Результат пошуку "IRF530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305PBF IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5305pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 246 шт
193 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf530s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 Siliconix IRF530.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.49 грн
10+62.35 грн
25+53.52 грн
50+47.06 грн
100+41.70 грн
200+37.68 грн
250+36.57 грн
500+33.89 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.79 грн
10+77.70 грн
25+64.22 грн
50+56.47 грн
100+50.04 грн
200+45.21 грн
250+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+71.18 грн
500+64.07 грн
1000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+109.72 грн
119+104.81 грн
250+100.61 грн
500+93.51 грн
1000+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+145.05 грн
12+64.07 грн
100+60.82 грн
500+48.79 грн
1000+41.41 грн
4000+38.95 грн
10000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+75.02 грн
272+45.66 грн
277+44.83 грн
500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.33 грн
14+54.53 грн
100+52.57 грн
500+44.34 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+50.89 грн
253+49.06 грн
500+42.92 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.01 грн
10+93.98 грн
25+47.07 грн
100+45.55 грн
250+45.48 грн
500+36.93 грн
1000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineonirf5305datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+60.07 грн
218+57.02 грн
500+47.44 грн
1000+41.94 грн
4000+38.04 грн
10000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.78 грн
10+80.87 грн
50+59.83 грн
100+53.20 грн
250+46.50 грн
500+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+82.71 грн
178+69.81 грн
200+69.48 грн
500+55.43 грн
1000+49.85 грн
1600+39.77 грн
3200+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.43 грн
10+75.30 грн
25+74.64 грн
100+60.67 грн
250+55.99 грн
500+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+70.28 грн
179+69.66 грн
212+58.73 грн
250+56.44 грн
500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.30 грн
1600+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.87 грн
10+40.28 грн
25+36.89 грн
50+34.37 грн
100+32.00 грн
250+28.93 грн
500+26.72 грн
1000+24.59 грн
2000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.25 грн
10+50.19 грн
25+44.27 грн
50+41.24 грн
100+38.40 грн
250+34.71 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.96 грн
364+34.14 грн
500+29.18 грн
1000+26.50 грн
2000+22.47 грн
5000+20.97 грн
10000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.85 грн
14+54.32 грн
100+45.85 грн
500+34.99 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.99 грн
18+40.60 грн
100+36.40 грн
500+29.87 грн
1000+26.02 грн
2000+22.83 грн
5000+22.18 грн
10000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+37.72 грн
367+33.82 грн
500+28.78 грн
1000+26.10 грн
2000+22.10 грн
5000+20.61 грн
10000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+50.70 грн
290+42.80 грн
500+33.86 грн
1000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.87 грн
18+40.67 грн
100+36.58 грн
500+30.15 грн
1000+26.29 грн
2000+23.11 грн
5000+22.47 грн
10000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.44 грн
10+46.56 грн
100+34.05 грн
500+26.79 грн
1000+24.59 грн
2000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+32.17 грн
552+22.50 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS JSMSEMI irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.00 грн
10+52.81 грн
100+40.44 грн
200+36.73 грн
250+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.60 грн
10+65.81 грн
100+48.52 грн
200+44.08 грн
250+42.66 грн
500+38.31 грн
800+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+91.20 грн
143+87.12 грн
250+83.62 грн
500+77.72 грн
1000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.29 грн
10+67.44 грн
100+46.31 грн
500+43.96 грн
800+31.48 грн
2400+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+54.34 грн
395+31.43 грн
408+30.44 грн
500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies irf530nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.69 грн
12+35.15 грн
13+32.40 грн
50+27.90 грн
100+26.80 грн
500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.02 грн
7+43.81 грн
10+38.87 грн
50+33.48 грн
100+32.16 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.93 грн
50+62.10 грн
100+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.70 грн
50+46.84 грн
100+46.37 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+59.67 грн
215+57.96 грн
217+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay irf530.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+44.33 грн
286+43.52 грн
288+43.08 грн
500+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF Vishay Semiconductors irf530.pdf description MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.10 грн
10+48.82 грн
100+41.32 грн
500+39.42 грн
1000+39.12 грн
2000+37.30 грн
5000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3 IRF530PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf530.pdf MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.47 грн
10+48.03 грн
100+36.02 грн
500+34.96 грн
1000+31.18 грн
2000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S Siliconix sihf530s.pdf N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.06 грн
50+55.96 грн
100+52.81 грн
250+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
50+69.74 грн
100+63.37 грн
250+58.64 грн
500+55.81 грн
