Результат пошуку "fdd3" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDD3670 FDD3670
Код товару: 66963 		ON fdd3670-daatsheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 42 шт
1+55 грн
10+ 49.5 грн
FDD300004 FDD300004 Diodes Incorporated FD_3-3V.pdf Description: XTAL OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDD306P FDD306P ONSEMI FDD306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.59 грн
8+ 47.93 грн
24+ 34.85 грн
65+ 33.42 грн
500+ 33.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD306P FDD306P ONSEMI FDD306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.9 грн
5+ 59.73 грн
24+ 41.82 грн
65+ 40.11 грн
500+ 39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD306P FDD306P onsemi / Fairchild FDD306P_D-2312100.pdf MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.13 грн
10+ 57.16 грн
100+ 38.64 грн
500+ 32.7 грн
1000+ 26.63 грн
2500+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD306P FDD306P onsemi fdd306p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.95 грн
5000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD306P FDD306P ONSEMI 2304206.pdf Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.35 грн
500+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD306P FDD306P onsemi fdd306p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 11193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 51.35 грн
100+ 39.92 грн
500+ 31.76 грн
1000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD306P FDD306P ONSEMI 2304206.pdf Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.12 грн
13+ 60.5 грн
100+ 43.35 грн
500+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD306P ON-Semicoductor fdd306p-d.pdf P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3570 FDD3570 Fairchild Semiconductor FAIRS43390-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 513
FDD3570 ONSEMI FAIRS43390-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3580 ONSEMI FAIRS43374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3580 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 378
FDD3580 FDD3580 Fairchild Semiconductor FAIRS43374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 314
FDD3670 FDD3670 ONSEMI ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.51 грн
10+ 117.18 грн
100+ 107.99 грн
500+ 91.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3670 FDD3670 onsemi fdd3670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.24 грн
10+ 142.02 грн
100+ 113.04 грн
500+ 89.76 грн
1000+ 76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD3670 FDD3670 ON Semiconductor fdd3670-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3670 FDD3670 ONSEMI 1761424.pdf Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.99 грн
500+ 91.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3670 FDD3670 onsemi / Fairchild FDD3670_D-2311942.pdf MOSFET 100V NCh PowerTrench
на замовлення 12396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.07 грн
10+ 92.64 грн
100+ 72.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.56 грн
5+ 83.92 грн
14+ 62.58 грн
36+ 59.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.47 грн
5+ 104.57 грн
14+ 75.1 грн
36+ 70.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 onsemi FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50 грн
5000+ 46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+118.82 грн
10+ 97.98 грн
25+ 97 грн
100+ 74.36 грн
250+ 68.14 грн
500+ 57.5 грн
1000+ 46.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD3672 FDD3672 onsemi / Fairchild FDD3672_D-2312101.pdf MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.07 грн
10+ 98.92 грн
100+ 68.27 грн
500+ 57.76 грн
1000+ 49.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672 ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.59 грн
500+ 60.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3672 FDD3672 ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.49 грн
10+ 100.33 грн
100+ 76.59 грн
500+ 60.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 205
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 FDD3672 onsemi FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.78 грн
10+ 88.68 грн
100+ 70.59 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3680 FDD3680 ON Semiconductor fdd3680-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 FDD3682 onsemi fdd3682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.33 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.3 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 30 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 FDD3682 onsemi / Fairchild FDD3682_D-2312350.pdf MOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.04 грн
10+ 66.26 грн
100+ 44.58 грн
500+ 37.82 грн
1000+ 30.72 грн
2500+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3682 FDD3682 ONSEMI ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.37 грн
12+ 69.54 грн
100+ 50.32 грн
500+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 352
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.79 грн
11+ 54.45 грн
25+ 54.04 грн
100+ 43.84 грн
250+ 39.17 грн
500+ 33.54 грн
1000+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3682 FDD3682 ON Semiconductor fdd3682jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 FDD3682 onsemi fdd3682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 FDD3682 ONSEMI ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.32 грн
500+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3690 FDD3690 onsemi fdd3690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3690 FDD3690 onsemi fdd3690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.19 грн
10+ 105.96 грн
100+ 84.32 грн
500+ 66.96 грн
1000+ 56.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3706 FDD3706 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003586648-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDD3706 ON-Semicoductor FDD%2CFDU3706.pdf ONSM-S-A0003586648-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD3706 ON Semiconductor TFDD3706
