Результат пошуку "irlz" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF
Код товару: 40554 		IR irlz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671ff87271e Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 781 шт
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF
Код товару: 40555 		IR irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
1+22.5 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF
Код товару: 35365 		IR irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 41 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 303 шт
очікується: 75 шт
1+45 грн
10+ 40.5 грн
100+ 36.2 грн
IRLZ14 Siliconix packaging.pdf description N-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14 IRLZ14 TIRLZ14
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY IRLZ14PBF-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay Semiconductors irlz14.pdf MOSFET N-CH 60V TO-220 HEXFET
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 57.05 грн
100+ 36.49 грн
500+ 36.08 грн
1000+ 35.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.41 грн
15+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.23 грн
11+ 53.24 грн
100+ 39.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+57.94 грн
267+ 43.72 грн
Мінімальне замовлення: 202
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay Siliconix irlz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.82 грн
50+ 56.31 грн
100+ 44.62 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY VISH-S-A0013856995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.03 грн
13+ 59.36 грн
100+ 40.93 грн
500+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLZ14PBF-BE3 IRLZ14PBF-BE3 Vishay / Siliconix irlz14.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.44 грн
10+ 52.64 грн
100+ 43.22 грн
1000+ 36.69 грн
25000+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ14PBF-BE3 IRLZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix irlz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.82 грн
50+ 56.31 грн
100+ 44.62 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Vishay Semiconductors sihlz14s.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.88 грн
10+ 90.58 грн
100+ 62.27 грн
500+ 52.84 грн
1000+ 43.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ14SPBF VISHAY irlz14s.pdf Description: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.6 грн
10+ 93.64 грн
100+ 69.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.32 грн
50+ 82.41 грн
100+ 65.3 грн
500+ 51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ14STRLPBF IRLZ14STRLPBF Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.32 грн
10+ 84.01 грн
100+ 65.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ24 Siliconix packaging.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRLZ24 TIRLZ24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLZ24LPBF IRLZ24LPBF Vishay Siliconix IRLZ24S%28L%29%2CSiHLZ24S%28L%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.73 грн
10+ 60.66 грн
100+ 48.27 грн
500+ 40.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ24LPBF IRLZ24LPBF Vishay sihlz24s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+121 грн
117+ 99.93 грн
148+ 79.36 грн
250+ 74.34 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRLZ24LPBF IRLZ24LPBF Vishay sihlz24s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.35 грн
10+ 92.79 грн
100+ 73.69 грн
250+ 69.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLZ24N International Rectifier N-MOSFET 18A 55V 45W 0.06Ω IRLZ24N TIRLZ24n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRLZ24N-DataSheet-v01_01-EN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.62 грн
10+ 43.62 грн
35+ 24.12 грн
94+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRLZ24N-DataSheet-v01_01-EN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.34 грн
10+ 54.35 грн
35+ 28.95 грн
94+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irlz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+53.57 грн
298+ 39.21 грн
500+ 36.56 грн
1000+ 32.75 грн
Мінімальне замовлення: 218
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363548.pdf MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.83 грн
10+ 51.48 грн
100+ 35.48 грн
500+ 31.1 грн
1000+ 29.01 грн
5000+ 27.6 грн
10000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irlz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 371
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irlz24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.14 грн
12+ 49.78 грн
100+ 36.72 грн
500+ 32.38 грн
1000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF Infineon Technologies irlz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671ff87271e Description: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.81 грн
50+ 50.01 грн
100+ 39.63 грн
500+ 31.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF INFINEON INFN-S-A0012814055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.8 грн
14+ 56.41 грн
100+ 40.02 грн
500+ 32.26 грн
1000+ 22.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF INFINEON IRSDS10978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF INFINEON IRSDS10978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ24PBF IRLZ24PBF VISHAY IRLZ24.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLZ24PBF IRLZ24PBF Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.64 грн
50+ 60.71 грн
100+ 48.1 грн
500+ 38.27 грн
1000+ 37.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ24PBF IRLZ24PBF Vishay Semiconductors packaging.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.74 грн
10+ 80.51 грн
100+ 55 грн
500+ 46.65 грн
1000+ 41.53 грн
5000+ 40.39 грн
10000+ 39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ24PBF IRLZ24PBF VISHAY VISH-S-A0013856915-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.5 грн
10+ 83.07 грн
100+ 61.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ24PBF-BE3 IRLZ24PBF-BE3 Vishay Siliconix IRLZ24-SiHLZ24.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.14 грн
50+ 86.35 грн
100+ 68.43 грн
500+ 54.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ24PBF-BE3 IRLZ24PBF-BE3 Vishay / Siliconix IRLZ24-SiHLZ24.PDF MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.67 грн
