Результат пошуку "11n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOW11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.1 грн
9+ 41.78 грн
24+ 36.14 грн
65+ 34.16 грн
500+ 32.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOW11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.52 грн
6+ 52.07 грн
24+ 43.37 грн
65+ 40.99 грн
500+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOW11N60 AOW11N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.14 грн
50+ 86.06 грн
100+ 70.82 грн
500+ 56.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOWF11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.79 грн
10+ 36.94 грн
25+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOWF11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+46.04 грн
25+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi fcb11n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi / Fairchild FCB11N60_D-2311542.pdf MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.04 грн
10+ 209.6 грн
25+ 180.15 грн
100+ 147.07 грн
250+ 144.96 грн
500+ 142.15 грн
800+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi fcb11n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.45 грн
10+ 189.63 грн
100+ 153.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCI11N60 FCI11N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 64279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 249
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.67 грн
7+ 132.68 грн
18+ 125.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.51 грн
3+ 192.74 грн
7+ 159.21 грн
18+ 150.41 грн
250+ 145.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 FCP11N60 onsemi / Fairchild FCPF11N60T_D-2311865.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.31 грн
10+ 209.6 грн
50+ 152.7 грн
100+ 130.18 грн
500+ 116.81 грн
1000+ 104.85 грн
5000+ 104.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 FCP11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.81 грн
50+ 158.83 грн
100+ 136.14 грн
500+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60F FCP11N60F onsemi / Fairchild FCP11N60F_D-2312086.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.55 грн
10+ 199.08 грн
50+ 127.37 грн
100+ 116.81 грн
500+ 109.78 грн
1000+ 100.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60F FCP11N60F onsemi fcp11n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.8 грн
50+ 170.7 грн
100+ 146.32 грн
500+ 122.06 грн
1000+ 104.52 грн
2000+ 98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60N FCP11N60N Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 173
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.04 грн
8+ 112.15 грн
21+ 106.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.08 грн
50+ 172.48 грн
100+ 147.84 грн
500+ 123.33 грн
1000+ 105.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60 FCPF11N60 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+122.09 грн
Мінімальне замовлення: 175
FCPF11N60 FCPF11N60 ON Semiconductor fcpf11n60t.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi / Fairchild FCPF11N60T_D-2311865.pdf description MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.02 грн
10+ 207.17 грн
50+ 154.81 грн
100+ 131.59 грн
500+ 125.26 грн
1000+ 101.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi fcpf11n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.88 грн
50+ 136.3 грн
100+ 116.82 грн
500+ 107.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi / Fairchild FCPF11N60F_D-2312112.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
2+192.11 грн
50+ 150.52 грн
100+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 135
FCPF11N60T FCPF11N60T onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.54 грн
50+ 183.69 грн
100+ 157.44 грн
500+ 131.34 грн
1000+ 112.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh11n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.69 грн
10+ 190.98 грн
25+ 156.92 грн
100+ 135.11 грн
250+ 126.67 грн
500+ 119.63 грн
1000+ 102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.99 грн
10+ 219.32 грн
100+ 177.47 грн
500+ 148.05 грн
1000+ 126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.47 грн
10+ 220.12 грн
25+ 150.59 грн
100+ 133 грн
250+ 129.48 грн
1000+ 104.85 грн
2500+ 102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.6 грн
50+ 173.72 грн
100+ 148.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en-3360040.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.68 грн
10+ 212.02 грн
25+ 175.22 грн
100+ 148.48 грн
250+ 147.78 грн
500+ 133.7 грн
1000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.39 грн
10+ 199.53 грн
100+ 161.41 грн
500+ 134.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.58 грн
2000+ 115.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPI11N60C3XKSA1 SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 205
SPI11N60S5 SPI11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 260
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.51 грн
