Результат пошуку "60n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 6 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 20 шт
20 шт - очікується 26.10.2025
1+228.00 грн
10+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981
Додати до обраних Обраний товар

Китай fgh60n60sfd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 28 шт
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Код товару: 60291
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ON FGH60N60SMDcvd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 101 шт
80 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255.00 грн
10+239.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology APT47N60B_SC3(G)_F.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1538.18 грн
100+1308.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1422.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3152.35 грн
3+2815.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9mΩ
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3782.82 грн
3+3508.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E-D.PDF MOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.99 грн
10+155.71 грн
100+123.30 грн
500+121.03 грн
800+103.63 грн
2400+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.75 грн
50+136.85 грн
100+127.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCP260N60E Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+110.20 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi / Fairchild 2FDE23CA247239DF0CF0F719E3314AD4108D7BC1007E7E9C83920DE3124DED00.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.09 грн
10+163.54 грн
100+116.49 грн
500+108.92 грн
1000+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.56 грн
10+150.97 грн
100+123.41 грн
500+110.77 грн
1000+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Fairchild Semiconductor fcpf260n60e-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+148.10 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor fga60n60ufd-d.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+412.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+297.60 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.55 грн
4+287.60 грн
9+271.84 грн
120+264.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+561.06 грн
4+358.39 грн
9+326.21 грн
120+317.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi / Fairchild FGH60N60SMD-D.PDF IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.14 грн
10+310.55 грн
120+225.41 грн
510+222.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi fgh60n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.67 грн
30+280.40 грн
120+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD ON-Semicoductor fgh60n60smd-d.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+252.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.54 грн
10+332.29 грн
100+233.73 грн
480+207.26 грн
1200+177.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.85 грн
3+346.69 грн
8+327.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.02 грн
3+432.03 грн
8+393.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023 Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.40 грн
30+240.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.89 грн
10+306.20 грн
100+214.82 грн
480+191.37 грн
1200+163.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.68 грн
30+340.28 грн
120+287.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.39 грн
10+376.66 грн
100+268.53 грн
480+255.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.90 грн
10+374.05 грн
100+263.23 грн
480+234.49 грн
1200+200.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.31 грн
30+265.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.97 грн
30+515.60 грн
120+441.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.73 грн
3+353.78 грн
8+334.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+573.28 грн
3+440.87 грн
8+401.85 грн
30+395.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWG NGTB60N60SWG onsemi ngtb60n60sw-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+230.22 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit PJMD360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.93 грн
10+194.85 грн
100+118.76 грн
500+97.58 грн
1000+90.77 грн
2500+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit PJMF360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.45 грн
10+211.38 грн
100+137.67 грн
500+123.30 грн
1000+105.14 грн
2000+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.48 грн
100+268.86 грн
500+230.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit PJMP360N60EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.92 грн
10+120.91 грн
100+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP360N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.46 грн
1000+93.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1273.67 грн
2+546.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+390.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60UFD 60A 600V TO-247
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+326.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DT60N600KOC AEG 05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E ON Semiconductor FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU fairchild FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU fairchild fgh60n60ufd-d.pdf 2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G160N60 FAIRCHIL 09+ QSOP20
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3E Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N60 IXYS description MODULE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N60 IXYS description
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1 IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1 IXYS TO-264 09+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1 IXYS IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60 ABB 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2 IXYS 60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1 IXYS SOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1 IXYS 60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883
Додати до обраних Обраний товар

fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 6 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 20 шт
20 шт - очікується 26.10.2025
Кількість Ціна
1+228.00 грн
10+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981
Додати до обраних Обраний товар

fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU
Виробник: Китай
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності: 28 шт
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD
Код товару: 60291
Додати до обраних Обраний товар

FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 101 шт
80 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+255.00 грн
10+239.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT47N60B_SC3(G)_F.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1538.18 грн
100+1308.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT60N60BCSG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1422.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9mΩ
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3152.35 грн
3+2815.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DAMI660N60
DAMI660N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9mΩ
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3782.82 грн
3+3508.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCP260N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PWM Controller mWSaver
на замовлення 3606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.99 грн
10+155.71 грн
100+123.30 грн
500+121.03 грн
800+103.63 грн
2400+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCP260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.75 грн
50+136.85 грн
100+127.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP260N60E FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+110.20 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E 2FDE23CA247239DF0CF0F719E3314AD4108D7BC1007E7E9C83920DE3124DED00.pdf
FCPF260N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.09 грн
10+163.54 грн
100+116.49 грн
500+108.92 грн
1000+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF
FCPF260N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.56 грн
10+150.97 грн
100+123.41 грн
500+110.77 грн
1000+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E fcpf260n60e-d.pdf
FCPF260N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+148.10 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+412.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH60N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+297.60 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.55 грн
4+287.60 грн
9+271.84 грн
120+264.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.06 грн
4+358.39 грн
9+326.21 грн
120+317.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD FGH60N60SMD-D.PDF
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.14 грн
10+310.55 грн
120+225.41 грн
510+222.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.67 грн
30+280.40 грн
120+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+252.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3 Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf
IGW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.54 грн
10+332.29 грн
100+233.73 грн
480+207.26 грн
1200+177.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.85 грн
3+346.69 грн
8+327.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.02 грн
3+432.03 грн
8+393.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 Infineon-IGW60N60H3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd4fd82c0023
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.40 грн
30+240.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW60N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.89 грн
10+306.20 грн
100+214.82 грн
480+191.37 грн
1200+163.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
IKFW60N60EH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.68 грн
30+340.28 грн
120+287.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf
IKFW60N60EH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.39 грн
10+376.66 грн
100+268.53 грн
480+255.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf
IKW60N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.90 грн
10+374.05 грн
100+263.23 грн
480+234.49 грн
1200+200.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 Infineon-IKW60N60H3-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304339dcf4b10139dd87e517004f
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.31 грн
30+265.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
IXFT60N60X3HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+886.97 грн
30+515.60 грн
120+441.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.73 грн
3+353.78 грн
8+334.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.28 грн
3+440.87 грн
8+401.85 грн
30+395.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWG ngtb60n60sw-d.pdf
NGTB60N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+230.22 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.93 грн
10+194.85 грн
100+118.76 грн
500+97.58 грн
1000+90.77 грн
2500+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.45 грн
10+211.38 грн
100+137.67 грн
500+123.30 грн
1000+105.14 грн
2000+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.48 грн
100+268.86 грн
500+230.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.92 грн
10+120.91 грн
100+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.46 грн
1000+93.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1273.67 грн
2+546.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+390.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGH60N60UFD 60A 600V TO-247
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DT60N600KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTU FAIR-S-A0002365943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU fgh60n60ufd-d.pdf
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G160N60
Виробник: FAIRCHIL
09+ QSOP20
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3E
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N60 description
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N60 description
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60B2D1
Виробник: IXYS
TO-264 09+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK60N60C2D1 IXG%28K%2CX%29%2060N60C2D1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2
Виробник: IXYS
60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1
Виробник: IXYS
SOP8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN60N60C2D1
Виробник: IXYS
60A/600V/IGBT/1U
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]