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MMUN2233LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 931220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMUN2215LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57001DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57001DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 66ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57090ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57090ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierendtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57080CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 8A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM258DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM258DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMUN2214LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM74HC14MX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM74HC14MX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, NSOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5.2mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HC14 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSA4486UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA4486UCX - USB-Schnittstelle, USB Type-C Analogue Audio Switch, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Anschlüsse: 1Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: USB Type-C Analogue Audio Switch Anzahl der Pins: 25Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT244MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT244MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT244SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC557BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S310FA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S310FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S310FA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S310FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 850 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C15LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4448WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4448WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4448 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4448WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4448WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4448 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT54HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 94329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT54CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54CLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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MC14069UBDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14069UBDR2G - Inverter, MC14069, 1 Eingang, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 4000B Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 8.8mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 4069 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC557BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 48696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4749A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4749A - Zener-Diode, 24 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 24V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4007RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4007 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5227B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5227B - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT25160VI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25160VI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 16Kbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC857BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 54452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCA20N60F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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FCB20N60FTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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FCB20N60TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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FCP20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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MC33152DG | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 6.1...18V DC Protection: undervoltage UVP Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Output voltage: 0.8...11.2V Kind of package: tube Kind of output: non-inverting |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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MC33152DR2G | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 6.1...18V DC Protection: undervoltage UVP Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Output voltage: 0.8...11.2V Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BD1G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: tube Operating voltage: 7.6...36V Power: 702mW |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BD1R2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Operating voltage: 7.6...36V Power: 702mW |
товару немає в наявності |
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UC3843BDR2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO14 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Operating voltage: 7.6...36V Power: 862mW |
товару немає в наявності |
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UC3843BNG | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: DIP8 Mounting: THT Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: tube Operating voltage: 7.6...36V Power: 1.25W |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BVD1R2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Topology: flyback Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Operating voltage: 7.6...36V Power: 702mW |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BVDR2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO14 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Topology: flyback Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Operating voltage: 7.6...36V Power: 862mW |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| MC74HC573ADTG | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: TSSOP20 Manufacturer series: HC Family: HC Kind of package: tube Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal Kind of output: 3-state |
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MC74HC573ADTR2G | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: TSSOP20 Manufacturer series: HC Family: HC Trigger: level-triggered Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: D latch Kind of output: 3-state; non-inverting |
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MC74HC573ADWG | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D latch Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Case: SO20-W Operating temperature: -40...85°C Family: HC Trigger: level-triggered Manufacturer series: HC Technology: CMOS Kind of output: 3-state; non-inverting |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| MC74HC573ADWR2G | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Manufacturer series: HC Family: HC Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal Kind of output: 3-state |
