Результат пошуку "11n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOW11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.58 грн
9+ 40.26 грн
24+ 33.21 грн
65+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOW11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 706 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+50.17 грн
24+ 39.86 грн
65+ 37.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOW11N60 AOW11N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.64 грн
50+ 77.21 грн
100+ 63.53 грн
500+ 50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOWF11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.91 грн
10+ 33.82 грн
25+ 31.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOWF11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+42.14 грн
25+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi fcb11n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.43 грн
10+ 170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB11N60TM FCB11N60TM onsemi / Fairchild FCB11N60_D-2311542.pdf MOSFET HIGH POWER
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 513-522 дні (днів)
2+230.71 грн
10+ 191.85 грн
25+ 163.61 грн
100+ 134.62 грн
250+ 130.76 грн
500+ 126.25 грн
800+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCI11N60 FCI11N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 64279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 249
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.95 грн
7+ 122.12 грн
18+ 115.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+215.91 грн
3+ 185.62 грн
7+ 146.54 грн
18+ 138.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 FCP11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.74 грн
50+ 142.5 грн
100+ 122.14 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 87.24 грн
2000+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 FCP11N60 ON Semiconductor fcpf11n60t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FCP11N60F FCP11N60F onsemi / Fairchild FCP11N60F_D-2312086.pdf MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.18 грн
10+ 182.22 грн
50+ 125.61 грн
100+ 112.08 грн
500+ 105.64 грн
1000+ 101.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60F FCP11N60F onsemi fcp11n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 13993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.67 грн
50+ 153.16 грн
100+ 131.28 грн
500+ 109.51 грн
1000+ 93.77 грн
2000+ 88.3 грн
5000+ 83.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60N FCP11N60N Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 173
FCPF11N60 FCPF11N60 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+109.54 грн
Мінімальне замовлення: 175
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi / Fairchild FCPF11N60T_D-2311865.pdf description MOSFET 600V 11A N-CH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.92 грн
10+ 177.04 грн
50+ 152.66 грн
100+ 123.67 грн
250+ 123.03 грн
500+ 111.43 грн
1000+ 92.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi fcpf11n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.85 грн
50+ 173.94 грн
100+ 149.1 грн
500+ 124.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi / Fairchild FCPF11N60F_D-2312112.pdf MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.24 грн
10+ 207.41 грн
50+ 169.41 грн
100+ 145.57 грн
250+ 137.2 грн
500+ 129.47 грн
1000+ 104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 135
FCPF11N60T FCPF11N60T onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh11n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.17 грн
10+ 174.82 грн
25+ 143.64 грн
100+ 123.67 грн
250+ 115.94 грн
500+ 109.5 грн
1000+ 94.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.17 грн
10+ 196.79 грн
100+ 159.23 грн
500+ 132.83 грн
1000+ 113.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.94 грн
10+ 185.19 грн
25+ 122.38 грн
100+ 112.08 грн
250+ 98.55 грн
500+ 96.62 грн
1000+ 93.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx11N60C3 (E8185).pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.15 грн
50+ 155.87 грн
100+ 133.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en-3360040.pdf MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.73 грн
10+ 200.74 грн
100+ 141.06 грн
250+ 132.69 грн
500+ 124.96 грн
1000+ 101.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.57 грн
10+ 179.01 грн
100+ 144.81 грн
500+ 120.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.46 грн
2000+ 103.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPI11N60C3XKSA1 SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+93.62 грн
Мінімальне замовлення: 205
SPI11N60S5 SPI11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 260
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 526-535 дні (днів)
2+230.71 грн
25+ 180.74 грн
100+ 134.62 грн
500+ 119.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies spp11n60cfd_rev.2.7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 264881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 166
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 160
SPW11N60S5 SPW11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 160
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics std11n60dm2-1850365.pdf MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 4625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.99 грн
10+ 99.26 грн
100+ 68.92 грн
250+ 57.84 грн
500+ 49.15 грн
1000+ 47.21 грн
2500+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.09 грн
10+ 88.03 грн
100+ 70.06 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 47.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.61 грн
10+ 75.15 грн
13+ 63.07 грн
34+ 59.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.66 грн
50+ 89.48 грн
100+ 73.62 грн
500+ 58.46 грн
1000+ 49.6 грн
2000+ 47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics stf11n60dm2-1850418.pdf MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127 грн
10+ 79.26 грн
100+ 62.29 грн
250+ 60.48 грн
500+ 49.53 грн
1000+ 49.02 грн
2000+ 47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics stf11n60m2_ep-1850740.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.73 грн
10+ 97.78 грн
100+ 67.63 грн
250+ 56.94 грн
500+ 48.37 грн
1000+ 45.93 грн
2000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108 грн
10+ 86.62 грн
100+ 69 грн
500+ 54.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics stp11n60dm2-1851411.pdf MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.99 грн
10+ 77.04 грн
100+ 58.68 грн
250+ 58.62 грн
500+ 53.01 грн
1000+ 47.21 грн
2000+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.09 грн
50+ 85.21 грн
100+ 70.12 грн
500+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.33 грн
10+ 36.57 грн
25+ 32.21 грн
28+ 27.91 грн
77+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.99 грн
6+ 45.57 грн
25+ 38.65 грн
28+ 33.49 грн
77+ 31.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCB11N60 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60 fairchild 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60F fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF11N60/FSC FSC 08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF11N60NT ON Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60nt-d.pdf
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
INF-SPP11N60C3 SPP11N60C3 Микросхемы
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
MDF11N60
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+50.58 грн
9+ 40.26 грн
24+ 33.21 грн
65+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 706 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+50.17 грн
