Результат пошуку "IRF530" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 94
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 204
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 436
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 180
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 311
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 223
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 310
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 288
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 216
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 218
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 378
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: THT |
у наявності: 481 шт
424 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 7 шт - РАДІОМАГ-Одеса 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
![]() Корпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Монтаж: SMD |
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 10,5 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: THT |
у наявності: 720 шт
680 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: SMD |
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
IRF530 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF5305PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF5305STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5305STRL | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 90mΩ Gate charge: 24.7nC |
на замовлення 4145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 90mΩ Gate charge: 24.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 53619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 53619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 62027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF530NS | JSMSEMI |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 9653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 9521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF530S | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF530SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF530STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 481 шт
424 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 48 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.00 грн |
10+ | 44.00 грн |
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 720 шт
680 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 17.50 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.40 грн |
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 39.00 грн |
IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.50 грн |
10+ | 23.80 грн |
IRF530 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 31.60 грн |
IRF5305 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 36.67 грн |
IRF5305 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 24.38 грн |
IRF5305 |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.71 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 88.46 грн |
10+ | 67.45 грн |
25+ | 57.89 грн |
30+ | 31.04 грн |
83+ | 29.38 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.15 грн |
10+ | 84.05 грн |
25+ | 69.47 грн |
30+ | 37.25 грн |
83+ | 35.26 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 140.24 грн |
11+ | 64.02 грн |
100+ | 57.97 грн |
500+ | 47.40 грн |
1000+ | 38.51 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
94+ | 130.89 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
204+ | 60.43 грн |
225+ | 54.75 грн |
500+ | 46.48 грн |
1000+ | 39.33 грн |
4000+ | 28.93 грн |
10000+ | 27.46 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 6617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.38 грн |
10+ | 97.66 грн |
25+ | 49.51 грн |
100+ | 47.31 грн |
250+ | 47.24 грн |
500+ | 37.00 грн |
1000+ | 34.42 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
436+ | 70.51 грн |
500+ | 63.46 грн |
1000+ | 58.53 грн |
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 140.69 грн |
11+ | 64.66 грн |
100+ | 58.58 грн |
500+ | 47.95 грн |
1000+ | 38.97 грн |
4000+ | 29.72 грн |
10000+ | 29.38 грн |
IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
180+ | 68.30 грн |
212+ | 58.15 грн |
250+ | 55.90 грн |
500+ | 40.88 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 87.84 грн |
10+ | 73.52 грн |
25+ | 73.17 грн |
100+ | 60.08 грн |
250+ | 55.46 грн |
500+ | 42.04 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 45.33 грн |
1600+ | 43.52 грн |
2400+ | 43.26 грн |
4000+ | 37.93 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.81 грн |
10+ | 98.53 грн |
100+ | 62.25 грн |
500+ | 48.07 грн |
800+ | 42.61 грн |
2400+ | 40.94 грн |
IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 48.57 грн |
1600+ | 46.63 грн |
2400+ | 46.35 грн |
4000+ | 40.64 грн |
IRF530N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.53 грн |
IRF530N |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 21.85 грн |
IRF530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.96 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 61.24 грн |
10+ | 43.60 грн |
25+ | 39.89 грн |
46+ | 20.22 грн |
127+ | 19.11 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.49 грн |
10+ | 54.33 грн |
25+ | 47.86 грн |
46+ | 24.26 грн |
127+ | 22.94 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
311+ | 39.53 грн |
351+ | 35.10 грн |
500+ | 29.16 грн |
1000+ | 26.34 грн |
2000+ | 21.21 грн |
5000+ | 19.92 грн |
10000+ | 19.71 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
223+ | 55.17 грн |
270+ | 45.65 грн |
500+ | 34.74 грн |
1000+ | 30.59 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.07 грн |
10+ | 51.36 грн |
100+ | 37.00 грн |
500+ | 27.83 грн |
1000+ | 25.48 грн |
2000+ | 22.37 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 50.89 грн |
17+ | 42.30 грн |
100+ | 37.56 грн |
500+ | 30.08 грн |
1000+ | 26.10 грн |
2000+ | 21.79 грн |
5000+ | 21.31 грн |
10000+ | 21.09 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 50.85 грн |
17+ | 42.60 грн |
100+ | 37.98 грн |
500+ | 30.60 грн |
1000+ | 26.59 грн |
2000+ | 22.27 грн |
5000+ | 21.78 грн |
10000+ | 21.56 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 81.96 грн |
12+ | 59.11 грн |
100+ | 48.91 грн |
500+ | 35.89 грн |
1000+ | 30.35 грн |
IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
310+ | 39.76 грн |
347+ | 35.45 грн |
500+ | 29.62 грн |
1000+ | 26.81 грн |
2000+ | 21.65 грн |
5000+ | 20.33 грн |
10000+ | 20.13 грн |
IRF530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 47.20 грн |
IRF530NS |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 20.48 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 79.10 грн |
10+ | 57.10 грн |
29+ | 32.07 грн |
80+ | 30.25 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.92 грн |
10+ | 71.16 грн |
29+ | 38.48 грн |
80+ | 36.30 грн |
1600+ | 34.88 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.50 грн |
10+ | 66.36 грн |
100+ | 46.40 грн |
500+ | 41.25 грн |
800+ | 31.54 грн |
2400+ | 31.32 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 36.00 грн |
2400+ | 35.59 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 64.18 грн |
IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 33.64 грн |
2400+ | 33.26 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 51.03 грн |
11+ | 37.91 грн |
12+ | 35.07 грн |
42+ | 22.27 грн |
115+ | 21.09 грн |
500+ | 21.01 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH
на замовлення 9653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.19 грн |
10+ | 54.59 грн |
100+ | 45.87 грн |
500+ | 45.34 грн |
1000+ | 44.81 грн |
2000+ | 36.77 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
288+ | 42.80 грн |
296+ | 41.64 грн |
500+ | 40.76 грн |
1000+ | 38.91 грн |
2000+ | 33.20 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 63.32 грн |
50+ | 60.38 грн |
100+ | 58.42 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
216+ | 56.92 грн |
226+ | 54.52 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 64.03 грн |
16+ | 45.79 грн |
100+ | 44.55 грн |
500+ | 42.06 грн |
1000+ | 38.55 грн |
2000+ | 34.11 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
218+ | 56.51 грн |
500+ | 55.20 грн |
1000+ | 55.16 грн |
IRF530PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 9521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.81 грн |
10+ | 50.05 грн |
100+ | 37.15 грн |
500+ | 35.56 грн |
1000+ | 32.60 грн |
IRF530S |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 29.26 грн |
IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 72.30 грн |
30+ | 31.59 грн |
81+ | 30.01 грн |
IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.76 грн |
30+ | 39.37 грн |
81+ | 36.02 грн |
IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.00 грн |
10+ | 74.64 грн |
100+ | 64.53 грн |
500+ | 59.98 грн |
1000+ | 53.15 грн |
2000+ | 47.47 грн |
5000+ | 47.39 грн |
IRF530STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 63.11 грн |
20+ | 35.47 грн |
21+ | 34.91 грн |
25+ | 33.12 грн |
100+ | 30.16 грн |
250+ | 28.47 грн |
IRF530STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 14 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 14 Amp
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.78 грн |
10+ | 60.86 грн |
100+ | 48.68 грн |
500+ | 48.45 грн |
800+ | 47.39 грн |
IRF530STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
378+ | 32.58 грн |
384+ | 32.06 грн |
390+ | 31.53 грн |
397+ | 29.89 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]