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MM74HC573MTC | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: TSSOP20 Manufacturer series: HC Family: HC Trigger: level-triggered Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: D latch Kind of output: 3-state |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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MM74HC573MTCX | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: TSSOP20 Manufacturer series: HC Family: HC Trigger: level-triggered Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Quiescent current: 160µA Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: D latch Kind of output: 3-state |
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MM74HC573WM | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C; HC Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: SO20 Manufacturer series: HC Family: HC Trigger: level-triggered Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Quiescent current: 80µA Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: D latch Kind of output: 3-state |
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MM74HC573WMX | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C; HC Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: SO20 Manufacturer series: HC Family: HC Trigger: level-triggered Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2...6V DC Number of channels: 8 Kind of integrated circuit: D latch Kind of output: 3-state |
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BAS16DXV6T1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double independent Capacitance: 2pF Case: SOT563 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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BAS16HT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1V; 300mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.5A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD323 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 72736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| FCH077N65F-F085 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Pulsed drain current: 162A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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LM311DR2G | ONSEMI |
Category: SMD comparatorsDescription: IC: comparator; universal; Cmp: 1; 200ns; 5÷30V; SMT; SO8 Delay time: 200ns Number of comparators: 1 Operating voltage: 5...30V Type of integrated circuit: comparator Case: SO8 Mounting: SMT Kind of comparator: universal |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| MMUN2233LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 931220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.37 грн |
| 1500+ | 1.88 грн |
| MMUN2215LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.14 грн |
| NCV57001DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57001DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57001DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 392.11 грн |
| 10+ | 272.89 грн |
| 25+ | 246.40 грн |
| 50+ | 206.65 грн |
| 100+ | 169.56 грн |
| 250+ | 162.75 грн |
| 500+ | 156.69 грн |
| NCV57090ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 99.16 грн |
| 250+ | 92.35 грн |
| NCV57090ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 188.11 грн |
| 10+ | 140.42 грн |
| 25+ | 128.06 грн |
| 50+ | 113.17 грн |
| 100+ | 99.16 грн |
| 250+ | 92.35 грн |
| NCV57080CDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 8A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 8A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 87.75 грн |
| 250+ | 73.35 грн |
| 500+ | 65.63 грн |
| 1000+ | 60.86 грн |
| LM258DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM258DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM258DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.69 грн |
| 500+ | 8.77 грн |
| 1000+ | 7.56 грн |
| 5000+ | 7.26 грн |
| 10000+ | 6.96 грн |
| MMUN2214LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.96 грн |
| 1500+ | 2.36 грн |
| MM74HC14MX | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HC14MX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MM74HC14MX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.14 грн |
| 500+ | 16.57 грн |
| 1000+ | 14.69 грн |
| FSA4486UCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4486UCX - USB-Schnittstelle, USB Type-C Analogue Audio Switch, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: 1Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB Type-C Analogue Audio Switch
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FSA4486UCX - USB-Schnittstelle, USB Type-C Analogue Audio Switch, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: 1Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB Type-C Analogue Audio Switch
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 207.54 грн |
| 10+ | 132.47 грн |
| 50+ | 118.34 грн |
| 100+ | 90.21 грн |
| 250+ | 72.75 грн |
| 500+ | 69.04 грн |
| 1000+ | 58.06 грн |
| 2500+ | 56.92 грн |
| 74ACT244MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 67.91 грн |
| 50+ | 43.89 грн |
| 100+ | 38.42 грн |
| 500+ | 32.06 грн |
| 1000+ | 29.37 грн |
| 74ACT244MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.42 грн |
| 500+ | 32.06 грн |
| 1000+ | 29.37 грн |
| 74ACT244SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 74ACT244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.78 грн |
| 500+ | 40.26 грн |
| BC557BTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.31 грн |
| 64+ | 13.95 грн |
| 101+ | 8.80 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 4.88 грн |
| BC846BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.21 грн |
| 9000+ | 2.16 грн |
| S310FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - S310FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.97 грн |
| 50+ | 26.58 грн |
| 100+ | 23.05 грн |
| 500+ | 19.60 грн |
| 1500+ | 17.94 грн |
| S310FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - S310FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.05 грн |
| 500+ | 19.60 грн |
| 1500+ | 17.94 грн |
| BZX84C15LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.36 грн |
| 9000+ | 1.33 грн |
| 1N4448WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4448WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N4448WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 103+ | 8.63 грн |
| 145+ | 6.13 грн |
| 177+ | 5.00 грн |
| 500+ | 3.44 грн |
| 1000+ | 2.52 грн |
| 1N4448WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4448WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N4448WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.44 грн |
| 1000+ | 2.52 грн |
| BAT54HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BAT54HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 94329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| 9000+ | 1.92 грн |
| BAT54CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BAT54CLT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| MC14069UBDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14069UBDR2G - Inverter, MC14069, 1 Eingang, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4069
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MC14069UBDR2G - Inverter, MC14069, 1 Eingang, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4069
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.43 грн |
| 500+ | 15.91 грн |
| 1000+ | 14.08 грн |
| BC807-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 11.39 грн |
| 124+ | 7.13 грн |
| 201+ | 4.40 грн |
| 500+ | 2.94 грн |
| 1500+ | 2.41 грн |
| BC807-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.94 грн |
| 1500+ | 2.41 грн |
| BC817-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.95 грн |
| 9000+ | 1.92 грн |
| BC557BTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 48696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.31 грн |
| 64+ | 13.95 грн |
| 101+ | 8.80 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 4.88 грн |
