Результат пошуку "IRLS" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
ARE6-9831-0JL00 ARE6-9831-0JL00 Broadcom / Avago ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS Infrared Emitters - High Power High Power IRLED, 945nm, 80deg
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.14 грн
10+ 358.56 грн
25+ 295.59 грн
100+ 255.78 грн
250+ 245.65 грн
500+ 215.28 грн
1000+ 197.74 грн
ARE6-9831-0JL00 ARE6-9831-0JL00 Broadcom Limited ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS Description: HIGH POWER IRLED, 945NM, 80DEG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 945nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 120°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.95V
Viewing Angle: 80°
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 630mW/sr @ 1A
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+234.24 грн
1000+ 206.9 грн
2500+ 198.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
ARE6-98D1-0FH00 ARE6-98D1-0FH00 Broadcom / Avago ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS Infrared Emitters - High Power High Power IRLED, 945nm, 80deg
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.64 грн
10+ 214.98 грн
25+ 177.49 грн
100+ 153.2 грн
250+ 147.8 грн
500+ 129.57 грн
1000+ 118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
ARE6-98D1-0FH00 ARE6-98D1-0FH00 Broadcom Limited ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS Description: HIGH POWER IRLED, 945NM, 80DEG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 945nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 120°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V
Viewing Angle: 80°
Current - DC Forward (If) (Max): 1A
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 320mW/sr @ 1A
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.63 грн
10+ 195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
HSDL-4250 HSDL-4250 Lite-On HSDL-4250 DS-1150509.pdf Infrared Emitters IR Emitter
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.96 грн
10+ 33.53 грн
100+ 19.3 грн
1000+ 14.91 грн
2000+ 13.02 грн
10000+ 11.88 грн
25000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
LTE-309 Lite-On liteon_LTE-309-1175241.pdf Infrared Emitters EMITTER CLEAR 940nm
на замовлення 17032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.32 грн
14+ 22.89 грн
100+ 11.47 грн
1000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
LTE-5238A LTE-5238A Lite-On E5238A-1143930.pdf Infrared Emitters Ired 880nm 5mm Water Clr 100mA
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.87 грн
10+ 37.64 грн
100+ 21.39 грн
500+ 20.31 грн
1000+ 16.87 грн
2000+ 15.72 грн
10000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
OP132 OP132 Optek / TT Electronics OP130-3241428.pdf Infrared Emitters - High Power Infrared 935nm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.31 грн
100+ 206.44 грн
2000+ 172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
OP133 OP133 Optek / TT Electronics OP130-3241428.pdf Infrared Emitters - High Power High Intensity 935nm
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.69 грн
100+ 207.99 грн
250+ 168.72 грн
500+ 166.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
OP140A OP140A Optek / TT Electronics OP140-3241387.pdf Infrared Emitters IR EMITTING DIODE
на замовлення 28131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.41 грн
2000+ 52.54 грн
5000+ 43.06 грн
10000+ 42.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
OP140B OP140B Optek / TT Electronics OP140-3241387.pdf Infrared Emitters Infrared 935nm
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.34 грн
1000+ 47.26 грн
2000+ 40.63 грн
5000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
OP224 OP224 Optek / TT Electronics OP123-3241436.pdf Infrared Emitters IRLED PILL 890NM
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.8 грн
100+ 193.25 грн
250+ 155.89 грн
400+ 148.47 грн
1200+ 145.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
OP240A OP240A Optek / TT Electronics OP240_245-3241452.pdf Infrared Emitters High Intensity 890nm
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.99 грн
100+ 58.83 грн
250+ 49.81 грн
500+ 47.58 грн
2000+ 46.7 грн
5000+ 44.54 грн
10000+ 43.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
OP290A OP290A Optek / TT Electronics OP290-3241437.pdf Infrared Emitters - High Power IR EMITTING DIODE
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
4+85.82 грн
100+ 79.16 грн
250+ 65.93 грн
500+ 63.37 грн
1000+ 59.39 грн
2000+ 58.04 грн
5000+ 55.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
OP295A OP295A Optek / TT Electronics OP290-3241437.pdf Infrared Emitters - High Power Infrared 890nm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.4 грн
100+ 63.48 грн
250+ 53.85 грн
500+ 50.28 грн
1000+ 47.85 грн
2000+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
OP298A OP298A Optek / TT Electronics OP290-3241437.pdf Infrared Emitters - High Power High Intensity 890nm
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.08 грн
100+ 55.72 грн
250+ 46.43 грн
500+ 46.36 грн
1000+ 45.08 грн
25000+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
RPR-0521RS RPR-0521RS ROHM Semiconductor rpr_0521rs_e-1874552.pdf Ambient Light Sensors ALS w/prx 1.8V logic w/ IrLED driver
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.51 грн
10+ 88.48 грн
100+ 70.19 грн
500+ 60.4 грн
1000+ 54.26 грн
2500+ 52.37 грн
5000+ 52.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SML-S13RTT86 SML-S13RTT86 ROHM Semiconductor datasheet?p=SML-S13RT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Infrared Emitters INFRARED LED REV MNT 3.2X1.6X1.85MM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 93-102 дні (днів)
7+51.96 грн
10+ 33.61 грн
100+ 19.37 грн
1000+ 14.98 грн
2000+ 12.55 грн
10000+ 12.08 грн
24000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
VCNL36826S VCNL36826S Vishay Semiconductors vcnl36826s.pdf Proximity Sensors 940 nm IRLED 20mA 2.62 V - 3.6 V
на замовлення 29142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.37 грн
10+ 129.61 грн
100+ 105.95 грн
500+ 89.08 грн
1000+ 84.36 грн
3000+ 78.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034 IRLS3034
Код товару: 99538 		IR irls3034-7ppbf-90188.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS3034-7P
Код товару: 46336 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRLS3036 IRLS3036
Код товару: 99539 		IR irls3036-7ppbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 2,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11270/110
