Результат пошуку "20n50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHG20N50C Код товару: 44837
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 2,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/ Монтаж: THT |
у наявності: 70 шт
35 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Харків 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A | E-T-A |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
5920_N-50-6/133_NE | HUBER+SUHNER |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BD60120N50100AHF | TTM Technologies |
![]() |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C20N50Z4 | TTM Technologies |
![]() |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB20N50F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 6096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP20N50F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 11036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50FT | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDPF20N50FT | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF20N50T | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFB20N50KPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 79 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB20N50KPBF | VISHAY |
![]() ![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXFA20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFA20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO263 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH20N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFQ20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFQ20N50P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 380W Case: TO3P On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFQ20N50P3 | IXYS |
![]() |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MC120N-50 | Amphenol Positronic |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NB20N50104JBA | Kyocera AVX |
![]() |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NB20N50104JBE | KYOCERA |
Category: SMD measurement NTC thermistors Description: NTC thermistor Type of sensor: NTC thermistor |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NB20N50104KBA | Kyocera AVX |
![]() |
на замовлення 8627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SIHG20N50C-E3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG20N50C-E3 | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG20N50C-E3 | Vishay |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SIHG20N50E-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SiHH20N50E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TSA20N50M | Truesemi | MOSFET силовой транзистор, TO-3P or TO247; 20.0A, 500V, RDS(on) = 0.26Ohm@VGS = 10 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор полевой SIHG20N50C-E3; 500v 20A; 280W, N-канальный; корпус: TO-247; VISHAY (шт) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFB20N50KPBF 20A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий SiHG20N50C 20A 500V N-ch TO-247 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF20N50 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDPF20N50T | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MTH20N50 |
на замовлення 9597 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MTM20N50 |
на замовлення 6878 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MTV20N50E | MOTO |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
MTV20N50E/D |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
MTW20N50E | ON |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
MTY20N50E/D |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
NB20N50104JBA |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NB20N50104MBA |
на замовлення 69800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
PFW20N50 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
PHW20N50E |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
R1120N501B | RICOH | 04+ SOT-153 |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RDD020N50TL |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RDX120N50 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SIGH20N50C |
на замовлення 846 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
SIHG20N50C | VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SiHG20N50C TO-247 | 10+ |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SLF20N50C |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
SIHG20N50C Код товару: 44837
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 2,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 2,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 70 шт
35 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 82.50 грн |
10+ | 74.80 грн |
3120-N501-N7Q1-W15FY2-16A |
![]() |
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
Circuit Breakers The 3120-N thermal circuit breaker/switch combination unites overcurrent protection and the function of an ON/OFF switch within a single component. The trip element is a thermal bimetal. Type 3120-N is ideally suited for overload prot
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2707.18 грн |
5+ | 2370.15 грн |
10+ | 1862.78 грн |
50+ | 1645.43 грн |
100+ | 1413.54 грн |
5920_N-50-6/133_NE |
![]() |
Виробник: HUBER+SUHNER
Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50 Ohm, 20 dB, N
Attenuators - Interconnects COAXIAL FIXED ATTENUATOR, 50 Ohm, 20 dB, N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13659.13 грн |
10+ | 11529.51 грн |
25+ | 9665.96 грн |
50+ | 9592.49 грн |
BD60120N50100AHF |
![]() |
Виробник: TTM Technologies
Signal Conditioning
Signal Conditioning
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 116.07 грн |
10+ | 83.96 грн |
25+ | 61.00 грн |
100+ | 54.34 грн |
250+ | 50.13 грн |
500+ | 47.45 грн |
1000+ | 32.22 грн |
C20N50Z4 |
![]() |
Виробник: TTM Technologies
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
High Frequency/RF Resistors DC-2.3GHz 50 ohms 20 Watts -50C +200C
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 383.93 грн |
10+ | 295.72 грн |
25+ | 232.66 грн |
50+ | 228.83 грн |
100+ | 210.46 грн |
250+ | 199.75 грн |
500+ | 189.03 грн |
FDB20N50F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V,
