Результат пошуку "IRF530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305PBF IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5305pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 484 шт
425 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 50 шт
19 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 728 шт
687 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf530s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.88 грн
10+67.35 грн
30+31.03 грн
83+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.06 грн
10+83.93 грн
30+37.24 грн
83+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.38 грн
119+102.58 грн
250+98.47 грн
500+91.51 грн
1000+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+127.09 грн
202+60.31 грн
222+54.88 грн
500+51.52 грн
1000+46.76 грн
2000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 48801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+61.28 грн
220+55.34 грн
500+47.57 грн
1000+39.50 грн
4000+28.63 грн
10000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+69.68 грн
500+62.70 грн
1000+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon-IRF5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.57 грн
10+95.88 грн
25+50.18 грн
100+47.90 грн
250+47.53 грн
500+37.52 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+127.82 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.75 грн
10+107.14 грн
100+62.16 грн
500+45.72 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 48801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.88 грн
11+64.44 грн
100+58.46 грн
500+48.10 грн
1000+39.19 грн
4000+29.53 грн
10000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.56 грн
11+63.42 грн
100+57.49 грн
500+47.27 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.60 грн
10+85.98 грн
22+42.32 грн
61+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.10 грн
500+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+76.33 грн
186+65.49 грн
200+65.16 грн
500+51.75 грн
1000+46.98 грн
1600+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.51 грн
50+104.59 грн
100+76.10 грн
500+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+66.85 грн
183+66.53 грн
217+55.98 грн
250+53.44 грн
500+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.43 грн
10+71.09 грн
25+70.75 грн
100+58.42 грн
250+53.55 грн
500+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.63 грн
1600+46.07 грн
2400+44.59 грн
4000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.68 грн
10+94.14 грн
100+59.80 грн
500+49.87 грн
800+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.08 грн
1600+42.58 грн
2400+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530A IRF530A ONSEMI 256488.pdf Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.08 грн
12+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.37 грн
10+42.72 грн
46+20.21 грн
127+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.45 грн
10+53.23 грн
46+24.26 грн
127+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+45.99 грн
299+40.62 грн
500+33.25 грн
1000+29.59 грн
2000+23.01 грн
5000+20.81 грн
10000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+31.49 грн
552+22.02 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+54.51 грн
262+46.50 грн
500+36.35 грн
1000+31.86 грн
2000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF530N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 6423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.04 грн
10+51.34 грн
100+36.99 грн
500+27.82 грн
1000+25.47 грн
2000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.53 грн
15+57.91 грн
100+49.23 грн
500+35.61 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.24 грн
17+42.09 грн
100+37.68 грн
500+30.23 грн
1000+26.35 грн
2000+22.29 грн
5000+21.37 грн
10000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+80.98 грн
12+58.40 грн
100+48.65 грн
500+35.46 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 54619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.82 грн
17+42.21 грн
100+37.63 грн
500+30.00 грн
1000+26.10 грн
2000+22.00 грн
5000+21.06 грн
10000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+39.22 грн
342+35.50 грн
500+30.10 грн
1000+27.12 грн
2000+21.62 грн
5000+19.69 грн
10000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS JSMSEMI irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.48 грн
10+61.74 грн
25+54.64 грн
29+32.06 грн
80+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.97 грн
10+76.94 грн
25+65.56 грн
29+38.47 грн
80+36.29 грн
1600+35.34 грн
2400+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.63 грн
12+71.25 грн
100+56.97 грн
500+42.40 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.46 грн
10+66.33 грн
100+46.39 грн
500+41.23 грн
800+31.53 грн
2400+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+89.25 грн
143+85.26 грн
250+81.84 грн
500+76.07 грн
1000+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.97 грн
1600+35.13 грн
2400+34.78 грн
4000+29.41 грн
5600+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+33.41 грн
1600+32.49 грн
2400+31.63 грн
4000+27.30 грн
5600+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.97 грн
500+42.40 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.11 грн
15+28.11 грн
