Результат пошуку "60n60" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXGN60N60 IXYS 97521.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60 ABB 97521.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60C2 IXYS DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf 60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60C2D1 IXYS DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf 60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60C2D1 IXYS DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf SOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGR60N60U1 IXYS 98595.pdf 00+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGX60N60C2D1 IXYS IXG(K,X) 60N60C2D1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MT60N60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60 FSC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60FD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UFD FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UFD(G160N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UFDTU===Fairchild
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT160N600KOC AEG 05+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT60N600KOF AEG 05+
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU
Код товару: 101205 		fga60n60ufd-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
G160N60 (UFD)
Код товару: 48745 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550 		Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFN60N60 IXFN60N60
Код товару: 84688 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn60n60_datasheet.pdf.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXGH60N60C2 IXGH60N60C2
Код товару: 30178 		littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh60n60c2_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 480 W
товар відсутній
IXGH60N60C3 IXGH60N60C3
Код товару: 113398 		littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh60n60c3_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGH60N60C3D1
Код товару: 148221 		littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGN60N60
Код товару: 173038 		97521.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGN60N60C2D1 IXGN60N60C2D1
Код товару: 36189 		DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGR60N60C2D1
Код товару: 197330 		99051.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU
Код товару: 46014 		sgl160n60ufd-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
STW26NM60N (600V, 20A)
Код товару: 42872 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
APT60N60BCSG APT60N60BCSG MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT60N60BCSG APT60N60BCSG MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology apt60n60b_scsg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT60N60SCS APT60N60SCS Microchip Technology apt60n60b_scsg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
APT60N60SCSG APT60N60SCSG MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT60N60SCSG APT60N60SCSG MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT60N60SCSG APT60N60SCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
APT60N60SCSG APT60N60SCSG Microchip Technology apt60n60b_scsg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT60N60SCSG APT60N60SCSG Microchip Technology APT60N60BCSG_SCSG_D-1593324.pdf MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-268
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR APT60N60SCSG/TR Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR APT60N60SCSG/TR Microchip Technology apt60n60b_scsg_c.pdf Super Junction MOSFET
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR APT60N60SCSG/TR Microchip Technology apt60n60b_scsg_c.pdf Super Junction MOSFET
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR Microchip Technology 00003052-1593450.pdf MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-268 Tape & Reel
товар відсутній
DAMH360N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 300A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMH360N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 300A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMH660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 500A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMH660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 500A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMH960N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 720A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMH960N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 720A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMIA960N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMIA960N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCP260N60E FCP260N60E ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCPF260N60E FCPF260N60E ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU ON Semiconductor fga60n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGA60N60UFDTU FGA60N60UFDTU onsemi fga60n60ufd-d.pdf Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній
FGA60N60UFDTU ON Semiconductor fga60n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU onsemi fgh60n60sfd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU ON Semiconductor 3656005377126415fgh60n60sfd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085 FGH60N60SFDTU-F085 ON Semiconductor fgh60n60sf_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU onsemi fgh60n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU ON Semiconductor fgh60n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 397 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+580.33 грн
3+ 385.43 грн
8+ 351.23 грн
IXGN60N60 97521.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60 97521.pdf
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60C2 DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf
Виробник: IXYS
60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60C2D1 DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf
Виробник: IXYS
60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN60N60C2D1 DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf
Виробник: IXYS
SOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGR60N60U1 98595.pdf
Виробник: IXYS
00+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGX60N60C2D1 IXG(K,X) 60N60C2D1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MT60N60
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60
Виробник: FSC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60FD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UFD
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UFD(G160N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL160N60UFDTU===Fairchild
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT160N600KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT60N600KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA60N60UFDTU
Код товару: 101205		 fga60n60ufd-d.pdf
FGA60N60UFDTU
Транзистори > IGBT
товар відсутній
G160N60 (UFD)
Код товару: 48745
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550		 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFN60N60
Код товару: 84688		 description littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn60n60_datasheet.pdf.pdf
IXFN60N60
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXGH60N60C2
Код товару: 30178		 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh60n60c2_datasheet.pdf.pdf
IXGH60N60C2
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 480 W
товар відсутній
IXGH60N60C3
Код товару: 113398		 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh60n60c3_datasheet.pdf.pdf
IXGH60N60C3
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGH60N60C3D1
Код товару: 148221		 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGN60N60
Код товару: 173038		 97521.pdf
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGN60N60C2D1
Код товару: 36189		 DS99177A(IXGN60N60C2-D1).pdf
IXGN60N60C2D1
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGR60N60C2D1
Код товару: 197330		 99051.pdf
Транзистори > IGBT
товар відсутній
SGL160N60UFDTU
Код товару: 46014		 sgl160n60ufd-d.pdf
SGL160N60UFDTU
Транзистори > IGBT
товар відсутній
STW26NM60N (600V, 20A)
Код товару: 42872
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT60N60BCSG apt60n60b_scsg_c.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT60N60SCS apt60n60b_scsg_c.pdf
APT60N60SCS
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
APT60N60SCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60SCSG
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT60N60SCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60SCSG
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT60N60SCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60SCSG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
APT60N60SCSG apt60n60b_scsg_c.pdf
APT60N60SCSG
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT60N60SCSG APT60N60BCSG_SCSG_D-1593324.pdf
APT60N60SCSG
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-268
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60SCSG/TR
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR apt60n60b_scsg_c.pdf
APT60N60SCSG/TR
Виробник: Microchip Technology
Super Junction MOSFET
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR apt60n60b_scsg_c.pdf
APT60N60SCSG/TR
Виробник: Microchip Technology
Super Junction MOSFET
товар відсутній
APT60N60SCSG/TR 00003052-1593450.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-268 Tape & Reel
товар відсутній
DAMH360N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 300A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMH360N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 300A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMH660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 500A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMH660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 500A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMH960N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 720A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMH960N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 60V; 720A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAMIA960N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
DAMIA960N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCP260N60E fcpf260n60e.pdf
FCP260N60E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCPF260N60E fcpf260n60e.pdf
FCPF260N60E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd.pdf
FGA60N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd-d.pdf
FGA60N60UFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 120A 298W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFDTU 3656005377126415fgh60n60sfd.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085 fgh60n60sf_f085-d.pdf
FGH60N60SFDTU-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFTU fgh60n60sf-d.pdf
FGH60N60SFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFTU fgh60n60sf-d.pdf
FGH60N60SFTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 397 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.33 грн
3+ 385.43 грн
8+ 351.23 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]