Результат пошуку "11n60" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60 612-10-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-CBC 612-10-1-1-N-60-CBC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+79914.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-DC 612-10-1-1-N-60-DC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+79852.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-15-1-1-N-60 612-15-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-200inH2O-1-1-N-60 612-200inH2O-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-25-1-1-N-60 612-25-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-25-1-1-N-60-FE-DC 612-25-1-1-N-60-FE-DC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81117.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-30-1-1-N-60 612-30-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60 612-5-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60-DC 612-5-1-1-N-60-DC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+79852.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-60-1-1-N-60 612-60-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOW11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
15+28.62 грн
25+27.38 грн
37+26.22 грн
100+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOWF11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
15+28.62 грн
25+27.29 грн
92+27.05 грн
100+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi FCB11N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi FCB11N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.73 грн
10+224.29 грн
50+175.26 грн
100+149.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi FCB11N60-D.pdf MOSFETs 600V, 11A, 380mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 528 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+414.72 грн
10+268.04 грн
100+173.71 грн
500+145.86 грн
800+134.86 грн
2400+126.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+268.11 грн
3+220.84 грн
7+149.71 грн
18+142.26 грн
50+136.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.20 грн
10+185.35 грн
50+144.29 грн
100+123.01 грн
500+101.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+369.40 грн
10+238.54 грн
100+154.65 грн
500+129.73 грн
1000+120.20 грн
2500+113.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi FCP11N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.66 грн
10+196.00 грн
50+152.94 грн
100+130.53 грн
500+107.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi FCP11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5524 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+396.77 грн
10+256.24 грн
100+165.65 грн
500+138.53 грн
1000+128.27 грн
2500+121.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCP11N60N Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+140.61 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 36W
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.75 грн
8+129.86 грн
21+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi FCPF11N60T-D.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.98 грн
10+197.56 грн
50+154.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ON-Semiconductor info-tfcpf11n60.pdf description N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+123.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60T-D.pdf description MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8169 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+401.04 грн
10+258.77 грн
100+167.84 грн
500+139.99 грн
1000+129.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI FCPF11N60F-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Technology: SJ-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.19 грн
6+169.56 грн
16+160.46 грн
50+153.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi FCPF11N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.81 грн
10+216.47 грн
50+169.56 грн
100+144.97 грн
500+120.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi FCPF11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+420.71 грн
10+271.41 грн
100+173.71 грн
500+154.65 грн
1000+137.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+180.06 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT onsemi FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60NT-D.pdf MOSFETs SupreMOS 11A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+434.39 грн
10+281.52 грн
100+182.50 грн
500+147.32 грн
1000+137.06 грн
2000+131.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60T FCPF11N60T onsemi FCPF11N60T-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.44 грн
10+207.54 грн
50+162.29 грн
100+138.65 грн
500+114.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+443.80 грн
10+360.75 грн
100+241.87 грн
500+205.96 грн
1000+159.05 грн
3000+106.28 грн
6000+104.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.37 грн
10+227.56 грн
50+177.94 грн
100+152.01 грн
500+134.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+317.24 грн
10+171.95 грн
100+136.33 грн
500+116.54 грн
1000+109.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spb11n60c3-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.85 грн
10+199.13 грн
50+154.89 грн
100+131.99 грн
500+112.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spb11n60c3-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.79 грн
3000+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60C3XKSA1 SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+123.56 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 SPI11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Technology: CoolMOS™
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.04 грн
10+129.03 грн
14+71.96 грн
37+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineon_spp11n60c3_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+295.01 грн
10+164.36 грн
100+139.99 грн
500+119.47 грн
1000+87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies infineon_spp11n60cfd_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+277.05 грн
10+178.69 грн
100+113.61 грн
500+87.95 грн
2500+84.29 грн
5000+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 259866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+159.25 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60S5 SPW11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+159.25 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.58 грн
50+77.76 грн
100+65.48 грн
500+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+180.43 грн
10+85.97 грн
100+67.43 грн
500+53.80 грн
1000+51.09 грн
2500+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.66 грн
10+90.15 грн
15+66.17 грн
40+62.03 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.07 грн
10+105.33 грн
50+79.99 грн
100+67.39 грн
500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+184.70 грн
10+89.35 грн
100+69.34 грн
500+55.41 грн
1000+49.47 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.02 грн
10+98.86 грн
50+74.90 грн
100+63.02 грн
500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+173.59 грн
10+83.36 грн
100+64.94 грн
500+51.67 грн
1000+48.01 грн
2000+45.08 грн
5000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.81 грн
10+67.82 грн
15+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: WMOS™ C2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+30.44 грн