| 1N4749A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4749A - Zener-Diode, 24 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N4749A - Zener-Diode, 24 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 13.87 грн |
| 115+ | 7.70 грн |
| 197+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.78 грн |
| 1000+ | 3.04 грн |
| 5000+ | 2.60 грн |
| 1N4007RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 2.71 грн |
| 15000+ | 2.12 грн |
| 1N5227B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5227B - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 1N5227B - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.49 грн |
| 217+ | 4.07 грн |
| 474+ | 1.86 грн |
| 521+ | 1.57 грн |
| 1000+ | 1.23 грн |
| 5000+ | 1.21 грн |
| CAT25160VI-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25160VI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - CAT25160VI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 31.26 грн |
| 50+ | 28.53 грн |
| 100+ | 27.82 грн |
| BC857BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.46 грн |
| 1500+ | 1.97 грн |
| FCA20N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 378.87 грн |
| 3+ | 324.74 грн |
| 10+ | 278.82 грн |
| 25+ | 241.10 грн |
| 50+ | 216.50 грн |
| 100+ | 196.81 грн |
| 500+ | 193.53 грн |
| FCB20N60TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.45 грн |
| 3+ | 266.52 грн |
| 10+ | 241.92 грн |
| MC33152DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 6.1...18V DC
Protection: undervoltage UVP
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 6.1...18V DC
Protection: undervoltage UVP
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 105.98 грн |
| 10+ | 71.35 грн |
| 25+ | 64.78 грн |
| MC33152DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 6.1...18V DC
Protection: undervoltage UVP
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 6.1...18V DC
Protection: undervoltage UVP
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 79.48 грн |
| 10+ | 53.30 грн |
| 25+ | 51.66 грн |
| UC3843BD1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 702mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 702mW
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.98 грн |
| 17+ | 24.60 грн |
| 25+ | 20.91 грн |
| 50+ | 20.34 грн |
| UC3843BD1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 702mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 702mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UC3843BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 862mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 862mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UC3843BNG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 1.25W
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 1.25W
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 73.30 грн |
| 10+ | 42.56 грн |
| 25+ | 39.85 грн |
| 50+ | 37.80 грн |
| 100+ | 35.84 грн |
| 250+ | 33.21 грн |
| UC3843BVD1R2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 702mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 702mW
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.25 грн |
| 10+ | 46.17 грн |
| 25+ | 37.89 грн |
| 100+ | 28.70 грн |
| 250+ | 24.44 грн |
| 500+ | 22.80 грн |
| UC3843BVDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 862mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 7.6...36V
Power: 862mW
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 83.02 грн |
| 10+ | 47.73 грн |
| 25+ | 39.36 грн |
| 100+ | 30.18 грн |
| 250+ | 26.00 грн |
| 500+ | 23.86 грн |
| MC74HC573ADTG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Kind of output: 3-state
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MC74HC573ADTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state; non-inverting
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state; non-inverting
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MC74HC573ADWG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Operating temperature: -40...85°C
Family: HC
Trigger: level-triggered
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Kind of output: 3-state; non-inverting
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Operating temperature: -40...85°C
Family: HC
Trigger: level-triggered
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Kind of output: 3-state; non-inverting
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.87 грн |
| 10+ | 41.17 грн |
| 12+ | 37.23 грн |
| 25+ | 32.80 грн |
| 38+ | 31.08 грн |
| MC74HC573ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Manufacturer series: HC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Kind of output: 3-state
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Manufacturer series: HC
Family: HC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MM74HC573MTC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 455.70 грн |
| 10+ | 328.02 грн |
| 25+ | 282.10 грн |
| 75+ | 252.58 грн |
| MM74HC573MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 160µA
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 160µA
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MM74HC573WM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C; HC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: SO20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 80µA
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C; HC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: SO20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 80µA
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MM74HC573WMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C; HC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: SO20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C; HC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: SO20
Manufacturer series: HC
Family: HC
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Number of channels: 8
Kind of integrated circuit: D latch
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAS16DXV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 2pF
Case: SOT563
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double independent
Capacitance: 2pF
Case: SOT563
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 7.07 грн |
| 72+ | 5.74 грн |
| 77+ | 5.38 грн |
| 81+ | 5.07 грн |
| 100+ | 4.77 грн |
| 250+ | 4.39 грн |
| 500+ | 4.37 грн |
| BAS16HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.5A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 72736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 167+ | 2.65 грн |
| 250+ | 1.64 грн |
| 365+ | 1.12 грн |
| 417+ | 0.98 грн |
| 500+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.84 грн |
| 3000+ | 0.75 грн |
| 6000+ | 0.72 грн |
| 9000+ | 0.71 грн |
| FCH077N65F-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCH077N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LM311DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 1; 200ns; 5÷30V; SMT; SO8
Delay time: 200ns
Number of comparators: 1
Operating voltage: 5...30V
Type of integrated circuit: comparator
Case: SO8
Mounting: SMT
Kind of comparator: universal
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 1; 200ns; 5÷30V; SMT; SO8
Delay time: 200ns
Number of comparators: 1
Operating voltage: 5...30V
Type of integrated circuit: comparator
Case: SO8
Mounting: SMT
Kind of comparator: universal
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 26.49 грн |
| 22+ | 19.52 грн |
| 24+ | 17.22 грн |
| 29+ | 14.60 грн |
| 100+ | 13.61 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 164.01 грн |
| 10+ | 136.13 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.53 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.94 грн |
| 10+ | 182.87 грн |
| 25+ | 157.45 грн |
| 50+ | 154.99 грн |





