10+ 84.38 грн
100+ 56.75 грн
500+ 48.06 грн
1000+ 41.53 грн
5000+ 40.39 грн
10000+ 39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; IRLZ34N TIRLZ34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.84 грн
10+ 69.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.48 грн
152+ 77.03 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 49.57 грн
2000+ 40.46 грн
Мінімальне замовлення: 119
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.35 грн
10+ 77.51 грн
100+ 61.81 грн
500+ 50.72 грн
1000+ 38.4 грн
2000+ 32.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ34N_DataSheet_v01_01_EN-3363624.pdf description MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.53 грн
10+ 85.16 грн
100+ 57.76 грн
500+ 48.94 грн
1000+ 38.57 грн
2000+ 33.59 грн
10000+ 33.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720 description Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 12247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.48 грн
50+ 71.95 грн
100+ 57.01 грн
500+ 45.35 грн
1000+ 36.94 грн
2000+ 34.78 грн
5000+ 32.58 грн
10000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+83.47 грн
176+ 66.57 грн
500+ 56.64 грн
1000+ 42.61 грн
2000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.58 грн
12+ 51.59 грн
100+ 44.73 грн
500+ 38.67 грн
1000+ 31.08 грн
2000+ 27.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+47.94 грн
265+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.2 грн
100+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON INFN-S-A0012905113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.76 грн
10+ 84.58 грн
100+ 62.23 грн
500+ 48.95 грн
1000+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Infineon Technologies infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+50.68 грн
255+ 45.82 грн
284+ 41.24 грн
295+ 38.27 грн
500+ 33.79 грн
1000+ 31.01 грн
2000+ 29.77 грн
4000+ 28.27 грн
8000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 231
IRLZ34NSTRLPBF International Rectifier/Infineon irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+143.63 грн
10+ 134.05 грн
100+ 124.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.47 грн
1600+ 33.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+75 грн
168+ 69.64 грн
200+ 58.65 грн
211+ 53.46 грн
500+ 49.41 грн
1000+ 42.85 грн
1600+ 41.85 грн
3200+ 40.18 грн
Мінімальне замовлення: 156
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.29 грн
11+ 56.38 грн
25+ 55.82 грн
100+ 42.44 грн
250+ 37.77 грн
500+ 31.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.97 грн
10+ 81.56 грн
50+ 70.68 грн
100+ 55.47 грн
250+ 50.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+60.72 грн
195+ 60.11 грн
246+ 47.46 грн
256+ 44.01 грн
500+ 35.58 грн
Мінімальне замовлення: 193
IRLZ24NPBF
Код товару: 40554		 irlz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671ff87271e
IRLZ24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 781 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
IRLZ34NPBF
Код товару: 40555		 description irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720
IRLZ34NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22.5 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
IRLZ44NPBF
Код товару: 35365		 description irlz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567217c32725
IRLZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 41 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 303 шт
очікується: 75 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+45 грн
10+ 40.5 грн
100+ 36.2 грн
IRLZ14 description packaging.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14 IRLZ14 TIRLZ14
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRLZ14PBF IRLZ14PBF-DTE.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CH 60V TO-220 HEXFET
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.55 грн
10+ 57.05 грн
100+ 36.49 грн
500+ 36.08 грн
1000+ 35.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.41 грн
15+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.23 грн
11+ 53.24 грн
100+ 39.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+57.94 грн
267+ 43.72 грн
Мінімальне замовлення: 202
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.82 грн
50+ 56.31 грн
100+ 44.62 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ14PBF irlz14.pdf
IRLZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ14PBF VISH-S-A0013856995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ14PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+77.03 грн
13+ 59.36 грн
100+ 40.93 грн
500+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLZ14PBF-BE3 irlz14.pdf
IRLZ14PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.44 грн
10+ 52.64 грн
100+ 43.22 грн
1000+ 36.69 грн
25000+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ14PBF-BE3 irlz14.pdf
IRLZ14PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.82 грн
50+ 56.31 грн
100+ 44.62 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ14SPBF sihlz14s.pdf
IRLZ14SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.88 грн
10+ 90.58 грн
100+ 62.27 грн
500+ 52.84 грн
1000+ 43.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ14SPBF irlz14s.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ14SPBF - MOSFET, N D2-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.6 грн
10+ 93.64 грн
100+ 69.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ14SPBF sihlz14s.pdf
IRLZ14SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.32 грн
50+ 82.41 грн
100+ 65.3 грн
500+ 51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ14STRLPBF sihlz14s.pdf
IRLZ14STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.32 грн
10+ 84.01 грн
100+ 65.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ24 description packaging.pdf
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRLZ24 TIRLZ24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRLZ24LPBF IRLZ24S%28L%29%2CSiHLZ24S%28L%29.pdf
IRLZ24LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.73 грн
10+ 60.66 грн
100+ 48.27 грн
500+ 40.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ24LPBF sihlz24s.pdf
IRLZ24LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+121 грн
117+ 99.93 грн
148+ 79.36 грн
250+ 74.34 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRLZ24LPBF sihlz24s.pdf