100+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60F fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-10-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-CBC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-10-1-1-N-60-CBC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+79914.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-DC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-10-1-1-N-60-DC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+79852.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-15-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-15-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-200inH2O-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-200inH2O-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-25-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-25-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-25-1-1-N-60-FE-DC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-25-1-1-N-60-FE-DC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+81117.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-30-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-30-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-5-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60-DC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-5-1-1-N-60-DC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+79852.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-60-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-60-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+77096.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.07 грн
15+28.62 грн
25+27.38 грн
37+26.22 грн
100+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60.pdf
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.07 грн
15+28.62 грн
25+27.29 грн
92+27.05 грн
100+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60-D.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60-D.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.73 грн
10+224.29 грн
50+175.26 грн
100+149.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60-D.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V, 11A, 380mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 528 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.72 грн
10+268.04 грн
100+173.71 грн
500+145.86 грн
800+134.86 грн
2400+126.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.11 грн
3+220.84 грн
7+149.71 грн
18+142.26 грн
50+136.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCPF11N60T-D.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.20 грн
10+185.35 грн
50+144.29 грн
100+123.01 грн
500+101.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCPF11N60T-D.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.40 грн
10+238.54 грн
100+154.65 грн
500+129.73 грн
1000+120.20 грн
2500+113.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F-D.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.66 грн
10+196.00 грн
50+152.94 грн
100+130.53 грн
500+107.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F-D.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5524 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.77 грн
10+256.24 грн
100+165.65 грн
500+138.53 грн
1000+128.27 грн
2500+121.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP11N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+140.61 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 36W
Technology: SuperFET®
Kind of package: tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.75 грн
8+129.86 грн
21+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
139+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCPF11N60T-D.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+309.98 грн
10+197.56 грн
50+154.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description info-tfcpf11n60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+123.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60T-D.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8169 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.04 грн
10+258.77 грн
100+167.84 грн
500+139.99 грн
1000+129.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Technology: SJ-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.19 грн
6+169.56 грн
16+160.46 грн
50+153.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.81 грн
10+216.47 грн
50+169.56 грн
100+144.97 грн
500+120.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.71 грн
10+271.41 грн
100+173.71 грн
500+154.65 грн
1000+137.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60NT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+180.06 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF11N60NT-D.pdf
FCPF11N60NT
Виробник: onsemi
MOSFETs SupreMOS 11A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.39 грн
10+281.52 грн
100+182.50 грн
500+147.32 грн
1000+137.06 грн
2000+131.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60T FCPF11N60T-D.pdf
FCPF11N60T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.44 грн
10+207.54 грн
50+162.29 грн
100+138.65 грн
500+114.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+443.80 грн
10+360.75 грн
100+241.87 грн
500+205.96 грн
1000+159.05 грн
3000+106.28 грн
6000+104.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.37 грн
10+227.56 грн
50+177.94 грн
100+152.01 грн
500+134.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+317.24 грн
10+171.95 грн
100+136.33 грн
500+116.54 грн
1000+109.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 infineon-spb11n60c3-datasheet-en.pdf
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.85 грн
10+199.13 грн
50+154.89 грн
100+131.99 грн
500+112.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 infineon-spb11n60c3-datasheet-en.pdf
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+111.79 грн
3000+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+123.56 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+126.52 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Technology: CoolMOS™
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.04 грн
10+129.03 грн
14+71.96 грн
37+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 infineon_spp11n60c3_datasheet_en.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.01 грн
10+164.36 грн
100+139.99 грн
500+119.47 грн
1000+87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 infineon_spp11n60cfd_datasheet_en.pdf
SPP11N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.05 грн
10+178.69 грн
100+113.61 грн
500+87.95 грн
2500+84.29 грн
5000+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 259866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+159.25 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60S5 Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+159.25 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.20 грн
10+102.58 грн
50+77.76 грн
100+65.48 грн
500+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.43 грн
10+85.97 грн
100+67.43 грн
500+53.80 грн
1000+51.09 грн
2500+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.66 грн
10+90.15 грн
15+66.17 грн
40+62.03 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.07 грн
10+105.33 грн
50+79.99 грн
100+67.39 грн
500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.70 грн
10+89.35 грн
100+69.34 грн
500+55.41 грн
1000+49.47 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.02 грн
10+98.86 грн
50+74.90 грн
100+63.02 грн
500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.59 грн
10+83.36 грн
100+64.94 грн
500+51.67 грн
1000+48.01 грн
2000+45.08 грн
5000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.81 грн
10+67.82 грн
15+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMx11N60C2.pdf
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: WMOS™ C2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+30.44 грн
100+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60F
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.