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3860 FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.63 грн
7+ 56.18 грн
19+ 45.17 грн
50+ 42.7 грн
500+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3860 FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.96 грн
5+ 70.01 грн
19+ 54.2 грн
50+ 51.24 грн
500+ 49.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3860 ONSEMI FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 717
FDD3860 FDD3860 onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.74 грн
5000+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3860 FDD3860 onsemi / Fairchild FDD3860_D-2312064.pdf MOSFET 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 41612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.61 грн
10+ 60.3 грн
100+ 43.97 грн
500+ 38.57 грн
1000+ 31.88 грн
2500+ 29.9 грн
5000+ 28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD3860 FDD3860 onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.02 грн
10+ 62.37 грн
100+ 48.5 грн
500+ 38.58 грн
1000+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3860 FDD3860 ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3860 Fairchild fdd3860-d.pdf N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD390N15A FDD390N15A ONSEMI 2572507.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.74 грн
500+ 47.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD390N15A FDD390N15A ON Semiconductor fdd390n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 302
FDD390N15A FDD390N15A ONSEMI 2572507.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.22 грн
10+ 81.18 грн
100+ 59.74 грн
500+ 47.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD390N15A FDD390N15A onsemi fdd390n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 18549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.88 грн
10+ 69.55 грн
100+ 54.06 грн
500+ 43 грн
1000+ 35.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD390N15A FDD390N15A onsemi / Fairchild FDD390N15A_D-2312004.pdf MOSFET PT5 100/20V NCH
на замовлення 27645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.78 грн
10+ 76.71 грн
100+ 52.23 грн
500+ 44.24 грн
1000+ 36.05 грн
2500+ 34 грн
5000+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD390N15A FDD390N15A ON Semiconductor fdd390n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.84 грн
10+ 67.74 грн
25+ 66.18 грн
100+ 53.71 грн
250+ 48.08 грн
500+ 39.8 грн
1000+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD390N15A FDD390N15A onsemi fdd390n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.49 грн
5000+ 33.46 грн
12500+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3670
Код товару: 66963		 fdd3670-daatsheet.pdf
FDD3670
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 34 A
Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 42 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
10+ 49.5 грн
FDD300004 FD_3-3V.pdf
FDD300004
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XTAL OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDD306P FDD306P.pdf
FDD306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.59 грн
8+ 47.93 грн
24+ 34.85 грн
65+ 33.42 грн
500+ 33.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD306P FDD306P.pdf
FDD306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.9 грн
5+ 59.73 грн
24+ 41.82 грн
65+ 40.11 грн
500+ 39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD306P FDD306P_D-2312100.pdf
FDD306P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.13 грн
10+ 57.16 грн
100+ 38.64 грн
500+ 32.7 грн
1000+ 26.63 грн
2500+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD306P fdd306p-d.pdf
FDD306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.95 грн
5000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD306P 2304206.pdf
FDD306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.35 грн
500+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD306P fdd306p-d.pdf
FDD306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 11193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.73 грн
10+ 51.35 грн
100+ 39.92 грн
500+ 31.76 грн
1000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD306P 2304206.pdf
FDD306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.12 грн
13+ 60.5 грн
100+ 43.35 грн
500+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD306P fdd306p-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+54.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3570 FAIRS43390-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD3570
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
513+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 513
FDD3570 FAIRS43390-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3580 FAIRS43374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3580 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
378+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 378
FDD3580 FAIRS43374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD3580
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
314+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 314
FDD3670 ONSM-S-A0013178447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+145.51 грн
10+ 117.18 грн
100+ 107.99 грн
500+ 91.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.24 грн
10+ 142.02 грн
100+ 113.04 грн
500+ 89.76 грн
1000+ 76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD3670 fdd3670-d.pdf
FDD3670
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3670 1761424.pdf
FDD3670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+107.99 грн
500+ 91.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3670 FDD3670_D-2311942.pdf
FDD3670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V NCh PowerTrench
на замовлення 12396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.07 грн
10+ 92.64 грн
100+ 72.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FDD3672.pdf
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.56 грн
5+ 83.92 грн
14+ 62.58 грн
36+ 59.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3672 FDD3672.pdf
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.47 грн