24+ 39.86 грн
65+ 37.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOW11N60 AOW11N60.pdf
AOW11N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.64 грн
50+ 77.21 грн
100+ 63.53 грн
500+ 50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOWF11N60 AOWF11N60.pdf
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+41.91 грн
10+ 33.82 грн
25+ 31.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOWF11N60 AOWF11N60.pdf
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+42.14 грн
25+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.43 грн
10+ 170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB11N60TM FCB11N60_D-2311542.pdf
FCB11N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 513-522 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.71 грн
10+ 191.85 грн
25+ 163.61 грн
100+ 134.62 грн
250+ 130.76 грн
500+ 126.25 грн
800+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCI11N60 FAIRS27283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCI11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 64279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 249
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.95 грн
7+ 122.12 грн
18+ 115.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.91 грн
3+ 185.62 грн
7+ 146.54 грн
18+ 138.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 fcpf11n60t-d.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.74 грн
50+ 142.5 грн
100+ 122.14 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 87.24 грн
2000+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60 fcpf11n60t-d.pdf
FCP11N60
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FCP11N60F FCP11N60F_D-2312086.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 5669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.18 грн
10+ 182.22 грн
50+ 125.61 грн
100+ 112.08 грн
500+ 105.64 грн
1000+ 101.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60F fcp11n60f-d.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 13993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.67 грн
50+ 153.16 грн
100+ 131.28 грн
500+ 109.51 грн
1000+ 93.77 грн
2000+ 88.3 грн
5000+ 83.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP11N60N FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP11N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 173
FCPF11N60 description FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+109.54 грн
Мінімальне замовлення: 175
FCPF11N60 description FCPF11N60T_D-2311865.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 11A N-CH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.92 грн
10+ 177.04 грн
50+ 152.66 грн
100+ 123.67 грн
250+ 123.03 грн
500+ 111.43 грн
1000+ 92.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.85 грн
50+ 173.94 грн
100+ 149.1 грн
500+ 124.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60F FCPF11N60F_D-2312112.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH MOSFET
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.24 грн
10+ 207.41 грн
50+ 169.41 грн
100+ 145.57 грн
250+ 137.2 грн
500+ 129.47 грн
1000+ 104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60NT
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 135
FCPF11N60T fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.17 грн
10+ 174.82 грн
25+ 143.64 грн
100+ 123.67 грн
250+ 115.94 грн
500+ 109.5 грн
1000+ 94.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.17 грн
10+ 196.79 грн
100+ 159.23 грн
500+ 132.83 грн
1000+ 113.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3 Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf
SPA11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.94 грн
10+ 185.19 грн
25+ 122.38 грн
100+ 112.08 грн
250+ 98.55 грн
500+ 96.62 грн
1000+ 93.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3 (E8185).pdf
SPA11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.15 грн
50+ 155.87 грн
100+ 133.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en-3360040.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.73 грн
10+ 200.74 грн
100+ 141.06 грн
250+ 132.69 грн
500+ 124.96 грн
1000+ 101.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.57 грн
10+ 179.01 грн
100+ 144.81 грн
500+ 120.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+114.46 грн
2000+ 103.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPI11N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+93.62 грн
Мінімальне замовлення: 205
SPI11N60S5 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 260
SPP11N60C3XKSA1 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP11N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 526-535 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.71 грн
25+ 180.74 грн
100+ 134.62 грн
500+ 119.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60CFDXKSA1 spp11n60cfd_rev.2.7.pdf
SPP11N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPW11N60C3FKSA1 SPW11N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 264881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 166
SPW11N60CFDFKSA1 SPW11N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 160
SPW11N60S5 Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 160
STD11N60DM2 std11n60dm2-1850365.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 4625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.99 грн
10+ 99.26 грн
100+ 68.92 грн
250+ 57.84 грн
500+ 49.15 грн
1000+ 47.21 грн
2500+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.09 грн
10+ 88.03 грн
100+ 70.06 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 47.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+115.61 грн
10+ 75.15 грн
13+ 63.07 грн
34+ 59.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.66 грн
50+ 89.48 грн
100+ 73.62 грн
500+ 58.46 грн
1000+ 49.6 грн
2000+ 47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60DM2 stf11n60dm2-1850418.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127 грн
10+ 79.26 грн
100+ 62.29 грн
250+ 60.48 грн
500+ 49.53 грн
1000+ 49.02 грн
2000+ 47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60M2-EP stf11n60m2_ep-1850740.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.73 грн
10+ 97.78 грн
100+ 67.63 грн
250+ 56.94 грн
500+ 48.37 грн
1000+ 45.93 грн
2000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108 грн
10+ 86.62 грн
100+ 69 грн
500+ 54.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 stp11n60dm2-1851411.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.99 грн
10+ 77.04 грн
100+ 58.68 грн
250+ 58.62 грн
500+ 53.01 грн
1000+ 47.21 грн
2000+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.09 грн
50+ 85.21 грн
100+ 70.12 грн
500+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMO11N60C2 WMx11N60C2.pdf
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.33 грн
10+ 36.57 грн
25+ 32.21 грн
28+ 27.91 грн
77+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMO11N60C2 WMx11N60C2.pdf
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.99 грн
6+ 45.57 грн
25+ 38.65 грн
28+ 33.49 грн
77+ 31.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCB11N60
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60
Виробник: fairchild
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB11N60F
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF11N60/FSC
Виробник: FSC
08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60nt-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
INF-SPP11N60C3
SPP11N60C3 Микросхемы
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
MDF11N60
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]