Результат пошуку "f3710" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 681 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF3710SPBF Код товару: 43364 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 26 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF Код товару: 190954 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 79 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF Код товару: 44978 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
F3710S |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 | TE Connectivity |
Category: Printers and Markers Description: Label Type of storage accessories: label |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710ZS | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Gate charge: 86.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 4514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 3111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3710STRL | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 614 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
на замовлення 16108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 50797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Gate charge: 82nC |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Gate charge: 82nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 3022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZSTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 16089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF3710 | 3M |
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371 Packaging: Package Card Kit Type: Cable Ties Kit Contents: 5 Straps (Black) Part Status: Active |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRF3710EVM | Texas Instruments |
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710 Packaging: Box For Use With/Related Products: TRF3710 Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz Type: Demodulator Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRF3710IRGZR | Texas Instruments |
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN Packaging: Bulk Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Demodulator Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Gain: 45dB Noise Figure: 14.5dB LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7) Part Status: Active Current - Supply: 360 mA |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRF3710IRGZT | Texas Instruments |
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN Packaging: Bulk Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Demodulator Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Gain: 45dB Noise Figure: 14.5dB LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7) Part Status: Active Current - Supply: 360 mA |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710BF | JRC | TO220 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 8 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR | TO-263 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710STRR |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3710ZL |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3710ZLTRPBF | IR | 0742+ TO262 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TRF3710IRGZR | TI | 09+ |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RMW-180/60-1200/ADH-0 | TE Connectivity Raychem Cable Protection |
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant Packaging: Bulk Color: Black Material: Polyolefin (PO), Irradiated Length: 3.94' (1.20m) Type: Tubing, Semi Rigid Operating Temperature: -40°C ~ 110°C Shrinkage Ratio: 3 to 1 Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm) Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm) Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm) Part Status: Active Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C) Shelf Life: 60 Months |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SKG45N10-T | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SMDJ22A | Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 24.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V Power - Peak Pulse: 3000W (3kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710Z Код товару: 107592 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRF3710 Код товару: 23683 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF3710STRLPBF Код товару: 191831 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRF3710ZS Код товару: 99470 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
F371010-B | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F37103-000 | TE Connectivity / Raychem | Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F371043001 | TE Connectivity | Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F371043001 | TE Connectivity | TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine |
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 Packaging: Bulk |
товар відсутній |
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 681 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
100+ | 32.4 грн |
IRF3710SPBF Код товару: 43364 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 26 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68 грн |
10+ | 63.4 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 79 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 45 грн |
10+ | 40.5 грн |
100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 |
Виробник: TE Connectivity
Category: Printers and Markers
Description: Label
Type of storage accessories: label
Category: Printers and Markers
Description: Label
Type of storage accessories: label
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35871.22 грн |
2+ | 32680.8 грн |
3+ | 32052.6 грн |
AUIRF3710ZS |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 184.13 грн |
AUIRF3710ZSTRL |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 272.56 грн |
10+ | 225.78 грн |
25+ | 185.07 грн |
100+ | 158.33 грн |
250+ | 149.89 грн |
500+ | 140.74 грн |
800+ | 120.33 грн |
AUIRF3710ZSTRL |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.48 грн |
10+ | 205.1 грн |
100+ | 165.93 грн |
IRF3710 |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.8 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 47.41 грн |
IRF3710 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 26.64 грн |
IRF3710 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 33.79 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 145.25 грн |
10+ | 80.75 грн |
100+ | 73.41 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF3710PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.7 грн |
50+ | 89.62 грн |
100+ | 73.73 грн |
500+ | 58.55 грн |
1000+ | 49.68 грн |
2000+ | 47.2 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.33 грн |
10+ | 89.02 грн |
100+ | 63.61 грн |
250+ | 61.93 грн |
500+ | 54.47 грн |
1000+ | 47.85 грн |
2000+ | 46.58 грн |
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 44.74 грн |
IRF3710STRL |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 53.63 грн |
IRF3710STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 73.86 грн |
1600+ | 60.35 грн |
2400+ | 57.33 грн |
5600+ | 51.78 грн |
IRF3710STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.69 грн |
10+ | 105.63 грн |
100+ | 84.06 грн |
IRF3710STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 50797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.03 грн |
10+ | 108.44 грн |
100+ | 80.22 грн |
250+ | 79.52 грн |
500+ | 76 грн |
800+ | 53.13 грн |
IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.8 грн |
IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.8 грн |
IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.8 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 86.83 грн |
10+ | 71.1 грн |
19+ | 46.18 грн |
51+ | 43.98 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.2 грн |
10+ | 88.6 грн |
19+ | 55.42 грн |
51+ | 52.78 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.94 грн |
10+ | 90.38 грн |
100+ | 70.27 грн |
500+ | 55.9 грн |
1000+ | 45.53 грн |
2000+ | 42.87 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 105.09 грн |
10+ | 87.4 грн |
100+ | 60.87 грн |
500+ | 53.9 грн |
1000+ | 46.37 грн |
2000+ | 43.7 грн |
5000+ | 41.59 грн |
IRF3710ZSTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.53 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.78 грн |
10+ | 122.2 грн |
100+ | 84.44 грн |
250+ | 80.22 грн |
500+ | 73.18 грн |
800+ | 60.24 грн |
2400+ | 57.21 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 77 грн |
1600+ | 62.91 грн |
2400+ | 59.77 грн |
5600+ | 53.98 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 16089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.78 грн |
10+ | 110.1 грн |
100+ | 87.62 грн |
RF3710 |
Виробник: 3M
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 308.29 грн |
10+ | 269.53 грн |
25+ | 255.29 грн |
TRF3710EVM |
Виробник: Texas Instruments
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22658.92 грн |
TRF3710IRGZR |
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 1034.92 грн |
TRF3710IRGZT |
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 1240.05 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 31.55 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 104.3 грн |
RMW-180/60-1200/ADH-0 |
Виробник: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4011.57 грн |
5+ | 3621.25 грн |
10+ | 3379.72 грн |
25+ | 3013.17 грн |
SKG45N10-T |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 24.85 грн |
SMDJ22A |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.18 грн |
10+ | 49.63 грн |
100+ | 38.59 грн |
IRF3710 Код товару: 23683 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF3710ZS Код товару: 99470 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товар відсутній
F371010-B |
Виробник: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
товар відсутній
F37103-000 |
Виробник: TE Connectivity / Raychem
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
товар відсутній
F371043001 |
Виробник: TE Connectivity
TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT
TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT
товар відсутній
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 |
Виробник: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]