Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142403) > Сторінка 644 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 639 640 641 642 643 644 645 646 647 648 649 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSV20201LT1G NSV20201LT1G onsemi nss20201l-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.09 грн
11+30.79 грн
100+21.38 грн
500+15.67 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4G NSV50150ADT4G onsemi nsi50150ad-d.pdf Description: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1G NSVBAS19LT1G onsemi bas19lt1-d.pdf Description: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
66+4.84 грн
100+4.62 грн
500+2.61 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3G NSVBAS21HT3G onsemi bas21ht1-d.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.42 грн
98+3.25 грн
123+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5G NSVBAS21M3T5G onsemi bas21m3-d.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.36 грн
44+7.38 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+3.69 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1G NSVBAV70TT1G onsemi bav70tt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.07 грн
55+5.87 грн
100+4.86 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1G NSVBC143ZPDXV6T1G onsemi dtc143zp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3G NSVBCP56-10T3G onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.27 грн
11+29.84 грн
100+19.20 грн
500+13.70 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1G NSVBCP69T1G onsemi bcp69t1-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.09 грн
15+22.22 грн
100+14.13 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1G NSVBCW68GLT1G onsemi bcw68glt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.02 грн
20+16.59 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1G NSVBCX17LT1G onsemi bcx17lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.60 грн
24+13.57 грн
100+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1G NSVEMC2DXV5T1G onsemi emc2dxv5t1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.68 грн
13+25.71 грн
100+16.36 грн
500+11.56 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1G NSVIMD10AMT1G onsemi imd10amt1g-d.pdf Description: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
14+23.57 грн
100+11.90 грн
500+9.90 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1G NSVMMBD354LT1G onsemi mmbd352lt1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.62 грн
10+39.76 грн
25+37.14 грн
100+27.87 грн
250+25.88 грн
500+21.90 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G NSVMMBT3906TT1G onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.48 грн
31+10.48 грн
100+8.45 грн
500+5.86 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G NSVMMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.25 грн
24+13.41 грн
100+8.40 грн
500+5.82 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.72 грн
22+14.52 грн
100+9.09 грн
500+6.30 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1G NSVMMBT6520LT1G onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
12+27.14 грн
100+18.86 грн
500+13.82 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1G NSVMMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 11717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.37 грн
21+15.40 грн
100+9.70 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
23+13.97 грн
100+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5132T1G NSVMUN5132T1G onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G onsemi dta123jd-d.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 50V SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.83 грн
34+9.36 грн
100+6.25 грн
500+4.48 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5211DW1T2G NSVMUN5211DW1T2G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.43 грн
26+12.46 грн
100+7.78 грн
500+5.37 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.43 грн
26+12.46 грн
100+7.79 грн
500+5.38 грн
1000+4.75 грн
2000+4.22 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G NSVMUN5316DW1T1G onsemi dtc143tp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.95 грн
29+10.95 грн
100+6.85 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVPZTA92T1G NSVPZTA92T1G onsemi pzta92t1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.15 грн
12+27.54 грн
100+17.53 грн
500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230M2T5G NSVR0230M2T5G onsemi nsr0230-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.37 грн
19+16.75 грн
100+10.07 грн
500+8.14 грн
1000+7.25 грн
2000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230P2T5G NSVR0230P2T5G onsemi nsr0230p2-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.79 грн
13+25.55 грн
100+15.34 грн
500+13.33 грн
1000+9.06 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240HT1G NSVR0240HT1G onsemi nsr0240h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
31+10.48 грн
100+6.49 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240P2T5G NSVR0240P2T5G onsemi nsr0240p2-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.19 грн
