Результат пошуку "50n1" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
100pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A101K-L515B) 100pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A101K-L515B)
Код товару: 117368 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A101K-L515B
у наявності: 79 шт
10+0.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
10uF 25V X7R 10% 1210 (C1210B106K250N1-Hitano) 10uF 25V X7R 10% 1210 (C1210B106K250N1-Hitano)
Код товару: 153946 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
у наявності: 700 шт
10+9.4 грн
100+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
150pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A151K-L515B) 150pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A151K-L515B)
Код товару: 117370 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A151K-L515B
у наявності: 3416 шт
10+0.8 грн
100+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
220pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A221K-L515B) 220pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A221K-L515B)
Код товару: 117371 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 220 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A221K-L515B
у наявності: 710 шт
10+1 грн
100+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
330pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A331K-L515B) 330pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A331K-L515B)
Код товару: 117372 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 330 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A331K-L515B
у наявності: 2366 шт
10+1.4 грн
100+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 10
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano) 4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Код товару: 104948 		Hitano X7R_X5R.pdf Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1812
у наявності: 553 шт
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 11.2 грн
470pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A471K-L515B) 470pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A471K-L515B)
Код товару: 117373 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A471K-L515B
у наявності: 765 шт
10+1.4 грн
100+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
560pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A561K-L515B) 560pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A561K-L515B)
Код товару: 117374 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 560 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A561K-L515B
у наявності: 3459 шт
10+1.8 грн
100+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
680pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A681K-L515B) 680pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A681K-L515B)
Код товару: 117375 		Hitano classi_tsl-datasheet.pdf Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 680 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A681K-L515B
у наявності: 3240 шт
10+1.8 грн
100+ 1.6 грн
1000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
50N10-18P TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
302-141-014 (C-50/N1.02) 302-141-014 (C-50/N1.02) UNICON Category: C connectors
Description: Connector: C; plug; female; silver plated; Insulation: PTFE; 50Ω
Max. cable diameter: 10mm
Electrical mounting: clamp
Mechanical mounting: for cable
Spatial orientation: straight
Type of connector: C
Connector: plug
Kind of connector: female
Contact plating: silver plated
Insulator material: PTFE
Wave impedance: 50Ω
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+375.5 грн
3+ 280.49 грн
9+ 265.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
302-141-014 (C-50/N1.02) 302-141-014 (C-50/N1.02) UNICON Category: C connectors
Description: Connector: C; plug; female; silver plated; Insulation: PTFE; 50Ω
Max. cable diameter: 10mm
Electrical mounting: clamp
Mechanical mounting: for cable
Spatial orientation: straight
Type of connector: C
Connector: plug
Kind of connector: female
Contact plating: silver plated
Insulator material: PTFE
Wave impedance: 50Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+450.61 грн
3+ 349.54 грн
9+ 318.03 грн
ADUM150N1BRZ ADUM150N1BRZ Analog Devices Inc. ADuM150N-151N-152N.pdf Description: DGTL ISO 3000VRMS 5CH GP 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 5/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 13ns, 13ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 4.5ns
Number of Channels: 5
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.22 грн
10+ 300.6 грн
48+ 284.2 грн
ADUM150N1BRZ ADUM150N1BRZ Analog Devices ADuM150N_151N_152N-3122246.pdf Digital Isolators IC Robust 5 ch digitalI SO 5/0
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.42 грн
10+ 311.99 грн
96+ 222.71 грн
288+ 200.44 грн
528+ 168.72 грн
1008+ 159.94 грн
5040+ 155.22 грн
