Результат пошуку "IRF530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305PBF IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5305pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
194 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 714 шт
676 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf530s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.30 грн
10+62.20 грн
25+53.39 грн
50+46.95 грн
100+41.60 грн
200+37.59 грн
250+36.49 грн
500+33.81 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.56 грн
10+77.51 грн
25+64.07 грн
50+56.33 грн
100+49.92 грн
200+45.11 грн
250+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+71.01 грн
500+63.92 грн
1000+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+109.46 грн
119+104.56 грн
250+100.37 грн
500+93.29 грн
1000+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.52 грн
12+63.07 грн
100+58.67 грн
500+48.19 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+145.75 грн
12+64.10 грн
100+59.64 грн
500+49.04 грн
1000+41.37 грн
4000+38.91 грн
10000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+120.47 грн
234+52.98 грн
239+51.99 грн
500+46.79 грн
1000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+59.50 грн
224+55.36 грн
500+47.21 грн
1000+41.48 грн
4000+37.63 грн
10000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon-IRF5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.70 грн
10+93.76 грн
25+46.95 грн
100+45.44 грн
250+45.37 грн
500+36.84 грн
1000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+58.87 грн
227+54.76 грн
500+46.65 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.58 грн
10+110.09 грн
100+61.31 грн
500+44.51 грн
1000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.49 грн
10+80.68 грн
50+59.68 грн
100+53.08 грн
250+46.39 грн
500+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.92 грн
198+62.79 грн
200+62.46 грн
500+49.65 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.17 грн
1600+48.93 грн
2400+47.47 грн
4000+44.41 грн
5600+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.65 грн
10+99.84 грн
100+61.98 грн
500+47.86 грн
800+44.31 грн
2400+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+70.11 грн
179+69.49 грн
212+58.58 грн
250+56.30 грн
500+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.01 грн
500+56.62 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.52 грн
50+109.24 грн
100+79.01 грн
500+56.62 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.21 грн
10+75.12 грн
25+74.45 грн
100+60.52 грн
250+55.86 грн
500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.83 грн
1600+45.66 грн
2400+44.30 грн
4000+41.45 грн
5600+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.74 грн
10+40.18 грн
25+36.80 грн
50+34.28 грн
100+31.93 грн
250+28.86 грн
500+26.66 грн
1000+24.53 грн
2000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.09 грн
10+50.07 грн
25+44.16 грн
50+41.14 грн
100+38.31 грн
250+34.63 грн
500+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.70 грн
14+54.20 грн
100+45.74 грн
500+34.90 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.87 грн
364+34.06 грн
500+29.11 грн
1000+26.44 грн
2000+22.38 грн
5000+20.92 грн
10000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.13 грн
15+57.84 грн
100+48.02 грн
500+33.50 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.58 грн
290+42.69 грн
500+33.78 грн
1000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.59 грн
18+40.26 грн
100+36.10 грн
500+29.63 грн
1000+25.80 грн
2000+22.61 грн
5000+22.00 грн
10000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+37.38 грн
370+33.51 грн
500+28.53 грн
1000+25.88 грн
2000+21.86 грн
5000+20.43 грн
10000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF530N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.30 грн
10+46.45 грн
100+33.97 грн
500+26.72 грн
1000+24.53 грн
2000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+32.10 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.76 грн
18+40.57 грн
100+36.50 грн
500+30.08 грн
1000+26.23 грн
2000+23.02 грн
5000+22.42 грн
10000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS JSMSEMI irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.83 грн
10+52.69 грн
100+40.34 грн
200+36.64 грн
250+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.39 грн
10+65.65 грн
100+48.41 грн
200+43.97 грн
250+42.56 грн
500+38.22 грн
800+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.02 грн
500+48.68 грн
1000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+90.98 грн
143+86.91 грн
250+83.42 грн
500+77.54 грн
1000+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.04 грн
10+67.28 грн
100+46.20 грн
500+43.86 грн
800+31.40 грн
2400+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.63 грн
12+73.34 грн
100+59.02 грн
500+48.68 грн
1000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+54.21 грн
395+31.36 грн
405+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.58 грн
12+35.07 грн
13+32.32 грн
50+27.84 грн
100+26.74 грн
500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
