Результат пошуку "65r099" : 26

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R099CFD7AATMA1 IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.50 грн
10+299.22 грн
100+187.34 грн
500+178.32 грн
1000+162.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R099CFD7AATMA1 IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPBE65R099CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.93 грн
10+301.61 грн
100+189.42 грн
500+175.54 грн
1000+164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+237.45 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1 IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.12 грн
10+284.06 грн
100+207.46 грн
500+163.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099C6 IPW65R099C6 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.54 грн
10+387.79 грн
100+272.68 грн
480+241.46 грн
1200+215.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099CFD7AXKSA1 IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.78 грн
10+288.84 грн
100+210.23 грн
480+191.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099HF MOT65R099HF MOT T65R099F_MOT_MOT-MOS_0002.pdf 650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1924142-1 TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK product-1924142-1.datasheet.pdf Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - 1924142-1 - BLACK CONNECTOR BACKSHELL
tariffCode: 85389099
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+428.21 грн
45+374.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2035047-2 2035047-2 TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK 2035047_Dwg.pdf Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - 2035047-2 - Zubehör für Steckverbinder, Endgehäuse
tariffCode: 85366990
Art des Zubehörs: Endgehäuse
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Steckverbinder der Produktreihe AMPSEAL von AMP für Kfz-Anwendungen
usEccn: EAR99
Produktpalette: AMPSEAL Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.89 грн
300+168.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R099C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7XTMA1 IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R099CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7 IPL65R099C7 Infineon Technologies Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1 IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT65R099CFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099C6FKSA1 IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DBJ WSJM65R099DBJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DB Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ WeEn Semiconductors WSJM65R099D Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTLJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors WSJM65R099DTL Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DWQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DW Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DXQ WSJM65R099DXQ WeEn Semiconductors WSJM65R099DX Product Rev.01.pdf MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon-IPB65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPB65R099CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.50 грн
10+299.22 грн
100+187.34 грн
500+178.32 грн
1000+162.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon_IPBE65R099CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPBE65R099CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.93 грн
10+301.61 грн
100+189.42 грн
500+175.54 грн
1000+164.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+237.45 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon_IPP65R099CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP65R099CFD7AAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.12 грн
10+284.06 грн
100+207.46 грн
500+163.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099C6 Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R099C6
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.54 грн
10+387.79 грн
100+272.68 грн
480+241.46 грн
1200+215.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPW65R099CFD7AXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.78 грн
10+288.84 грн
100+210.23 грн
480+191.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099HF T65R099F_MOT_MOT-MOS_0002.pdf
MOT65R099HF
Виробник: MOT
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
1924142-1 product-1924142-1.datasheet.pdf
Виробник: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK
Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - 1924142-1 - BLACK CONNECTOR BACKSHELL
tariffCode: 85389099
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+428.21 грн
45+374.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2035047-2 2035047_Dwg.pdf
2035047-2
Виробник: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK
Description: TE CONNECTIVITY / PARTNER STOCK - 2035047-2 - Zubehör für Steckverbinder, Endgehäuse
tariffCode: 85366990
Art des Zubehörs: Endgehäuse
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Steckverbinder der Produktreihe AMPSEAL von AMP für Kfz-Anwendungen
usEccn: EAR99
Produktpalette: AMPSEAL Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.89 грн
300+168.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6-DTE.pdf
IPB65R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon_IPDQ65R099CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7 Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL65R099C7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7-DTE.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 Infineon_IPL65R099C7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon_IPT65R099CFD7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPT65R099CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099C6FKSA1 Infineon_IPW65R099C6_DS_v02_00_en.pdf
IPW65R099C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DBJ WSJM65R099DB Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DQ WSJM65R099DQ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DQ WSJM65R099D Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DQ
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTLJ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DTLJ WSJM65R099DTL Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DTLJ
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DWQ WSJM65R099DW Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSJM65R099DXQ WSJM65R099DX Product Rev.01.pdf
WSJM65R099DXQ
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.