ADUM150N1BRZ ADUM150N1BRZ Analog Devices adum150n-151n-152n.pdf Digital Isolator CMOS 5-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ADUM250N1BRIZ ADUM250N1BRIZ Analog Devices ADuM250N_251N_252N-3121808.pdf Digital Isolators Robust 5kV 5 CH Digital ISO 5/0
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.91 грн
10+ 319.75 грн
111+ 263.87 грн
259+ 236.88 грн
518+ 200.44 грн
1036+ 189.64 грн
2516+ 186.26 грн
ADUM250N1BRIZ ADUM250N1BRIZ Analog Devices Inc. ADuM250N_251N_252N.pdf Description: DGTL ISO 5000VRMS 5CH GP 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 5/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 13ns, 13ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 4.5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 5
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.74 грн
10+ 355.99 грн
37+ 336.56 грн
111+ 273.73 грн
ASVV-24.576MHZ-L50-N102-T ASVV-24.576MHZ-L50-N102-T Abracon LLC ASVV.pdf Description: XTAL OSC VCXO 24.5760MHZ CMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS, TTL
Function: Standby (Power Down)
Type: VCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 8mA
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Frequency: 24.576 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.21 грн
10+ 164.78 грн
50+ 156.89 грн
100+ 128.83 грн
500+ 125.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
B84243A6050N107 B84243A6050N107 EPCOS / TDK Power Line Filters 3-LINE EMC FILTER 50A 520/300V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11437.8 грн
10+ 11230.17 грн
BD950N1G-CTR BD950N1G-CTR ROHM Semiconductor datasheet?p=BD950N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Linear Voltage Regulators 150MA QUICUR NANO 45V 5.0V LD
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.69 грн
10+ 78.39 грн
100+ 52.37 грн
500+ 46.23 грн
1000+ 36.51 грн
3000+ 36.44 грн
6000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
BD950N1G-CTR BD950N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD950N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA 5.0V, FI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.32 грн
10+ 52.94 грн
25+ 50.22 грн
100+ 38.74 грн
250+ 36.21 грн
500+ 32 грн
1000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD950N1WG-CTR BD950N1WG-CTR ROHM Semiconductor bd9xxn1_c_e-2948674.pdf LDO Voltage Regulators 150MA 5.0V LDO REGULATOR
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.34 грн
10+ 68.84 грн
100+ 46.7 грн
500+ 38.6 грн
1000+ 33.41 грн
3000+ 28.34 грн
6000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD950N1WG-CTR BD950N1WG-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD950N1WG-C&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NANO CAP, QUICUR, 150MA 5.0V, FI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73 грн
10+ 62.71 грн
25+ 59.56 грн
100+ 45.92 грн
250+ 42.92 грн
500+ 37.93 грн
1000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
BITC50N1 BITC50N1 VELLEMAN Category: Soldering tips
Description: Tip; conical; 0.5mm; for soldering station; VEL-VTSSC50N
Type of tip: for sold. irons with heating element
Tip shape: conical
Tip dimensions: 0.5mm
Applications of soldering equipment: for soldering station
Related items: VEL-VTSSC50N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+225.3 грн
3+ 206.74 грн
13+ 197.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+ 163.8 грн
100+ 132.52 грн
500+ 110.54 грн
1000+ 94.65 грн
2000+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC050N10NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360804.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 27878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.77 грн
10+ 141.25 грн
25+ 122.15 грн
100+ 104.6 грн
250+ 103.93 грн
500+ 96.51 грн
1000+ 90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS-5Power-Transistor, 100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ150N10LS3 G BSZ150N10LS3 G Infineon Technologies Infineon_BSZ150N10LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361011.pdf MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 9572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.53 грн
10+ 95.46 грн
100+ 65.93 грн
250+ 60.67 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 47.17 грн
2500+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ150N10LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361011.pdf MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 39797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.44 грн
10+ 91.58 грн
100+ 58.65 грн
250+ 57.77 грн
500+ 51.43 грн
1000+ 43.66 грн
2500+ 43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 7316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.04 грн
10+ 86.61 грн
100+ 68.93 грн
500+ 54.73 грн
1000+ 46.44 грн
2000+ 44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX BXS1150N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.28 грн
25+ 14.13 грн
36+ 9.93 грн
100+ 7.09 грн
250+ 3.55 грн
404+ 2.05 грн