44+7.30 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0520V2T1G NSVR0520V2T1G onsemi nsr0520v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.55 грн
20+16.67 грн
100+10.41 грн
500+8.93 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMC5NT2G NSVUMC5NT2G onsemi umc2nt1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTDV20P06LT4G NTDV20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G NTJD4152PT2G onsemi ntjd4152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.76 грн
100+15.77 грн
500+11.14 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi ntk3139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.44 грн
15+21.35 грн
100+13.52 грн
500+9.50 грн
1000+8.01 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBG NTLUS3A18PZTBG onsemi ntlus3a18pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBG NTLUS3A40PZTBG onsemi ntlus3a40pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4837NHT1G NTMFS4837NHT1G onsemi NTMFS4837NH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C025NT1G NTMFS4C025NT1G onsemi ntmfs4c025n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.48 грн
10+55.63 грн
100+36.73 грн
500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C029NT1G NTMFS4C029NT1G onsemi ntmfs4c029n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.85 грн
13+25.08 грн
100+16.03 грн
500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2G NTMS4937NR2G onsemi ntms4937n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3C21NZT1G NTR3C21NZT1G onsemi ntr3c21nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
на замовлення 9936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.32 грн
14+23.33 грн
100+15.01 грн
500+10.50 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTS10120MFST1G NTS10120MFST1G onsemi nts10120mfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS260ESFT1G NTS260ESFT1G onsemi nts260esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG onsemi nttfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.58 грн
10+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PLTWG onsemi nttfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.12 грн
10+51.58 грн
100+35.75 грн
500+26.77 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NUF4310MNTAG NUF4310MNTAG onsemi nuf4310mn-d.pdf Description: FILTER RC(PI) 100 OHMS ESD SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Size / Dimension: 0.063" L x 0.039" W (1.60mm x 1.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: R = 100Ohms, C = 9pF
Height: 0.031" (0.79mm)
Attenuation Value: -25dB @ 800MHz ~ 4GHz
Filter Order: 2nd
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: RC (Pi)
Center / Cutoff Frequency: 185MHz (Cutoff)
Resistance - Channel (Ohms): 100
ESD Protection: Yes
Part Status: Active
Number of Channels: 4
на замовлення 8384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.37 грн
16+21.11 грн
25+19.43 грн
50+17.14 грн
100+16.13 грн
250+14.87 грн
500+13.76 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4106DR2G NUP4106DR2G onsemi nup4106-d.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.99 грн
10+180.15 грн
100+143.37 грн
500+113.85 грн
1000+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 onsemi ntd6416anl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.71 грн
10+67.38 грн
100+52.43 грн
500+41.71 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01 NVD6495NLT4G-VF01 onsemi nvd6495nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.52 грн
10+90.39 грн
100+60.97 грн
500+45.37 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVF3055-100T1G NVF3055-100T1G onsemi ntf3055-100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVF3055L108T3G NVF3055L108T3G onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2G NVMD6N04R2G onsemi ntmd6n04r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C450NLWFAFT1G NVMFS5C450NLWFAFT1G onsemi nvmfs5c450nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.56 грн
10+126.18 грн
100+86.57 грн
500+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.55 грн
10+91.74 грн
100+73.02 грн
500+57.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G onsemi nvr5124pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.38 грн
11+30.24 грн
100+19.53 грн
500+13.94 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAG NVTFS4C06NWFTAG onsemi nvtfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAG NVTFS5C673NLTAG onsemi nvtfs5c673nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.56 грн
10+75.87 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAG NVTFS5C680NLTAG onsemi nvtfs5c680nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.59 грн
10+51.74 грн
100+38.16 грн
500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1G NVTR0202PLT1G onsemi ntr0202pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.84 грн
17+19.52 грн
100+9.85 грн
500+8.19 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20201LT1G nss20201l-d.pdf
NSV20201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
11+30.79 грн
100+21.38 грн
500+15.67 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSV50150ADT4G nsi50150ad-d.pdf
NSV50150ADT4G
Виробник: onsemi
