Результат пошуку "IRF530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305PBF IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5305pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 246 шт
193 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf530s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+26.50 грн
10+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.88 грн
10+62.64 грн
25+53.77 грн
50+47.28 грн
100+41.89 грн
200+37.86 грн
250+36.75 грн
500+34.05 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.25 грн
10+78.06 грн
25+64.53 грн
50+56.74 грн
100+50.27 грн
200+45.43 грн
250+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 23014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.17 грн
50+64.10 грн
100+57.35 грн
500+42.70 грн
1000+39.12 грн
2000+36.11 грн
5000+32.31 грн
10000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+60.35 грн
218+57.29 грн
500+47.66 грн
1000+42.14 грн
4000+38.22 грн
10000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+71.52 грн
500+64.37 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+51.13 грн
253+49.30 грн
500+43.12 грн
1000+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+110.24 грн
119+105.31 грн
250+101.09 грн
500+93.95 грн
1000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.61 грн
10+94.43 грн
25+47.29 грн
100+45.77 грн
250+45.69 грн
500+37.10 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+75.38 грн
272+45.96 грн
277+45.13 грн
500+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.75 грн
14+54.79 грн
100+52.82 грн
500+44.55 грн
1000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.58 грн
10+110.87 грн
100+61.75 грн
500+44.82 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.27 грн
12+64.61 грн
100+61.33 грн
500+49.19 грн
1000+41.76 грн
4000+39.27 грн
10000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.37 грн
10+81.25 грн
50+60.11 грн
100+53.46 грн
250+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+83.10 грн
178+70.14 грн
200+69.81 грн
500+55.69 грн
1000+50.08 грн
1600+39.96 грн
3200+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.40 грн
1600+45.69 грн
2400+43.76 грн
4000+39.02 грн
5600+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.85 грн
10+75.66 грн
25+74.99 грн
100+60.96 грн
250+56.25 грн
500+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.57 грн
500+57.02 грн
1000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.08 грн
10+96.86 грн
100+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.72 грн
50+110.02 грн
100+79.57 грн
500+57.02 грн
1000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.54 грн
1600+49.27 грн
2400+47.81 грн
4000+44.72 грн
5600+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+70.61 грн
179+69.99 грн
212+59.00 грн
250+56.70 грн
500+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.77 грн
10+100.55 грн
100+62.42 грн
500+48.20 грн
800+44.63 грн
2400+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.17 грн
1600+45.99 грн
2400+44.62 грн
4000+41.74 грн
5600+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.14 грн
10+40.47 грн
25+37.06 грн
50+34.53 грн
100+32.15 грн
250+29.06 грн
500+26.85 грн
1000+24.71 грн
2000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.57 грн
10+50.43 грн
25+44.48 грн
50+41.44 грн
100+38.58 грн
250+34.88 грн
500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+32.33 грн
552+22.60 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.71 грн
15+58.25 грн
100+48.36 грн
500+33.74 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.69 грн
10+59.95 грн
100+39.76 грн
500+29.20 грн
1000+26.59 грн
2000+24.39 грн
5000+21.65 грн
10000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.09 грн
18+40.86 грн
100+36.76 грн
500+30.29 грн
1000+26.42 грн
2000+23.19 грн
5000+22.58 грн
10000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 56460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.72 грн
10+46.78 грн
100+34.21 грн
500+26.91 грн
1000+24.71 грн
2000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+38.14 грн
364+34.31 грн
500+29.32 грн
1000+26.63 грн
2000+22.54 грн
5000+21.07 грн
10000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.17 грн
14+54.58 грн
100+46.07 грн
500+35.15 грн
1000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 56485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.86 грн
18+40.49 грн
100+36.29 грн
500+29.78 грн
1000+25.94 грн
2000+22.71 грн
5000+22.11 грн
10000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.94 грн
290+43.00 грн
500+34.02 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS JSMSEMI irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.35 грн
10+53.06 грн
100+40.63 грн
200+36.91 грн
250+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.02 грн
10+66.12 грн
100+48.75 грн
200+44.29 грн
250+42.86 грн
500+38.49 грн
800+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.78 грн
10+67.76 грн
100+46.53 грн
500+44.17 грн
800+31.63 грн
2400+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.45 грн
500+49.02 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.43 грн
12+73.86 грн
100+59.45 грн
