Результат пошуку "60n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883 		FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 27 шт
очікується: 100 шт
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Код товару: 60291 		FAIR/ON FGH60N60SMDcvd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 100 шт
1+255 грн
10+ 239 грн
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1363.8 грн
100+ 1066.54 грн
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 60 A TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1460.81 грн
100+ 1242.86 грн
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2762.31 грн
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3314.78 грн
10+ 3151.55 грн
FCP260N60E FCP260N60E onsemi ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.87 грн
50+ 111.17 грн
100+ 95.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP260N60E FCP260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-2311713.pdf MOSFET PWM Controller mWSaver
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.64 грн
10+ 184.1 грн
50+ 150.12 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.56 грн
500+ 98.97 грн
800+ 92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-2311713.pdf MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.22 грн
10+ 135.21 грн
50+ 116.91 грн
100+ 102.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 190
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.65 грн
10+ 186.62 грн
100+ 150.95 грн
500+ 125.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor fga60n60ufd-d.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+249.6 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.61 грн
3+ 309.3 грн
8+ 292 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+580.33 грн
3+ 385.43 грн
8+ 350.4 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.69 грн
30+ 328.14 грн
120+ 281.26 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi / Fairchild FGH60N60SMD_D-2313587.pdf IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.63 грн
25+ 367.43 грн
100+ 273.67 грн
450+ 243.12 грн
900+ 211.23 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ON Semiconductor fgh60n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.25 грн
10+ 436.95 грн
25+ 324.82 грн
100+ 294.93 грн
240+ 271.68 грн
480+ 233.82 грн
1200+ 222.53 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.47 грн
3+ 311.37 грн
8+ 294.07 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+514.16 грн
3+ 388.02 грн
8+ 352.89 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.09 грн
30+ 345.48 грн
120+ 309.12 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.28 грн
10+ 374.31 грн
25+ 295.59 грн
100+ 258.4 грн
240+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.93 грн
10+ 566.97 грн
240+ 444.66 грн
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+736.22 грн
10+ 621.05 грн
25+ 512.81 грн
100+ 502.84 грн
240+ 410.51 грн
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.7 грн
10+ 458.34 грн
25+ 361.36 грн
100+ 331.46 грн
240+ 312.2 грн
480+ 292.27 грн
1200+ 276.33 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.12 грн
3+ 336.28 грн
7+ 318.29 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+624.15 грн
3+ 419.06 грн
7+ 381.95 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.86 грн
10+ 417.44 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH60N60X3 IXFH60N60X3 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.37 грн
IXFH60N60X3 IXFH60N60X3 IXYS media-3322147.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+866.41 грн
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV IXYS media-3321586.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.41 грн
10+ 731.81 грн
30+ 603.81 грн
120+ 530.74 грн
270+ 530.08 грн
510+ 468.3 грн
1020+ 421.14 грн
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixft60n60x3hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.37 грн
30+ 621.59 грн
120+ 556.14 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.35 грн
2+ 425.54 грн
6+ 402.71 грн
30+ 402.01 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+767.22 грн
2+ 530.29 грн
6+ 483.25 грн
30+ 482.42 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS media-3321016.pdf IGBT Transistors 60 Amps 600V
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.79 грн
10+ 669.94 грн
30+ 567.28 грн
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.53 грн
3+ 310.68 грн
8+ 294.07 грн
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+503.43 грн
3+ 387.15 грн
8+ 352.89 грн
30+ 347.07 грн
NGTB60N60SWG NGTB60N60SWG onsemi ngtb60n60sw-d.pdf Description: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+233.45 грн
Мінімальне замовлення: 87
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.57 грн
10+ 155.48 грн
100+ 125.77 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit PJMD360N60EC-2902596.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.14 грн
10+ 170.35 грн
25+ 140.16 грн
100+ 120.23 грн
250+ 113.59 грн
500+ 106.95 грн
1000+ 91.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.13 грн
10+ 256.36 грн
100+ 221.25 грн
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit PJMF360N60EC-2902583.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.74 грн
10+ 186.39 грн
25+ 153.44 грн
100+ 130.86 грн
250+ 124.22 грн
500+ 116.91 грн
1000+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.57 грн
50+ 146.73 грн
100+ 125.76 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit PJMP360N60EC-2902565.pdf MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.32 грн
10+ 181.81 грн
25+ 148.79 грн
100+ 128.2 грн
250+ 120.23 грн
500+ 113.59 грн
1000+ 103.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.16 грн
2+ 476.74 грн
5+ 450.45 грн
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1125.79 грн
2+ 594.1 грн
5+ 540.54 грн
120+ 523.1 грн
300+ 520.61 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+240.57 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+246.34 грн
DT60N600KOC AEG 05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF260N60E ON Semiconductor ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFTU fairchild FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60UFDTU fairchild fgh60n60ufd-d.pdf 2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G160N60 FAIRCHIL 09+ QSOP20
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW60N60DH3E Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883		 fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 27 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SMD
Код товару: 60291		 FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+255 грн
10+ 239 грн
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1363.8 грн
100+ 1066.54 грн
