547BTA BC546-50.pdf FAIR-S-A0000134114-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547BTA - TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, TO-92
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+22.54 грн
63+14.11 грн
101+8.83 грн
500+6.02 грн
1000+4.90 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BTT1G 2354480.pdf
BC857BTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
9000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.11 грн
9000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G 3817110.pdf
MMBT3906LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.94 грн
1500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G 2907086.pdf
SNUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.53 грн
28+32.03 грн
100+22.98 грн
500+16.73 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G 2907086.pdf
SNUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.98 грн
500+16.73 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14490DWR2G MC14490-D.PDF
MC14490DWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14490DWR2G - Kontakt-Entpreller, sechsfach, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Kontakt-Entpreller
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.36 грн
250+42.82 грн
500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FNB33060T fnb33060t-d.pdf
FNB33060T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB33060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2167.80 грн
5+1871.43 грн
10+1574.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2276 2277 2278 2279 2280 2281 2282 2283 2284 2285 2286 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]