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NUP4004M5T1G NUP4004M5T1G ONSEMI nup4004m5-d.pdf Description: ONSEMI - NUP4004M5T1G - TVS-Diode, NUP40, Bidirektional, 5 V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSOP
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 8V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: NUP40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Klemmspannung, max.: -
на замовлення 6304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SZMM5Z3V9T1G SZMM5Z3V9T1G ONSEMI 2724432.pdf Description: ONSEMI - SZMM5Z3V9T1G - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZMM5Z3V9T1G SZMM5Z3V9T1G ONSEMI 2724432.pdf Description: ONSEMI - SZMM5Z3V9T1G - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTMFSC006N12MC NTMFSC006N12MC ONSEMI 4073638.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC006N12MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 92 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTMFSC006N12MC NTMFSC006N12MC ONSEMI 4073638.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC006N12MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 92 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SZBZX84C5V1ET1G SZBZX84C5V1ET1G ONSEMI ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1ET1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C5V1LT1G SZBZX84C5V1LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C5V1LT1G SZBZX84C5V1LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZBZX84C9V1LT1G SZBZX84C9V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C9V1LT1G SZBZX84C9V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZBZX84C22ET1G SZBZX84C22ET1G ONSEMI ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C22ET1G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C5V1ET1G SZBZX84C5V1ET1G ONSEMI ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1ET1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZBZX84C22ET1G SZBZX84C22ET1G ONSEMI ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZBZX84C22ET1G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NCP51460SN33T1G NCP51460SN33T1G ONSEMI 1878423.pdf Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.333V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 3.267V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NCP51460
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Spannungsreferenz: In Reihe, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
на замовлення 52257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV57090BDWR2G NCV57090BDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCV57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV57090BDWR2G NCV57090BDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCV57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV57090CDWR2G NCV57090CDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV57090CDWR2G NCV57090CDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ES2B ES2B ONSEMI es2d-d.pdf es2a.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2_1.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G ONSEMI 2338005.pdf Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV8114ASN280T1G NCV8114ASN280T1G ONSEMI 2290242.pdf Description: ONSEMI - NCV8114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 170mV Dropout, 2.8Vout/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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IRFM120ATF IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRFM120ATF IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8461DR2G NCV8461DR2G ONSEMI 2236849.pdf Description: ONSEMI - NCV8461DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side, 5V-34V Versorgungsspannung, 1.2A Ausgangsstrom, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 34V
Eingabeverzögerung: 140µs
Ausgabeverzögerung: 170µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BCW70LT1G BCW70LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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MMSZ5238BT1G MMSZ5238BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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MMSZ5238BT1G MMSZ5238BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMSZ4713T1G MMSZ4713T1G ONSEMI mmsz4678t1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ4713T1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZMMSZ5248ET1G SZMMSZ5248ET1G ONSEMI mmsz5221et1-d.pdf Description: ONSEMI - SZMMSZ5248ET1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxET1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 19489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SMMUN2216LT1G SMMUN2216LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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MC74ACT244DTR2G MC74ACT244DTR2G ONSEMI ONSM-S-A0015956752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74ACT244DTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
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MC78L12ABDR2G MC78L12ABDR2G ONSEMI mc78l00a-d.pdf Description: ONSEMI - MC78L12ABDR2G - Linearer Festspannungsregler, 12V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI BCP56T1-D.PDF Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
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MC33178DR2G MC33178DR2G ONSEMI 89824.pdf Description: ONSEMI - MC33178DR2G - Operationsverstärker, geringe Leistungsaufnahme, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSVR0340HT1G NSVR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G ONSEMI ntjd4152p-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG ONSEMI Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MBR1100RLG MBR1100RLG ONSEMI 2353751.pdf Description: ONSEMI - MBR1100RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB ONSEMI 2704145.pdf Description: ONSEMI - MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-30035, 3 Durchsteckstifte, Vorspannung
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-30035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: MicroFJ-30035-TSV
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV7343MW0R2G NCV7343MW0R2G ONSEMI 3191494.pdf Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: DFNW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV7343MW0R2G NCV7343MW0R2G ONSEMI 3191494.pdf Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MC74HC04ADTR2G MC74HC04ADTR2G ONSEMI 1833440.pdf Description: ONSEMI - MC74HC04ADTR2G - Inverter, Baureihe 74HC04, 1 Eingang, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
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MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS20200LT1G NSS20200LT1G ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTTFS4C13NTAG NTTFS4C13NTAG ONSEMI ONSM-S-A0017604458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
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NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G ONSEMI 3672848.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G ONSEMI 3672848.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FODM452R2 FODM452R2 ONSEMI 2304143.pdf Description: ONSEMI - FODM452R2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SMS12CT1G SMS12CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SMS12CT1G SMS12CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MM3Z9V1T1G MM3Z9V1T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z9
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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MM5Z9V1T1G MM5Z9V1T1G ONSEMI 2236793.pdf Description: ONSEMI - MM5Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 200 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5ZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MC33064D-5R2G MC33064D-5R2G ONSEMI 2337890.pdf description Description: ONSEMI - MC33064D-5R2G - Unterspannungserkennungsschaltung, 1V-6.5Vsupp., 4.61V Schwellenspannung, Active-Low-Reset, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Schwellenspannung: 4.61V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G ONSEMI 2338005.pdf Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI nss1c201l-d.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G ONSEMI 4032169.pdf Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G ONSEMI 4032169.pdf Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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STF202-22T1G STF202-22T1G ONSEMI 2353987.pdf Description: ONSEMI - STF202-22T1G - EMI-Filter, 3 Kanäle, USB-Leitungsabschluss, ESD-Schutz, TSOP-6
tariffCode: 85363010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
EMI-Filter: EMI-Filter mit ESD-Schutz
Bauform - Filter: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Filterkreis: RC Pi-Filter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NUP4004M5T1G nup4004m5-d.pdf
NUP4004M5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4004M5T1G - TVS-Diode, NUP40, Bidirektional, 5 V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSOP
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 8V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: NUP40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Klemmspannung, max.: -
