Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (143890) > Сторінка 639 з 2399

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 239 478 634 635 636 637 638 639 640 641 642 643 644 717 956 1195 1434 1673 1912 2151 2390 2399  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMBD354LT1G NSVMMBD354LT1G onsemi mmbd352lt1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Power Dissipation (Max): 300 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 46691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
10+38.17 грн
25+35.66 грн
100+26.75 грн
250+24.84 грн
500+21.02 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G NSVMMBT3906TT1G onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
22+13.87 грн
100+8.68 грн
500+6.02 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G NSVMMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 171135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.03 грн
100+8.17 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
25+12.57 грн
100+7.88 грн
500+5.46 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1G NSVMMBT6520LT1G onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.80 грн
100+18.54 грн
500+13.23 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1G NSVMMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 11384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
21+14.55 грн
100+9.15 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
23+13.41 грн
100+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5132T1G NSVMUN5132T1G onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G onsemi dta123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
29+10.67 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5211DW1T2G NSVMUN5211DW1T2G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 385mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 11757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.57 грн
26+11.96 грн
100+7.47 грн
500+5.15 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.57 грн
26+11.96 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
2000+4.05 грн
5000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G NSVMUN5316DW1T1G onsemi dtc143tp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
29+10.59 грн
100+6.64 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVPZTA92T1G NSVPZTA92T1G onsemi pzta92t1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.93 грн
13+24.84 грн
100+15.85 грн
500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230M2T5G NSVR0230M2T5G onsemi nsr0230-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD723
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-723
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.86 грн
17+18.28 грн
100+11.57 грн
500+8.11 грн
1000+7.23 грн
2000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230P2T5G NSVR0230P2T5G onsemi nsr0230p2-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-923
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.44 грн
13+24.53 грн
100+14.73 грн
500+12.79 грн
1000+8.70 грн
2000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240HT1G NSVR0240HT1G onsemi nsr0240h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-323
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
31+10.06 грн
100+6.23 грн
500+4.29 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240P2T5G NSVR0240P2T5G onsemi nsr0240p2-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-923
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
44+7.01 грн
100+4.35 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0520V2T1G NSVR0520V2T1G onsemi nsr0520v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMC5NT2G NSVUMC5NT2G onsemi umc2nt1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTDV20P06LT4G NTDV20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G NTJD4152PT2G onsemi ntjd4152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 272mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+23.77 грн
100+15.14 грн
500+10.69 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi ntk3139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
15+20.49 грн
100+12.97 грн
500+9.12 грн
1000+7.69 грн
2000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBG NTLUS3A18PZTBG onsemi ntlus3a18pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBG NTLUS3A40PZTBG onsemi ntlus3a40pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4837NHT1G NTMFS4837NHT1G onsemi NTMFS4837NH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C025NT1G NTMFS4C025NT1G onsemi ntmfs4c025n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
11+28.72 грн
100+18.44 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C029NT1G NTMFS4C029NT1G onsemi ntmfs4c029n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
14+23.39 грн
100+14.91 грн
500+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2G NTMS4937NR2G onsemi ntms4937n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3C21NZT1G NTR3C21NZT1G onsemi ntr3c21nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
14+22.55 грн
100+14.36 грн
500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS10120MFST1G NTS10120MFST1G onsemi nts10120mfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS260ESFT1G NTS260ESFT1G onsemi nts260esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG onsemi nttfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PLTWG onsemi nttfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+49.52 грн
100+34.32 грн
500+25.70 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUF4310MNTAG NUF4310MNTAG onsemi nuf4310mn-d.pdf Description: FILTER RC(PI) 100 OHMS ESD SMD
Number of Channels: 4
Part Status: Active
ESD Protection: Yes
Resistance - Channel (Ohms): 100
Center / Cutoff Frequency: 185MHz (Cutoff)
Technology: RC (Pi)
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Filter Order: 2nd
Attenuation Value: -25dB @ 800MHz ~ 4GHz
Height: 0.031" (0.79mm)
Values: R = 100Ohms, C = 9pF
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Low Pass
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.039" W (1.60mm x 1.00mm)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
16+20.27 грн
25+18.65 грн
50+16.46 грн
100+15.49 грн
250+14.28 грн
