Результат пошуку "11n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+26.03 грн
100+24.93 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.91 грн
25+31.23 грн
100+29.91 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+25.95 грн
100+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.91 грн
25+31.14 грн
100+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.18 грн
3+187.15 грн
10+158.84 грн
50+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.21 грн
3+233.22 грн
10+190.61 грн
50+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi / Fairchild 90B83BBD051DC3B5D971C1B6475F114A0E5F9DA1191A2BCC0352DB962A8737CF.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.31 грн
10+144.98 грн
100+120.03 грн
500+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi / Fairchild FCP11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.05 грн
10+124.14 грн
100+101.91 грн
500+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.66 грн
10+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.79 грн
10+138.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi / Fairchild E1711D344E6150E9ED5468AE78976376AF5CE0EFF79C998B56134E130BA0FC92.pdf description MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 ON-Semicoductor fcpf11n60t-d.pdf FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.14 грн
10+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+324.17 грн
10+206.76 грн
50+175.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi / Fairchild FCPF11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.12 грн
10+177.10 грн
100+141.92 грн
500+117.76 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh11n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.82 грн
500+306.45 грн
1000+229.49 грн
3000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.50 грн
10+258.70 грн
25+117.76 грн
100+106.44 грн
500+87.57 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.53 грн
10+179.70 грн
25+147.20 грн
100+117.01 грн
250+113.99 грн
500+104.93 грн
1000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+132.95 грн
10+102.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.54 грн
10+127.39 грн
25+94.36 грн
50+71.72 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3-DS-v03_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.12 грн
25+104.18 грн
100+88.32 грн
500+78.51 грн
1000+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N60CFD-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.13 грн
10+161.47 грн
100+111.72 грн
500+94.36 грн
1000+89.83 грн
2500+87.57 грн
5000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.91 грн
10+105.91 грн
100+64.77 грн
500+51.79 грн
1000+49.45 грн
2500+41.90 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.76 грн
10+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.55 грн
10+62.42 грн
100+53.98 грн
500+53.07 грн
1000+50.88 грн
2000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.44 грн
10+105.91 грн
100+62.35 грн
500+49.75 грн
1000+45.07 грн
2000+42.27 грн
5000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.76 грн
10+67.63 грн
50+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.01 грн
10+67.28 грн
100+58.28 грн
500+56.16 грн
1000+49.90 грн
2000+46.28 грн
5000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECE8C5CFCE00C4&compId=WMx11N60C2.pdf?ci_sign=db2cde9e00c4eace681b4b38ef1050f8616c55b0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECE8C5CFCE00C4&compId=WMx11N60C2.pdf?ci_sign=db2cde9e00c4eace681b4b38ef1050f8616c55b0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
10+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60 fairchild 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60F fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60/FSC FSC 08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT ON Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
INF-SPP11N60C3 SPP11N60C3 Микросхемы
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60E
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60ED ONSMS05257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P11N60
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R3111N601A-TR-FF RICOH 2005
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Infineon INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-220 06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INF INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+;
на замовлення 69400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60CFD TI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 INFINEON Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 INFINEON Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C5
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5 INFINEON 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+26.03 грн
100+24.93 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.91 грн
25+31.23 грн
100+29.91 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+25.95 грн
100+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.91 грн
25+31.14 грн
100+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.18 грн
3+187.15 грн
10+158.84 грн
50+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
3+233.22 грн
10+190.61 грн
50+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 90B83BBD051DC3B5D971C1B6475F114A0E5F9DA1191A2BCC0352DB962A8737CF.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.31 грн
10+144.98 грн
100+120.03 грн
500+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F-D.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.05 грн
10+124.14 грн
100+101.91 грн
500+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.66 грн
10+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.79 грн
10+138.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description E1711D344E6150E9ED5468AE78976376AF5CE0EFF79C998B56134E130BA0FC92.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.14 грн
10+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.17 грн
10+206.76 грн
50+175.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.12 грн
10+177.10 грн
100+141.92 грн
500+117.76 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.82 грн
500+306.45 грн
1000+229.49 грн
3000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf
SPA11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.50 грн
10+258.70 грн
25+117.76 грн
100+106.44 грн
500+87.57 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.53 грн
10+179.70 грн
25+147.20 грн
100+117.01 грн
250+113.99 грн
500+104.93 грн
1000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.95 грн
10+102.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.54 грн
10+127.39 грн
25+94.36 грн
50+71.72 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A11N60C3-DS-v03_03-EN.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.12 грн
25+104.18 грн
100+88.32 грн
500+78.51 грн
1000+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon-SPP11N60CFD-DS-v02_07-en.pdf
SPP11N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.13 грн
10+161.47 грн
100+111.72 грн
500+94.36 грн
1000+89.83 грн
2500+87.57 грн
5000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.91 грн
10+105.91 грн
100+64.77 грн
500+51.79 грн
1000+49.45 грн
2500+41.90 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.76 грн
10+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.55 грн
10+62.42 грн
100+53.98 грн
500+53.07 грн
1000+50.88 грн
2000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.44 грн
10+105.91 грн
100+62.35 грн
500+49.75 грн
1000+45.07 грн
2000+42.27 грн
5000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.76 грн
10+67.63 грн
50+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.01 грн
10+67.28 грн
100+58.28 грн
500+56.16 грн
1000+49.90 грн
2000+46.28 грн
5000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECE8C5CFCE00C4&compId=WMx11N60C2.pdf?ci_sign=db2cde9e00c4eace681b4b38ef1050f8616c55b0
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECE8C5CFCE00C4&compId=WMx11N60C2.pdf?ci_sign=db2cde9e00c4eace681b4b38ef1050f8616c55b0
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
10+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60
Виробник: fairchild
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60F
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60/FSC
Виробник: FSC
08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
INF-SPP11N60C3
SPP11N60C3 Микросхемы
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60E
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60ED ONSMS05257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P11N60
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R3111N601A-TR-FF
Виробник: RICOH
2005
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
TO-220 06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
07+;
на замовлення 69400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60CFD
Виробник: TI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C5
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]