1111+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX BXS1150N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+36.34 грн
15+ 17.61 грн
25+ 11.91 грн
100+ 8.51 грн
250+ 4.26 грн
404+ 2.45 грн
1111+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
C4H2350N10Z Ampleon USA Inc. product-catalog.pdf Description: RF MOSFET 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 5GHz
Gain: 19dB
Supplier Device Package: 6-DFN (4.5x4)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1391.43 грн
10+ 1231.71 грн
25+ 1180.66 грн
100+ 976.25 грн
250+ 928.34 грн
D950N18T D950N18T Infineon Technologies Infineon_D950N_DS_v03_01_en_de-3360111.pdf Rectifiers Rectifier Diode 950A 1800V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8926.95 грн
10+ 8439.31 грн
18+ 6963.98 грн
54+ 6656.91 грн
DAMI450N100 DAMI450N100 DACO Semiconductor DAMI450N100.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 320A; SOT227B; screw; Idm: 1.2kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 626W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2808.11 грн
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies Infineon_DDB6U50N16W1R_DataSheet_v00_10_DE-3161729.pdf Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4252.47 грн
10+ 3809.87 грн
24+ 3202.93 грн
48+ 3092.25 грн
120+ 2981.57 грн
264+ 2871.57 грн
504+ 2760.89 грн
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB6U50N16W1RP_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fb22db1fb79c4 Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3393.47 грн
10+ 2981 грн
30+ 2437.63 грн
60+ 2355.97 грн
120+ 2274.99 грн
270+ 2193.33 грн
510+ 2092.77 грн
DHP1050N10N5AUMA1 DHP1050N10N5AUMA1 Infineon Technologies Infineon_DHPX050N10N5_Datasheet_DataSheet_v01_00_E-2898629.pdf Isolated DC/DC Converters - Other DRIVER IC
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.43 грн
10+ 388.05 грн
100+ 276.7 грн
500+ 240.25 грн
1000+ 202.46 грн
4000+ 188.29 грн
FDB150N10 FDB150N10 onsemi fdb150n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.08 грн
10+ 211.39 грн
100+ 171.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.19 грн
7+ 52.72 грн
20+ 41.48 грн
55+ 39.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+89.03 грн
5+ 65.7 грн
20+ 49.77 грн
55+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.85 грн
5000+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.38 грн
10+ 60.67 грн
100+ 47.18 грн
500+ 37.54 грн
1000+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L onsemi / Fairchild FDD850N10L_D-2312289.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.67 грн
10+ 66.51 грн
100+ 45.01 грн
500+ 38.13 грн
1000+ 31.04 грн
2500+ 29.22 грн
5000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDI150N10 FDI150N10 onsemi / Fairchild FDI150N10_D-2312506.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.86 грн
10+ 165.31 грн
100+ 118.1 грн
500+ 99.88 грн
800+ 80.31 грн
2400+ 77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10 FDP150N10 onsemi / Fairchild FDP150N10_D-2312836.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.54 грн
10+ 150.56 грн
100+ 107.98 грн
250+ 105.95 грн
500+ 91.11 грн
800+ 71.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10 FDP150N10 onsemi fdp150n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.4 грн
50+ 137.53 грн
100+ 113.16 грн
500+ 89.86 грн
1000+ 76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaut150n10s5n035-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT150N10S5N035-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f246034af323f Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+106.4 грн
6000+ 98.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUT150N10S5N035-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f246034af323f Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
на замовлення 7513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+ 176.73 грн
100+ 142.96 грн
500+ 119.26 грн
1000+ 102.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUT150N10S5N035_DataSheet_v02_10_EN-3362001.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 10006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.84 грн
10+ 193.25 грн
25+ 159.94 грн
100+ 136.32 грн
250+ 128.9 грн
500+ 120.8 грн
1000+ 103.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
ICB12L50N10NO
+1
 		ICB12L50N10NO CARLO GAVAZZI ICB-M12-EN.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷10mm; 10÷36VDC; M12; IP67; 200mA
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...10mm
Output configuration: NPN / NO
Connection: lead 2m
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Max. operating current: 0.2A
Body material: nickel plated brass
Overall length: 71mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2780.85 грн
ICB12L50N10NO ICB12L50N10NO Carlo Gavazzi Inc. ICB12x30_04.pdf Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 10MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 4-Wire
