Результат пошуку "f3710" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 315 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- TE Connectivity Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19698.20 грн
2+15803.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZS International Rectifier Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+202.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.44 грн
10+234.16 грн
100+144.68 грн
500+133.96 грн
800+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.71 грн
10+212.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.61 грн
10+81.25 грн
50+65.94 грн
100+59.33 грн
250+51.59 грн
500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.53 грн
10+101.25 грн
50+79.13 грн
100+71.19 грн
250+61.91 грн
500+55.78 грн
1000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.61 грн
10+102.54 грн
100+69.96 грн
500+52.56 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.97 грн
10+116.20 грн
100+69.12 грн
500+55.19 грн
1000+49.22 грн
2000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.53 грн
10+86.91 грн
50+73.28 грн
100+67.54 грн
250+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.63 грн
10+108.31 грн
50+87.94 грн
100+81.05 грн
250+71.96 грн
500+65.26 грн
800+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.33 грн
1600+54.71 грн
2400+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.97 грн
10+116.82 грн
100+80.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 23364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.40 грн
10+117.96 грн
100+77.31 грн
500+67.13 грн
800+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.23 грн
5+84.52 грн
10+66.02 грн
20+60.68 грн
50+54.46 грн
100+50.24 грн
200+46.41 грн
500+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.33 грн
10+79.23 грн
20+72.82 грн
50+65.35 грн
100+60.28 грн
200+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.97 грн
10+90.67 грн
100+52.51 грн
500+47.00 грн
1000+41.18 грн
2000+40.65 грн
5000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.22 грн
10+90.98 грн
100+61.68 грн
500+46.10 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.80 грн
10+123.24 грн
100+73.72 грн
500+70.42 грн
800+50.90 грн
2400+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.50 грн
1600+52.14 грн
2400+50.00 грн
4000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 10823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.52 грн
10+111.95 грн
100+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF3710 RF3710 3M scotch-fastening-brochure-5pg.pdf Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.66 грн
10+257.40 грн
25+241.22 грн
50+215.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710EVM TRF3710EVM Texas Instruments slau224.pdf Description: EVAL BOARD FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22830.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR TRF3710IRGZR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1179.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZT TRF3710IRGZT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1412.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
11+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF JRC TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBF IR 0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF International Rectifier Corporation irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMW-180/60-1200/ADH-0 RMW-180/60-1200/ADH-0 TE Connectivity Raychem Cable Protection DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Packaging: Bulk
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5038.70 грн
5+3994.89 грн
10+3674.18 грн
20+3171.43 грн
50+3118.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKG45N10-T SHIKUES Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ22A SMDJ22A Littelfuse Inc. littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet?assetguid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638 Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.24 грн
10+52.23 грн
100+38.91 грн
500+30.23 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A MOT N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710Z AUIRF3710Z
Код товару: 107592
Додати до обраних Обраний товар

AUIRF3710Z%28S%29.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 315 шт
253 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710SPBF
Код товару: 43364
Додати до обраних Обраний товар

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+68.00 грн
10+63.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954
Додати до обраних Обраний товар

IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
12 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+40.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978
Додати до обраних Обраний товар

irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+49.50 грн
10+44.60 грн
100+39.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Виробник: TE Connectivity
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19698.20 грн
2+15803.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZS Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+202.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+355.44 грн
10+234.16 грн
100+144.68 грн
500+133.96 грн
800+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.71 грн
10+212.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.61 грн
10+81.25 грн
50+65.94 грн
100+59.33 грн
250+51.59 грн
500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.53 грн
10+101.25 грн
50+79.13 грн
100+71.19 грн
250+61.91 грн
500+55.78 грн
1000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.61 грн
10+102.54 грн
100+69.96 грн
500+52.56 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 11382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.97 грн
10+116.20 грн
100+69.12 грн
500+55.19 грн
1000+49.22 грн
2000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRL
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.53 грн
10+86.91 грн
50+73.28 грн
100+67.54 грн
250+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.63 грн
10+108.31 грн
50+87.94 грн
100+81.05 грн
250+71.96 грн
500+65.26 грн
800+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.33 грн
1600+54.71 грн
2400+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.97 грн
10+116.82 грн
100+80.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 23364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.40 грн
10+117.96 грн
100+77.31 грн
500+67.13 грн
800+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710Z IRF3710Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+126.23 грн
5+84.52 грн
10+66.02 грн
20+60.68 грн
50+54.46 грн
100+50.24 грн
200+46.41 грн
500+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.33 грн
10+79.23 грн
20+72.82 грн
50+65.35 грн
100+60.28 грн
200+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.97 грн
10+90.67 грн
100+52.51 грн
500+47.00 грн
1000+41.18 грн
2000+40.65 грн
5000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.22 грн
10+90.98 грн
100+61.68 грн
500+46.10 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTR
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.80 грн
10+123.24 грн
100+73.72 грн
500+70.42 грн
800+50.90 грн
2400+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.50 грн
1600+52.14 грн
2400+50.00 грн
4000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 10823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.52 грн
10+111.95 грн
100+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF3710 scotch-fastening-brochure-5pg.pdf
RF3710
Виробник: 3M
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.66 грн
10+257.40 грн
25+241.22 грн
50+215.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710EVM slau224.pdf
TRF3710EVM
Виробник: Texas Instruments
Description: EVAL BOARD FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22830.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZR
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+1179.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZT
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+1412.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710BF
Виробник: JRC
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710S
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZLTRPBF
Виробник: IR
0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
Виробник: TI
09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMW-180/60-1200/ADH-0 DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN
RMW-180/60-1200/ADH-0
Виробник: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Packaging: Bulk
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5038.70 грн
5+3994.89 грн
10+3674.18 грн
20+3171.43 грн
50+3118.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKG45N10-T
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ22A littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet?assetguid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638
SMDJ22A
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.24 грн
10+52.23 грн
100+38.91 грн
500+30.23 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MOT120N10A
Виробник: MOT
N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710Z
Код товару: 107592
Додати до обраних Обраний товар

AUIRF3710Z%28S%29.pdf
AUIRF3710Z
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]