Результат пошуку "IRF540" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 368 шт
  • 287 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 222983
Додати до обраних Обраний товар
INFINEON IRF540NPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1000 шт
  • 1000 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Код товару: 34259
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 44 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 47 шт
  • 41 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 10 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF
Код товару: 123222
Додати до обраних Обраний товар
SILI sihf540s-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар
IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
  • 125 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
 Модуль із 4 MOSFET IRF540
Код товару: 193624
5 Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V.
Категорія: Модуль комутації
Призначення: MOSFET
у наявності: 23 шт
  • 15 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Vishay info-tirf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Siliconix info-tirf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N MULTICOMP PRO 4419343.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N International Rectifier info-tirf540n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N JSMicro Semiconductor info-tirf540n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N International Rectifier info-tirf540n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N Infineon info-tirf540n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 60A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-CN CHIPNOBO TIRF540n CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL International Rectifier info-tirf540nl.pdf N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL International Rectifier info-tirf540nl.pdf N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF IRF540NLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 21716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+104.17 грн
500+93.74 грн
1000+86.46 грн
10000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.83 грн
10+50.69 грн
20+47.74 грн
40+23.58 грн
110+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+48.03 грн
1000+44.30 грн
10000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 24542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS SLKOR TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS SLKOR TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS ARK TIRF540ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TO-263 TIRF540ns c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS JSMicro Semiconductor TIRF540ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL IRF540NSTRL UMW TIRF540ns_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL IRF540NSTRL International Rectifier TIRF540ns_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF International Rectifier/Infineon infineon-irf540ns-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
800+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon_irf540ns_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 42674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.57 грн
10+128.37 грн
50+97.98 грн
100+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.71 грн
2400+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.01 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF International Rectifier irf540ns.pdf description TO263 (D2PAK) Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.79 грн
10+73.95 грн
25+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY VISH-S-A0019267797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 10787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 22050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.85 грн
10+136.51 грн
50+104.44 грн
100+88.31 грн
500+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF Vishay Semiconductors irf540.pdf MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 Vishay Siliconix irf540.pdf IRF540PBF-BE3 IRF540PBF N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
8+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY VISH-S-A0011155880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay Semiconductors sihf540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.32 грн
10+163.35 грн
50+125.83 грн
100+106.72 грн
500+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Semiconductors sihf540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 18693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.52 грн
10+176.07 грн
50+136.00 грн
100+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.08 грн
2400+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.08 грн
2400+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF Vishay Semiconductors sihf540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.52 грн
10+176.07 грн
50+136.00 грн
100+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540Z IRF540Z International Rectifier info-tirf540z.pdf N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF INFINEON 695950.pdf Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+443.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 368 шт
  • 287 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 222983
Додати до обраних Обраний товар
IRF540NPBF.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1000 шт
  • 1000 шт - склад
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF
Код товару: 34259
2 Додати до обраних Обраний товар
description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 44 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 47 шт
  • 41 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 10 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF
Код товару: 123222
Додати до обраних Обраний товар
sihf540s-datasheet.pdf
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар
description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
  • 125 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль із 4 MOSFET IRF540
Код товару: 193624
5 Додати до обраних Обраний товар
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V.
Категорія: Модуль комутації
Призначення: MOSFET
у наявності: 23 шт
  • 15 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 info-tirf540.pdf
IRF540
Виробник: Vishay
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 info-tirf540.pdf
IRF540
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 4419343.pdf
IRF540N
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 60A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-CN CHIPNOBO TIRF540n CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL info-tirf540nl.pdf
IRF540NL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL info-tirf540nl.pdf
IRF540NL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF description infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 21716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+104.17 грн
500+93.74 грн
1000+86.46 грн
10000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.83 грн
10+50.69 грн
20+47.74 грн
40+23.58 грн
110+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
738+48.03 грн
1000+44.30 грн
10000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 24542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: ARK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TO-263 TIRF540ns c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL TIRF540ns_UMW_UMW_0001.pdf
IRF540NSTRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL TIRF540ns_UMW_UMW_0001.pdf
IRF540NSTRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+195.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon_irf540ns_datasheet_en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 42674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.57 грн
10+128.37 грн
50+97.98 грн
100+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+69.71 грн
2400+59.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+196.01 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540ns.pdf
Виробник: International Rectifier
TO263 (D2PAK) Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF.pdf
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.79 грн
10+73.95 грн
25+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF VISH-S-A0019267797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 10787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 22050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.85 грн
10+136.51 грн
50+104.44 грн
100+88.31 грн
500+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF VISH-S-A0011155880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.32 грн
10+163.35 грн
50+125.83 грн
100+106.72 грн
500+86.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 18693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.52 грн
10+176.07 грн
50+136.00 грн
100+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+99.08 грн
2400+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
IRF540STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+99.08 грн
2400+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
IRF540STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
IRF540STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.52 грн
10+176.07 грн
50+136.00 грн
100+115.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540Z info-tirf540z.pdf
IRF540Z
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF 695950.pdf
IRF540ZLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+443.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.