Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (106378) > Сторінка 856 з 1773

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 531 708 851 852 853 854 855 856 857 858 859 860 861 885 1062 1239 1416 1593 1770 1773  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6011ENXC7G R6011ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
50+99.62 грн
100+98.93 грн
500+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7G R6011KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6011KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
10+188.47 грн
50+146.23 грн
100+124.47 грн
500+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2066FJ-E2 BD2066FJ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2066FJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC SWITCH USB HI SIDE 2CH 8SOJP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR QH8K22TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+45.14 грн
100+30.18 грн
500+22.48 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB-D62Q1367TB32 RB-D62Q1367TB32 Rohm Semiconductor Description: ML62Q1367 EVAL BRD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5842.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 FMA4AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 FMA4AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 7926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.04 грн
100+16.67 грн
500+11.84 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R EMB60T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R EMB52T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
17+18.34 грн
100+9.28 грн
500+7.10 грн
1000+5.27 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R EMB53T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
17+18.34 грн
100+9.28 грн
500+7.10 грн
1000+5.27 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN UMH2NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN UMH2NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.36 грн
100+13.51 грн
500+9.50 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13 R6530KNZ4C13 Rohm Semiconductor r6530knz4c13-e.pdf Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.62 грн
10+493.86 грн
100+404.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7G R6530KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6530KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.56 грн
10+328.33 грн
50+260.51 грн
100+224.00 грн
500+188.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 RPMD-0132 Rohm Semiconductor datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Not For New Designs
Current - Dark (Typ): 1nA
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Wavelength: 940nm
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 RPMD-0132 Rohm Semiconductor datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Not For New Designs
Current - Dark (Typ): 1nA
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Wavelength: 940nm
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.34 грн
10+305.31 грн
100+250.05 грн
500+197.83 грн
1000+181.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+40.15 грн
100+26.13 грн
500+18.85 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL RQ5E030RPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.63 грн
50+29.06 грн
100+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA78M10CP-E2 BA78M10CP-E2 Rohm Semiconductor ba78_series-e.pdf Description: IC REG LIN 10V 500MA TO220CP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Cropped Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220CP-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
50+39.32 грн
100+32.75 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL RFNL5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+56.01 грн
100+38.80 грн
500+30.43 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL RFN3BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL RFN3BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+84.01 грн
100+65.34 грн
500+51.97 грн
1000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor rfuh25ns3s.pdf Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL RFUH25NS3STL Rohm Semiconductor rfuh25ns3s.pdf Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL RFV5BM6STL Rohm Semiconductor rfv5bm6s-e.pdf Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL RFV5BM6STL Rohm Semiconductor rfv5bm6s-e.pdf Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL RFV8BM6STL Rohm Semiconductor rfv8bm6s-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL RFV8BM6STL Rohm Semiconductor rfv8bm6s-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL RFN5BGE3STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+50.34 грн
100+34.84 грн
500+27.32 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+100.16 грн
100+80.54 грн
500+62.10 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+78.72 грн
100+61.20 грн
500+48.68 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL RFNL10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL RFNL10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+112.84 грн
100+77.06 грн
500+57.93 грн
1000+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL RF305BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL RF305BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+96.31 грн
100+75.10 грн
500+58.22 грн
1000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.33 грн
100+70.19 грн
500+52.57 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL RF501BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL RF501BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.12 грн
100+52.52 грн
500+39.01 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL RFN5BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL RFN5BGE2STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+78.95 грн
100+61.55 грн
500+47.72 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF505BGE6STL RF505BGE6STL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF505BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7G datasheet?p=R6011ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.68 грн
50+99.62 грн
100+98.93 грн
500+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7G datasheet?p=R6011KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6011KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.85 грн
10+188.47 грн
50+146.23 грн
100+124.47 грн
500+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2066FJ-E2 datasheet?p=BD2066FJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2066FJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC SWITCH USB HI SIDE 2CH 8SOJP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K22TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 13071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+45.14 грн
100+30.18 грн
500+22.48 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB-D62Q1367TB32
RB-D62Q1367TB32
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML62Q1367 EVAL BRD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5842.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA4AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.03 грн