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS3036-7P IRLS3036-7P
Код товару: 99540 		IR irls3036-7ppbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 1,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11270/110
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS4030 IRLS4030
Код товару: 99541 		IR irls4030-7ppbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11490/93
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS4030-7P IRLS4030-7P
Код товару: 99542 		IR irls4030-7ppbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11490/93
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS4030PBF
Код товару: 130902 		irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLSL3036PBF транзистор
Код товару: 56838 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
AUIRLS8409-7P
Код товару: 170662 		auirls8409-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bef40e1593 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3034TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товар відсутній
IRLS3813TRLPBF IRLS3813TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3813TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 156A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRLS3813TRLPBF IRLS3813TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3813TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 156A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLS3813TRLPBF IRLS3813TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls3813-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS4030TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS4030TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls4030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS510A IRLS510A onsemi IRLS510A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.25A, 5V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLS640A IRLS640A ON Semiconductor 3651538083533722irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IRLS640A IRLS640A onsemi irls640a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLSL3034PBF IRLSL3034PBF Infineon Technologies irls3034pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRLSL4030PBF IRLSL4030PBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRLSL4030PBF IRLSL4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLS4030_DataSheet_v01_01_EN-3363537.pdf MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
товар відсутній
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3034TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3034-7TRL Infineon Technologies auirls3034-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bec2b41586 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
товар відсутній
AUIRLS3114Z AUIRLS3114Z Infineon Technologies AUIRLS3114Z.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3617 pF @ 25 V
товар відсутній
ARE6-9831-0JL00 ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS
ARE6-9831-0JL00
Виробник: Broadcom / Avago
Infrared Emitters - High Power High Power IRLED, 945nm, 80deg
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+514.14 грн
10+ 358.56 грн
25+ 295.59 грн
100+ 255.78 грн
250+ 245.65 грн
500+ 215.28 грн
1000+ 197.74 грн
ARE6-9831-0JL00 ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS
ARE6-9831-0JL00
Виробник: Broadcom Limited
Description: HIGH POWER IRLED, 945NM, 80DEG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 945nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 120°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.95V
Viewing Angle: 80°
Current - DC Forward (If) (Max): 1.5A
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 630mW/sr @ 1A
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+234.24 грн
1000+ 206.9 грн
2500+ 198.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
ARE6-98D1-0FH00 ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS
ARE6-98D1-0FH00
Виробник: Broadcom / Avago
Infrared Emitters - High Power High Power IRLED, 945nm, 80deg
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+308.64 грн
10+ 214.98 грн
25+ 177.49 грн
100+ 153.2 грн
250+ 147.8 грн
500+ 129.57 грн
1000+ 118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
ARE6-98D1-0FH00 ARE6-xxx1-0xx00-High-Power-Infrared-Emitting-Diodes-DS
ARE6-98D1-0FH00
Виробник: Broadcom Limited
Description: HIGH POWER IRLED, 945NM, 80DEG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Wavelength: 945nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 120°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V
Viewing Angle: 80°
Current - DC Forward (If) (Max): 1A
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 320mW/sr @ 1A
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+287.63 грн
10+ 195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
HSDL-4250 HSDL-4250 DS-1150509.pdf
HSDL-4250
Виробник: Lite-On
Infrared Emitters IR Emitter
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.96 грн
10+ 33.53 грн
100+ 19.3 грн
1000+ 14.91 грн
2000+ 13.02 грн
10000+ 11.88 грн
25000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
LTE-309 liteon_LTE-309-1175241.pdf
Виробник: Lite-On
Infrared Emitters EMITTER CLEAR 940nm
на замовлення 17032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.32 грн
14+ 22.89 грн
100+ 11.47 грн
1000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
LTE-5238A E5238A-1143930.pdf
LTE-5238A
Виробник: Lite-On
Infrared Emitters Ired 880nm 5mm Water Clr 100mA
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.87 грн
10+ 37.64 грн
100+ 21.39 грн
500+ 20.31 грн
1000+ 16.87 грн
2000+ 15.72 грн
10000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
OP132 OP130-3241428.pdf
OP132
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters - High Power Infrared 935nm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.31 грн
100+ 206.44 грн
2000+ 172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
OP133 OP130-3241428.pdf
OP133
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters - High Power High Intensity 935nm
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.69 грн
100+ 207.99 грн
250+ 168.72 грн
500+ 166.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
OP140A OP140-3241387.pdf
OP140A
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters IR EMITTING DIODE
на замовлення 28131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.41 грн
2000+ 52.54 грн
5000+ 43.06 грн
10000+ 42.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
