Результат пошуку "11n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60 612-10-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 10PSI (0kPa ~ 68.95kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-CBC 612-10-1-1-N-60-CBC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Cable Clamp
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 10PSI (0kPa ~ 68.95kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78635.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-DC 612-10-1-1-N-60-DC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Desiccant Cartridge
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 10PSI (0kPa ~ 68.95kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78572.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-15-1-1-N-60 612-15-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 15PSI (0kPa ~ 103.42kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-200inH2O-1-1-N-60 612-200inH2O-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 7.25PSI (50kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-30-1-1-N-60 612-30-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 30PSI (0kPa ~ 206.84kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60 612-5-1-1-N-60 NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60-DC 612-5-1-1-N-60-DC NOSHOK, Inc. 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Desiccant Cartridge
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78572.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+26.03 грн
100+24.93 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.91 грн
25+31.23 грн
100+29.91 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.59 грн
50+77.97 грн
100+69.99 грн
500+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+25.95 грн
100+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.91 грн
25+31.14 грн
100+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi fcb11n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.31 грн
10+197.30 грн
100+139.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi fcb11n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCI11N60 FCI11N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 64199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.18 грн
3+187.15 грн
10+158.84 грн
50+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.21 грн
3+233.22 грн
10+190.61 грн
50+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.18 грн
50+139.55 грн
100+126.54 грн
500+97.36 грн
1000+90.49 грн
2000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi / Fairchild 90B83BBD051DC3B5D971C1B6475F114A0E5F9DA1191A2BCC0352DB962A8737CF.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.19 грн
10+144.98 грн
100+120.03 грн
500+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi / Fairchild FCP11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.05 грн
10+124.14 грн
100+101.91 грн
500+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi fcp11n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.69 грн
50+147.88 грн
100+134.24 грн
500+103.54 грн
1000+96.33 грн
2000+93.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCP11N60N Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+139.65 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.66 грн
10+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.79 грн
10+138.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.96 грн
50+149.12 грн
100+135.38 грн
500+104.45 грн
1000+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi / Fairchild E1711D344E6150E9ED5468AE78976376AF5CE0EFF79C998B56134E130BA0FC92.pdf description MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 ON-Semicoductor fcpf11n60t-d.pdf description N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.14 грн
10+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+324.17 грн
10+206.76 грн
50+177.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi / Fairchild FCPF11N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.12 грн
10+177.10 грн
100+141.92 грн
500+117.76 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi fcpf11n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.09 грн
50+163.88 грн
100+149.02 грн
500+115.43 грн
1000+107.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60T FCPF11N60T onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.84 грн
50+156.88 грн
100+142.55 грн
500+110.22 грн
1000+102.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh11n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.82 грн
10+306.45 грн
100+200.05 грн
500+178.16 грн
1000+152.49 грн
3000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.24 грн
10+220.96 грн
100+157.31 грн
500+139.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.50 грн
10+258.70 грн
25+117.76 грн
100+106.44 грн
500+87.57 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.53 грн
10+179.70 грн
25+147.20 грн
100+117.01 грн
250+113.99 грн
500+104.93 грн
1000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.79 грн
10+186.84 грн
100+131.71 грн
500+112.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60C3XKSA1 SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 SPI11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+119.90 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+132.95 грн
10+102.23 грн
25+78.64 грн
50+59.76 грн
100+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.54 грн
10+127.39 грн
25+94.36 грн
50+71.72 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.73 грн
50+112.65 грн
100+101.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.12 грн
25+104.18 грн
100+88.32 грн
500+78.51 грн
1000+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N60CFD-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.13 грн
10+161.47 грн
100+111.72 грн
500+94.36 грн
1000+89.83 грн
2500+87.57 грн
5000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 261381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60S5 SPW11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.91 грн
10+105.91 грн
100+64.69 грн
500+51.71 грн
1000+49.45 грн
2500+41.90 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.69 грн
10+99.55 грн
100+67.76 грн
500+50.81 грн
1000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.76 грн
10+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.22 грн
50+78.92 грн
100+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.55 грн
10+62.42 грн
100+53.98 грн
500+53.07 грн
1000+50.88 грн
2000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.44 грн
10+105.91 грн
100+62.35 грн
500+49.75 грн
1000+45.07 грн
2000+42.27 грн
5000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-10-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 10PSI (0kPa ~ 68.95kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-CBC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-10-1-1-N-60-CBC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Cable Clamp
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 10PSI (0kPa ~ 68.95kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+78635.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-10-1-1-N-60-DC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-10-1-1-N-60-DC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Desiccant Cartridge
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 10PSI (0kPa ~ 68.95kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+78572.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-15-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-15-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 15PSI (0kPa ~ 103.42kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-200inH2O-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-200inH2O-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 7.25PSI (50kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-30-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-30-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 30PSI (0kPa ~ 206.84kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-5-1-1-N-60
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: IP68
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75792.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
612-5-1-1-N-60-DC 612_Submersible_Level_Transmitters.pdf
612-5-1-1-N-60-DC
Виробник: NOSHOK, Inc.
