Результат пошуку "IRF640" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF640N IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар

IR description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF
Код товару: 42934
Додати до обраних Обраний товар

IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 469 шт
404 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар

IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 IR en.CD00000702.pdf description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 IRF640 en.CD00000702.pdf description MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 SLKOR en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
30+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001 FAIRCHILD IRF640ACP001
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+103.46 грн
500+92.85 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 553 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL International Rectifier IRF640.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+102.44 грн
500+92.13 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.38 грн
10+73.93 грн
25+59.02 грн
28+32.03 грн
77+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.46 грн
10+92.12 грн
25+70.82 грн
28+38.44 грн
77+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.87 грн
10+112.25 грн
25+49.32 грн
100+46.75 грн
500+38.97 грн
1000+35.45 грн
2000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+111.17 грн
122+99.81 грн
222+55.02 грн
500+49.53 грн
1000+43.47 грн
2000+36.86 грн
4000+33.45 грн
8000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 106227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.90 грн
12+53.14 грн
100+47.39 грн
500+38.30 грн
1000+30.27 грн
4000+26.09 грн
10000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 106210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.08 грн
10+105.38 грн
100+53.84 грн
500+41.89 грн
1000+35.07 грн
5000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 41247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.00 грн
50+47.02 грн
100+45.75 грн
500+35.53 грн
1000+32.48 грн
2000+29.91 грн
5000+26.69 грн
10000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.38 грн
10+78.05 грн
27+33.71 грн
73+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.25 грн
10+97.27 грн
27+40.46 грн
73+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.89 грн
250+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.99 грн
1600+37.23 грн
2400+35.60 грн
4000+31.68 грн
5600+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.96 грн
10+82.72 грн
100+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.02 грн
10+102.09 грн
50+97.15 грн
100+66.89 грн
250+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.49 грн
12+52.67 грн
25+52.14 грн
100+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.03 грн
1600+34.28 грн
2400+33.94 грн
4000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.88 грн
1600+36.99 грн
2400+36.61 грн
4000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.85 грн
10+90.31 грн
100+57.02 грн
250+56.88 грн
500+52.77 грн
800+37.06 грн
2400+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+67.84 грн
234+52.18 грн
236+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+56.72 грн
217+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.47 грн
31+19.52 грн
32+18.51 грн
50+16.86 грн
100+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.31 грн
10+96.25 грн
25+36.16 грн
68+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.98 грн
10+119.94 грн
25+43.39 грн
68+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+135.62 грн
10+124.15 грн
25+87.33 грн
100+75.54 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+133.95 грн
130+94.22 грн
145+84.52 грн
1000+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.79 грн
50+80.26 грн
100+76.49 грн
500+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.68 грн
10+78.54 грн
25+65.84 грн
100+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.13 грн
10+135.88 грн
25+83.67 грн
100+77.79 грн
1000+51.59 грн
2000+49.91 грн
5000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.02 грн
10+136.67 грн
100+87.27 грн
500+70.18 грн
1000+54.69 грн
5000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.84 грн
10+89.45 грн
16+57.34 грн
44+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay / Siliconix sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.69 грн
10+106.34 грн
100+74.12 грн
500+62.09 грн
1000+53.21 грн
2000+50.57 грн
5000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.25 грн
10+116.91 грн
25+110.32 грн
50+97.09 грн
100+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay Siliconix sihf640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.34 грн
50+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S Siliconix sihf640s.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.90 грн
10+89.45 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.08 грн
10+111.46 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.08 грн
50+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар

description
IRF640N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
Додати до обраних Обраний товар

irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності: 469 шт
404 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар

irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 30 шт
30 шт - склад
Кількість Ціна
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description en.CD00000702.pdf
IRF640
MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description en.CD00000702.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640; 18A; 200V; 0,18R; 125W; N-канальный; корпус: ТО220; STM
на замовлення 983 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001
Виробник: FAIRCHILD
IRF640ACP001
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+103.46 грн
500+92.85 грн
1000+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
283+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
Виробник: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 553 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL IRF640.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBF description infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+102.44 грн
500+92.13 грн
1000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.38 грн
10+73.93 грн
25+59.02 грн
28+32.03 грн
77+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.46 грн
10+92.12 грн
25+70.82 грн
28+38.44 грн
77+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.87 грн
10+112.25 грн
25+49.32 грн
100+46.75 грн
500+38.97 грн
1000+35.45 грн
2000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+111.17 грн
122+99.81 грн
222+55.02 грн
500+49.53 грн
1000+43.47 грн
2000+36.86 грн
4000+33.45 грн
8000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 106227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+103.90 грн
12+53.14 грн
100+47.39 грн
500+38.30 грн
1000+30.27 грн
4000+26.09 грн
10000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 106210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.08 грн
10+105.38 грн
100+53.84 грн
500+41.89 грн
1000+35.07 грн
5000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 41247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.00 грн
50+47.02 грн
100+45.75 грн
500+35.53 грн
1000+32.48 грн
2000+29.91 грн
5000+26.69 грн
10000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+63.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.38 грн
10+78.05 грн
27+33.71 грн
73+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
10+97.27 грн
27+40.46 грн
73+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.89 грн
250+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.99 грн
1600+37.23 грн
2400+35.60 грн
4000+31.68 грн
5600+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.96 грн
10+82.72 грн
100+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.02 грн
10+102.09 грн
50+97.15 грн
100+66.89 грн
250+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+68.49 грн
12+52.67 грн
25+52.14 грн
100+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+36.03 грн
1600+34.28 грн
2400+33.94 грн
4000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.88 грн
1600+36.99 грн
2400+36.61 грн
4000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.85 грн
10+90.31 грн
100+57.02 грн
250+56.88 грн
500+52.77 грн
800+37.06 грн
2400+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+67.84 грн
234+52.18 грн
236+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+56.72 грн
217+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.47 грн
31+19.52 грн
32+18.51 грн
50+16.86 грн
100+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
10+96.25 грн
25+36.16 грн
68+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C962A4918469&compId=IRF640PBF.pdf?ci_sign=0799af496a8e6d330d1707a5c8be56fcf188d5dc
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.98 грн
10+119.94 грн
25+43.39 грн
68+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+135.62 грн
10+124.15 грн
25+87.33 грн
100+75.54 грн
1000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+133.95 грн
130+94.22 грн
145+84.52 грн
1000+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.79 грн
50+80.26 грн
100+76.49 грн
500+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF irf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.68 грн
10+78.54 грн
25+65.84 грн
100+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.13 грн
10+135.88 грн
25+83.67 грн
100+77.79 грн
1000+51.59 грн
2000+49.91 грн
5000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.02 грн
10+136.67 грн
100+87.27 грн
500+70.18 грн
1000+54.69 грн
5000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.84 грн
10+89.45 грн
16+57.34 грн
44+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.69 грн
10+106.34 грн
100+74.12 грн
500+62.09 грн
1000+53.21 грн
2000+50.57 грн
5000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 VISH-S-A0001814992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.25 грн
10+116.91 грн
25+110.32 грн
50+97.09 грн
100+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.34 грн
50+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 irf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S description sihf640s.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.90 грн
10+89.45 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC40F42F2E06143&compId=IRF640S.pdf?ci_sign=a1508ac36489a4c91f3127ecf52282c0cd95c229
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.08 грн
10+111.46 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF sihf640s.pdf
IRF640SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.08 грн
50+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]