Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105892) > Сторінка 919 з 1765

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 880 914 915 916 917 918 919 920 921 922 923 924 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RBQ10T65ANZC9 RBQ10T65ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+72.23 грн
100+56.35 грн
500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+64.60 грн
100+50.41 грн
500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX R6015FNX Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52311.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
31+10.08 грн
100+6.60 грн
500+4.91 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
37+8.40 грн
100+5.31 грн
500+3.62 грн
1000+3.24 грн
2000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.87 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
21+14.58 грн
100+8.60 грн
500+6.47 грн
1000+5.66 грн
2000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
30+10.38 грн
100+6.39 грн
500+4.71 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.49 грн
10+67.80 грн
100+49.88 грн
500+36.96 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.64 грн
10+67.96 грн
100+52.86 грн
500+42.05 грн
1000+34.25 грн
2000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+78.65 грн
100+59.53 грн
500+45.56 грн
1000+40.55 грн
2000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+58.57 грн
100+43.24 грн
500+31.85 грн
1000+29.04 грн
2000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.24 грн
10+99.72 грн
100+68.83 грн
500+51.50 грн
1000+47.28 грн
2000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR UT6J3TCR Rohm Semiconductor ut6j3tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+46.04 грн
100+30.10 грн
500+21.80 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.56 грн
10000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
28+11.00 грн
53+5.82 грн
100+4.05 грн
500+2.45 грн
1000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.58 грн
10+112.78 грн
100+77.20 грн
500+58.14 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB161SS-207HFT2R Rohm Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A KMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: KMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 BU7233SF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.66 грн
5000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 BU7233SF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+50.32 грн
25+45.42 грн
100+37.61 грн
250+35.21 грн
500+33.76 грн
1000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
26+11.99 грн
100+7.48 грн
500+5.19 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.10 грн
10+328.71 грн
100+239.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13 RGWS80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWS80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 202 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.23 грн
30+198.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65DHRC11 RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Gate Charge: 48 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.61 грн
30+379.31 грн
120+320.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.23 грн
30+411.36 грн
120+381.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.93 грн
30+265.49 грн
120+222.39 грн
510+179.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.46 грн
10+361.70 грн
100+264.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.69 грн
30+280.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.95 грн
10+573.89 грн
100+431.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT00TS65DGC13 RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247G
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.80 грн
10+618.18 грн
100+467.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.34 грн
10+207.38 грн
100+173.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13 RGT40TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.10 грн
30+316.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 RGWX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.76 грн
10+373.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 RGW00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.69 грн
10+304.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 RGW80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.52 грн
10+403.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt50ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1503 SFR18EZPF1503 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 150K OHM 1% 1/4W 1206
Resistance: 150 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1503 SFR18EZPF1503 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 150K OHM 1% 1/4W 1206
Resistance: 150 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
38+8.25 грн
54+5.67 грн
100+4.58 грн
500+3.36 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD7281YG-CTR BD7281YG-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD7281YG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NANO CAP, LOW NOISE & INPUT/OUTP
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Rail-to-Rail
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 1.7mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 10 µV
Current - Input Bias: 0.5 pA
Gain Bandwidth Product: 7 MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD7281YG-CTR BD7281YG-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD7281YG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NANO CAP, LOW NOISE & INPUT/OUTP
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 10 µV
Current - Input Bias: 0.5 pA
Gain Bandwidth Product: 7 MHz
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 1.7mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Rail-to-Rail
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+77.96 грн
25+70.80 грн
100+59.04 грн
250+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T65ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.05 грн
10+72.23 грн
100+56.35 грн
500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: LPDS
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.33 грн
10+64.60 грн
100+50.41 грн
500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM300C12P3E201
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+52311.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.07 грн
31+10.08 грн
100+6.60 грн
500+4.91 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.27 грн
37+8.40 грн
100+5.31 грн
500+3.62 грн
1000+3.24 грн
2000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.87 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.58 грн
21+14.58 грн
100+8.60 грн
500+6.47 грн
1000+5.66 грн