42+22.27 грн
115+21.08 грн
250+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 484 шт
425 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 50 шт
19 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 728 шт
687 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

sihf530s.pdf
IRF530S
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.88 грн
10+67.35 грн
30+31.03 грн
83+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.06 грн
10+83.93 грн
30+37.24 грн
83+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+107.38 грн
119+102.58 грн
250+98.47 грн
500+91.51 грн
1000+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+127.09 грн
202+60.31 грн
222+54.88 грн
500+51.52 грн
1000+46.76 грн
2000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 48801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+61.28 грн
220+55.34 грн
500+47.57 грн
1000+39.50 грн
4000+28.63 грн
10000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+69.68 грн
500+62.70 грн
1000+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF Infineon-IRF5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.57 грн
10+95.88 грн
25+50.18 грн
100+47.90 грн
250+47.53 грн
500+37.52 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+127.82 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.75 грн
10+107.14 грн
100+62.16 грн
500+45.72 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 48801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+139.88 грн
11+64.44 грн
100+58.46 грн
500+48.10 грн
1000+39.19 грн
4000+29.53 грн
10000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.56 грн
11+63.42 грн
100+57.49 грн
500+47.27 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.60 грн
10+85.98 грн
22+42.32 грн
61+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.10 грн
500+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.33 грн
186+65.49 грн
200+65.16 грн
500+51.75 грн
1000+46.98 грн
1600+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.51 грн
50+104.59 грн
100+76.10 грн
500+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+66.85 грн
183+66.53 грн
217+55.98 грн
250+53.44 грн
500+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+85.43 грн
10+71.09 грн
25+70.75 грн
100+58.42 грн
250+53.55 грн
500+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.63 грн
1600+46.07 грн
2400+44.59 грн
4000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.68 грн
10+94.14 грн
100+59.80 грн
500+49.87 грн
800+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.08 грн
1600+42.58 грн
2400+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530A 256488.pdf
IRF530A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.08 грн
12+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.37 грн
10+42.72 грн
46+20.21 грн
127+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.45 грн
10+53.23 грн
46+24.26 грн
127+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+45.99 грн
299+40.62 грн
500+33.25 грн
1000+29.59 грн
2000+23.01 грн
5000+20.81 грн
10000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+31.49 грн
552+22.02 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+54.51 грн
262+46.50 грн
500+36.35 грн
1000+31.86 грн
2000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon-IRF530N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 6423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.04 грн
10+51.34 грн
100+36.99 грн
500+27.82 грн
1000+25.47 грн
2000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.53 грн
15+57.91 грн
100+49.23 грн
500+35.61 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.24 грн
17+42.09 грн
100+37.68 грн
500+30.23 грн
1000+26.35 грн
2000+22.29 грн
5000+21.37 грн
10000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+80.98 грн
12+58.40 грн
100+48.65 грн
500+35.46 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 54619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.82 грн
17+42.21 грн
100+37.63 грн
500+30.00 грн
1000+26.10 грн
2000+22.00 грн
5000+21.06 грн
10000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+39.22 грн
342+35.50 грн
500+30.10 грн
1000+27.12 грн
2000+21.62 грн
5000+19.69 грн
10000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.48 грн
10+61.74 грн
25+54.64 грн
29+32.06 грн
80+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.97 грн
10+76.94 грн
25+65.56 грн
29+38.47 грн
80+36.29 грн
1600+35.34 грн
2400+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.63 грн
12+71.25 грн
100+56.97 грн
500+42.40 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 10315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+66.33 грн
100+46.39 грн
500+41.23 грн
800+31.53 грн
2400+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+89.25 грн
143+85.26 грн
250+81.84 грн
500+76.07 грн
1000+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+35.97 грн
1600+35.13 грн
2400+34.78 грн
4000+29.41 грн
5600+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+33.41 грн
1600+32.49 грн
2400+31.63 грн
4000+27.30 грн
5600+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.97 грн
500+42.40 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.11 грн
15+28.11 грн
42+22.27 грн
115+21.08 грн
250+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]