7+43.70 грн
10+38.78 грн
50+33.40 грн
100+32.08 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 240 шт
194 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 714 шт
676 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

sihf530s.pdf
IRF530S
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.30 грн
10+62.20 грн
25+53.39 грн
50+46.95 грн
100+41.60 грн
200+37.59 грн
250+36.49 грн
500+33.81 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
10+77.51 грн
25+64.07 грн
50+56.33 грн
100+49.92 грн
200+45.11 грн
250+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.01 грн
500+63.92 грн
1000+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+109.46 грн
119+104.56 грн
250+100.37 грн
500+93.29 грн
1000+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+144.52 грн
12+63.07 грн
100+58.67 грн
500+48.19 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+145.75 грн
12+64.10 грн
100+59.64 грн
500+49.04 грн
1000+41.37 грн
4000+38.91 грн
10000+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+120.47 грн
234+52.98 грн
239+51.99 грн
500+46.79 грн
1000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+59.50 грн
224+55.36 грн
500+47.21 грн
1000+41.48 грн
4000+37.63 грн
10000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF Infineon-IRF5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.70 грн
10+93.76 грн
25+46.95 грн
100+45.44 грн
250+45.37 грн
500+36.84 грн
1000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+58.87 грн
227+54.76 грн
500+46.65 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.58 грн
10+110.09 грн
100+61.31 грн
500+44.51 грн
1000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.49 грн
10+80.68 грн
50+59.68 грн
100+53.08 грн
250+46.39 грн
500+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+74.92 грн
198+62.79 грн
200+62.46 грн
500+49.65 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.17 грн
1600+48.93 грн
2400+47.47 грн
4000+44.41 грн
5600+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.65 грн
10+99.84 грн
100+61.98 грн
500+47.86 грн
800+44.31 грн
2400+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+70.11 грн
179+69.49 грн
212+58.58 грн
250+56.30 грн
500+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.01 грн
500+56.62 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.52 грн
50+109.24 грн
100+79.01 грн
500+56.62 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.21 грн
10+75.12 грн
25+74.45 грн
100+60.52 грн
250+55.86 грн
500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.83 грн
1600+45.66 грн
2400+44.30 грн
4000+41.45 грн
5600+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.74 грн
10+40.18 грн
25+36.80 грн
50+34.28 грн
100+31.93 грн
250+28.86 грн
500+26.66 грн
1000+24.53 грн
2000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.09 грн
10+50.07 грн
25+44.16 грн
50+41.14 грн
100+38.31 грн
250+34.63 грн
500+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.70 грн
14+54.20 грн
100+45.74 грн
500+34.90 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.87 грн
364+34.06 грн
500+29.11 грн
1000+26.44 грн
2000+22.38 грн
5000+20.92 грн
10000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.13 грн
15+57.84 грн
100+48.02 грн
500+33.50 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.58 грн
290+42.69 грн
500+33.78 грн
1000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.59 грн
18+40.26 грн
100+36.10 грн
500+29.63 грн
1000+25.80 грн
2000+22.61 грн
5000+22.00 грн
10000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
332+37.38 грн
370+33.51 грн
500+28.53 грн
1000+25.88 грн
2000+21.86 грн
5000+20.43 грн
10000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon-IRF530N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.30 грн
10+46.45 грн
100+33.97 грн
500+26.72 грн
1000+24.53 грн
2000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+32.10 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.76 грн
18+40.57 грн
100+36.50 грн
500+30.08 грн
1000+26.23 грн
2000+23.02 грн
5000+22.42 грн
10000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.83 грн
10+52.69 грн
100+40.34 грн
200+36.64 грн
250+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.39 грн
10+65.65 грн
100+48.41 грн
200+43.97 грн
250+42.56 грн
500+38.22 грн
800+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.02 грн
500+48.68 грн
1000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+90.98 грн
143+86.91 грн
250+83.42 грн
500+77.54 грн
1000+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.04 грн
10+67.28 грн
100+46.20 грн
500+43.86 грн
800+31.40 грн
2400+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.63 грн
12+73.34 грн
100+59.02 грн
500+48.68 грн
1000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+54.21 грн
395+31.36 грн
405+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.58 грн
12+35.07 грн
13+32.32 грн
50+27.84 грн
100+26.74 грн
500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.89 грн
7+43.70 грн
10+38.78 грн
50+33.40 грн
100+32.08 грн
500+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]