Description: IC CURRENT REGULATOR 10% DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Regulator
Voltage - Input: 50V
Current - Output: 150mA ~ 350mA
Accuracy: ±10%
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1G bas19lt1-d.pdf
NSVBAS19LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
66+4.84 грн
100+4.62 грн
500+2.61 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21HT3G bas21ht1-d.pdf
NSVBAS21HT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
98+3.25 грн
123+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21M3T5G bas21m3-d.pdf
NSVBAS21M3T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.36 грн
44+7.38 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+3.69 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAV70TT1G bav70tt1-d.pdf
NSVBAV70TT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 100V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.07 грн
55+5.87 грн
100+4.86 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZPDXV6T1G dtc143zp-d.pdf
NSVBC143ZPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP56-10T3G bcp56t1-d.pdf
NSVBCP56-10T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.27 грн
11+29.84 грн
100+19.20 грн
500+13.70 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP69T1G bcp69t1-d.pdf
NSVBCP69T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
15+22.22 грн
100+14.13 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCW68GLT1G bcw68glt1-d.pdf
NSVBCW68GLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.02 грн
20+16.59 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCX17LT1G bcx17lt1-d.pdf
NSVBCX17LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.60 грн
24+13.57 грн
100+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMC2DXV5T1G emc2dxv5t1-d.pdf
NSVEMC2DXV5T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-553
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.68 грн
13+25.71 грн
100+16.36 грн
500+11.56 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1G imd10amt1g-d.pdf
NSVIMD10AMT1G
Виробник: onsemi
Description: SURF MT BIASED RES XSTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.61 грн
14+23.57 грн
100+11.90 грн
500+9.90 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1G mmbd352lt1-d.pdf
NSVMMBD354LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.62 грн
10+39.76 грн
25+37.14 грн
100+27.87 грн
250+25.88 грн
500+21.90 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G mmbt3906tt1-d.pdf
NSVMMBT3906TT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.48 грн
31+10.48 грн
100+8.45 грн
500+5.86 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
NSVMMBT5087LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.25 грн
24+13.41 грн
100+8.40 грн
500+5.82 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
NSVMMBT6429LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.72 грн
22+14.52 грн
100+9.09 грн
500+6.30 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
NSVMMBT6520LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
12+27.14 грн
100+18.86 грн
500+13.82 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1G mmbta05lt1-d.pdf
NSVMMBTA05LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 11717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.37 грн
21+15.40 грн
100+9.70 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G dtc124e-d.pdf
NSVMUN2212T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
23+13.97 грн
100+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5132T1G dta143e-d.pdf
NSVMUN5132T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G dta123jd-d.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 50V SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.83 грн
34+9.36 грн
100+6.25 грн
500+4.48 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5211DW1T2G dtc114ed-d.pdf
NSVMUN5211DW1T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.43 грн
26+12.46 грн
100+7.78 грн
500+5.37 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5213DW1T3G dtc144ed-d.pdf
NSVMUN5213DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.43 грн
26+12.46 грн
100+7.79 грн
500+5.38 грн
1000+4.75 грн
2000+4.22 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G dtc143tp-d.pdf
NSVMUN5316DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.95 грн
29+10.95 грн
100+6.85 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSVPZTA92T1G pzta92t1-d.pdf
NSVPZTA92T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.15 грн
12+27.54 грн
100+17.53 грн
500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230M2T5G nsr0230-d.pdf
NSVR0230M2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-723
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.37 грн
19+16.75 грн
100+10.07 грн
500+8.14 грн
1000+7.25 грн
2000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230P2T5G nsr0230p2-d.pdf
NSVR0230P2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.79 грн
13+25.55 грн
100+15.34 грн
500+13.33 грн
1000+9.06 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240HT1G nsr0240h-d.pdf
NSVR0240HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
31+10.48 грн
100+6.49 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0240P2T5G nsr0240p2-d.pdf