Sensing Distance: 0.394" (10mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5878.18 грн
5+ 5377.59 грн
10+ 5207.74 грн
ICB12L50N10NOM1 ICB12L50N10NOM1 Carlo Gavazzi ICB12x30_06-1805770.pdf Proximity Sensors PROX SENSOR IND. M12 PLUG NPN NO NO-FLUSH
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5982.27 грн
5+ 5601.89 грн
10+ 4717.34 грн
25+ 4563.47 грн
ICB12L50N10PO ICB12L50N10PO CARLO GAVAZZI ICB-M12-EN.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷36VDC; M12; IP67; 200mA
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...10mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: lead 2m
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Max. operating current: 0.2A
Body material: nickel plated brass
Overall length: 71mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2835.36 грн
10+ 2682.41 грн
ICB12L50N10POM1 ICB12L50N10POM1 CARLO GAVAZZI ICB-M12-EN.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷36VDC; M12; IP67; 200mA
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...10mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Number of pins: 4
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Max. operating current: 0.2A
Body material: nickel plated brass
Overall length: 74mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3097.91 грн
ICS18L50N14POB2E1 ICS18L50N14POB2E1 Carlo Gavazzi ICS_E1_DS-2583661.pdf Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 CABLE LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8069.53 грн
5+ 7556.11 грн
10+ 6362.67 грн
25+ 6155.49 грн
ICS18L50N14POM1E1 ICS18L50N14POM1E1 Carlo Gavazzi ICS_E1_DS-2583661.pdf Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 PLUG LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8069.53 грн
5+ 7556.11 грн
10+ 6362.67 грн
25+ 6155.49 грн
100pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A101K-L515B)
Код товару: 117368		 classi_tsl-datasheet.pdf
100pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A101K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A101K-L515B
у наявності: 79 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
10uF 25V X7R 10% 1210 (C1210B106K250N1-Hitano)
Код товару: 153946		 mlcc-approval_20190116.pdf
10uF 25V X7R 10% 1210 (C1210B106K250N1-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1210
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1210
у наявності: 700 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+9.4 грн
100+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
150pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A151K-L515B)
Код товару: 117370		 classi_tsl-datasheet.pdf
150pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A151K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A151K-L515B
у наявності: 3416 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.8 грн
100+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
220pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A221K-L515B)
Код товару: 117371		 classi_tsl-datasheet.pdf
220pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A221K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 220 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A221K-L515B
у наявності: 710 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1 грн
100+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
330pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A331K-L515B)
Код товару: 117372		 classi_tsl-datasheet.pdf
330pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A331K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 330 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A331K-L515B
у наявності: 2366 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1.4 грн
100+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 10
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Код товару: 104948		 X7R_X5R.pdf
4,7uF 25V X7R 10% 1812 (1812B475K250N1 – Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1812
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1812
у наявності: 553 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 11.2 грн
470pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A471K-L515B)
Код товару: 117373		 classi_tsl-datasheet.pdf
470pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A471K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A471K-L515B
у наявності: 765 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1.4 грн
100+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
560pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A561K-L515B)
Код товару: 117374		 classi_tsl-datasheet.pdf
560pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A561K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 560 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A561K-L515B
у наявності: 3459 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1.8 грн
100+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
680pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A681K-L515B)
