Результат пошуку "11n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
612-100-1-1-N-60 612-100-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 100PSI (0kPa ~ 689.476kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-15-1-1-N-60 612-15-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Features: IP68
Packaging: Bulk
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 15PSI (0kPa ~ 103.42kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-200inH2O-1-1-N-60 612-200inH2O-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Features: IP68
Packaging: Bulk
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 7.25PSI (50kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-30-1-1-N-60 612-30-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Features: IP68
Packaging: Bulk
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 30PSI (0kPa ~ 206.84kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60 612-5-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60-DC 612-5-1-1-N-60-DC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Desiccant Cartridge
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78668.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-60-1-1-N-60 612-60-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 60PSI (0kPa ~ 413.7kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOW11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.44 грн
15+28.95 грн
25+27.70 грн
100+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.62 грн
50+81.73 грн
100+73.45 грн
500+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOWF11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.44 грн
15+28.95 грн
25+27.61 грн
100+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi FCB11N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.06 грн
1600+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi FCB11N60-D.pdf MOSFETs 600V, 11A, 380mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi FCB11N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.24 грн
10+221.41 грн
100+157.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.53 грн
3+213.38 грн
10+172.38 грн
50+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.19 грн
50+146.70 грн
100+133.22 грн
500+102.83 грн
1000+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi FCP11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi FCP11N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.61 грн
50+155.49 грн
100+141.34 грн
500+109.38 грн
1000+101.90 грн
2000+100.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCP11N60N Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.08 грн
10+131.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60T-D.pdf description MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.96 грн
50+156.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ON-Semiconductor info-tfcpf11n60.pdf description N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI FCPF11N60F-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.28 грн
10+175.72 грн
50+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi FCPF11N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.89 грн
50+172.37 грн
100+156.96 грн
500+121.99 грн
1000+114.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi FCPF11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+165.89 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT onsemi FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60NT-D.pdf MOSFETs SupreMOS 11A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60T FCPF11N60T onsemi FCPF11N60T-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.82 грн
50+164.99 грн
100+150.13 грн
500+116.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh11n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.75 грн
10+229.85 грн
100+163.58 грн
500+135.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
50+124.56 грн
100+112.78 грн
500+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.74 грн
10+201.15 грн
100+142.04 грн
500+113.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.91 грн
2000+101.92 грн
3000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60C3XKSA1 SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 SPI11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.97 грн
10+118.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.66 грн
50+116.93 грн
100+105.75 грн
500+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N60CFD-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60S5XKSA1 SPP11N60S5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I11N60S5-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 259866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60S5 SPW11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.14 грн
10+103.55 грн
100+70.47 грн
500+52.84 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.29 грн
10+87.03 грн
30+72.80 грн
50+67.78 грн
100+61.92 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.11 грн
50+75.52 грн
100+67.79 грн
500+50.88 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.89 грн
10+99.86 грн
100+67.82 грн
500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.85 грн
10+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.45 грн
50+76.85 грн
100+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
612-100-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-100-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 100PSI (0kPa ~ 689.476kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-15-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-15-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Features: IP68
Packaging: Bulk
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 15PSI (0kPa ~ 103.42kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-200inH2O-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-200inH2O-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Features: IP68
Packaging: Bulk
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 7.25PSI (50kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-30-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-30-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Features: IP68
Packaging: Bulk
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 30PSI (0kPa ~ 206.84kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-5-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60-DC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-5-1-1-N-60-DC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Desiccant Cartridge
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+78668.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-60-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-60-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 60PSI (0kPa ~ 413.7kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+75884.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.44 грн
15+28.95 грн
25+27.70 грн
100+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.62 грн
50+81.73 грн
100+73.45 грн
500+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60.pdf
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.44 грн
15+28.95 грн
25+27.61 грн
100+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60-D.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.06 грн
1600+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60-D.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V, 11A, 380mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60-D.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.24 грн
10+221.41 грн
100+157.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.53 грн
3+213.38 грн
10+172.38 грн
50+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCPF11N60T-D.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCPF11N60T-D.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.19 грн
50+146.70 грн
100+133.22 грн
500+102.83 грн
1000+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F-D.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F-D.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.61 грн
50+155.49 грн
100+141.34 грн
500+109.38 грн
1000+101.90 грн
2000+100.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP11N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+218.08 грн
10+131.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60T-D.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCPF11N60T-D.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.96 грн
50+156.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description info-tfcpf11n60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.28 грн
10+175.72 грн
50+155.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+344.89 грн
50+172.37 грн
100+156.96 грн
500+121.99 грн
1000+114.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60NT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+165.89 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60NT-D.pdf
FCPF11N60NT
Виробник: onsemi
MOSFETs SupreMOS 11A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60T FCPF11N60T-D.pdf
FCPF11N60T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.82 грн
50+164.99 грн
100+150.13 грн
500+116.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+359.75 грн
10+229.85 грн
100+163.58 грн
500+135.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN.pdf
SPA11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.74 грн
50+124.56 грн
100+112.78 грн
500+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+316.74 грн
10+201.15 грн
100+142.04 грн
500+113.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+112.91 грн
2000+101.92 грн
3000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.97 грн
10+118.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.66 грн
50+116.93 грн
100+105.75 грн
500+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon-SPP11N60CFD-DS-v02_07-en.pdf
SPP11N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60S5XKSA1 Infineon-SPP_I11N60S5-DS-v02_07-en.pdf
SPP11N60S5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 259866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60S5 Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+146.69 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.14 грн
10+103.55 грн
100+70.47 грн
500+52.84 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.29 грн
10+87.03 грн
30+72.80 грн
50+67.78 грн
100+61.92 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.11 грн
50+75.52 грн
100+67.79 грн
500+50.88 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.89 грн
10+99.86 грн
100+67.82 грн
500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.85 грн
10+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.45 грн
50+76.85 грн
100+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMx11N60C2.pdf
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]