Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (162724) > Сторінка 1136 з 2713
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics |
STB11NK50ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 651 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB140NF75T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB16NF06LT4 | STMicroelectronics |
STB16NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB18NF25 | STMicroelectronics |
STB18NF25 SMD N channel transistors |
на замовлення 991 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STB23NM50N | STMicroelectronics |
STB23NM50N SMD N channel transistors |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB30NF10T4 | STMicroelectronics |
STB30NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 698 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB40N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 88mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 881 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB55NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Power dissipation: 95W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB55NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB60NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB60NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB6N80K5 | STMicroelectronics |
STB6N80K5 SMD N channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB75NF75LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics |
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STC4054GR | STMicroelectronics |
Category: Battery and battery cells controllersDescription: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery charging controller Integrated circuit features: Li-Ion Mounting: SMD Output current: 0.8A Output voltage: 4.2V Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.25...6.5V DC Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STCS1APHR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; PowerSO8; 1.5A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: PowerSO8 Output current: 1.5A Number of channels: 1 Integrated circuit features: PWM Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Application: automotive industry Input voltage: 4.5...40V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STCS2ASPR | STMicroelectronics |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Output current: 2A Case: PowerSO10 Mounting: SMD Number of channels: 1 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: PWM Input voltage: 4.5...40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
STD10NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD10NM60N | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10P6F6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
STD12NF06L-1 THT N channel transistors |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD13NM60N | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD15NF10T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD16N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 12A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD1802T4 | STMicroelectronics |
STD1802T4 NPN SMD transistors |
на замовлення 564 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
STD1NK60-1 THT N channel transistors |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD1NK60T4 | STMicroelectronics |
STD1NK60T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF06LT4 | STMicroelectronics |
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF06T4 | STMicroelectronics |
STD20NF06T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD20NF20 | STMicroelectronics |
STD20NF20 SMD N channel transistors |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD25NF10LA | STMicroelectronics |
STD25NF10LA SMD N channel transistors |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD25NF10T4 | STMicroelectronics |
STD25NF10T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 3766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2HNK60Z | STMicroelectronics |
STD2HNK60Z SMD N channel transistors |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
STD2LN60K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD2N105K5 | STMicroelectronics |
STD2N105K5 SMD N channel transistors |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD2NK100Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD35NF06LT4 | STMicroelectronics |
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD35P6LLF6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD3N62K3 | STMicroelectronics |
STD3N62K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD3NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD3NK90ZT4 | STMicroelectronics |
STD3NK90ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 5794 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD45N10F7 | STMicroelectronics |
STD45N10F7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD46P4LLF6 | STMicroelectronics |
STD46P4LLF6 SMD P channel transistors |
на замовлення 3896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| STB11NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB11NK50ZT4 SMD N channel transistors
STB11NK50ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.40 грн |
| 14+ | 88.61 грн |
| 37+ | 84.63 грн |
| STB13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.45 грн |
| 10+ | 150.96 грн |