Код товару: 117375		 classi_tsl-datasheet.pdf
680pF 100V P350~N1000 K(+/-10%) D<=5mm (TSL2A681K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 680 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: P350~N1000
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TSL2A681K-L515B
у наявності: 3240 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1.8 грн
100+ 1.6 грн
1000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
50N10-18P
TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
302-141-014 (C-50/N1.02)
302-141-014 (C-50/N1.02)
Виробник: UNICON
Category: C connectors
Description: Connector: C; plug; female; silver plated; Insulation: PTFE; 50Ω
Max. cable diameter: 10mm
Electrical mounting: clamp
Mechanical mounting: for cable
Spatial orientation: straight
Type of connector: C
Connector: plug
Kind of connector: female
Contact plating: silver plated
Insulator material: PTFE
Wave impedance: 50Ω
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+375.5 грн
3+ 280.49 грн
9+ 265.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
302-141-014 (C-50/N1.02)
302-141-014 (C-50/N1.02)
Виробник: UNICON
Category: C connectors
Description: Connector: C; plug; female; silver plated; Insulation: PTFE; 50Ω
Max. cable diameter: 10mm
Electrical mounting: clamp
Mechanical mounting: for cable
Spatial orientation: straight
Type of connector: C
Connector: plug
Kind of connector: female
Contact plating: silver plated
Insulator material: PTFE
Wave impedance: 50Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.61 грн
3+ 349.54 грн
9+ 318.03 грн
ADUM150N1BRZ ADuM150N-151N-152N.pdf
ADUM150N1BRZ
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: DGTL ISO 3000VRMS 5CH GP 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 5/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 13ns, 13ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 4.5ns
Number of Channels: 5
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.22 грн
10+ 300.6 грн
48+ 284.2 грн
ADUM150N1BRZ ADuM150N_151N_152N-3122246.pdf
ADUM150N1BRZ
Виробник: Analog Devices
Digital Isolators IC Robust 5 ch digitalI SO 5/0
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.42 грн
10+ 311.99 грн
96+ 222.71 грн
288+ 200.44 грн
528+ 168.72 грн
1008+ 159.94 грн
5040+ 155.22 грн
ADUM150N1BRZ adum150n-151n-152n.pdf
ADUM150N1BRZ
Виробник: Analog Devices
Digital Isolator CMOS 5-CH 150Mbps 16-Pin SOIC N Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ADUM250N1BRIZ ADuM250N_251N_252N-3121808.pdf
ADUM250N1BRIZ
Виробник: Analog Devices
Digital Isolators Robust 5kV 5 CH Digital ISO 5/0
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.91 грн
10+ 319.75 грн
111+ 263.87 грн
259+ 236.88 грн
518+ 200.44 грн
1036+ 189.64 грн
2516+ 186.26 грн
ADUM250N1BRIZ ADuM250N_251N_252N.pdf
ADUM250N1BRIZ
Виробник: Analog Devices Inc.
Description: DGTL ISO 5000VRMS 5CH GP 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Data Rate: 150Mbps
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Inputs - Side 1/Side 2: 5/0
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 13ns, 13ns
Isolated Power: No
Channel Type: Unidirectional
Pulse Width Distortion (Max): 4.5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 5
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+411.74 грн
10+ 355.99 грн
37+ 336.56 грн
111+ 273.73 грн
ASVV-24.576MHZ-L50-N102-T ASVV.pdf
ASVV-24.576MHZ-L50-N102-T
Виробник: Abracon LLC
Description: XTAL OSC VCXO 24.5760MHZ CMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS, TTL
Function: Standby (Power Down)
Type: VCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 8mA
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Frequency: 24.576 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.21 грн
10+ 164.78 грн
50+ 156.89 грн
100+ 128.83 грн
500+ 125.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
B84243A6050N107
B84243A6050N107
Виробник: EPCOS / TDK
Power Line Filters 3-LINE EMC FILTER 50A 520/300V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11437.8 грн
10+ 11230.17 грн
BD950N1G-CTR datasheet?p=BD950N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD950N1G-CTR
Виробник: ROHM Semiconductor
Linear Voltage Regulators 150MA QUICUR NANO 45V 5.0V LD
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.69 грн
10+ 78.39 грн
100+ 52.37 грн
500+ 46.23 грн
1000+ 36.51 грн
3000+ 36.44 грн
6000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
BD950N1G-CTR datasheet?p=BD950N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD950N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA 5.0V, FI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.32 грн
10+ 52.94 грн
25+ 50.22 грн
100+ 38.74 грн
250+ 36.21 грн
500+ 32 грн
1000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD950N1WG-CTR bd9xxn1_c_e-2948674.pdf
BD950N1WG-CTR
Виробник: ROHM Semiconductor
LDO Voltage Regulators 150MA 5.0V LDO REGULATOR