5+ 104.57 грн
14+ 75.1 грн
36+ 70.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50 грн
5000+ 46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 fdd3672-d.pdf
FDD3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+118.82 грн
10+ 97.98 грн
25+ 97 грн
100+ 74.36 грн
250+ 68.14 грн
500+ 57.5 грн
1000+ 46.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD3672 FDD3672_D-2312101.pdf
FDD3672
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.07 грн
10+ 98.92 грн
100+ 68.27 грн
500+ 57.76 грн
1000+ 49.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3672 ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.59 грн
500+ 60.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3672 ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+132.49 грн
10+ 100.33 грн
100+ 76.59 грн
500+ 60.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3672 fdd3672-d.pdf
FDD3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 fdd3672-d.pdf
FDD3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 205
FDD3672 3663483825850963fdd3672.pdf
FDD3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3672 FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.78 грн
10+ 88.68 грн
100+ 70.59 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3680 fdd3680-d.pdf
FDD3680
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3682 fdd3682-d.pdf
FDD3682
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+62.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 fdd3682-d.pdf
FDD3682
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.33 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.3 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 30 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3682 fdd3682-d.pdf
FDD3682
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 FDD3682_D-2312350.pdf
FDD3682
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.04 грн
10+ 66.26 грн
100+ 44.58 грн
500+ 37.82 грн
1000+ 30.72 грн
2500+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3682 ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3682
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.37 грн
12+ 69.54 грн
100+ 50.32 грн
500+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD3682 fdd3682-d.pdf
FDD3682
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
352+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 352
FDD3682 fdd3682-d.pdf
FDD3682
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.79 грн
11+ 54.45 грн
25+ 54.04 грн
100+ 43.84 грн
250+ 39.17 грн
500+ 33.54 грн
1000+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3682 fdd3682jp-d.pdf
FDD3682
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 fdd3682-d.pdf
FDD3682
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3682 ONSM-S-A0003586886-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3682
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.32 грн
500+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD3690 fdd3690-d.pdf
FDD3690
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3690 fdd3690-d.pdf
FDD3690
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.19 грн
10+ 105.96 грн
100+ 84.32 грн
500+ 66.96 грн
1000+ 56.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD3706 ONSM-S-A0003586648-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD3706
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDD3706 FDD%2CFDU3706.pdf ONSM-S-A0003586648-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD3706 ON Semiconductor TFDD3706
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+54.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.63 грн
7+ 56.18 грн
19+ 45.17 грн
50+ 42.7 грн
500+ 41.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.96 грн
5+ 70.01 грн
19+ 54.2 грн
50+ 51.24 грн
500+ 49.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3860 FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
717+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 717
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.74 грн
5000+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD3860 FDD3860_D-2312064.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 41612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.61 грн
10+ 60.3 грн
100+ 43.97 грн
500+ 38.57 грн
1000+ 31.88 грн
2500+ 29.9 грн
5000+ 28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.02 грн
10+ 62.37 грн
100+ 48.5 грн
500+ 38.58 грн
1000+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD3860 fdd3860-d.pdf
FDD3860
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+54.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD390N15A 2572507.pdf
FDD390N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.74 грн
500+ 47.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD390N15A fdd390n15a-d.pdf
FDD390N15A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
302+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 302
FDD390N15A 2572507.pdf
FDD390N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+107.22 грн
10+ 81.18 грн
100+ 59.74 грн
500+ 47.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD390N15A fdd390n15a-d.pdf
FDD390N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 18549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.88 грн
10+ 69.55 грн
100+ 54.06 грн
500+ 43 грн
1000+ 35.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD390N15A FDD390N15A_D-2312004.pdf
FDD390N15A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PT5 100/20V NCH
на замовлення 27645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.78 грн
10+ 76.71 грн
100+ 52.23 грн
500+ 44.24 грн
1000+ 36.05 грн
2500+ 34 грн
5000+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD390N15A fdd390n15a-d.pdf
FDD390N15A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.84 грн
10+ 67.74 грн
25+ 66.18 грн
100+ 53.71 грн
250+ 48.08 грн
500+ 39.8 грн
1000+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD390N15A fdd390n15a-d.pdf
FDD390N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.49 грн
5000+ 33.46 грн
12500+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]