Результат пошуку "IRF530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF5305PBF IRF5305PBF
Код товару: 40618
4 Додати до обраних Обраний товар
IR irf5305pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 417 шт
  • 386 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 37024
Додати до обраних Обраний товар
IR irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 109 шт
  • 99 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар
JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар
IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 449 шт
  • 396 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS
Код товару: 117672
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 90 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530 Siliconix info-tirf530pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 IRF5305 International Rectifier info-tirf5305.pdf P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 IRF5305 UMW info-tirf5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 IRF5305 UMW info-tirf5305.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.24 грн
10+59.83 грн
25+51.71 грн
50+45.10 грн
100+40.42 грн
500+35.48 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.95 грн
2000+54.32 грн
5000+53.78 грн
10000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.89 грн
170+83.41 грн
189+75.05 грн
500+59.53 грн
1000+47.36 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+80.97 грн
500+72.87 грн
1000+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.39 грн
161+87.93 грн
181+78.23 грн
500+60.98 грн
1000+47.98 грн
2000+45.59 грн
5000+45.13 грн
10000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.20 грн
136+104.32 грн
250+100.13 грн
500+93.07 грн
1000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.95 грн
2000+54.32 грн
5000+53.78 грн
10000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.89 грн
50+83.41 грн
100+75.05 грн
500+59.53 грн
1000+47.36 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 8623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.96 грн
50+61.74 грн
100+58.09 грн
500+49.72 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.01 грн
50+132.24 грн
100+118.94 грн
500+92.19 грн
1000+78.67 грн
2000+70.12 грн
5000+64.27 грн
10000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.62 грн
50+81.59 грн
100+73.25 грн
500+55.01 грн
1000+50.60 грн
2000+46.89 грн
5000+42.17 грн
10000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+63.96 грн
229+61.74 грн
243+58.09 грн
500+49.72 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.21 грн
5+125.52 грн
10+109.62 грн
50+75.31 грн
100+64.43 грн
250+56.06 грн
500+51.88 грн
800+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF International Rectifier irf5305spbf.pdf description P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
на замовлення 318 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.05 грн
1600+67.12 грн
2400+64.49 грн
4000+57.75 грн
5600+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.86 грн
10+155.38 грн
100+110.11 грн
500+81.95 грн
800+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+227.86 грн
91+155.38 грн
129+110.11 грн
500+81.95 грн
800+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 27493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.98 грн
10+136.54 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N IRF530N JSMicro Semiconductor TIRF530n_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N IRF530N Infineon TIRF530n_0531.pdf N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N IRF530N International Rectifier TIRF530n_0531.pdf N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.28 грн
10+46.61 грн
25+42.68 грн
50+38.32 грн
100+32.47 грн
250+27.53 грн
500+25.19 грн
1000+23.60 грн
1250+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF International Rectifier/Infineon irf530npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+20.44 грн
100+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.21 грн
26+29.51 грн
100+27.89 грн
500+25.44 грн
1000+22.88 грн
2000+21.53 грн
5000+21.31 грн
10000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+52.34 грн
100+34.42 грн
500+25.07 грн
1000+22.74 грн
2000+20.78 грн
5000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
585+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.84 грн
10+108.38 грн
100+71.91 грн
500+54.27 грн
1000+45.75 грн
2000+40.29 грн
5000+36.36 грн
10000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.69 грн
211+67.15 грн
274+51.63 грн
500+40.06 грн
1000+33.52 грн
2000+30.12 грн
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.74 грн
260+54.43 грн
500+42.87 грн
1000+37.05 грн
2000+31.95 грн
5000+30.35 грн
10000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.69 грн
12+67.15 грн
100+51.63 грн
500+40.06 грн
1000+33.52 грн
2000+30.12 грн
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.12 грн
2000+45.97 грн
5000+41.49 грн
10000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS International Rectifier info-tirf530%20ns.pdf N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS JSMSEMI TIRF530_ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.79 грн
10+85.18 грн
20+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c description Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.04 грн
10+118.01 грн
100+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 17058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
4 Додати до обраних Обраний товар
irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 417 шт