на замовлення 6304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SZMM5Z3V9T1G 2724432.pdf
SZMM5Z3V9T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM5Z3V9T1G - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZMM5Z3V9T1G 2724432.pdf
SZMM5Z3V9T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM5Z3V9T1G - Zener-Diode, 3.9 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTMFSC006N12MC 4073638.pdf
NTMFSC006N12MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC006N12MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 92 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTMFSC006N12MC 4073638.pdf
NTMFSC006N12MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC006N12MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 92 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SZBZX84C5V1ET1G ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C5V1ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1ET1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C5V1LT1G ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C5V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C5V1LT1G ONSM-S-A0013707653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C5V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZBZX84C9V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C9V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C9V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C9V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZBZX84C22ET1G ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C22ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C22ET1G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SZBZX84C5V1ET1G ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C5V1ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C5V1ET1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZBZX84C22ET1G ONSM-S-A0002809067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZBZX84C22ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C22ET1G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxET1G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NCP51460SN33T1G 1878423.pdf
NCP51460SN33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.333V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 3.267V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NCP51460
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Spannungsreferenz: In Reihe, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
на замовлення 52257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV57090BDWR2G 3191472.pdf
NCV57090BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV57090BDWR2G 3191472.pdf
NCV57090BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV57090CDWR2G 3191472.pdf
NCV57090CDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV57090CDWR2G 3191472.pdf
NCV57090CDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ES2B es2d-d.pdf es2a.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2_1.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf
ES2B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSVMUN5135DW1T1G 2338005.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV8114ASN280T1G 2290242.pdf
NCV8114ASN280T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 170mV Dropout, 2.8Vout/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
IRFM120ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
IRFM120ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8461DR2G 2236849.pdf
NCV8461DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8461DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side, 5V-34V Versorgungsspannung, 1.2A Ausgangsstrom, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 34V
Eingabeverzögerung: 140µs
Ausgabeverzögerung: 170µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BCW70LT1G ONSM-S-A0013215126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW70LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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MMSZ5238BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5238BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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MMSZ5238BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5238BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMSZ4713T1G mmsz4678t1-d.pdf
MMSZ4713T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4713T1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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SZMMSZ5248ET1G mmsz5221et1-d.pdf
SZMMSZ5248ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5248ET1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxET1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 19489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SMMUN2216LT1G ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMMUN2216LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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MC74ACT244DTR2G ONSM-S-A0015956752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74ACT244DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT244DTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 49 шт
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MC78L12ABDR2G mc78l00a-d.pdf
MC78L12ABDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L12ABDR2G - Linearer Festspannungsregler, 12V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BCP56T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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MC33178DR2G 89824.pdf
MC33178DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33178DR2G - Operationsverstärker, geringe Leistungsaufnahme, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSVR0340HT1G 1840608.pdf
NSVR0340HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS1C300CTWG
NSS1C300CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MBR1100RLG 2353751.pdf
MBR1100RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1100RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB 2704145.pdf
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-30035, 3 Durchsteckstifte, Vorspannung
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-30035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: MicroFJ-30035-TSV
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV7343MW0R2G 3191494.pdf
NCV7343MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: DFNW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV7343MW0R2G 3191494.pdf
NCV7343MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADTR2G 1833440.pdf
MC74HC04ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC04ADTR2G - Inverter, Baureihe 74HC04, 1 Eingang, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS20200LT1G 1840610.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS12200LT1G 2337905.pdf
NSS12200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS12200LT1G 2337905.pdf
NSS12200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTTFS4C13NTAG ONSM-S-A0017604458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS4C13NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 77 шт
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NTD5C632NLT4G 3672848.pdf
NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTD5C632NLT4G 3672848.pdf
NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FODM452R2 2304143.pdf
FODM452R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM452R2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SMS12CT1G ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMS12CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SMS12CT1G ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMS12CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MM3Z9V1T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z9
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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MM5Z9V1T1G 2236793.pdf
MM5Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM5Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 200 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5ZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MC33064D-5R2G description 2337890.pdf
MC33064D-5R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33064D-5R2G - Unterspannungserkennungsschaltung, 1V-6.5Vsupp., 4.61V Schwellenspannung, Active-Low-Reset, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Schwellenspannung: 4.61V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSVMUN5135DW1T1G 2338005.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 490mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSR02301MX4T5G 4032169.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NSR02301MX4T5G 4032169.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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STF202-22T1G 2353987.pdf
STF202-22T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STF202-22T1G - EMI-Filter, 3 Kanäle, USB-Leitungsabschluss, ESD-Schutz, TSOP-6
tariffCode: 85363010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
EMI-Filter: EMI-Filter mit ESD-Schutz
Bauform - Filter: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Filterkreis: RC Pi-Filter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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