Результат пошуку "20n50" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG20N50C SIHG20N50C
Код товару: 44837
2 Додати до обраних Обраний товар
Vishay Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
  • 92 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+82.50 грн
10+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N50F 20N50F GOODWORK GK-ITO-220F-20N50F-2026.pdf Description: 500V 20A 260m@10V ITO-220F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A 3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A E-T-A D_3120-N_en.pdf Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A 3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A E-T-A D_3120_N...T1_en.pdf Circuit Breakers Min Ord Qty 10. The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for o
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5920_N-50-010/133_NE 5920_N-50-010/133_NE HUBER+SUHNER Huber_Suhner_5920_N-50-010133_NE.pdf Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50 Ohm, 20 dB, N
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6820_N-50-1/1--_NE 6820_N-50-1/1--_NE HUBER+SUHNER HuberSuhner_01042023_DOU-01161239.pdf Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50, 20 dB, N
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies BD60120N50100AHF.pdf Signal Conditioning
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies, Inc. BD60120N50100AHF.pdf Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF TTM Technologies, Inc. BD60120N50100AHF.pdf Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+74.14 грн
25+63.53 грн
50+52.74 грн
100+46.37 грн
250+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies, Inc. C20N50Z4.pdf Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard SMD
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.94 грн
10+229.45 грн
25+216.91 грн
100+187.39 грн
250+177.70 грн
500+170.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies C20N50Z4.pdf High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4 TTM Technologies, Inc. C20N50Z4.pdf Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard SMD
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited C20N50Z4B.pdf Description: SMD TERM 20W 50 OHM 6GHZ 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: 5G, AMPS, Cellular, DCS, GSM, LTE, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 20W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.73 грн
10+250.07 грн
25+236.40 грн
100+204.28 грн
250+193.75 грн
500+186.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B TTM Technologies C20N50Z4B.pdf High Frequency/RF Resistors
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102FCT CHV2220N500102FCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 COG 1000PF 1% 500V
Tolerance: ±1%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.68 грн
10+259.69 грн
50+220.09 грн
100+195.05 грн
500+175.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102JCT CHV2220N500102JCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 COG 1000PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.94 грн
10+187.91 грн
50+156.94 грн
100+138.31 грн
500+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500104KXT CHV2220N500104KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV2220N500105KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+113.46 грн
1500+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV2220N500105KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.29 грн
10+159.20 грн
50+131.94 грн
100+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500224KXT CHV2220N500224KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .22UF 10% 500V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500393KXT CHV2220N500393KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .039UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.94 грн
10+187.91 грн
50+156.94 грн
100+138.31 грн
500+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500472JCT CHV2220N500472JCT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+310.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500474KXT CHV2220N500474KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .47UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+71.32 грн
50+56.81 грн
100+49.11 грн
500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500684KXT CHV2220N500684KXT Cal-Chip Electronics, Inc. CHV-Series-2.pdf Description: HVCAP2220 X7R .68UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.68 µF
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.51 грн
10+239.53 грн
50+202.25 грн
100+178.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50 FDA20N50 Fairchild Semiconductor FAIRS31552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 79831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+246.41 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F onsemi FDB20N50F-D.pdf MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F onsemi FDB20N50F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F onsemi FDB20N50F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 13008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.92 грн
10+219.68 грн
50+171.56 грн
100+146.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.61 грн
3+217.19 грн
4+206.16 грн
10+169.68 грн
30+143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.21 грн
10+184.17 грн
50+143.32 грн
100+122.16 грн
500+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.83 грн
10+184.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.89 грн
10+223.80 грн
50+175.57 грн
100+150.19 грн
500+124.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT Fairchild info-tfdpf20n50ft.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.75 грн
3+235.01 грн
10+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T onsemi fdpf20n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.51 грн
10+221.59 грн
50+173.79 грн
100+148.65 грн
500+123.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T onsemi fdpf20n50t-d.pdf MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
на замовлення 7185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1D HGTG20N50C1D Harris Corporation HRISD027-3-71.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+590.57 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50C1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+526.10 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+263.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1D Harris Corporation HRISD027-3-76.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+263.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50EID Harris Corporation Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+263.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N50 IGTH20N50 Harris Corporation TOCSS00194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+211.12 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+456.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+440.39 грн
5+342.75 грн
10+305.42 грн
30+274.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFH20N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.25 грн
30+336.50 грн
60+307.69 грн
120+266.00 грн
510+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+403.84 грн
10+326.63 грн
30+278.28 грн
60+248.58 грн
120+235.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC120N-50 MC120N-50 Amphenol Positronic C014RevG3_PCS-2604346.pdf D-Sub Contacts
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF MOT20N50HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.63 грн
10+153.55 грн
100+92.11 грн
500+60.51 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W MOT20N50W Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_43.html Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.74 грн
10+224.18 грн
100+134.47 грн
600+88.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA NB20N50104JBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA NB20N50104JBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.47 грн
10+31.00 грн
11+29.32 грн
25+25.60 грн
50+24.33 грн
100+23.17 грн
500+20.49 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA NB20N50104KBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
6000+10.21 грн
9000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA NB20N50104KBA Kyocera AVX nb21-nb12-nb20.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA NB20N50104KBA KYOCERA AVX nb21-nb12-nb20.pdf Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
19+16.95 грн
20+16.03 грн
25+13.93 грн
50+13.20 грн
100+12.53 грн
500+11.00 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-E3 SIHA20N50E-E3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.25 грн
10+166.00 грн
50+128.22 грн
100+108.88 грн
500+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 SIHA20N50E-GE3 Vishay Siliconix siha20n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C
Код товару: 44837
2 Додати до обраних Обраний товар
SIHG20N50C
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
  • 92 шт - склад
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+82.50 грн
10+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
20N50F GK-ITO-220F-20N50F-2026.pdf
20N50F
Виробник: GOODWORK
Description: 500V 20A 260m@10V ITO-220F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A D_3120-N_en.pdf
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A D_3120_N...T1_en.pdf
