Результат пошуку "IRF530" : 56
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: THT |
у наявності: 213 шт
163 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ 16 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Монтаж: SMD |
у наявності: 47 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 10,5 Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: THT |
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 90 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 920/37 Монтаж: SMD |
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||
|
IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
| IRF530 | Siliconix |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5305 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3311 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF5305STRL | Infineon |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305sкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF5305STRL | Infineon |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305sкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF530N | Infineon |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF530N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF530N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 79W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 24.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF530NS | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF530NS | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 357 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF530S | Siliconix |
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF530SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF5305L | IR/FAIRCHILD |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF5305STR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF5305STRLPBF | International Rectifier Corporation |
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) |
на замовлення 323 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF5305STRPBF |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF530NPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF530NSTRR |
на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF530NSTRRPBF | IR |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF530PBF |
IRF530PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF530SPBF | Vishay Siliconix |
HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF530STRPBF | IR |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| HIRF530N | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRF5305PBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 57 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRF5305SPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRF5305STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRF530NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRF530PBF | Vishay | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm |
на замовлення 417 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF5305PBF -31A -55V P-ch TO-220 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF530NSTRLPBF 17A 100V N-ch D2PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF530PBF 14A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PHAIRF530N.127 | PHI | 07+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF530 Код товару: 14593
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 670/26 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF530 Код товару: 175506
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 26/670 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF5305LPBF Код товару: 89217
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF5305SPBF Код товару: 37024
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 31 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF5305STRLPBF Код товару: 155127
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF530N Код товару: 30162
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF530NL Код товару: 121833
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF530NSTRLPBF Код товару: 144837
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRF5305PBF Код товару: 40618
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 213 шт
163 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| IRF5305SPBF Код товару: 185643
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 47 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| IRF530NPBF Код товару: 50641
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 614 шт
576 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 17.50 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| IRF530NS Код товару: 117672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 16 шт
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 39.00 грн |
| IRF530S Код товару: 53545
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 26.50 грн |
| 10+ | 23.80 грн |
| IRF530 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 31.98 грн |
| IRF5305 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.67 грн |
| IRF5305 |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 22.74 грн |
| IRF5305 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 37.11 грн |
| IRF5305PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.16 грн |
| 10+ | 78.78 грн |
| 25+ | 65.12 грн |
| 50+ | 57.26 грн |
| 100+ | 50.74 грн |
| 200+ | 45.85 грн |
| 250+ | 44.50 грн |
| IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.28 грн |
| IRF5305STRL |
![]() |
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.28 грн |
| IRF530N |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.11 грн |
| IRF530N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.75 грн |
| IRF530N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.19 грн |
| IRF530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.20 грн |
| 10+ | 50.90 грн |
| 25+ | 44.89 грн |
| 50+ | 41.82 грн |
| 100+ | 38.94 грн |
| 250+ | 35.20 грн |
| 500+ | 32.51 грн |
| IRF530NS |
![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530NS; IRF530NSTRL; IRF530NSTRR; SP001551118; SP001563332; SP001554040; IRF530NS JSMICRO TIRF530 ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 20.73 грн |
| IRF530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.77 грн |
| IRF530NSTRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.83 грн |
| 10+ | 66.73 грн |
| 100+ | 49.20 грн |
| 200+ | 44.70 грн |
| 250+ | 43.26 грн |
| 500+ | 38.84 грн |
| 800+ | 35.78 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.81 грн |
| 7+ | 44.42 грн |
| 10+ | 39.42 грн |
| 50+ | 33.95 грн |
| 100+ | 32.61 грн |
| 500+ | 30.79 грн |
| IRF530S |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 14A 100V 3.7W 0.160? IRF530S IRF530S TIRF530 s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 29.61 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 50+ | 70.72 грн |
| 100+ | 64.26 грн |
| 250+ | 59.47 грн |
| 500+ | 56.59 грн |
| 750+ | 54.67 грн |
| 1000+ | 52.75 грн |
| IRF5305L |
![]() |
Виробник: IR/FAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF5305STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF530NPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF530NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
IRF530PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF530STRPBF |
Виробник: IR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| HIRF530N |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; HIRF530N HXY MOSFET TIRF530n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 17.57 грн |
| Транзистор IRF5305PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 59.22 грн |
| 10+ | 48.39 грн |
| 100+ | 43.99 грн |
| Транзистор IRF5305SPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 148.05 грн |
| 10+ | 45.64 грн |
| 100+ | 41.24 грн |
| Транзистор IRF5305STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.83 грн |
| 10+ | 76.99 грн |
| 100+ | 71.49 грн |
| Транзистор IRF530NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.09 грн |
| 10+ | 32.44 грн |
| 100+ | 29.69 грн |
| Транзистор IRF530PBF |
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 417 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 15.40 грн |
| Транзистор польовий IRF5305PBF -31A -55V P-ch TO-220 |
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 55.81 грн |
| Транзистор польовий IRF530NSTRLPBF 17A 100V N-ch D2PAK |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 87.71 грн |
| Транзистор польовий IRF530PBF 14A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 44.16 грн |
| PHAIRF530N.127 |
Виробник: PHI
07+;
07+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF530 Код товару: 14593
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| IRF530 Код товару: 175506
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 24.80 грн |
| 100+ | 21.80 грн |
| IRF5305LPBF Код товару: 89217
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF5305SPBF Код товару: 37024
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 27.80 грн |
| 100+ | 24.80 грн |
| IRF5305STRLPBF Код товару: 155127
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF530N Код товару: 30162
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF530NL Код товару: 121833
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF530NSTRLPBF Код товару: 144837
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.