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.34 грн
10+ 68.84 грн
100+ 46.7 грн
500+ 38.6 грн
1000+ 33.41 грн
3000+ 28.34 грн
6000+ 27.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD950N1WG-CTR datasheet?p=BD950N1WG-C&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BD950N1WG-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NANO CAP, QUICUR, 150MA 5.0V, FI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.5V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73 грн
10+ 62.71 грн
25+ 59.56 грн
100+ 45.92 грн
250+ 42.92 грн
500+ 37.93 грн
1000+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
BITC50N1
BITC50N1
Виробник: VELLEMAN
Category: Soldering tips
Description: Tip; conical; 0.5mm; for soldering station; VEL-VTSSC50N
Type of tip: for sold. irons with heating element
Tip shape: conical
Tip dimensions: 0.5mm
Applications of soldering equipment: for soldering station
Related items: VEL-VTSSC50N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.3 грн
3+ 206.74 грн
13+ 197.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.22 грн
10+ 163.8 грн
100+ 132.52 грн
500+ 110.54 грн
1000+ 94.65 грн
2000+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon_BSC050N10NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360804.pdf
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 27878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.77 грн
10+ 141.25 грн
25+ 122.15 грн
100+ 104.6 грн
250+ 103.93 грн
500+ 96.51 грн
1000+ 90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC050N10NS5ATMA1 infineon-bsc050n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS-5Power-Transistor, 100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ150N10LS3 G Infineon_BSZ150N10LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361011.pdf
BSZ150N10LS3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 9572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.53 грн
10+ 95.46 грн
100+ 65.93 грн
250+ 60.67 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 47.17 грн
2500+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon_BSZ150N10LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361011.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 39797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.44 грн
10+ 91.58 грн
100+ 58.65 грн
250+ 57.77 грн
500+ 51.43 грн
1000+ 43.66 грн
2500+ 43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 7316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.04 грн
10+ 86.61 грн
100+ 68.93 грн
500+ 54.73 грн
1000+ 46.44 грн
2000+ 44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
BXS1150N10M BXS1150N10M.pdf
BXS1150N10M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.28 грн
25+ 14.13 грн
36+ 9.93 грн
100+ 7.09 грн
250+ 3.55 грн
404+ 2.05 грн
1111+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
BXS1150N10M BXS1150N10M.pdf
BXS1150N10M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.34 грн
15+ 17.61 грн
25+ 11.91 грн
100+ 8.51 грн
250+ 4.26 грн
404+ 2.45 грн
1111+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
C4H2350N10Z product-catalog.pdf
Виробник: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 5GHz
Gain: 19dB
Supplier Device Package: 6-DFN (4.5x4)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1391.43 грн
10+ 1231.71 грн
25+ 1180.66 грн
100+ 976.25 грн
250+ 928.34 грн
D950N18T Infineon_D950N_DS_v03_01_en_de-3360111.pdf
D950N18T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 950A 1800V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8926.95 грн
10+ 8439.31 грн
18+ 6963.98 грн
54+ 6656.91 грн
DAMI450N100 DAMI450N100.pdf
DAMI450N100
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 320A; SOT227B; screw; Idm: 1.2kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 626W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2808.11 грн
DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon_DDB6U50N16W1R_DataSheet_v00_10_DE-3161729.pdf
DDB6U50N16W1RBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4252.47 грн
10+ 3809.87 грн
24+ 3202.93 грн
48+ 3092.25 грн
120+ 2981.57 грн
264+ 2871.57 грн
504+ 2760.89 грн
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon-DDB6U50N16W1RP_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fb22db1fb79c4
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3393.47 грн
10+ 2981 грн
30+ 2437.63 грн
60+ 2355.97 грн
120+ 2274.99 грн
270+ 2193.33 грн
510+ 2092.77 грн
DHP1050N10N5AUMA1 Infineon_DHPX050N10N5_Datasheet_DataSheet_v01_00_E-2898629.pdf
DHP1050N10N5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Isolated DC/DC Converters - Other DRIVER IC
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.43 грн
10+ 388.05 грн
100+ 276.7 грн
500+ 240.25 грн
1000+ 202.46 грн
4000+ 188.29 грн
FDB150N10 fdb150n10-d.pdf
FDB150N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.08 грн
10+ 211.39 грн
100+ 171.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+74.19 грн
7+ 52.72 грн