10+ 90.89 грн
26+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.04 грн
25+ 197.46 грн
100+ 147.07 грн
500+ 130.18 грн
1000+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.45 грн
50+ 178.91 грн
100+ 153.35 грн
500+ 127.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 264881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+128.48 грн
Мінімальне замовлення: 166
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 160
SPW11N60S5 SPW11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 160
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics std11n60dm2-1850365.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.61 грн
10+ 101.97 грн
100+ 70.37 грн
250+ 68.05 грн
500+ 59.39 грн
1000+ 51.09 грн
2500+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+ 98.08 грн
100+ 78.1 грн
500+ 62.01 грн
1000+ 52.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.99 грн
10+ 77.7 грн
13+ 68.9 грн
34+ 65.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+143.99 грн
10+ 96.83 грн
13+ 82.68 грн
34+ 78.29 грн
500+ 76.53 грн
1000+ 75.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics stf11n60dm2-1850418.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.7 грн
10+ 71.78 грн
100+ 55.17 грн
250+ 54.82 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 49.82 грн
2000+ 49.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.58 грн
50+ 70.11 грн
100+ 57.68 грн
500+ 48.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.42 грн
10+ 89.72 грн
100+ 69.78 грн
500+ 55.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics stf11n60m2_ep-1850740.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.33 грн
10+ 99.54 грн
100+ 66.78 грн
500+ 56.58 грн
1000+ 46.09 грн
2000+ 43.42 грн
5000+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics stp11n60dm2-1851411.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.33 грн
10+ 97.11 грн
100+ 69.38 грн
500+ 58.41 грн
1000+ 52.14 грн
2000+ 47.08 грн
5000+ 45.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.42 грн
50+ 87.6 грн
100+ 72.08 грн
500+ 57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.26 грн
10+ 37.82 грн
25+ 33.35 грн
28+ 30.79 грн
77+ 29.1 грн
500+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.31 грн
6+ 47.13 грн
25+ 40.02 грн
28+ 36.94 грн
77+ 34.92 грн
500+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCB11N60 fairchild 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60F fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.1 грн
9+ 41.78 грн
24+ 36.14 грн
65+ 34.16 грн
500+ 32.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.52 грн
6+ 52.07 грн
24+ 43.37 грн
65+ 40.99 грн
500+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.14 грн
50+ 86.06 грн
100+ 70.82 грн
500+ 56.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOWF11N60 AOWF11N60.pdf
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+45.79 грн
10+ 36.94 грн
25+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOWF11N60 AOWF11N60.pdf
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+46.04 грн
25+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB11N60TM FCB11N60_D-2311542.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.04 грн
10+ 209.6 грн
25+ 180.15 грн
100+ 147.07 грн
250+ 144.96 грн
500+ 142.15 грн
800+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.45 грн
10+ 189.63 грн
100+ 153.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCI11N60 FAIRS27283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCI11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 64279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 249
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.67 грн
7+ 132.68 грн
18+ 125.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.51 грн
3+ 192.74 грн
7+ 159.21 грн
18+ 150.41 грн
250+ 145.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 FCPF11N60T_D-2311865.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.31 грн
10+ 209.6 грн
50+ 152.7 грн
100+ 130.18 грн
500+ 116.81 грн
1000+ 104.85 грн
5000+ 104.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 fcpf11n60t-d.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.81 грн
50+ 158.83 грн
100+ 136.14 грн
500+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60F FCP11N60F_D-2312086.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.55 грн
10+ 199.08 грн
50+ 127.37 грн
100+ 116.81 грн
500+ 109.78 грн
1000+ 100.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60F fcp11n60f-d.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.8 грн
50+ 170.7 грн
100+ 146.32 грн
500+ 122.06 грн
1000+ 104.52 грн
2000+ 98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60N FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP11N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 173
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+176.04 грн
8+ 112.15 грн
21+ 106.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.08 грн
50+ 172.48 грн