500+13.21 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4106DR2G NUP4106DR2G onsemi nup4106-d.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.79 грн
10+169.97 грн
100+118.95 грн
500+91.18 грн
1000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 onsemi ntd6416anl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+74.89 грн
100+50.09 грн
500+37.06 грн
1000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01 NVD6495NLT4G-VF01 onsemi nvd6495nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.62 грн
10+86.78 грн
100+58.53 грн
500+43.56 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2G NVMD6N04R2G onsemi ntmd6n04r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C450NLWFAFT1G NVMFS5C450NLWFAFT1G onsemi nvmfs5c450nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+121.14 грн
100+83.10 грн
500+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
10+102.01 грн
100+69.43 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G onsemi nvr5124pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.87 грн
100+18.57 грн
500+13.25 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAG NVTFS4C06NWFTAG onsemi nvtfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAG NVTFS5C673NLTAG onsemi nvtfs5c673nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.42 грн
10+72.83 грн
100+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAG NVTFS5C680NLTAG onsemi nvtfs5c680nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
10+60.03 грн
100+39.77 грн
500+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1G NVTR0202PLT1G onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
17+18.74 грн
100+9.45 грн
500+7.86 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZ9F18VST5G NZ9F18VST5G onsemi nz9f2v4s-d.pdf Description: DIODE ZENER 18V 250MW SOD923
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Supplier Device Package: SOD-923
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
23+13.33 грн
100+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZ9F18VT5G NZ9F18VT5G onsemi nz9f2v4-d.pdf Description: DIODE ZENER 18V 250MW SOD923
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Supplier Device Package: SOD-923
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
27+11.43 грн
100+5.55 грн
500+4.72 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZ9F5V6ST5G NZ9F5V6ST5G onsemi nz9f2v4s-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOD923
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-923
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
36+8.53 грн
100+5.68 грн
500+4.07 грн
1000+3.64 грн
2000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3PS850BHG-08CR P3PS850BHG-08CR onsemi Description: IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-WDFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.26 грн
10+103.69 грн
25+98.43 грн
100+75.88 грн
250+70.93 грн
500+62.68 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9306FMUTAG PCA9306FMUTAG onsemi pca9306-d.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8UDFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 2
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.45x1)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 8-UFDFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECDTR2G PCA9535ECDTR2G onsemi pca9535e-d.pdf Description: IC XPND 100KHZ I2C SMBUS 24TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Output Source/Sink: 25mA
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Interrupt Output: Yes
Clock Frequency: 100 kHz
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of I/O: 16
Interface: I2C, SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Features: POR
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
10+243.49 грн
25+212.59 грн
100+167.48 грн
250+152.10 грн
500+142.78 грн
1000+132.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECDWR2G PCA9535ECDWR2G onsemi pca9535e-d.pdf Description: IC XPNDR 100KHZ I2C SMBUS 24SOIC
Part Status: Obsolete
Current - Output Source/Sink: 25mA
Supplier Device Package: 24-SOIC
Interrupt Output: Yes
DigiKey Programmable: Not Verified
Clock Frequency: 100 kHz
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of I/O: 16
Interface: I2C, SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Features: POR
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1Z1SMB5919BT3G S1Z1SMB5919BT3G onsemi 1smb5913bt3-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 3W SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SMB
Part Status: Active
Tolerance: ±5%
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
15+20.80 грн
100+19.68 грн
500+17.80 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2SA1774G S2SA1774G onsemi 2sa1774-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC75 SOT416
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.56 грн
100+8.53 грн
500+5.94 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS16LT3G SBAS16LT3G onsemi bas16lt1-d.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
46+6.70 грн
100+4.12 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
2000+2.17 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54CWT1G SBAT54CWT1G onsemi bat54cwt1-d.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
15+20.49 грн
100+13.01 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV199LT3G SBAV199LT3G onsemi bav199lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
44+6.93 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
2000+2.25 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV70LT3G SBAV70LT3G onsemi bav70lt1-d.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAW56LT3G SBAW56LT3G onsemi baw56lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
41+7.54 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
2000+2.47 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-25LT3G SBC817-25LT3G onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1G mmbd352lt1-d.pdf
NSVMMBD354LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Power Dissipation (Max): 300 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 46691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.68 грн
10+38.17 грн
25+35.66 грн
100+26.75 грн
250+24.84 грн
500+21.02 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G mmbt3906tt1-d.pdf