NSVR0240P2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.19 грн
44+7.30 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0520V2T1G nsr0520v2t1-d.pdf
NSVR0520V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.55 грн
20+16.67 грн
100+10.41 грн
500+8.93 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMC5NT2G umc2nt1-d.pdf
NSVUMC5NT2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTDV20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTDV20P06LT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
13+24.76 грн
100+15.77 грн
500+11.14 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ntk3139p-d.pdf
NTK3139PT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.44 грн
15+21.35 грн
100+13.52 грн
500+9.50 грн
1000+8.01 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A18PZTBG ntlus3a18pz-d.pdf
NTLUS3A18PZTBG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBG ntlus3a40pz-d.pdf
NTLUS3A40PZTBG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4837NHT1G NTMFS4837NH.pdf
NTMFS4837NHT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C025NT1G ntmfs4c025n-d.pdf
NTMFS4C025NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.48 грн
10+55.63 грн
100+36.73 грн
500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C029NT1G ntmfs4c029n-d.pdf
NTMFS4C029NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
13+25.08 грн
100+16.03 грн
500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2G ntms4937n-d.pdf
NTMS4937NR2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR3C21NZT1G ntr3c21nz-d.pdf
NTR3C21NZT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V
на замовлення 9936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.32 грн
14+23.33 грн
100+15.01 грн
500+10.50 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTS10120MFST1G nts10120mfs-d.pdf
NTS10120MFST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS260ESFT1G nts260esf-d.pdf
NTS260ESFT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG nttfs4c06n-d.pdf
NTTFS4C06NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.58 грн
10+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG nttfs5116pl-d.pdf
NTTFS5116PLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.12 грн
10+51.58 грн
100+35.75 грн
500+26.77 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NUF4310MNTAG nuf4310mn-d.pdf
NUF4310MNTAG
Виробник: onsemi
Description: FILTER RC(PI) 100 OHMS ESD SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Size / Dimension: 0.063" L x 0.039" W (1.60mm x 1.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: R = 100Ohms, C = 9pF
Height: 0.031" (0.79mm)
Attenuation Value: -25dB @ 800MHz ~ 4GHz
Filter Order: 2nd
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: RC (Pi)
Center / Cutoff Frequency: 185MHz (Cutoff)
Resistance - Channel (Ohms): 100
ESD Protection: Yes
Part Status: Active
Number of Channels: 4
на замовлення 8384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.37 грн
16+21.11 грн
25+19.43 грн
50+17.14 грн
100+16.13 грн
250+14.87 грн
500+13.76 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4106DR2G nup4106-d.pdf
NUP4106DR2G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.99 грн
10+180.15 грн
100+143.37 грн
500+113.85 грн
1000+96.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01 ntd6416anl-d.pdf
NVD6416ANLT4G-VF01
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.71 грн
10+67.38 грн
100+52.43 грн
500+41.71 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01 nvd6495nl-d.pdf
NVD6495NLT4G-VF01
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.52 грн
10+90.39 грн
100+60.97 грн
500+45.37 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVF3055-100T1G ntf3055-100-d.pdf
NVF3055-100T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVF3055L108T3G ntf3055l108-d.pdf
NVF3055L108T3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMD6N04R2G ntmd6n04r2-d.pdf
NVMD6N04R2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C450NLWFAFT1G nvmfs5c450nl-d.pdf
NVMFS5C450NLWFAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.56 грн
10+126.18 грн
100+86.57 грн
500+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C460NLAFT1G nvmfs5c460nl-d.pdf
NVMFS5C460NLAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.55 грн
10+91.74 грн
100+73.02 грн
500+57.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.38 грн
11+30.24 грн
100+19.53 грн
500+13.94 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTAG nvtfs4c06n-d.pdf
NVTFS4C06NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C673NLTAG nvtfs5c673nl-d.pdf
NVTFS5C673NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.56 грн
10+75.87 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
NVTFS5C680NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.59 грн
10+51.74 грн
100+38.16 грн
500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1G ntr0202pl-d.pdf
NVTR0202PLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.84 грн
17+19.52 грн
100+9.85 грн
500+8.19 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 639 640 641 642 643 644 645 646 647 648 649 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]