100+ 147.84 грн
500+ 123.33 грн
1000+ 105.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+122.09 грн
Мінімальне замовлення: 175
FCPF11N60 description fcpf11n60t.pdf
FCPF11N60
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCPF11N60 description FCPF11N60T_D-2311865.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.02 грн
10+ 207.17 грн
50+ 154.81 грн
100+ 131.59 грн
500+ 125.26 грн
1000+ 101.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.88 грн
50+ 136.3 грн
100+ 116.82 грн
500+ 107.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F FCPF11N60F_D-2312112.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.11 грн
50+ 150.52 грн
100+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60NT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 135
FCPF11N60T fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.54 грн
50+ 183.69 грн
100+ 157.44 грн
500+ 131.34 грн
1000+ 112.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.69 грн
10+ 190.98 грн
25+ 156.92 грн
100+ 135.11 грн
250+ 126.67 грн
500+ 119.63 грн
1000+ 102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.99 грн
10+ 219.32 грн
100+ 177.47 грн
500+ 148.05 грн
1000+ 126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3 Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf
SPA11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.47 грн
10+ 220.12 грн
25+ 150.59 грн
100+ 133 грн
250+ 129.48 грн
1000+ 104.85 грн
2500+ 102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3XKSA1 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.6 грн
50+ 173.72 грн
100+ 148.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en-3360040.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.68 грн
10+ 212.02 грн
25+ 175.22 грн
100+ 148.48 грн
250+ 147.78 грн
500+ 133.7 грн
1000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.39 грн
10+ 199.53 грн
100+ 161.41 грн
500+ 134.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+127.58 грн
2000+ 115.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPI11N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 205
SPI11N60S5 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 260
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.51 грн
10+ 90.89 грн
26+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP11N60C3XKSA1 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP11N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.04 грн
25+ 197.46 грн
100+ 147.07 грн
500+ 130.18 грн
1000+ 105.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.45 грн
50+ 178.91 грн
100+ 153.35 грн
500+ 127.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 264881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+128.48 грн
Мінімальне замовлення: 166
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 160
SPW11N60S5 Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 160
STD11N60DM2 std11n60dm2-1850365.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.61 грн
10+ 101.97 грн
100+ 70.37 грн
250+ 68.05 грн
500+ 59.39 грн
1000+ 51.09 грн
2500+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.55 грн
10+ 98.08 грн
100+ 78.1 грн
500+ 62.01 грн
1000+ 52.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+119.99 грн
10+ 77.7 грн
13+ 68.9 грн
34+ 65.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.99 грн
10+ 96.83 грн
13+ 82.68 грн
34+ 78.29 грн
500+ 76.53 грн
1000+ 75.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF11N60DM2 stf11n60dm2-1850418.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.7 грн
10+ 71.78 грн
100+ 55.17 грн
250+ 54.82 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 49.82 грн
2000+ 49.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.58 грн
50+ 70.11 грн
100+ 57.68 грн
500+ 48.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.42 грн
10+ 89.72 грн
100+ 69.78 грн
500+ 55.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60M2-EP stf11n60m2_ep-1850740.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.33 грн
10+ 99.54 грн
100+ 66.78 грн
500+ 56.58 грн
1000+ 46.09 грн
2000+ 43.42 грн
5000+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 stp11n60dm2-1851411.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.33 грн
10+ 97.11 грн
100+ 69.38 грн
500+ 58.41 грн
1000+ 52.14 грн
2000+ 47.08 грн
5000+ 45.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.42 грн
50+ 87.6 грн
100+ 72.08 грн
500+ 57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMO11N60C2 WMx11N60C2.pdf
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.26 грн
10+ 37.82 грн
25+ 33.35 грн
28+ 30.79 грн
77+ 29.1 грн
500+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO11N60C2 WMx11N60C2.pdf
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.31 грн
6+ 47.13 грн
25+ 40.02 грн
28+ 36.94 грн
77+ 34.92 грн
500+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCB11N60
Виробник: fairchild
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60F
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]