NSVMMBT3906TT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.73 грн
22+13.87 грн
100+8.68 грн
500+6.02 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
NSVMMBT5087LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 171135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.15 грн
24+13.03 грн
100+8.17 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
NSVMMBT6429LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.36 грн
25+12.57 грн
100+7.88 грн
500+5.46 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
NSVMMBT6520LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.26 грн
11+28.80 грн
100+18.54 грн
500+13.23 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1G mmbta05lt1-d.pdf
NSVMMBTA05LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 11384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.53 грн
21+14.55 грн
100+9.15 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G dtc124e-d.pdf
NSVMUN2212T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.41 грн
23+13.41 грн
100+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5132T1G dta143e-d.pdf
NSVMUN5132T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G dta123jd-d.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.20 грн
29+10.67 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5211DW1T2G dtc114ed-d.pdf
NSVMUN5211DW1T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 385mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 11757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.57 грн
26+11.96 грн
100+7.47 грн
500+5.15 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5213DW1T3G dtc144ed-d.pdf
NSVMUN5213DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.57 грн
26+11.96 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
2000+4.05 грн
5000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G dtc143tp-d.pdf
NSVMUN5316DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.20 грн
29+10.59 грн
100+6.64 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVPZTA92T1G pzta92t1-d.pdf
NSVPZTA92T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.93 грн
13+24.84 грн
100+15.85 грн
500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230M2T5G nsr0230-d.pdf
NSVR0230M2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD723
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-723
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.86 грн
17+18.28 грн
100+11.57 грн
500+8.11 грн
1000+7.23 грн
2000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230P2T5G nsr0230p2-d.pdf
NSVR0230P2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-923
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.44 грн
13+24.53 грн
100+14.73 грн
500+12.79 грн
1000+8.70 грн
2000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240HT1G nsr0240h-d.pdf
NSVR0240HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-323
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.41 грн
31+10.06 грн
100+6.23 грн
500+4.29 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240P2T5G nsr0240p2-d.pdf
NSVR0240P2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-923
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.66 грн
44+7.01 грн
100+4.35 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0520V2T1G nsr0520v2t1-d.pdf
NSVR0520V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMC5NT2G umc2nt1-d.pdf
NSVUMC5NT2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTDV20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTDV20P06LT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 272mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.35 грн
13+23.77 грн
100+15.14 грн
500+10.69 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ntk3139p-d.pdf
NTK3139PT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.02 грн
15+20.49 грн
100+12.97 грн
500+9.12 грн
1000+7.69 грн
2000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBG ntlus3a18pz-d.pdf
NTLUS3A18PZTBG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBG ntlus3a40pz-d.pdf
NTLUS3A40PZTBG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4837NHT1G NTMFS4837NH.pdf
NTMFS4837NHT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C025NT1G ntmfs4c025n-d.pdf
NTMFS4C025NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.47 грн
11+28.72 грн
100+18.44 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C029NT1G ntmfs4c029n-d.pdf
NTMFS4C029NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.56 грн
14+23.39 грн
100+14.91 грн
500+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2G ntms4937n-d.pdf
NTMS4937NR2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3C21NZT1G ntr3c21nz-d.pdf
NTR3C21NZT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.98 грн
14+22.55 грн
100+14.36 грн
500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS10120MFST1G nts10120mfs-d.pdf
NTS10120MFST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS260ESFT1G nts260esf-d.pdf
NTS260ESFT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-123FL
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG nttfs4c06n-d.pdf
NTTFS4C06NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.88 грн
10+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG nttfs5116pl-d.pdf
NTTFS5116PLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.95 грн
10+49.52 грн
100+34.32 грн
500+25.70 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUF4310MNTAG nuf4310mn-d.pdf
NUF4310MNTAG
Виробник: onsemi
Description: FILTER RC(PI) 100 OHMS ESD SMD
Number of Channels: 4
Part Status: Active
ESD Protection: Yes
Resistance - Channel (Ohms): 100
Center / Cutoff Frequency: 185MHz (Cutoff)
Technology: RC (Pi)
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Filter Order: 2nd
Attenuation Value: -25dB @ 800MHz ~ 4GHz
Height: 0.031" (0.79mm)
Values: R = 100Ohms, C = 9pF
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Low Pass
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.063" L x 0.039" W (1.60mm x 1.00mm)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.32 грн
16+20.27 грн
25+18.65 грн
50+16.46 грн
100+15.49 грн
250+14.28 грн
500+13.21 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4106DR2G nup4106-d.pdf