IRLZ24LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+112.35 грн
10+ 92.79 грн
100+ 73.69 грн
250+ 69.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLZ24N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 55V 45W 0.06Ω IRLZ24N TIRLZ24n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLZ24NPBF Infineon-IRLZ24N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.62 грн
10+ 43.62 грн
35+ 24.12 грн
94+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ24NPBF Infineon-IRLZ24N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.34 грн
10+ 54.35 грн
35+ 28.95 грн
94+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ24NPBF infineon-irlz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
218+53.57 грн
298+ 39.21 грн
500+ 36.56 грн
1000+ 32.75 грн
Мінімальне замовлення: 218
IRLZ24NPBF Infineon_IRLZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363548.pdf
IRLZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.83 грн
10+ 51.48 грн
100+ 35.48 грн
500+ 31.1 грн
1000+ 29.01 грн
5000+ 27.6 грн
10000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ24NPBF infineon-irlz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
371+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 371
IRLZ24NPBF infineon-irlz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.14 грн
12+ 49.78 грн
100+ 36.72 грн
500+ 32.38 грн
1000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLZ24NPBF irlz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671ff87271e
IRLZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.81 грн
50+ 50.01 грн
100+ 39.63 грн
500+ 31.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ24NPBF INFN-S-A0012814055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ24NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.8 грн
14+ 56.41 грн
100+ 40.02 грн
500+ 32.26 грн
1000+ 22.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLZ24NSTRLPBF IRSDS10978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ24NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ24NSTRLPBF IRSDS10978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ24NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ24PBF IRLZ24.pdf
IRLZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLZ24PBF packaging.pdf
IRLZ24PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.64 грн
50+ 60.71 грн
100+ 48.1 грн
500+ 38.27 грн
1000+ 37.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ24PBF packaging.pdf
IRLZ24PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.74 грн
10+ 80.51 грн
100+ 55 грн
500+ 46.65 грн
1000+ 41.53 грн
5000+ 40.39 грн
10000+ 39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ24PBF VISH-S-A0013856915-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ24PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+109.5 грн
10+ 83.07 грн
100+ 61.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ24PBF-BE3 IRLZ24-SiHLZ24.PDF
IRLZ24PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.14 грн
50+ 86.35 грн
100+ 68.43 грн
500+ 54.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLZ24PBF-BE3 IRLZ24-SiHLZ24.PDF
IRLZ24PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.67 грн
10+ 84.38 грн
100+ 56.75 грн
500+ 48.06 грн
1000+ 41.53 грн
5000+ 40.39 грн
10000+ 39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34N description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; IRLZ34N TIRLZ34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.84 грн
10+ 69.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+98.48 грн
152+ 77.03 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 49.57 грн
2000+ 40.46 грн
Мінімальне замовлення: 119
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+87.35 грн
10+ 77.51 грн
100+ 61.81 грн
500+ 50.72 грн
1000+ 38.4 грн
2000+ 32.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ34NPBF description Infineon_IRLZ34N_DataSheet_v01_01_EN-3363624.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.53 грн
10+ 85.16 грн
100+ 57.76 грн
500+ 48.94 грн
1000+ 38.57 грн
2000+ 33.59 грн
10000+ 33.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34NPBF description irlz34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567206892720
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 12247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.48 грн
50+ 71.95 грн
100+ 57.01 грн
500+ 45.35 грн
1000+ 36.94 грн
2000+ 34.78 грн
5000+ 32.58 грн
10000+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+83.47 грн
176+ 66.57 грн
500+ 56.64 грн
1000+ 42.61 грн
2000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.58 грн
12+ 51.59 грн
100+ 44.73 грн
500+ 38.67 грн
1000+ 31.08 грн
2000+ 27.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
244+47.94 грн
265+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.2 грн
100+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLZ34NPBF description INFN-S-A0012905113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+111.76 грн
10+ 84.58 грн
100+ 62.23 грн
500+ 48.95 грн
1000+ 34.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ34NPBF description infineon-irlz34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
231+50.68 грн
255+ 45.82 грн
284+ 41.24 грн
295+ 38.27 грн
500+ 33.79 грн
1000+ 31.01 грн
2000+ 29.77 грн
4000+ 28.27 грн
8000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 231
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.63 грн
10+ 134.05 грн
100+ 124.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+35.47 грн
1600+ 33.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
156+75 грн
168+ 69.64 грн
200+ 58.65 грн
211+ 53.46 грн
500+ 49.41 грн
1000+ 42.85 грн
1600+ 41.85 грн
3200+ 40.18 грн
Мінімальне замовлення: 156
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.29 грн
11+ 56.38 грн
25+ 55.82 грн
100+ 42.44 грн
250+ 37.77 грн
500+ 31.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLZ34NSTRLPBF 107911.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.97 грн
10+ 81.56 грн
50+ 70.68 грн
100+ 55.47 грн
250+ 50.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+60.72 грн
195+ 60.11 грн
246+ 47.46 грн
256+ 44.01 грн
500+ 35.58 грн
Мінімальне замовлення: 193
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]