Результат пошуку "65r099" : 27
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPBE65R099CFD7AATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IPDQ65R099CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPT65R099CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW65R099C6 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT65R099HF | MOT |
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IPB65R099C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Power dissipation: 278W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPI65R099C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Power dissipation: 278W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL65R099C7 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL65R099C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A Power dissipation: 128W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP65R099C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Power dissipation: 278W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
WSJM65R099DBJ | WeEn Semiconductors |
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| WSJM65R099DQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 240W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
|
WSJM65R099DQ | WeEn Semiconductors |
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| WSJM65R099DTLJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 147W Case: TOLL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
|
WSJM65R099DTLJ | WeEn Semiconductors |
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
WSJM65R099DWQ | WeEn Semiconductors |
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
WSJM65R099DXQ | WeEn Semiconductors |
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB65R099CFD7AATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.78 грн |
| 10+ | 288.94 грн |
| 100+ | 180.99 грн |
| 1000+ | 160.37 грн |
| 2000+ | 151.97 грн |
| 5000+ | 151.21 грн |
| IPBE65R099CFD7AATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 453.50 грн |
| 10+ | 299.47 грн |
| 100+ | 187.86 грн |
| 1000+ | 156.55 грн |
| IPDQ65R099CFD7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 328.76 грн |
| 10+ | 231.85 грн |
| 100+ | 175.65 грн |
| 500+ | 167.24 грн |
| 750+ | 156.55 грн |
| IPDQ65R099CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.94 грн |
| 10+ | 213.41 грн |
| 100+ | 159.61 грн |
| 500+ | 145.86 грн |
| 750+ | 138.99 грн |
| IPP65R099CFD7AAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.44 грн |
| 10+ | 410.13 грн |
| 25+ | 197.79 грн |
| 100+ | 194.74 грн |
| 250+ | 193.97 грн |
| 500+ | 149.68 грн |
| IPT65R099CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.85 грн |
| 10+ | 251.17 грн |
| 100+ | 156.55 грн |
| 500+ | 134.41 грн |
| 2000+ | 124.48 грн |
| IPW65R099C6 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 485.57 грн |
| 10+ | 390.81 грн |
| 100+ | 282.56 грн |
| 480+ | 249.72 грн |
| 1200+ | 224.52 грн |
| IPW65R099CFD7AXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 518.53 грн |
| 10+ | 498.83 грн |
| 25+ | 266.52 грн |
| 100+ | 222.99 грн |
| 240+ | 216.88 грн |
| 480+ | 191.68 грн |
| MOT65R099HF |
Виробник: MOT
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3; MOT65R099F TO-220F T65R099F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 101.77 грн |
| IPB65R099C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPI65R099C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R099C7 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R099C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R099C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP65R099C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPW65R099C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
MOSFETs WSJM65R099DB/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
MOSFETs WSJM65R099D/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DTLJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DTLJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DWQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
MOSFETs WSJM65R099DW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WSJM65R099DXQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
MOSFETs WSJM65R099DX/SOT186A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.











