Результат пошуку "2SC33" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC3320 (транзистор біполярний NPN) 2SC3320 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 13498 		Fujitsu 2sc3320.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 15 A
h21: 10
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
1+75 грн
10+ 68 грн
2SC3330 2SC3330
Код товару: 82676 		Sanyo datasheetde_2sc33303e3.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1+5 грн
2SC3331 (транзистор) 2SC3331 (транзистор)
Код товару: 62502 		Sanyo datasheet_2sa33331.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
1+7 грн
2SC3356 (транзистор біполярний NPN) 2SC3356 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 27278 		NEC 2SC3356.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 438 шт
2+4.5 грн
10+ 4 грн
100+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SC3357 (транзистор біполярний NPN) 2SC3357 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 1873 		NEC 2SC3357.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-89
fT: 6,5 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
у наявності: 76 шт
1+13 грн
10+ 11.6 грн
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba 2SC3303_datasheet_en_20131101-1916360.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.58 грн
10+ 77.41 грн
100+ 52.09 грн
500+ 44.1 грн
1000+ 36.66 грн
2000+ 33.79 грн
4000+ 32.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3303_datasheet_en_20131101.pdf?did=20516&prodName=2SC3303 Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.88 грн
10+ 69.12 грн
100+ 53.78 грн
500+ 42.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.12 грн
17+ 19.16 грн
100+ 7.44 грн
1000+ 4.92 грн
3000+ 3.96 грн
9000+ 2.94 грн
24000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3325-Y,LF Toshiba 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 48092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.42 грн
21+ 13.94 грн
100+ 6.8 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+ 3.17 грн
9000+ 2.62 грн
30000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 63055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.94 грн
21+ 15.47 грн
100+ 5.53 грн
1000+ 3.82 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.39 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3325-Y,LF(B Toshiba 2SC3325-Y,LF(B
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+10.61 грн
1167+ 10.26 грн
Мінімальне замовлення: 1128
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.19 грн
43+ 18.15 грн
110+ 7 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 2.95 грн
5000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.15 грн
110+ 7 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 2.95 грн
5000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3325-Y,LXGF(T 2SC3325-Y,LXGF(T Toshiba 127docget.jsppid2sc3325langentypedatasheet.jsppid2sc3325langentypeda.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1745+6.86 грн
1911+ 6.26 грн
2226+ 5.38 грн
2359+ 4.89 грн
3000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 1745
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA 2SC3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.39 грн
39+ 9.17 грн
100+ 8.18 грн
118+ 6.97 грн
324+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA 2SC3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.86 грн
25+ 11.43 грн
100+ 9.81 грн
118+ 8.36 грн
324+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.5 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 20396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.76 грн
24+ 13.43 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 5.19 грн
3000+ 4.03 грн
9000+ 3.48 грн
24000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 72826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.8 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+ 4.29 грн
9000+ 3.71 грн
30000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3326-A,LF(B 2SC3326-A,LF(B Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+7.11 грн
1741+ 6.88 грн
2500+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1684
2SC3326-B(TE85L,F) 2SC3326-B(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+ 4.29 грн
9000+ 3.71 грн
30000+ 3.41 грн
75000+ 2.83 грн
150000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 55183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.4 грн
28+ 11.62 грн
100+ 5.26 грн
1000+ 4.37 грн
3000+ 3.75 грн
9000+ 3.35 грн
24000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.8 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 2sc3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 17660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.11 грн
60+ 6.04 грн
100+ 5.33 грн
175+ 4.69 грн
485+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 2sc3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.13 грн
40+ 7.53 грн
100+ 6.4 грн
175+ 5.63 грн
485+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1751+6.84 грн
1757+ 6.81 грн
2159+ 5.54 грн
2308+ 5 грн
3000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 1751
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.86 грн
35+ 22.06 грн
100+ 8.19 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 3.94 грн
5000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.19 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 3.94 грн
5000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3326A(TE85L,F) 2SC3326A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2SC3326A(TE85L,F) 2SC3326A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3330T-AC ONSEMI SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3330T-AC - 2SC3330T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 125874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SC3330T-AC 2SC3330T-AC onsemi SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 125874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SC3330U ONSEMI SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3330U - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 67110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SC3331T-AA 2SC3331T-AA ONSEMI SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3331T-AA - 2SC3331T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 713100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2SC3331T-AA 2SC3331T-AA onsemi SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 713100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SC3332S 2SC3332S onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 24642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2SC3332S 2SC3332S ONSEMI ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3332S - 2SC3332S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SC3332S-AA 2SC3332S-AA ONSEMI ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3332S-AA - 2SC3332S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3332S-AA 2SC3332S-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 146194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 1665
