Результат пошуку "f3710" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 330 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- TE Connectivity Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19584.33 грн
2+15712.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZS International Rectifier Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+201.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.76 грн
10+233.05 грн
100+143.99 грн
500+133.33 грн
800+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.14 грн
10+80.87 грн
50+65.63 грн
100+59.04 грн
250+51.35 грн
500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.97 грн
10+100.77 грн
50+78.76 грн
100+70.85 грн
250+61.62 грн
500+55.52 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.10 грн
10+115.65 грн
100+68.80 грн
500+54.93 грн
1000+48.99 грн
2000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.91 грн
10+86.50 грн
50+72.93 грн
100+67.22 грн
250+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.89 грн
10+107.80 грн
50+87.52 грн
100+80.66 грн
250+71.61 грн
500+64.95 грн
800+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 23612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.55 грн
10+117.40 грн
100+76.95 грн
500+66.82 грн
800+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.63 грн
5+84.12 грн
10+65.71 грн
20+60.39 грн
50+54.20 грн
100+50.00 грн
200+46.19 грн
500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.83 грн
10+78.85 грн
20+72.47 грн
50+65.04 грн
100+60.00 грн
200+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.21 грн
10+90.24 грн
100+52.26 грн
500+46.78 грн
1000+40.99 грн
2000+40.45 грн
5000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.88 грн
10+122.66 грн
100+73.37 грн
500+66.82 грн
800+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
15+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
12+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+112.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF JRC TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBF IR 0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF International Rectifier Corporation irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKG45N10-T SHIKUES Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A MOT N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710Z AUIRF3710Z
Код товару: 107592
Додати до обраних Обраний товар

AUIRF3710Z%28S%29.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 IRF3710
Код товару: 23683
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+20.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZS IRF3710ZS
Код товару: 99470
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710z-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF IRF3710LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F625028A726F1A303005056AB0C4F&compId=irf3710zpbf.pdf?ci_sign=70754467c74fb0376ae6b25e3bd2dab2f3f80757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710101 L17TF3710101 Amphenol Commercial Products io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710102 L17TF3710102 Amphenol Commercial Products io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710111 L17TF3710111 Amphenol Commercial Products io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710112 L17TF3710112 Amphenol Commercial Products io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 330 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Виробник: TE Connectivity
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19584.33 грн
2+15712.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZS Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+201.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.76 грн
10+233.05 грн
100+143.99 грн
500+133.33 грн
800+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.14 грн
10+80.87 грн
50+65.63 грн
100+59.04 грн
250+51.35 грн
500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.97 грн
10+100.77 грн
50+78.76 грн
100+70.85 грн
250+61.62 грн
500+55.52 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.10 грн
10+115.65 грн
100+68.80 грн
500+54.93 грн
1000+48.99 грн
2000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.91 грн
10+86.50 грн
50+72.93 грн
100+67.22 грн
250+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.89 грн
10+107.80 грн
50+87.52 грн
100+80.66 грн
250+71.61 грн
500+64.95 грн
800+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 23612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.55 грн
10+117.40 грн
100+76.95 грн
500+66.82 грн
800+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.63 грн
5+84.12 грн
10+65.71 грн
20+60.39 грн
50+54.20 грн
100+50.00 грн
200+46.19 грн
500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.83 грн
10+78.85 грн
20+72.47 грн
50+65.04 грн
100+60.00 грн
200+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.21 грн
10+90.24 грн
100+52.26 грн
500+46.78 грн
1000+40.99 грн
2000+40.45 грн
5000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.88 грн
10+122.66 грн
100+73.37 грн
500+66.82 грн
800+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+112.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF
Виробник: JRC
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBF
Виробник: IR
0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
Виробник: TI
09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKG45N10-T
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A
Виробник: MOT
N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710Z
Код товару: 107592
Додати до обраних Обраний товар

AUIRF3710Z%28S%29.pdf
AUIRF3710Z
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Код товару: 23683
Додати до обраних Обраний товар

irf3710-datasheet.pdf
IRF3710
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+20.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZS
Код товару: 99470
Додати до обраних Обраний товар

irf3710z-datasheet.pdf
IRF3710ZS
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F625028A726F1A303005056AB0C4F&compId=irf3710zpbf.pdf?ci_sign=70754467c74fb0376ae6b25e3bd2dab2f3f80757
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710101 io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf
L17TF3710101
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710102 io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf
L17TF3710102
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710111 io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf
L17TF3710111
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
L17TF3710112 io_d_sub_sd_stamped_formed_pressfit_straight_pcb.pdf
L17TF3710112
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]