  • 386 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 37024
Додати до обраних Обраний товар
irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 109 шт
  • 99 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар
irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 31 А
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар
irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,5
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 449 шт
  • 396 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 90 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 info-tirf530pbf.pdf
IRF530
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 info-tirf5305.pdf
IRF5305
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 info-tirf5305.pdf
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 info-tirf5305.pdf
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.24 грн
10+59.83 грн
25+51.71 грн
50+45.10 грн
100+40.42 грн
500+35.48 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.95 грн
2000+54.32 грн
5000+53.78 грн
10000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+88.89 грн
170+83.41 грн
189+75.05 грн
500+59.53 грн
1000+47.36 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
436+80.97 грн
500+72.87 грн
1000+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+94.39 грн
161+87.93 грн
181+78.23 грн
500+60.98 грн
1000+47.98 грн
2000+45.59 грн
5000+45.13 грн
10000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.20 грн
136+104.32 грн
250+100.13 грн
500+93.07 грн
1000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.95 грн
2000+54.32 грн
5000+53.78 грн
10000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.89 грн
50+83.41 грн
100+75.05 грн
500+59.53 грн
1000+47.36 грн
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 8623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+63.96 грн
50+61.74 грн
100+58.09 грн
500+49.72 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 69976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+269.01 грн
50+132.24 грн
100+118.94 грн
500+92.19 грн
1000+78.67 грн
2000+70.12 грн
5000+64.27 грн
10000+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.62 грн
50+81.59 грн
100+73.25 грн
500+55.01 грн
1000+50.60 грн
2000+46.89 грн
5000+42.17 грн
10000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+63.96 грн
229+61.74 грн
243+58.09 грн
500+49.72 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.21 грн
5+125.52 грн
10+109.62 грн
50+75.31 грн
100+64.43 грн
250+56.06 грн
500+51.88 грн
800+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: International Rectifier
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
на замовлення 318 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+75.05 грн
1600+67.12 грн
2400+64.49 грн
4000+57.75 грн
5600+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+227.86 грн
10+155.38 грн
100+110.11 грн
500+81.95 грн
800+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+227.86 грн
91+155.38 грн
129+110.11 грн
500+81.95 грн
800+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+79.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 27493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.98 грн
10+136.54 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRRPBF irf5305spbf.pdf
IRF5305STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N TIRF530n_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF530N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N TIRF530n_0531.pdf
IRF530N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N TIRF530n_0531.pdf
IRF530N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.28 грн
10+46.61 грн
25+42.68 грн
50+38.32 грн
100+32.47 грн
250+27.53 грн
500+25.19 грн
1000+23.60 грн
1250+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 920 @ 25, Rds = 90 мОм @ 9 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 70, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.44 грн
100+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.21 грн
26+29.51 грн
100+27.89 грн
500+25.44 грн
1000+22.88 грн
2000+21.53 грн
5000+21.31 грн
10000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.03 грн
10+52.34 грн
100+34.42 грн
500+25.07 грн
1000+22.74 грн
2000+20.78 грн
5000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
585+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 9168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.84 грн
10+108.38 грн
100+71.91 грн
500+54.27 грн
1000+45.75 грн
2000+40.29 грн
5000+36.36 грн
10000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+94.69 грн
211+67.15 грн
274+51.63 грн
500+40.06 грн
1000+33.52 грн
2000+30.12 грн
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+73.74 грн
260+54.43 грн
500+42.87 грн
1000+37.05 грн
2000+31.95 грн
5000+30.35 грн
10000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+94.69 грн
12+67.15 грн
100+51.63 грн
500+40.06 грн
1000+33.52 грн
2000+30.12 грн
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+50.12 грн
2000+45.97 грн
5000+41.49 грн
10000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS info-tirf530%20ns.pdf
IRF530NS
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS TIRF530_ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF530NS
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.79 грн
10+85.18 грн
20+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.04 грн
10+118.01 грн
100+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 17058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]