2SC3332T 2SC3332T onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SC3332T 2SC3332T ONSEMI ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3332T - 2SC3332T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ONSEMI ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3332T-AA - 2SC3332T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1300+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 1300
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2SC3356 2SC3356 EVVO 2SC3356.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.65 грн
134+ 2.13 грн
148+ 1.93 грн
169+ 1.59 грн
250+ 1.4 грн
500+ 1.23 грн
1000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 45
2SC3356 HT Jinyu Semiconductor 2SC3356.pdf NPN Transistor
на замовлення 2826000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4659+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4659
2SC3356 R25 SLKOR Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 300
2SC3356R HOTTECH NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SC3357 2SC3357 EVVO 2SC3357.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 1.2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.02 грн
14+ 20.84 грн
100+ 10.5 грн
500+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC3361-5-TB-E 2SC3361-5-TB-E onsemi Description: BIP NPNP 0.15A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 4438
2SC3361-5-TB-E 2SC3361-5-TB-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC3361-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5342+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 5342
2SC3320 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 13498		 2sc3320.pdf
2SC3320 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Fujitsu
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 15 A
h21: 10
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+75 грн
10+ 68 грн
2SC3330
Код товару: 82676		 datasheetde_2sc33303e3.pdf
2SC3330
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+5 грн
2SC3331 (транзистор)
Код товару: 62502		 datasheet_2sa33331.pdf
2SC3331 (транзистор)
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
2SC3356 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 27278		 2SC3356.pdf
2SC3356 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 438 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4.5 грн
10+ 4 грн
100+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SC3357 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 1873		 2SC3357.pdf
2SC3357 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-89
fT: 6,5 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
у наявності: 76 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+13 грн
10+ 11.6 грн
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303_datasheet_en_20131101-1916360.pdf
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.58 грн
10+ 77.41 грн
100+ 52.09 грн
500+ 44.1 грн
1000+ 36.66 грн
2000+ 33.79 грн
4000+ 32.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303_datasheet_en_20131101.pdf?did=20516&prodName=2SC3303
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.88 грн
10+ 69.12 грн
100+ 53.78 грн
500+ 42.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf
2SC3325-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.12 грн
17+ 19.16 грн
100+ 7.44 грн
1000+ 4.92 грн
3000+ 3.96 грн
9000+ 2.94 грн
24000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3325-Y,LF 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
Виробник: Toshiba
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+6.18 грн
109+ 5.76 грн
117+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 102
2SC3325-Y,LF 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 48092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.42 грн
21+ 13.94 грн
100+ 6.8 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3325-Y,LF 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.54 грн
6000+ 3.17 грн
9000+ 2.62 грн
30000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3325-Y,LF 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf
2SC3325-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 63055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.94 грн
21+ 15.47 грн
100+ 5.53 грн
1000+ 3.82 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.39 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3325-Y,LF(B
Виробник: Toshiba
2SC3325-Y,LF(B
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1128+10.61 грн
1167+ 10.26 грн
Мінімальне замовлення: 1128
2SC3325-Y,LF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.19 грн
43+ 18.15 грн
110+ 7 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 2.95 грн
5000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
2SC3325-Y,LF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.15 грн
110+ 7 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 2.95 грн
5000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3325-Y,LXGF(T 127docget.jsppid2sc3325langentypedatasheet.jsppid2sc3325langentypeda.pdf
2SC3325-Y,LXGF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1745+6.86 грн
1911+ 6.26 грн
2226+ 5.38 грн
2359+ 4.89 грн
3000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 1745
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326.pdf
2SC3326-A(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+17.39 грн
39+ 9.17 грн
100+ 8.18 грн
118+ 6.97 грн
324+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326.pdf
2SC3326-A(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.86 грн
25+ 11.43 грн
100+ 9.81 грн
118+ 8.36 грн
324+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SC3326-A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+5.5 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2SC3326-A,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-A,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 20396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.76 грн
24+ 13.43 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 5.19 грн
3000+ 4.03 грн
9000+ 3.48 грн
