Результат пошуку "IRF530" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 129
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 214
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 138
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 436
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 225
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 182
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 286
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 381
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 268
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 335
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 160
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 324
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 217
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: THT |
у наявності: 614 шт
553 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Одеса 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
![]() Корпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Монтаж: SMD |
у наявності: 57 шт
29 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 10,5 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: THT |
у наявності: 172 шт
104 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 25 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: SMD |
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
IRF530 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 375 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF5305PBF | IR |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF5305STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF5305STRLPBF | Infineon |
![]() ![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 11736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530NPBF | IR |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 436 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 12204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 9219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 472 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
553 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 57 шт
29 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.00 грн |
10+ | 44.00 грн |
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 172 шт
104 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 17.50 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.40 грн |
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.50 грн |
10+ | 23.80 грн |
IRF530 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 31.53 грн |
IRF5305 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.58 грн |
IRF5305 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.32 грн |
IRF5305 |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 20.44 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 84.99 грн |
10+ | 64.73 грн |
30+ | 31.33 грн |
83+ | 29.66 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.15 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 101.99 грн |
10+ | 80.67 грн |
30+ | 37.60 грн |
83+ | 35.59 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 122.66 грн |
11+ | 60.54 грн |
100+ | 52.91 грн |
500+ | 42.86 грн |
1000+ | 33.72 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
129+ | 95.56 грн |
135+ | 91.29 грн |
250+ | 87.62 грн |
500+ | 81.45 грн |
1000+ | 72.95 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
214+ | 57.29 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
138+ | 89.09 грн |
224+ | 54.92 грн |
246+ | 50.02 грн |
1000+ | 39.62 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
436+ | 70.35 грн |
500+ | 63.31 грн |
1000+ | 58.39 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.57 грн |
10+ | 99.45 грн |
25+ | 54.18 грн |
100+ | 51.35 грн |
500+ | 41.02 грн |
1000+ | 36.89 грн |
2000+ | 36.35 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 123.16 грн |
10+ | 61.16 грн |
100+ | 53.49 грн |
500+ | 43.36 грн |
1000+ | 34.15 грн |
4000+ | 25.70 грн |
10000+ | 25.44 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
225+ | 54.70 грн |
IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 38.73 грн |
IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 38.73 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 133.93 грн |
10+ | 97.90 грн |
22+ | 42.73 грн |
61+ | 40.42 грн |
800+ | 39.06 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.57 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.72 грн |
10+ | 97.69 грн |
100+ | 60.00 грн |
500+ | 59.54 грн |
800+ | 43.78 грн |
2400+ | 43.16 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 40.95 грн |
1000+ | 31.55 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 41.33 грн |
1600+ | 40.31 грн |
2400+ | 36.44 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 48.66 грн |
1600+ | 46.73 грн |
2400+ | 37.70 грн |
4000+ | 35.26 грн |
5600+ | 32.32 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 51.03 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 59.03 грн |
1600+ | 54.49 грн |
2400+ | 52.18 грн |
4000+ | 47.82 грн |
5600+ | 43.89 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
182+ | 67.49 грн |
183+ | 67.18 грн |
218+ | 56.45 грн |
250+ | 49.65 грн |
500+ | 40.41 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 73.04 грн |
10+ | 62.67 грн |
25+ | 62.38 грн |
100+ | 50.55 грн |
250+ | 42.69 грн |
500+ | 35.78 грн |
IRF530N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.49 грн |
IRF530N |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.79 грн |
IRF530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.92 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 62.67 грн |
13+ | 32.69 грн |
46+ | 20.41 грн |
127+ | 19.29 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.82 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 75.21 грн |
10+ | 40.73 грн |
46+ | 24.49 грн |
127+ | 23.15 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
286+ | 42.91 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
381+ | 32.26 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 59.66 грн |
15+ | 42.01 грн |
100+ | 35.84 грн |
500+ | 28.26 грн |
1000+ | 23.70 грн |
2000+ | 21.07 грн |
5000+ | 19.01 грн |
10000+ | 18.76 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 80.05 грн |
13+ | 49.40 грн |
100+ | 40.42 грн |
500+ | 30.52 грн |
1000+ | 25.15 грн |
2000+ | 22.09 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
268+ | 45.77 грн |
349+ | 35.23 грн |
500+ | 24.52 грн |
1000+ | 21.67 грн |
4000+ | 20.00 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
335+ | 36.70 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 47.27 грн |
17+ | 36.10 грн |
100+ | 31.75 грн |
500+ | 25.86 грн |
1000+ | 22.00 грн |
2000+ | 19.76 грн |
5000+ | 18.05 грн |
10000+ | 17.84 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.59 грн |
10+ | 53.25 грн |
25+ | 45.92 грн |
100+ | 39.95 грн |
250+ | 39.64 грн |
500+ | 31.38 грн |
1000+ | 27.17 грн |
IRF530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 51.57 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 79.84 грн |
10+ | 68.48 грн |
30+ | 32.29 грн |
80+ | 30.53 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.81 грн |
10+ | 85.34 грн |
30+ | 38.74 грн |
80+ | 36.64 грн |
1600+ | 36.35 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 31.25 грн |
1600+ | 30.27 грн |
2400+ | 28.38 грн |
4000+ | 25.34 грн |
5600+ | 23.23 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 12204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.43 грн |
10+ | 74.90 грн |
25+ | 59.47 грн |
100+ | 45.69 грн |
250+ | 45.23 грн |
500+ | 42.40 грн |
800+ | 33.14 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
160+ | 76.89 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 32.90 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 53.14 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
324+ | 37.92 грн |
368+ | 33.35 грн |
385+ | 31.88 грн |
500+ | 29.08 грн |
1000+ | 25.54 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 39.49 грн |
15+ | 28.38 грн |
42+ | 22.48 грн |
115+ | 21.29 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 472 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.35 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
217+ | 56.56 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 111.61 грн |
10+ | 66.01 грн |
100+ | 53.42 грн |
500+ | 45.15 грн |
1000+ | 42.25 грн |
2000+ | 36.12 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]