6000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMA4AT148 datasheet?p=FMA4A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA4AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT5
Part Status: Active
на замовлення 7926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.89 грн
12+26.04 грн
100+16.67 грн
500+11.84 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB60T2R datasheet?p=EMB60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB60T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB52T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB52T2R datasheet?p=EMB52&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB52T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
17+18.34 грн
100+9.28 грн
500+7.10 грн
1000+5.27 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB53T2R datasheet?p=EMB53&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMB53T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Base (R1): 4kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
17+18.34 грн
100+9.28 грн
500+7.10 грн
1000+5.27 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH2NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMH2NFHATN datasheet?p=UMH2NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH2NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
15+21.36 грн
100+13.51 грн
500+9.50 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13 r6530knz4c13-e.pdf
R6530KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+570.62 грн
10+493.86 грн
100+404.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7G datasheet?p=R6530KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6530KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.56 грн
10+328.33 грн
50+260.51 грн
100+224.00 грн
500+188.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPMD-0132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Not For New Designs
Current - Dark (Typ): 1nA
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Wavelength: 940nm
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RPMD-0132 datasheet?p=RPMD-0132&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPMD-0132
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SENSOR PHOTODIODE 940NM 3SMD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Not For New Designs
Current - Dark (Typ): 1nA
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Wavelength: 940nm
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.34 грн
10+305.31 грн
100+250.05 грн
500+197.83 грн
1000+181.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030SPTR datasheet?p=RQ6E030SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.62 грн
10+40.15 грн
100+26.13 грн
500+18.85 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E030RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E030RPTL datasheet?p=RQ5E030RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E030RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+39.63 грн
50+29.06 грн
100+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA78M10CP-E2 ba78_series-e.pdf
BA78M10CP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 10V 500MA TO220CP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Cropped Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220CP-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 800 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.79 грн
10+52.99 грн
50+39.32 грн
100+32.75 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5BGE6STL datasheet?p=RFNL5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.41 грн
10+56.01 грн
100+38.80 грн
500+30.43 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN3BGE6STL datasheet?p=RFN3BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN3BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.06 грн
10+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BGE6STL datasheet?p=RFV5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.60 грн
10+84.01 грн
100+65.34 грн
500+51.97 грн
1000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL rfuh25ns3s.pdf
RFUH25NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH25NS3STL rfuh25ns3s.pdf
RFUH25NS3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: FAST RECOVERY DIODES. ROHM'S FAS
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL rfv5bm6s-e.pdf
RFV5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV5BM6STL rfv5bm6s-e.pdf
RFV5BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RFV5BM6S IS SUPER FAST RECOVERY
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RR601BGE4STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RECTIFIER DIODE : RR601BGE4S IS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL rfv8bm6s-e.pdf
RFV8BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BM6STL rfv8bm6s-e.pdf
RFV8BM6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE3STL datasheet?p=RFN5BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE3STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.35 грн
10+50.34 грн
100+34.84 грн
500+27.32 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV8BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFV8BGE6STL datasheet?p=RFV8BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFV8BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.00 грн
10+100.16 грн
100+80.54 грн
500+62.10 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE6STL datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.54 грн
10+78.72 грн
100+61.20 грн
500+48.68 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL10BGE6STL datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.63 грн
10+112.84 грн
100+77.06 грн
500+57.93 грн
1000+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF305BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF305BGE6STL datasheet?p=RF305BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF305BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.09 грн
10+96.31 грн
100+75.10 грн
500+58.22 грн
1000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10BGE6STL datasheet?p=RFN10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN10BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.74 грн
10+103.33 грн
100+70.19 грн
500+52.57 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF501BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF501BGE2STL datasheet?p=RF501BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF501BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.76 грн
10+78.12 грн
100+52.52 грн
500+39.01 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5BGE2STL datasheet?p=RFN5BGE2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5BGE2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.71 грн
10+78.95 грн
100+61.55 грн
500+47.72 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF505BGE6STL datasheet?p=RF505BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF505BGE6STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 531 708 851 852 853 854 855 856 857 858 859 860 861 885 1062 1239 1416 1593 1770 1773  [ Наступна Сторінка >> ]