3120-N503-G7Q1-W14DR4-X3120-U0200M-16A
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers Min Ord Qty 10. The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for o
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5920_N-50-010/133_NE Huber_Suhner_5920_N-50-010133_NE.pdf
5920_N-50-010/133_NE
Виробник: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50 Ohm, 20 dB, N
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
6820_N-50-1/1--_NE HuberSuhner_01042023_DOU-01161239.pdf
6820_N-50-1/1--_NE
Виробник: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50, 20 dB, N
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Виробник: TTM Technologies
Signal Conditioning
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD60120N50100AHF BD60120N50100AHF.pdf
BD60120N50100AHF
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: BALUN 5.9GHZ ~ 11.7GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 5.9GHz ~ 11.7GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 100Ohm
Insertion Loss (Max): 0.8dB
Return Loss (Min): 15dB
Phase Difference: 7°
Part Status: Active
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+74.14 грн
25+63.53 грн
50+52.74 грн
100+46.37 грн
250+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard SMD
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.94 грн
10+229.45 грн
25+216.91 грн
100+187.39 грн
250+177.70 грн
500+170.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Виробник: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4 C20N50Z4.pdf
C20N50Z4
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 20W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard SMD
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 2.3 GHz
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+181.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B.pdf
C20N50Z4B
Виробник: TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited
Description: SMD TERM 20W 50 OHM 6GHZ 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: 5G, AMPS, Cellular, DCS, GSM, LTE, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 20W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.73 грн
10+250.07 грн
25+236.40 грн
100+204.28 грн
250+193.75 грн
500+186.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C20N50Z4B C20N50Z4B.pdf
C20N50Z4B
Виробник: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102FCT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500102FCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 1000PF 1% 500V
Tolerance: ±1%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.68 грн
10+259.69 грн
50+220.09 грн
100+195.05 грн
500+175.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500102JCT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500102JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 1000PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.94 грн
10+187.91 грн
50+156.94 грн
100+138.31 грн
500+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500104KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500104KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500105KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+113.46 грн
1500+102.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500105KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500105KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R 1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 1 µF
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.29 грн
10+159.20 грн
50+131.94 грн
100+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500224KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500224KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .22UF 10% 500V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+122.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500393KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500393KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .039UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.94 грн
10+187.91 грн
50+156.94 грн
100+138.31 грн
500+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500472JCT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500472JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+310.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500474KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500474KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .47UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.80 грн
10+71.32 грн
50+56.81 грн
100+49.11 грн
500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CHV2220N500684KXT CHV-Series-2.pdf
CHV2220N500684KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP2220 X7R .68UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.68 µF
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.51 грн
10+239.53 грн
50+202.25 грн
100+178.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50 FAIRS31552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA20N50
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 79831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+246.41 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F-D.pdf
FDB20N50F
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F-D.pdf
FDB20N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+115.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F-D.pdf
FDB20N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 13008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+344.92 грн
10+219.68 грн
50+171.56 грн
100+146.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.61 грн
3+217.19 грн
4+206.16 грн
10+169.68 грн
30+143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.21 грн
10+184.17 грн
50+143.32 грн
100+122.16 грн
500+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.83 грн
10+184.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT-D.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.89 грн
10+223.80 грн
50+175.57 грн
100+150.19 грн
500+124.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT info-tfdpf20n50ft.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+120.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.75 грн
3+235.01 грн
10+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.51 грн
10+221.59 грн
50+173.79 грн
100+148.65 грн
500+123.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
на замовлення 7185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1D HRISD027-3-71.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N50C1D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+590.57 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50C1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+526.10 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+263.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1D HRISD027-3-76.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+263.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50EID
Виробник: Harris Corporation
Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+263.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N50 TOCSS00194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGTH20N50
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+211.12 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+456.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+440.39 грн
5+342.75 грн
10+305.42 грн
30+274.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8
IXFH20N50P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+600.25 грн
30+336.50 грн
60+307.69 грн
120+266.00 грн
510+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+403.84 грн
10+326.63 грн
30+278.28 грн
60+248.58 грн
120+235.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC120N-50 C014RevG3_PCS-2604346.pdf
MC120N-50
Виробник: Amphenol Positronic
D-Sub Contacts
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50HF
MOT20N50HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.63 грн
10+153.55 грн
100+92.11 грн
500+60.51 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT20N50W index_43.html
MOT20N50W
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+387.74 грн
10+224.18 грн
100+134.47 грн
600+88.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104JBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104JBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.47 грн
10+31.00 грн
11+29.32 грн
25+25.60 грн
50+24.33 грн
100+23.17 грн
500+20.49 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.04 грн
6000+10.21 грн
9000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Виробник: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NB20N50104KBA nb21-nb12-nb20.pdf
NB20N50104KBA
Виробник: KYOCERA AVX
Description: THERM NTC 100KOHM 4160K 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
B25/85: 4160K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
Power - Max: 240 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q200
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.62 грн
19+16.95 грн
20+16.03 грн
25+13.93 грн
50+13.20 грн
100+12.53 грн
500+11.00 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-E3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.25 грн
10+166.00 грн
50+128.22 грн
100+108.88 грн
500+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 siha20n50e.pdf
SIHA20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]