500+49.02 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c description Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.98 грн
1600+35.40 грн
2400+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 246 шт
193 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

sihf530s.pdf
IRF530S
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+26.50 грн
10+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.88 грн
10+62.64 грн
25+53.77 грн
50+47.28 грн
100+41.89 грн
200+37.86 грн
250+36.75 грн
500+34.05 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.25 грн
10+78.06 грн
25+64.53 грн
50+56.74 грн
100+50.27 грн
200+45.43 грн
250+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 23014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.17 грн
50+64.10 грн
100+57.35 грн
500+42.70 грн
1000+39.12 грн
2000+36.11 грн
5000+32.31 грн
10000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+60.35 грн
218+57.29 грн
500+47.66 грн
1000+42.14 грн
4000+38.22 грн
10000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.52 грн
500+64.37 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+51.13 грн
253+49.30 грн
500+43.12 грн
1000+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+110.24 грн
119+105.31 грн
250+101.09 грн
500+93.95 грн
1000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.61 грн
10+94.43 грн
25+47.29 грн
100+45.77 грн
250+45.69 грн
500+37.10 грн
1000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+75.38 грн
272+45.96 грн
277+45.13 грн
500+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.75 грн
14+54.79 грн
100+52.82 грн
500+44.55 грн
1000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.58 грн
10+110.87 грн
100+61.75 грн
500+44.82 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+146.27 грн
12+64.61 грн
100+61.33 грн
500+49.19 грн
1000+41.76 грн
4000+39.27 грн
10000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.37 грн
10+81.25 грн
50+60.11 грн
100+53.46 грн
250+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+83.10 грн
178+70.14 грн
200+69.81 грн
500+55.69 грн
1000+50.08 грн
1600+39.96 грн
3200+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.40 грн
1600+45.69 грн
2400+43.76 грн
4000+39.02 грн
5600+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.85 грн
10+75.66 грн
25+74.99 грн
100+60.96 грн
250+56.25 грн
500+43.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.57 грн
500+57.02 грн
1000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.08 грн
10+96.86 грн
100+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.72 грн
50+110.02 грн
100+79.57 грн
500+57.02 грн
1000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.54 грн
1600+49.27 грн
2400+47.81 грн
4000+44.72 грн
5600+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+70.61 грн
179+69.99 грн
212+59.00 грн
250+56.70 грн
500+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.77 грн
10+100.55 грн
100+62.42 грн
500+48.20 грн
800+44.63 грн
2400+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.17 грн
1600+45.99 грн
2400+44.62 грн
4000+41.74 грн
5600+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.14 грн
10+40.47 грн
25+37.06 грн
50+34.53 грн
100+32.15 грн
250+29.06 грн
500+26.85 грн
1000+24.71 грн
2000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.57 грн
10+50.43 грн
25+44.48 грн
50+41.44 грн
100+38.58 грн
250+34.88 грн
500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+32.33 грн
552+22.60 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.71 грн
15+58.25 грн
100+48.36 грн
500+33.74 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.69 грн
10+59.95 грн
100+39.76 грн
500+29.20 грн
1000+26.59 грн
2000+24.39 грн
5000+21.65 грн
10000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.09 грн
18+40.86 грн
100+36.76 грн
500+30.29 грн
1000+26.42 грн
2000+23.19 грн
5000+22.58 грн
10000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 56460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.72 грн
10+46.78 грн
100+34.21 грн
500+26.91 грн
1000+24.71 грн
2000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+38.14 грн
364+34.31 грн
500+29.32 грн
1000+26.63 грн
2000+22.54 грн
5000+21.07 грн
10000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.17 грн
14+54.58 грн
100+46.07 грн
500+35.15 грн
1000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 56485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.86 грн
18+40.49 грн
100+36.29 грн
500+29.78 грн
1000+25.94 грн
2000+22.71 грн
5000+22.11 грн
10000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.94 грн
290+43.00 грн
500+34.02 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.35 грн
10+53.06 грн
100+40.63 грн
200+36.91 грн
250+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.02 грн
10+66.12 грн
100+48.75 грн
200+44.29 грн
250+42.86 грн
500+38.49 грн
800+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.78 грн
10+67.76 грн
100+46.53 грн
500+44.17 грн
800+31.63 грн
2400+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.45 грн
500+49.02 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.43 грн
12+73.86 грн
100+59.45 грн
500+49.02 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+39.98 грн
1600+35.40 грн
2400+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]