NUP4106DR2G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+269.79 грн
10+169.97 грн
100+118.95 грн
500+91.18 грн
1000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01 ntd6416anl-d.pdf
NVD6416ANLT4G-VF01
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.63 грн
10+74.89 грн
100+50.09 грн
500+37.06 грн
1000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01 nvd6495nl-d.pdf
NVD6495NLT4G-VF01
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.62 грн
10+86.78 грн
100+58.53 грн
500+43.56 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2G ntmd6n04r2-d.pdf
NVMD6N04R2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C450NLWFAFT1G nvmfs5c450nl-d.pdf
NVMFS5C450NLWFAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.42 грн
10+121.14 грн
100+83.10 грн
500+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G nvmfs5c460nl-d.pdf
NVMFS5C460NLAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.35 грн
10+102.01 грн
100+69.43 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.26 грн
11+28.87 грн
100+18.57 грн
500+13.25 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAG nvtfs4c06n-d.pdf
NVTFS4C06NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAG nvtfs5c673nl-d.pdf
NVTFS5C673NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.42 грн
10+72.83 грн
100+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
NVTFS5C680NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.90 грн
10+60.03 грн
100+39.77 грн
500+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1G ntr0202pl-d.pdf
NVTR0202PLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.69 грн
17+18.74 грн
100+9.45 грн
500+7.86 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZ9F18VST5G nz9f2v4s-d.pdf
NZ9F18VST5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 18V 250MW SOD923
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Supplier Device Package: SOD-923
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.20 грн
23+13.33 грн
100+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZ9F18VT5G nz9f2v4-d.pdf
NZ9F18VT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 18V 250MW SOD923
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Supplier Device Package: SOD-923
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.41 грн
27+11.43 грн
100+5.55 грн
500+4.72 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZ9F5V6ST5G nz9f2v4s-d.pdf
NZ9F5V6ST5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SOD923
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-923
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.66 грн
36+8.53 грн
100+5.68 грн
500+4.07 грн
1000+3.64 грн
2000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3PS850BHG-08CR
P3PS850BHG-08CR
Виробник: onsemi
Description: IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-WDFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.26 грн
10+103.69 грн
25+98.43 грн
100+75.88 грн
250+70.93 грн
500+62.68 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9306FMUTAG pca9306-d.pdf
PCA9306FMUTAG
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8UDFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 2
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 8-UDFN (1.45x1)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 8-UFDFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECDTR2G pca9535e-d.pdf
PCA9535ECDTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC XPND 100KHZ I2C SMBUS 24TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Output Source/Sink: 25mA
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Interrupt Output: Yes
Clock Frequency: 100 kHz
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of I/O: 16
Interface: I2C, SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Features: POR
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+380.55 грн
10+243.49 грн
25+212.59 грн
100+167.48 грн
250+152.10 грн
500+142.78 грн
1000+132.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9535ECDWR2G pca9535e-d.pdf
PCA9535ECDWR2G
Виробник: onsemi
Description: IC XPNDR 100KHZ I2C SMBUS 24SOIC
Part Status: Obsolete
Current - Output Source/Sink: 25mA
Supplier Device Package: 24-SOIC
Interrupt Output: Yes
DigiKey Programmable: Not Verified
Clock Frequency: 100 kHz
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of I/O: 16
Interface: I2C, SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Features: POR
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1Z1SMB5919BT3G 1smb5913bt3-d.pdf
S1Z1SMB5919BT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.6V 3W SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SMB
Part Status: Active
Tolerance: ±5%
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
15+20.80 грн
100+19.68 грн
500+17.80 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2SA1774G 2sa1774-d.pdf
S2SA1774G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC75 SOT416
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.94 грн
23+13.56 грн
100+8.53 грн
500+5.94 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS16LT3G bas16lt1-d.pdf
SBAS16LT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
46+6.70 грн
100+4.12 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
2000+2.17 грн
5000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAT54CWT1G bat54cwt1-d.pdf
SBAT54CWT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SC703
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.81 грн
15+20.49 грн
100+13.01 грн
500+9.15 грн
1000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV199LT3G bav199lt1-d.pdf
SBAV199LT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.87 грн
44+6.93 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
2000+2.25 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV70LT3G bav70lt1-d.pdf
SBAV70LT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBAW56LT3G baw56lt1-d.pdf
SBAW56LT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.66 грн
41+7.54 грн
100+4.67 грн
500+3.19 грн
1000+2.80 грн
2000+2.47 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-25LT3G bc817-16lt1-d.pdf
SBC817-25LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 239 478 634 635 636 637 638 639 640 641 642 643 644 717 956 1195 1434 1673 1912 2151 2390 2399  [ Наступна Сторінка >> ]