Description: Submersible Level Transmitter
Packaging: Bulk
Features: Desiccant Cartridge
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 0PSI ~ 5PSI (0kPa ~ 34.47kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Cable 18.3m
Voltage - Supply: 10 ~ 30VDC
Applications: Industrial
Port Style: Nosecone
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+78572.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+26.03 грн
100+24.93 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.91 грн
25+31.23 грн
100+29.91 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.59 грн
50+77.97 грн
100+69.99 грн
500+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.49 грн
15+27.21 грн
25+25.95 грн
100+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.91 грн
25+31.14 грн
100+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.31 грн
10+197.30 грн
100+139.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCI11N60 FAIRS27283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCI11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 64199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.18 грн
3+187.15 грн
10+158.84 грн
50+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
3+233.22 грн
10+190.61 грн
50+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 fcpf11n60t-d.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.18 грн
50+139.55 грн
100+126.54 грн
500+97.36 грн
1000+90.49 грн
2000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 90B83BBD051DC3B5D971C1B6475F114A0E5F9DA1191A2BCC0352DB962A8737CF.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.19 грн
10+144.98 грн
100+120.03 грн
500+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F-D.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.05 грн
10+124.14 грн
100+101.91 грн
500+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F fcp11n60f-d.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.69 грн
50+147.88 грн
100+134.24 грн
500+103.54 грн
1000+96.33 грн
2000+93.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP11N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+139.65 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.66 грн
10+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.79 грн
10+138.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.96 грн
50+149.12 грн
100+135.38 грн
500+104.45 грн
1000+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description E1711D344E6150E9ED5468AE78976376AF5CE0EFF79C998B56134E130BA0FC92.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.14 грн
10+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.17 грн
10+206.76 грн
50+177.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F-D.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.12 грн
10+177.10 грн
100+141.92 грн
500+117.76 грн
1000+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.09 грн
50+163.88 грн
100+149.02 грн
500+115.43 грн
1000+107.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60NT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60T fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.84 грн
50+156.88 грн
100+142.55 грн
500+110.22 грн
1000+102.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.82 грн
10+306.45 грн
100+200.05 грн
500+178.16 грн
1000+152.49 грн
3000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.24 грн
10+220.96 грн
100+157.31 грн
500+139.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf
SPA11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.50 грн
10+258.70 грн
25+117.76 грн
100+106.44 грн
500+87.57 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.53 грн
10+179.70 грн
25+147.20 грн
100+117.01 грн
250+113.99 грн
500+104.93 грн
1000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.79 грн
10+186.84 грн
100+131.71 грн
500+112.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+119.90 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.95 грн
10+102.23 грн
25+78.64 грн
50+59.76 грн
100+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.54 грн
10+127.39 грн
25+94.36 грн
50+71.72 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.73 грн
50+112.65 грн
100+101.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.12 грн
25+104.18 грн
100+88.32 грн
500+78.51 грн
1000+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon-SPP11N60CFD-DS-v02_07-en.pdf
SPP11N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.13 грн
10+161.47 грн
100+111.72 грн
500+94.36 грн
1000+89.83 грн
2500+87.57 грн
5000+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 261381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60S5 Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+150.93 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.91 грн
10+105.91 грн
100+64.69 грн
500+51.71 грн
1000+49.45 грн
2500+41.90 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.69 грн
10+99.55 грн
100+67.76 грн
500+50.81 грн
1000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.76 грн
10+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.22 грн
50+78.92 грн
100+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.55 грн
10+62.42 грн
100+53.98 грн
500+53.07 грн
1000+50.88 грн
2000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.44 грн
10+105.91 грн
100+62.35 грн
500+49.75 грн
1000+45.07 грн
2000+42.27 грн
5000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]