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 60 A TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1460.81 грн
100+ 1242.86 грн
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2762.31 грн
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3314.78 грн
10+ 3151.55 грн
FCP260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.87 грн
50+ 111.17 грн
100+ 95.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP260N60E FCPF260N60E_D-2311713.pdf
FCP260N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PWM Controller mWSaver
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.64 грн
10+ 184.1 грн
50+ 150.12 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.56 грн
500+ 98.97 грн
800+ 92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF260N60E FCPF260N60E_D-2311713.pdf
FCPF260N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.22 грн
10+ 135.21 грн
50+ 116.91 грн
100+ 102.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 190
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.65 грн
10+ 186.62 грн
100+ 150.95 грн
500+ 125.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH60N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+249.6 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+483.61 грн
3+ 309.3 грн
8+ 292 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.33 грн
3+ 385.43 грн
8+ 350.4 грн
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+429.69 грн
30+ 328.14 грн
120+ 281.26 грн
FGH60N60SMD FGH60N60SMD_D-2313587.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.63 грн
25+ 367.43 грн
100+ 273.67 грн
450+ 243.12 грн
900+ 211.23 грн
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW60N60H3 Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf
IGW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.25 грн
10+ 436.95 грн
25+ 324.82 грн
100+ 294.93 грн
240+ 271.68 грн
480+ 233.82 грн
1200+ 222.53 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.47 грн
3+ 311.37 грн
8+ 294.07 грн
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+514.16 грн
3+ 388.02 грн
8+ 352.89 грн
IGW60N60H3FKSA1 igw60n60h3_1_1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd4fd8.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW60N60H3FKSA1 Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+449.09 грн
30+ 345.48 грн
120+ 309.12 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.28 грн
10+ 374.31 грн
25+ 295.59 грн
100+ 258.4 грн
240+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1 infineon-ikfw60n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+686.93 грн
10+ 566.97 грн
240+ 444.66 грн
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf
IKFW60N60EH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+736.22 грн
10+ 621.05 грн
25+ 512.81 грн
100+ 502.84 грн
240+ 410.51 грн
IKW60N60H3 Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf
IKW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+541.7 грн
10+ 458.34 грн
25+ 361.36 грн
100+ 331.46 грн
240+ 312.2 грн
480+ 292.27 грн
1200+ 276.33 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520.12 грн
3+ 336.28 грн
7+ 318.29 грн
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624.15 грн
3+ 419.06 грн
7+ 381.95 грн
IKW60N60H3FKSA1 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.86 грн
10+ 417.44 грн
IKW60N60H3FKSA1 ikw60n60h3_1_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileiddb3a304339dcf4b10139dd87e5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH60N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf
IXFH60N60X3
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+808.37 грн
IXFH60N60X3 media-3322147.pdf
IXFH60N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+866.41 грн
IXFT60N60X3HV media-3321586.pdf
IXFT60N60X3HV
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 60A 600V X3 TO
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+866.41 грн
10+ 731.81 грн
30+ 603.81 грн
120+ 530.74 грн
270+ 530.08 грн
510+ 468.3 грн
1020+ 421.14 грн
IXFT60N60X3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixft60n60x3hv_datasheet.pdf.pdf
IXFT60N60X3HV
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+808.37 грн
30+ 621.59 грн
120+ 556.14 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+639.35 грн
2+ 425.54 грн
6+ 402.71 грн
30+ 402.01 грн
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+767.22 грн
2+ 530.29 грн
6+ 483.25 грн
30+ 482.42 грн
IXGH60N60C3D1 media-3321016.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 60 Amps 600V
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+792.79 грн
10+ 669.94 грн
30+ 567.28 грн
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.53 грн
3+ 310.68 грн
8+ 294.07 грн
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+503.43 грн
3+ 387.15 грн
8+ 352.89 грн
30+ 347.07 грн
NGTB60N60SWG ngtb60n60sw-d.pdf
NGTB60N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+233.45 грн
Мінімальне замовлення: 87
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+93.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.57 грн
10+ 155.48 грн
100+ 125.77 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC-2902596.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.14 грн
10+ 170.35 грн
25+ 140.16 грн
100+ 120.23 грн
250+ 113.59 грн
500+ 106.95 грн
1000+ 91.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.13 грн
10+ 256.36 грн
100+ 221.25 грн
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC-2902583.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.74 грн
10+ 186.39 грн
25+ 153.44 грн
100+ 130.86 грн
250+ 124.22 грн
500+ 116.91 грн
1000+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.57 грн
50+ 146.73 грн
100+ 125.76 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 89.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC-2902565.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.32 грн
10+ 181.81 грн
25+ 148.79 грн
100+ 128.2 грн
250+ 120.23 грн
500+ 113.59 грн
1000+ 103.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+938.16 грн
2+ 476.74 грн
5+ 450.45 грн
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1125.79 грн
2+ 594.1 грн
5+ 540.54 грн
120+ 523.1 грн
300+ 520.61 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+240.57 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SMD 60A 600V TO-247
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+246.34 грн
DT60N600KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF260N60E ONSM-S-A0003584187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60UFDTU fgh60n60ufd-d.pdf
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G160N60
Виробник: FAIRCHIL
09+ QSOP20
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW60N60DH3E
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]