MOSFETs N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V,
на замовлення 6096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 305.36 грн |
10+ | 226.19 грн |
100+ | 141.58 грн |
500+ | 124.75 грн |
800+ | 121.69 грн |
FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.97 грн |
7+ | 148.28 грн |
18+ | 140.31 грн |
FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 298.77 грн |
7+ | 184.78 грн |
18+ | 168.37 грн |
FDP20N50F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 292.86 грн |
10+ | 134.66 грн |
100+ | 113.27 грн |
500+ | 110.21 грн |
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.18 грн |
3+ | 195.32 грн |
7+ | 151.47 грн |
18+ | 142.70 грн |
100+ | 137.92 грн |
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 348.22 грн |
2+ | 243.39 грн |
7+ | 181.76 грн |
18+ | 171.24 грн |
100+ | 165.50 грн |
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 343.76 грн |
10+ | 179.54 грн |
100+ | 141.58 грн |
500+ | 137.76 грн |
1000+ | 121.69 грн |
FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF20N50FT TFDPF20n50ft
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 121.43 грн |
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.60 грн |
3+ | 238.36 грн |
6+ | 172.99 грн |
15+ | 163.43 грн |
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
на замовлення 8665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 333.93 грн |
10+ | 224.43 грн |
100+ | 169.14 грн |
500+ | 150.00 грн |
1000+ | 140.05 грн |
IRFB20N50KPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
Транзистор польовий TO220AB N-Ch MOSFET; Uds = 500V; Ids =12A; 280W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.17 грн |
IRFB20N50KPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFB20N50KPBF THT N channel transistors
IRFB20N50KPBF THT N channel transistors
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.31 грн |
8+ | 144.45 грн |
22+ | 136.80 грн |
IXFA20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.10 грн |
3+ | 196.91 грн |
IXFA20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.31 грн |
3+ | 245.38 грн |
10+ | 220.03 грн |
50+ | 215.25 грн |
IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 450.73 грн |
4+ | 253.51 грн |
11+ | 239.96 грн |
IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 540.87 грн |
4+ | 315.91 грн |
11+ | 287.95 грн |
270+ | 276.47 грн |
IXFH20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 533.94 грн |
10+ | 341.48 грн |
120+ | 264.03 грн |
510+ | 237.25 грн |
IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 429.26 грн |
4+ | 243.94 грн |
11+ | 230.39 грн |
120+ | 223.22 грн |
IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 515.12 грн |
4+ | 303.99 грн |
11+ | 276.47 грн |
120+ | 267.86 грн |
300+ | 265.95 грн |
IXFQ20N50P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 508.04 грн |
10+ | 311.56 грн |
120+ | 225.00 грн |
1020+ | 211.99 грн |
2520+ | 208.93 грн |
MC120N-50 |
![]() |
Виробник: Amphenol Positronic
D-Sub Contacts
D-Sub Contacts
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 450.90 грн |
10+ | 404.85 грн |
25+ | 333.68 грн |
50+ | 325.26 грн |
100+ | 309.95 грн |
250+ | 271.69 грн |
500+ | 263.27 грн |
NB20N50104JBA |
![]() |
Виробник: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100KOhm 5%
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 29.75 грн |
25+ | 22.88 грн |
100+ | 21.74 грн |
500+ | 19.59 грн |
1000+ | 18.52 грн |
3000+ | 15.77 грн |
NB20N50104JBE |
Виробник: KYOCERA
Category: SMD measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor
Type of sensor: NTC thermistor
Category: SMD measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 14.42 грн |
NB20N50104KBA |
![]() |
Виробник: Kyocera AVX
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100kOhm 10%
на замовлення 8627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 17.68 грн |
23+ | 15.93 грн |
26+ | 12.17 грн |
100+ | 11.56 грн |
500+ | 10.33 грн |
1000+ | 9.72 грн |
3000+ | 8.95 грн |
SIHA20N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.11 грн |
10+ | 189.22 грн |
100+ | 114.80 грн |
500+ | 101.02 грн |
1000+ | 91.07 грн |
SIHB20N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.40 грн |
10+ | 168.10 грн |
100+ | 112.50 грн |
500+ | 105.61 грн |
SIHG20N50C-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIHG20N50C-E3 THT N channel transistors
SIHG20N50C-E3 THT N channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.20 грн |
7+ | 172.20 грн |
18+ | 162.63 грн |
SIHG20N50C-E3 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 122.21 грн |
SIHG20N50C-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 122.21 грн |
SIHG20N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.18 грн |
10+ | 189.22 грн |
100+ | 114.80 грн |
500+ | 113.27 грн |
1000+ | 105.61 грн |
SiHH20N50E-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 466.97 грн |
10+ | 316.84 грн |
100+ | 223.47 грн |
500+ | 194.39 грн |
1000+ | 179.85 грн |
SIHP20N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.47 грн |
10+ | 188.34 грн |
100+ | 114.03 грн |
500+ | 93.37 грн |
1000+ | 86.48 грн |
2000+ | 84.95 грн |
TSA20N50M |
Виробник: Truesemi
MOSFET силовой транзистор, TO-3P or TO247; 20.0A, 500V, RDS(on) = 0.26Ohm@VGS = 10 V
MOSFET силовой транзистор, TO-3P or TO247; 20.0A, 500V, RDS(on) = 0.26Ohm@VGS = 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.68 грн |
Транзистор полевой SIHG20N50C-E3; 500v 20A; 280W, N-канальный; корпус: TO-247; VISHAY (шт) |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 700.56 грн |
Транзистор польовий IRFB20N50KPBF 20A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 261.21 грн |
Транзистор польовий SiHG20N50C 20A 500V N-ch TO-247 |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 84.17 грн |
FDPF20N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MTV20N50E |
Виробник: MOTO
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MTW20N50E |
Виробник: ON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
R1120N501B |
Виробник: RICOH
04+ SOT-153
04+ SOT-153
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SIHG20N50C |
Виробник: VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SiHG20N50C TO-247 |
10+
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]