OP140B OP140-3241387.pdf
OP140B
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters Infrared 935nm
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.34 грн
1000+ 47.26 грн
2000+ 40.63 грн
5000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
OP224 OP123-3241436.pdf
OP224
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters IRLED PILL 890NM
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.8 грн
100+ 193.25 грн
250+ 155.89 грн
400+ 148.47 грн
1200+ 145.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
OP240A OP240_245-3241452.pdf
OP240A
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters High Intensity 890nm
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.99 грн
100+ 58.83 грн
250+ 49.81 грн
500+ 47.58 грн
2000+ 46.7 грн
5000+ 44.54 грн
10000+ 43.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
OP290A OP290-3241437.pdf
OP290A
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters - High Power IR EMITTING DIODE
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.82 грн
100+ 79.16 грн
250+ 65.93 грн
500+ 63.37 грн
1000+ 59.39 грн
2000+ 58.04 грн
5000+ 55.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
OP295A OP290-3241437.pdf
OP295A
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters - High Power Infrared 890nm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.4 грн
100+ 63.48 грн
250+ 53.85 грн
500+ 50.28 грн
1000+ 47.85 грн
2000+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
OP298A OP290-3241437.pdf
OP298A
Виробник: Optek / TT Electronics
Infrared Emitters - High Power High Intensity 890nm
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.08 грн
100+ 55.72 грн
250+ 46.43 грн
500+ 46.36 грн
1000+ 45.08 грн
25000+ 42.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
RPR-0521RS rpr_0521rs_e-1874552.pdf
RPR-0521RS
Виробник: ROHM Semiconductor
Ambient Light Sensors ALS w/prx 1.8V logic w/ IrLED driver
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.51 грн
10+ 88.48 грн
100+ 70.19 грн
500+ 60.4 грн
1000+ 54.26 грн
2500+ 52.37 грн
5000+ 52.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SML-S13RTT86 datasheet?p=SML-S13RT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SML-S13RTT86
Виробник: ROHM Semiconductor
Infrared Emitters INFRARED LED REV MNT 3.2X1.6X1.85MM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 93-102 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.96 грн
10+ 33.61 грн
100+ 19.37 грн
1000+ 14.98 грн
2000+ 12.55 грн
10000+ 12.08 грн
24000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
VCNL36826S vcnl36826s.pdf
VCNL36826S
Виробник: Vishay Semiconductors
Proximity Sensors 940 nm IRLED 20mA 2.62 V - 3.6 V
на замовлення 29142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.37 грн
10+ 129.61 грн
100+ 105.95 грн
500+ 89.08 грн
1000+ 84.36 грн
3000+ 78.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLS3034
Код товару: 99538		 irls3034-7ppbf-90188.pdf
IRLS3034
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS3034-7P
Код товару: 46336
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRLS3036
Код товару: 99539		 irls3036-7ppbf.pdf
IRLS3036
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 2,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11270/110
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS3036-7P
Код товару: 99540		 irls3036-7ppbf.pdf
IRLS3036-7P
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 240 A
Rds(on), Ohm: 1,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11270/110
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS4030
Код товару: 99541		 irls4030-7ppbf.pdf
IRLS4030
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11490/93
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS4030-7P
Код товару: 99542		 irls4030-7ppbf.pdf
IRLS4030-7P
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 11490/93
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLS4030PBF
Код товару: 130902		 irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLSL3036PBF транзистор
Код товару: 56838
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
AUIRLS8409-7P
Код товару: 170662		 auirls8409-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bef40e1593
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLS3034TRL7PP infineon-irls3034-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRLS3034TRLPBF infineon-irls3034-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRL7PP infineon-irls3036-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF infineon-irls3036-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
IRLS3036TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товар відсутній
IRLS3813TRLPBF IRLS3813TRLPBF.pdf
IRLS3813TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 156A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRLS3813TRLPBF IRLS3813TRLPBF.pdf
IRLS3813TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 156A
Power dissipation: 195W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLS3813TRLPBF infineon-irls3813-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS3813TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS4030TRL7PP infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF infineon-irls4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS4030TRLPBF infineon-irls4030-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLS510A IRLS510A.pdf
IRLS510A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.25A, 5V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLS640A 3651538083533722irls640a-d.pdf
IRLS640A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IRLS640A irls640a-d.pdf
IRLS640A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLSL3034PBF irls3034pbf.pdf
IRLSL3034PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRLSL4030PBF irls4030pbf.pdf
IRLSL4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IRLSL4030PBF Infineon_IRLS4030_DataSheet_v01_01_EN-3363537.pdf
IRLSL4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
товар відсутній
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AUIRLS3034 AUIRLS3034.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRLS3034 AUIRLS3034.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AUIRLS3034-7TRL auirls3034-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bec2b41586
AUIRLS3034-7TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
товар відсутній
AUIRLS3114Z AUIRLS3114Z.pdf
AUIRLS3114Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3617 pF @ 25 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]