Результат пошуку "IRF530" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 114
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 103
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 245
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 207
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 436
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 150
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 177
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 329
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 245
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 327
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 137
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 229
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 478
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 208
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 280
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: THT |
у наявності: 239 шт
193 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
10 шт
10 шт - очікується
|
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Монтаж: SMD |
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 10,5 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: THT |
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: SMD |
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
| IRF530 | Siliconix |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 3366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 26982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
на замовлення 5423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF5305STRL | Infineon |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305sкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF5305STRL | Infineon |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305sкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF5305STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 3672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 51687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 51660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
на замовлення 5092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF530NS | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRF530NS | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 359 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
на замовлення 8307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH |
на замовлення 7341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET |
на замовлення 9483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF530S | Siliconix |
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF530SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 472 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF530SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 239 шт
193 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10 шт
10 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 17.50 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.50 грн |
| 10+ | 23.80 грн |
| IRF530 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 31.83 грн |
| IRF5305 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 36.93 грн |
| IRF5305 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.56 грн |
| IRF5305 |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 22.63 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.30 грн |
| 10+ | 62.20 грн |
| 25+ | 53.39 грн |
| 50+ | 46.95 грн |
| 100+ | 41.60 грн |
| 200+ | 37.59 грн |
| 250+ | 36.49 грн |
| 500+ | 33.81 грн |
| 1000+ | 32.00 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.56 грн |
| 10+ | 77.51 грн |
| 25+ | 64.07 грн |
| 50+ | 56.33 грн |
| 100+ | 49.92 грн |
| 200+ | 45.11 грн |
| 250+ | 43.78 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 114+ | 109.46 грн |
| 119+ | 104.56 грн |
| 250+ | 100.37 грн |
| 500+ | 93.29 грн |
| 1000+ | 83.56 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 26997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 146.45 грн |
| 11+ | 64.43 грн |
| 100+ | 59.96 грн |
| 500+ | 49.27 грн |
| 1000+ | 41.71 грн |
| 4000+ | 39.23 грн |
| 10000+ | 39.15 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 103+ | 120.47 грн |
| 234+ | 52.98 грн |
| 239+ | 51.99 грн |
| 500+ | 46.39 грн |
| 1000+ | 42.22 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 89.12 грн |
| 14+ | 54.24 грн |
| 100+ | 51.56 грн |
| 500+ | 44.24 грн |
| 1000+ | 37.62 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 245+ | 50.62 грн |
| 258+ | 48.12 грн |
| 500+ | 42.82 грн |
| 1000+ | 37.92 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 26982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 207+ | 59.87 грн |
| 223+ | 55.71 грн |
| 500+ | 47.47 грн |
| 1000+ | 41.85 грн |
| 4000+ | 37.97 грн |
| 10000+ | 36.38 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.70 грн |
| 10+ | 93.76 грн |
| 25+ | 46.95 грн |
| 100+ | 45.44 грн |
| 250+ | 45.37 грн |
| 500+ | 36.84 грн |
| 1000+ | 34.27 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 436+ | 71.01 грн |
| 500+ | 63.92 грн |
| 1000+ | 58.95 грн |
| IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.10 грн |
| IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.10 грн |
| IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 124.49 грн |
| 10+ | 80.68 грн |
| 50+ | 59.68 грн |
| 100+ | 53.08 грн |
| 250+ | 46.39 грн |
| 500+ | 42.38 грн |
| IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 82.52 грн |
| 178+ | 69.64 грн |
| 200+ | 69.31 грн |
| 500+ | 55.30 грн |
| 1000+ | 49.73 грн |
| 1600+ | 39.68 грн |
| 3200+ | 39.32 грн |
| IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 89.21 грн |
| 10+ | 75.12 грн |
| 25+ | 74.46 грн |
| 100+ | 60.53 грн |
| 250+ | 55.86 грн |
| 500+ | 43.44 грн |
| IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 177+ | 70.11 грн |
| 179+ | 69.49 грн |
| 212+ | 58.59 грн |
| 250+ | 56.30 грн |
| 500+ | 42.24 грн |
| IRF530N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.67 грн |
| IRF530N |
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.00 грн |
| IRF530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.10 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 56.74 грн |
| 10+ | 40.18 грн |
| 25+ | 36.80 грн |
| 50+ | 34.28 грн |
| 100+ | 31.93 грн |
| 250+ | 28.86 грн |
| 500+ | 26.66 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 2000+ | 22.41 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.09 грн |
| 10+ | 50.07 грн |
| 25+ | 44.16 грн |
| 50+ | 41.14 грн |
| 100+ | 38.31 грн |
| 250+ | 34.63 грн |
| 500+ | 31.99 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 45.88 грн |
| 18+ | 40.50 грн |
| 100+ | 36.31 грн |
| 500+ | 29.80 грн |
| 1000+ | 25.95 грн |
| 2000+ | 22.77 грн |
| 5000+ | 22.13 грн |
| 10000+ | 21.54 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 329+ | 37.63 грн |
| 367+ | 33.74 грн |
| 500+ | 28.71 грн |
| 1000+ | 26.04 грн |
| 2000+ | 22.04 грн |
| 5000+ | 20.56 грн |
| 10000+ | 20.02 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 245+ | 50.58 грн |
| 290+ | 42.69 грн |
| 500+ | 33.78 грн |
| 1000+ | 29.93 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 45.76 грн |
| 18+ | 40.57 грн |
| 100+ | 36.50 грн |
| 500+ | 30.08 грн |
| 1000+ | 26.23 грн |
| 2000+ | 23.06 грн |
| 5000+ | 22.42 грн |
| 10000+ | 21.85 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 386+ | 32.10 грн |
| 552+ | 22.44 грн |
| 1000+ | 17.51 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 58.30 грн |
| 10+ | 46.45 грн |
| 100+ | 33.97 грн |
| 500+ | 26.72 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 2000+ | 22.27 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 327+ | 37.87 грн |
| 364+ | 34.06 грн |
| 500+ | 29.11 грн |
| 1000+ | 26.44 грн |
| 2000+ | 22.42 грн |
| 5000+ | 20.92 грн |
| 10000+ | 20.39 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 66.70 грн |
| 14+ | 54.20 грн |
| 100+ | 45.74 грн |
| 500+ | 34.90 грн |
| 1000+ | 29.69 грн |
| IRF530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.54 грн |
| IRF530NS |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 20.63 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 72.83 грн |
| 10+ | 52.69 грн |
| 100+ | 40.34 грн |
| 200+ | 36.64 грн |
| 250+ | 35.46 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.39 грн |
| 10+ | 65.65 грн |
| 100+ | 48.41 грн |
| 200+ | 43.97 грн |
| 250+ | 42.56 грн |
| 500+ | 38.22 грн |
| 800+ | 35.20 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 137+ | 90.98 грн |
| 143+ | 86.91 грн |
| 250+ | 83.42 грн |
| 500+ | 77.54 грн |
| 1000+ | 69.45 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.04 грн |
| 10+ | 67.28 грн |
| 100+ | 46.20 грн |
| 500+ | 43.86 грн |
| 800+ | 31.40 грн |
| 2400+ | 31.18 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 229+ | 54.21 грн |
| 395+ | 31.36 грн |
| 408+ | 30.37 грн |
| 500+ | 29.15 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 478+ | 64.80 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 64.58 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 46.58 грн |
| 12+ | 35.07 грн |
| 13+ | 32.32 грн |
| 50+ | 27.84 грн |
| 100+ | 26.74 грн |
| 500+ | 25.24 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.89 грн |
| 7+ | 43.70 грн |
| 10+ | 38.78 грн |
| 50+ | 33.40 грн |
| 100+ | 32.08 грн |
| 500+ | 30.29 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 208+ | 59.53 грн |
| 215+ | 57.83 грн |
| 217+ | 57.25 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 280+ | 44.22 грн |
| 286+ | 43.42 грн |
| 288+ | 42.98 грн |
| 500+ | 38.16 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 7341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.59 грн |
| 10+ | 48.70 грн |
| 100+ | 41.22 грн |
| 500+ | 39.33 грн |
| 1000+ | 39.03 грн |
| 2000+ | 37.22 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 63.78 грн |
| 50+ | 61.96 грн |
| 100+ | 61.34 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 47.59 грн |
| 50+ | 46.73 грн |
| 100+ | 46.26 грн |
| 500+ | 41.07 грн |
| IRF530PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 109.21 грн |
| 10+ | 47.92 грн |
| 100+ | 35.93 грн |
| 500+ | 34.88 грн |
| 1000+ | 31.10 грн |
| 2000+ | 30.65 грн |
| IRF530S |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 29.47 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.90 грн |
| 50+ | 55.83 грн |
| 100+ | 52.69 грн |
| 250+ | 48.75 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.28 грн |
| 50+ | 69.57 грн |
| 100+ | 63.22 грн |
| 250+ | 58.50 грн |
| 500+ | 55.67 грн |
| 750+ | 53.79 грн |
| 1000+ | 51.90 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.76 грн |
| 10+ | 77.61 грн |
| 100+ | 65.60 грн |
| 500+ | 57.67 грн |
| 1000+ | 52.92 грн |
| 2000+ | 49.07 грн |
| 5000+ | 47.18 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]












