Результат пошуку "11n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
11N60 SIEMENS TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3 INFINEON 09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5 TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.91 грн
15+27.58 грн
25+26.39 грн
38+25.27 грн
103+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 AOW11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.37 грн
25+31.67 грн
38+30.33 грн
103+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.91 грн
15+27.58 грн
25+26.31 грн
94+26.07 грн
100+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 AOWF11N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.37 грн
25+31.57 грн
94+31.28 грн
100+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.21 грн
7+144.29 грн
18+136.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.17 грн
3+209.62 грн
7+173.15 грн
18+163.59 грн
250+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi / Fairchild fcpf11n60t-d.pdf MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.93 грн
10+158.42 грн
100+126.28 грн
500+114.03 грн
1000+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F FCP11N60F onsemi / Fairchild fcp11n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.11 грн
10+132.90 грн
100+111.74 грн
500+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.45 грн
8+123.57 грн
21+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.74 грн
8+153.98 грн
21+140.63 грн
500+136.80 грн
1000+134.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 onsemi / Fairchild fcpf11n60t-d.pdf FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.11 грн
10+131.14 грн
100+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 ON-Semicoductor fcpf11n60t-d.pdf FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.38 грн
6+164.22 грн
16+155.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F onsemi / Fairchild fcpf11n60f-d.pdf MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.90 грн
10+189.22 грн
100+148.47 грн
500+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh11n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.40 грн
10+325.64 грн
100+211.99 грн
500+189.03 грн
1000+162.25 грн
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.79 грн
10+249.07 грн
25+121.69 грн
100+110.21 грн
500+93.37 грн
1000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en-3360040.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.25 грн
10+214.75 грн
100+132.40 грн
500+114.03 грн
1000+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+266.83 грн
10+122.19 грн
27+110.97 грн
200+106.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.54 грн
25+114.41 грн
100+90.31 грн
500+84.18 грн
1000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP11N60CFD_DS_v02_07_en-3422129.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.90 грн
10+170.74 грн
100+118.62 грн
500+100.26 грн
1000+93.37 грн
2500+91.07 грн
5000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299437.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.43 грн
10+110.01 грн
100+68.73 грн
500+54.95 грн
1000+51.89 грн
2500+45.54 грн
5000+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.50 грн
10+84.50 грн
13+75.73 грн
34+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.60 грн
10+105.30 грн
13+90.88 грн
34+86.10 грн
500+83.23 грн
1000+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 STF11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299434.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.04 грн
10+64.16 грн
100+55.18 грн
500+52.96 грн
1000+52.88 грн
2000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP STF11N60M2-EP STMicroelectronics en.DM00286212.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.65 грн
10+109.13 грн
100+66.20 грн
500+52.73 грн
1000+48.44 грн
2000+44.85 грн
5000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299439.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.68 грн
10+68.83 грн
100+59.62 грн
1000+52.96 грн
2000+49.13 грн
5000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 WMO11N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECE8C5CFCE00C4&compId=WMx11N60C2.pdf?ci_sign=db2cde9e00c4eace681b4b38ef1050f8616c55b0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60 fairchild 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60F fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60/FSC FSC 08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT ON Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60nt-d.pdf
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
INF-SPP11N60C3 SPP11N60C3 Микросхемы
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60E
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60ED ONSMS05257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P11N60
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R3111N601A-TR-FF RICOH 2005
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INF INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+;
на замовлення 69400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Infineon INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFINEON INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-220 06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60CFD TI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 INFINEON Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 INFINEON Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 INFINEON 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C5
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5 INFINEON 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5 INFINEON 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5 INFINEON TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60
Виробник: SIEMENS
TO220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60C3
Виробник: INFINEON