24000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC3326-A,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 72826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.85 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.8 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-A,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.65 грн
6000+ 4.29 грн
9000+ 3.71 грн
30000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3326-A,LF(B 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF(B
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1684+7.11 грн
1741+ 6.88 грн
2500+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1684
2SC3326-B(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3326-B,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.65 грн
6000+ 4.29 грн
9000+ 3.71 грн
30000+ 3.41 грн
75000+ 2.83 грн
150000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3326-B,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 55183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.4 грн
28+ 11.62 грн
100+ 5.26 грн
1000+ 4.37 грн
3000+ 3.75 грн
9000+ 3.35 грн
24000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-B,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.85 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.8 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC3326-B,LF(T 2sc3326.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 17660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.11 грн
60+ 6.04 грн
100+ 5.33 грн
175+ 4.69 грн
485+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SC3326-B,LF(T 2sc3326.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.13 грн
40+ 7.53 грн
100+ 6.4 грн
175+ 5.63 грн
485+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1751+6.84 грн
1757+ 6.81 грн
2159+ 5.54 грн
2308+ 5 грн
3000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 1751
2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3326-B,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.86 грн
35+ 22.06 грн
100+ 8.19 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 3.94 грн
5000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC3326-B,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-B,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.19 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 3.94 грн
5000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC3326A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326A(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 12000
2SC3326A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326A(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3330T-AC SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3330T-AC - 2SC3330T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 125874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8013+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SC3330T-AC SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3330T-AC
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 125874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SC3330U SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3330U - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 67110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8013+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 8013
2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3331T-AA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3331T-AA - 2SC3331T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 713100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13889+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3331T-AA
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 713100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SC3332S 2SC3332.pdf
2SC3332S
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 24642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1776+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2SC3332S ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3332S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332S - 2SC3332S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SC3332S-AA ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3332S-AA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332S-AA - 2SC3332S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3332S-AA 2SC3332.pdf
2SC3332S-AA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 146194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1665+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 1665
2SC3332T 2SC3332.pdf
2SC3332T
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SC3332T ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3332T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332T - 2SC3332T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3332T-AA 251en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC3332T-AA ONSM-S-A0000136965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3332T-AA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332T-AA - 2SC3332T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC3332T-AA 251en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1300+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 1300
2SC3332T-AA 2SC3332.pdf
2SC3332T-AA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1776+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2SC3356 2SC3356.pdf
2SC3356
Виробник: EVVO
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.65 грн
134+ 2.13 грн
148+ 1.93 грн
169+ 1.59 грн
250+ 1.4 грн
500+ 1.23 грн
1000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 45
2SC3356 2SC3356.pdf
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
на замовлення 2826000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4659+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4659
2SC3356 R25
Виробник: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 300
2SC3356R
Виробник: HOTTECH
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SC3357 2SC3357.pdf
2SC3357
Виробник: EVVO
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 1.2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.02 грн
14+ 20.84 грн
100+ 10.5 грн
500+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC3361-5-TB-E
2SC3361-5-TB-E
Виробник: onsemi
Description: BIP NPNP 0.15A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4438+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 4438
2SC3361-5-TB-E nd_datasheet
2SC3361-5-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3361-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5342+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 5342
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]