Результат пошуку "IRF540" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF540NPBF IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1500 шт
  • 1464 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Код товару: 34259
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 44 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 42 шт
  • 41 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 185 шт
  • 128 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF
Код товару: 123222
Додати до обраних Обраний товар
SILI sihf540s-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар
IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 55 шт
  • 55 шт - очікується
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
 Модуль із 4 MOSFET IRF540
Код товару: 193624
4 Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V.
Категорія: Модуль комутації
Призначення: MOSFET
товару немає в наявності
очікується: 40 шт
  • 40 шт - очікується
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 Siliconix info-tirf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N MULTICOMP PRO 4419343.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N JSMicro Semiconductor info-tirf540n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N Infineon info-tirf540n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IRF540N Infineon info-tirf540n.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL International Rectifier info-tirf540nl.pdf N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL IRF540NL International Rectifier info-tirf540nl.pdf N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF IRF540NLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 21716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.69 грн
10000+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.90 грн
10+54.93 грн
20+44.06 грн
50+34.92 грн
100+30.55 грн
500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.16 грн
197+71.43 грн
298+47.27 грн
500+45.13 грн
1000+41.36 грн
2000+39.44 грн
5000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 49328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.16 грн
50+71.43 грн
100+47.27 грн
500+45.13 грн
1000+41.36 грн
2000+39.44 грн
5000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS JSMicro Semiconductor TIRF540ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS SLKOR TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS IRF540NS SLKOR TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL IRF540NSTRL UMW TIRF540ns_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF International Rectifier/Infineon infineon-irf540ns-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.71 грн
10+148.54 грн
100+107.32 грн
500+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 6299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 24087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.23 грн
100+107.83 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.23 грн
131+107.83 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.74 грн
10+121.19 грн
100+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 6299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.78 грн
132+106.78 грн
500+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.81 грн
1600+58.73 грн
2400+56.37 грн
4000+50.41 грн
5600+48.94 грн
8000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF International Rectifier irf540ns.pdf description TO263 (D2PAK) Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 Vishay Siliconix irf540.pdf IRF540PBF-BE3 IRF540PBF N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540S IRF540S Siliconix info-tirf540s.pdf N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540Z IRF540Z International Rectifier info-tirf540z.pdf N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+91.79 грн
500+82.61 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF INFINEON 695950.pdf Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+404.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+91.79 грн
500+82.61 грн
1000+76.18 грн
10000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.09 грн
10+45.38 грн
50+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.29 грн
144+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.25 грн
50+108.79 грн
100+97.52 грн
500+74.99 грн
1000+63.76 грн
2000+56.63 грн
5000+51.68 грн
10000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+223.10 грн
130+108.23 грн
145+97.02 грн
500+74.60 грн
1000+63.43 грн
2000+56.34 грн
5000+51.41 грн
10000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 14996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.29 грн
100+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 3917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Infineon Technologies irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 49320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.79 грн
50+73.75 грн
100+66.11 грн
500+49.47 грн
1000+45.43 грн
2000+42.03 грн
5000+37.73 грн
10000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRLPBF Infineon irf540z.pdf MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540-321L IR 2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5407PBF IOR 2007
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1500 шт
  • 1464 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSPBF
Код товару: 34259
2 Додати до обраних Обраний товар
description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 44 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 42 шт
  • 41 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+88.50 грн
10+79.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF
Код товару: 182036
Додати до обраних Обраний товар
IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,077 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: THT
у наявності: 185 шт
  • 128 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+54.50 грн
100+49.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF
Код товару: 123222
Додати до обраних Обраний товар
sihf540s-datasheet.pdf
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+49.50 грн
10+44.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF
Код товару: 42002
3 Додати до обраних Обраний товар
description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 36 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0266 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 55 шт
  • 55 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.00 грн
10+28.10 грн
100+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Модуль із 4 MOSFET IRF540
Код товару: 193624
4 Додати до обраних Обраний товар
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540Модуль із 4 MOSFET IRF540
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається з 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлено мікросхему PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватися тільки для керування колом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25A). Керування сигналом від МК: 5V.
Категорія: Модуль комутації
Призначення: MOSFET
товару немає в наявності
очікується: 40 шт
  • 40 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+115.00 грн
10+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 info-tirf540.pdf
IRF540
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N 4419343.pdf
IRF540N
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N info-tirf540n.pdf
IRF540N
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL info-tirf540nl.pdf
IRF540NL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NL info-tirf540nl.pdf
IRF540NL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NLPBF description irf540nspbf.pdf
IRF540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 21716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.69 грн
10000+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.90 грн
10+54.93 грн
20+44.06 грн
50+34.92 грн
100+30.55 грн
500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+72.16 грн
197+71.43 грн
298+47.27 грн
500+45.13 грн
1000+41.36 грн
2000+39.44 грн
5000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 49328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.16 грн
50+71.43 грн
100+47.27 грн
500+45.13 грн
1000+41.36 грн
2000+39.44 грн
5000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_JSM_JSMICRO_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NS description TIRF540ns_SLK_SLKOR_0001.pdf
IRF540NS
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRL TIRF540ns_UMW_UMW_0001.pdf
IRF540NSTRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF infineon-irf540ns-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+236.71 грн
10+148.54 грн
100+107.32 грн
500+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 6299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 24087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.23 грн
100+107.83 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.23 грн
131+107.83 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.74 грн
10+121.19 грн
100+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 6299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+147.78 грн
132+106.78 грн
500+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+65.81 грн
1600+58.73 грн
2400+56.37 грн
4000+50.41 грн
5600+48.94 грн
8000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description irf540ns.pdf
Виробник: International Rectifier
TO263 (D2PAK) Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NSTRRPBF description Infineon_IRF540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540S info-tirf540s.pdf
IRF540S
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540Z info-tirf540z.pdf
IRF540Z
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
383+91.79 грн
500+82.61 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF 695950.pdf
IRF540ZLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF540Z - 36A, 100V, 0.0265OHM,
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+404.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZLPBF irf540zpbf.pdf
IRF540ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 16468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
383+91.79 грн
500+82.61 грн
1000+76.18 грн
10000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.09 грн
10+45.38 грн
50+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+109.29 грн
144+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+224.25 грн
50+108.79 грн
100+97.52 грн
500+74.99 грн
1000+63.76 грн
2000+56.63 грн
5000+51.68 грн
10000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+223.10 грн
130+108.23 грн
145+97.02 грн
500+74.60 грн
1000+63.43 грн
2000+56.34 грн
5000+51.41 грн
10000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description Infineon_IRF540Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 14996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.29 грн
100+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description INFN-S-A0012838300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100V, 36A, 0.0265 Ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 3917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 49320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.79 грн
50+73.75 грн
100+66.11 грн
500+49.47 грн
1000+45.43 грн
2000+42.03 грн
5000+37.73 грн
10000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZSTRLPBF irf540z.pdf
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540-321L
Виробник: IR
2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5407PBF
Виробник: IOR
2007
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540N IR
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]