750+53.91 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 246 шт
193 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

sihf530s.pdf
IRF530S
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530.pdf
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.49 грн
10+62.35 грн
25+53.52 грн
50+47.06 грн
100+41.70 грн
200+37.68 грн
250+36.57 грн
500+33.89 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.79 грн
10+77.70 грн
25+64.22 грн
50+56.47 грн
100+50.04 грн
200+45.21 грн
250+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+71.18 грн
500+64.07 грн
1000+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+109.72 грн
119+104.81 грн
250+100.61 грн
500+93.51 грн
1000+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+145.05 грн
12+64.07 грн
100+60.82 грн
500+48.79 грн
1000+41.41 грн
4000+38.95 грн
10000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+75.02 грн
272+45.66 грн
277+44.83 грн
500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.33 грн
14+54.53 грн
100+52.57 грн
500+44.34 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+50.89 грн
253+49.06 грн
500+42.92 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.01 грн
10+93.98 грн
25+47.07 грн
100+45.55 грн
250+45.48 грн
500+36.93 грн
1000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineonirf5305datasheetv0101en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+60.07 грн
218+57.02 грн
500+47.44 грн
1000+41.94 грн
4000+38.04 грн
10000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.78 грн
10+80.87 грн
50+59.83 грн
100+53.20 грн
250+46.50 грн
500+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+82.71 грн
178+69.81 грн
200+69.48 грн
500+55.43 грн
1000+49.85 грн
1600+39.77 грн
3200+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.43 грн
10+75.30 грн
25+74.64 грн
100+60.67 грн
250+55.99 грн
500+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+70.28 грн
179+69.66 грн
212+58.73 грн
250+56.44 грн
500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.30 грн
1600+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.87 грн
10+40.28 грн
25+36.89 грн
50+34.37 грн
100+32.00 грн
250+28.93 грн
500+26.72 грн
1000+24.59 грн
2000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.25 грн
10+50.19 грн
25+44.27 грн
50+41.24 грн
100+38.40 грн
250+34.71 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.96 грн
364+34.14 грн
500+29.18 грн
1000+26.50 грн
2000+22.47 грн
5000+20.97 грн
10000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.85 грн
14+54.32 грн
100+45.85 грн
500+34.99 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.99 грн
18+40.60 грн
100+36.40 грн
500+29.87 грн
1000+26.02 грн
2000+22.83 грн
5000+22.18 грн
10000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
329+37.72 грн
367+33.82 грн
500+28.78 грн
1000+26.10 грн
2000+22.10 грн
5000+20.61 грн
10000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.70 грн
290+42.80 грн
500+33.86 грн
1000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.87 грн
18+40.67 грн
100+36.58 грн
500+30.15 грн
1000+26.29 грн
2000+23.11 грн
5000+22.47 грн
10000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.44 грн
10+46.56 грн
100+34.05 грн
500+26.79 грн
1000+24.59 грн
2000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineonirf530ndatasheetv0101en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+32.17 грн
552+22.50 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.00 грн
10+52.81 грн
100+40.44 грн
200+36.73 грн
250+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.60 грн
10+65.81 грн
100+48.52 грн
200+44.08 грн
250+42.66 грн
500+38.31 грн
800+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+91.20 грн
143+87.12 грн
250+83.62 грн
500+77.72 грн
1000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.29 грн
10+67.44 грн
100+46.31 грн
500+43.96 грн
800+31.48 грн
2400+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+54.34 грн
395+31.43 грн
408+30.44 грн
500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.69 грн
12+35.15 грн
13+32.40 грн
50+27.90 грн
100+26.80 грн
500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8957B5DD820469&compId=IRF530PBF.pdf?ci_sign=754f581ef87af839e1b84dd0c296359fa0c06f27
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.02 грн
7+43.81 грн
10+38.87 грн
50+33.48 грн
100+32.16 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.93 грн
50+62.10 грн
100+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.70 грн
50+46.84 грн
100+46.37 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+59.67 грн
215+57.96 грн
217+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
280+44.33 грн
286+43.52 грн
288+43.08 грн
500+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description irf530.pdf
IRF530PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.10 грн
10+48.82 грн
100+41.32 грн
500+39.42 грн
1000+39.12 грн
2000+37.30 грн
5000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF-BE3 irf530.pdf
IRF530PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.47 грн
10+48.03 грн
100+36.02 грн
500+34.96 грн
1000+31.18 грн
2000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S sihf530s.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be
IRF530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.06 грн
50+55.96 грн
100+52.81 грн
250+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be
IRF530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
50+69.74 грн
100+63.37 грн
250+58.64 грн
500+55.81 грн
750+53.91 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]