09+ DIP-3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
11N60S5
TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.91 грн
15+27.58 грн
25+26.39 грн
38+25.27 грн
103+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOW11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C67489695FA259&compId=AOW11N60.pdf?ci_sign=8ae63b40ff04a03ac269396f8fcbb1e00ca1f405
AOW11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.37 грн
25+31.67 грн
38+30.33 грн
103+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.91 грн
15+27.58 грн
25+26.31 грн
94+26.07 грн
100+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOWF11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCE9D9DB1DE65E28&compId=AOWF11N60.pdf?ci_sign=987f07f3037f3bc11b4190b15babeb19045699b1
AOWF11N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Case: TO262F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30.6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.37 грн
25+31.57 грн
94+31.28 грн
100+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.21 грн
7+144.29 грн
18+136.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.17 грн
3+209.62 грн
7+173.15 грн
18+163.59 грн
250+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 fcpf11n60t-d.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.93 грн
10+158.42 грн
100+126.28 грн
500+114.03 грн
1000+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60F fcp11n60f-d.pdf
FCP11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.11 грн
10+132.90 грн
100+111.74 грн
500+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.45 грн
8+123.57 грн
21+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.74 грн
8+153.98 грн
21+140.63 грн
500+136.80 грн
1000+134.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF11N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 11A N-CH
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.11 грн
10+131.14 грн
100+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description fcpf11n60t-d.pdf FAIR-S-A0002365666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 11A 600V 36W 0.38Ω FCPF11N60 TFCPF11N60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.38 грн
6+164.22 грн
16+155.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH MOSFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+350.90 грн
10+189.22 грн
100+148.47 грн
500+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+338.40 грн
10+325.64 грн
100+211.99 грн
500+189.03 грн
1000+162.25 грн
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 Infineon_SPP_I_A11N60C3_E8185_DS_v03_03_EN-1732247.pdf
SPA11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.79 грн
10+249.07 грн
25+121.69 грн
100+110.21 грн
500+93.37 грн
1000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3 Infineon_SPB11N60C3_DS_v02_06_en-3360040.pdf
SPB11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.25 грн
10+214.75 грн
100+132.40 грн
500+114.03 грн
1000+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.83 грн
10+122.19 грн
27+110.97 грн
200+106.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.54 грн
25+114.41 грн
100+90.31 грн
500+84.18 грн
1000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon_SPP11N60CFD_DS_v02_07_en-3422129.pdf
SPP11N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.90 грн
10+170.74 грн
100+118.62 грн
500+100.26 грн
1000+93.37 грн
2500+91.07 грн
5000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 en.DM00299437.pdf
STD11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+110.01 грн
100+68.73 грн
500+54.95 грн
1000+51.89 грн
2500+45.54 грн
5000+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.50 грн
10+84.50 грн
13+75.73 грн
34+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.60 грн
10+105.30 грн
13+90.88 грн
34+86.10 грн
500+83.23 грн
1000+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60DM2 en.DM00299434.pdf
STF11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
10+64.16 грн
100+55.18 грн
500+52.96 грн
1000+52.88 грн
2000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF11N60M2-EP en.DM00286212.pdf
STF11N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.65 грн
10+109.13 грн
100+66.20 грн
500+52.73 грн
1000+48.44 грн
2000+44.85 грн
5000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 en.DM00299439.pdf
STP11N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.68 грн
10+68.83 грн
100+59.62 грн
1000+52.96 грн
2000+49.13 грн
5000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMO11N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DECE8C5CFCE00C4&compId=WMx11N60C2.pdf?ci_sign=db2cde9e00c4eace681b4b38ef1050f8616c55b0
WMO11N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60
Виробник: fairchild
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60F
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60/FSC
Виробник: FSC
08+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60nt-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
INF-SPP11N60C3
SPP11N60C3 Микросхемы
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP11N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60E
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGP11N60ED ONSMS05257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P11N60
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R3111N601A-TR-FF
Виробник: RICOH
2005
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
07+;
на замовлення 69400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3 INFN-S-A0004269590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
TO-220 06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60CFD
Виробник: TI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C2 Infineon-SPB11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C5
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60S5
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]