2000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: UMD2
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.24 грн
30+10.38 грн
100+6.39 грн
500+4.71 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.49 грн
10+67.80 грн
100+49.88 грн
500+36.96 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.64 грн
10+67.96 грн
100+52.86 грн
500+42.05 грн
1000+34.25 грн
2000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.91 грн
10+78.65 грн
100+59.53 грн
500+45.56 грн
1000+40.55 грн
2000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.15 грн
10+58.57 грн
100+43.24 грн
500+31.85 грн
1000+29.04 грн
2000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.24 грн
10+99.72 грн
100+68.83 грн
500+51.50 грн
1000+47.28 грн
2000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR ut6j3tcr-e.pdf
UT6J3TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.12 грн
10+46.04 грн
100+30.10 грн
500+21.80 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+1.56 грн
10000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Resistance: 1 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 0805
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Features: Anti-Sulfur
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
28+11.00 грн
53+5.82 грн
100+4.05 грн
500+2.45 грн
1000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.58 грн
10+112.78 грн
100+77.20 грн
500+58.14 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB161SS-207HFT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A KMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: KMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU7233SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.66 грн
5000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU7233SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Part Status: Active
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Quiescent (Max): 25µA
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Supplier Device Package: 8-SOP
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: CMOS
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: CMOS, Open-Drain
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.16 грн
10+50.32 грн
25+45.42 грн
100+37.61 грн
250+35.21 грн
500+33.76 грн
1000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.82 грн
26+11.99 грн
100+7.48 грн
500+5.19 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.10 грн
10+328.71 грн
100+239.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13 datasheet?p=RGWS80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWS80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 202 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Gate Charge: 83 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.23 грн
30+198.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65DHRC11 datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS80TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Gate Charge: 48 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+671.61 грн
30+379.31 грн
120+320.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGSX5TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+535.23 грн
30+411.36 грн
120+381.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWS00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.93 грн
30+265.49 грн
120+222.39 грн
510+179.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Power - Max: 277 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+553.46 грн
10+361.70 грн
100+264.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Gate Charge: 213 nC
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+460.69 грн
30+280.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+857.95 грн
10+573.89 грн
100+431.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT00TS65DGC13 datasheet?p=RGT00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO-247G
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+919.80 грн
10+618.18 грн
100+467.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH50TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.34 грн
10+207.38 грн
100+173.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13 datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.10 грн
30+316.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+452.76 грн
10+373.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW00TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+460.69 грн
10+304.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW80TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+614.52 грн
10+403.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 rgt50ts65d-e.pdf
RGT50TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1503 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1503
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 150K OHM 1% 1/4W 1206
Resistance: 150 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1503 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1503
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 150K OHM 1% 1/4W 1206
Resistance: 150 kOhms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Supplier Device Package: 1206
Number of Terminations: 2
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Composition: Thick Film
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Tolerance: ±1%
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
38+8.25 грн
54+5.67 грн
100+4.58 грн
500+3.36 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD7281YG-CTR datasheet?p=BD7281YG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD7281YG-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NANO CAP, LOW NOISE & INPUT/OUTP
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Rail-to-Rail
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 1.7mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 10 µV
Current - Input Bias: 0.5 pA
Gain Bandwidth Product: 7 MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD7281YG-CTR datasheet?p=BD7281YG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD7281YG-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NANO CAP, LOW NOISE & INPUT/OUTP
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 50 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 10 µV
Current - Input Bias: 0.5 pA
Gain Bandwidth Product: 7 MHz
Slew Rate: 10V/µs
Current - Supply: 1.7mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Rail-to-Rail
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+77.96 грн
25+70.80 грн
100+59.04 грн
250+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6R035BHTB1 rs6r035bhtb1-e.pdf
RS6R035BHTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 880 914 915 916 917 918 919 920 921 922 923 924 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]