20+ 41.48 грн
55+ 39.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.03 грн
5+ 65.7 грн
20+ 49.77 грн
55+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.85 грн
5000+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.38 грн
10+ 60.67 грн
100+ 47.18 грн
500+ 37.54 грн
1000+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L fdd850n10l.pdf
FDD850N10L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L_D-2312289.pdf
FDD850N10L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.67 грн
10+ 66.51 грн
100+ 45.01 грн
500+ 38.13 грн
1000+ 31.04 грн
2500+ 29.22 грн
5000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDI150N10 FDI150N10_D-2312506.pdf
FDI150N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.86 грн
10+ 165.31 грн
100+ 118.1 грн
500+ 99.88 грн
800+ 80.31 грн
2400+ 77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10 FDP150N10_D-2312836.pdf
FDP150N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.54 грн
10+ 150.56 грн
100+ 107.98 грн
250+ 105.95 грн
500+ 91.11 грн
800+ 71.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP150N10 fdp150n10-d.pdf
FDP150N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.4 грн
50+ 137.53 грн
100+ 113.16 грн
500+ 89.86 грн
1000+ 76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUT150N10S5N035ATMA1 infineon-iaut150n10s5n035-datasheet-v02_00-en.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 150A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon-IAUT150N10S5N035-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f246034af323f
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+106.4 грн
6000+ 98.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon-IAUT150N10S5N035-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f246034af323f
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6110 pF @ 50 V
на замовлення 7513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.01 грн
10+ 176.73 грн
100+ 142.96 грн
500+ 119.26 грн
1000+ 102.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon_IAUT150N10S5N035_DataSheet_v02_10_EN-3362001.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 10006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.84 грн
10+ 193.25 грн
25+ 159.94 грн
100+ 136.32 грн
250+ 128.9 грн
500+ 120.8 грн
1000+ 103.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
ICB12L50N10NO ICB-M12-EN.pdf
ICB12L50N10NO
+1
Виробник: CARLO GAVAZZI
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷10mm; 10÷36VDC; M12; IP67; 200mA
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...10mm
Output configuration: NPN / NO
Connection: lead 2m
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Max. operating current: 0.2A
Body material: nickel plated brass
Overall length: 71mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2780.85 грн
ICB12L50N10NO ICB12x30_04.pdf
ICB12L50N10NO
Виробник: Carlo Gavazzi Inc.
Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 10MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 4-Wire
Sensing Distance: 0.394" (10mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5878.18 грн
5+ 5377.59 грн
10+ 5207.74 грн
ICB12L50N10NOM1 ICB12x30_06-1805770.pdf
ICB12L50N10NOM1
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors PROX SENSOR IND. M12 PLUG NPN NO NO-FLUSH
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5982.27 грн
5+ 5601.89 грн
10+ 4717.34 грн
25+ 4563.47 грн
ICB12L50N10PO ICB-M12-EN.pdf
ICB12L50N10PO
Виробник: CARLO GAVAZZI
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷36VDC; M12; IP67; 200mA
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...10mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: lead 2m
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Max. operating current: 0.2A
Body material: nickel plated brass
Overall length: 71mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2835.36 грн
10+ 2682.41 грн
ICB12L50N10POM1 ICB-M12-EN.pdf
ICB12L50N10POM1
Виробник: CARLO GAVAZZI
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷10mm; 10÷36VDC; M12; IP67; 200mA
Operating temperature: -25...70°C
Range: 0...10mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Number of pins: 4
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Max. operating current: 0.2A
Body material: nickel plated brass
Overall length: 74mm
Switching frequency max: 2kHz
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3097.91 грн
ICS18L50N14POB2E1 ICS_E1_DS-2583661.pdf
ICS18L50N14POB2E1
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 CABLE LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8069.53 грн
5+ 7556.11 грн
10+ 6362.67 грн
25+ 6155.49 грн
ICS18L50N14POM1E1 ICS_E1_DS-2583661.pdf
ICS18L50N14POM1E1
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors IND PROX SENS. E1 M18 PLUG LONG PNP NO NON-FLUSH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8069.53 грн
5+ 7556.11 грн
10+ 6362.67 грн
25+ 6155.49 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]