| 25+ | 125.45 грн |
| 50+ | 112.51 грн |
| STB140NF75T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.99 грн |
| 10+ | 205.75 грн |
| 50+ | 169.26 грн |
| 100+ | 158.31 грн |
| 500+ | 136.40 грн |
| 1000+ | 128.44 грн |
| STB16NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB16NF06LT4 SMD N channel transistors
STB16NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.98 грн |
| 30+ | 39.53 грн |
| 83+ | 37.34 грн |
| STB18NF25 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB18NF25 SMD N channel transistors
STB18NF25 SMD N channel transistors
на замовлення 991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.59 грн |
| 13+ | 94.59 грн |
| 35+ | 89.61 грн |
| STB23NM50N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB23NM50N SMD N channel transistors
STB23NM50N SMD N channel transistors
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.61 грн |
| 11+ | 116.49 грн |
| 28+ | 109.52 грн |
| STB24N60DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.15 грн |
| 10+ | 191.28 грн |
| 50+ | 154.33 грн |
| 100+ | 149.35 грн |
| STB30NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
STB30NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.80 грн |
| 24+ | 50.68 грн |
| 65+ | 47.89 грн |
| STB40N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 464.28 грн |
| 10+ | 300.88 грн |
| 100+ | 273.80 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.61 грн |
| 10+ | 163.36 грн |
| 100+ | 113.50 грн |
| 250+ | 99.56 грн |
| 500+ | 91.60 грн |
| 1000+ | 83.63 грн |
| 2000+ | 76.66 грн |
| STB55NF06LT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.69 грн |
| 10+ | 105.46 грн |
| 50+ | 83.63 грн |
| STB55NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.10 грн |
| 10+ | 130.28 грн |
| 100+ | 92.60 грн |
| 250+ | 86.62 грн |
| 500+ | 77.66 грн |
| 1000+ | 75.67 грн |
| STB60NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.35 грн |
| 10+ | 135.45 грн |
| 50+ | 100.56 грн |
| 100+ | 97.57 грн |
| STB60NF06T4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.25 грн |
| 5+ | 117.87 грн |
| 25+ | 101.56 грн |
| 100+ | 95.58 грн |
| STB6N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB6N80K5 SMD N channel transistors
STB6N80K5 SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.64 грн |
| 13+ | 95.58 грн |
| 34+ | 90.60 грн |
| STB6NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.72 грн |
| 4+ | 246.08 грн |
| 10+ | 206.10 грн |
| 25+ | 176.23 грн |
| 50+ | 157.31 грн |
| 100+ | 142.38 грн |
| 200+ | 128.44 грн |
| STB75NF75LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.59 грн |
| 5+ | 174.74 грн |
| 10+ | 150.34 грн |
| 25+ | 144.37 грн |
| STB7NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.93 грн |
| 14+ | 88.61 грн |
| 37+ | 84.63 грн |
| STB80NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.64 грн |
| 10+ | 130.28 грн |
| 100+ | 97.57 грн |
| 500+ | 81.64 грн |
| STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.91 грн |
| 10+ | 195.41 грн |
| 100+ | 177.23 грн |
| STC4054GR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Battery and battery cells controllers
Description: IC: PMIC; battery charging controller; Li-Ion; Iout: 800mA; 4.2V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: battery charging controller
Integrated circuit features: Li-Ion
Mounting: SMD
Output current: 0.8A
Output voltage: 4.2V
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.25...6.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.50 грн |
| 10+ | 131.31 грн |
| 25+ | 117.49 грн |
| 100+ | 104.54 грн |
| 250+ | 97.57 грн |
| STCS1APHR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO8; 1.5A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PowerSO8
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Input voltage: 4.5...40V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO8; 1.5A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: PowerSO8
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Input voltage: 4.5...40V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.74 грн |
| 3+ | 192.31 грн |
| 10+ | 155.32 грн |
| 25+ | 135.41 грн |
| STCS2ASPR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 2A
Case: PowerSO10
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: PWM
Input voltage: 4.5...40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; PowerSO10; 2A; Ch: 1; PWM; 4.5÷40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Output current: 2A
Case: PowerSO10
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: PWM
Input voltage: 4.5...40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.48 грн |
| 3+ | 203.69 грн |
| 10+ | 169.26 грн |
| 25+ | 161.29 грн |
| STD10N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.67 грн |
| 5+ | 102.36 грн |
| 10+ | 87.62 грн |
| 25+ | 74.67 грн |
| STD10NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD10NF10T4 SMD N channel transistors
STD10NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.19 грн |
| 43+ | 27.88 грн |
| 117+ | 26.38 грн |
| STD10NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.15 грн |
| 2500+ | 89.95 грн |
| STD10P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.65 грн |
| 10+ | 65.24 грн |
| 50+ | 49.38 грн |
| 100+ | 44.80 грн |
| STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD12NF06L-1 THT N channel transistors
STD12NF06L-1 THT N channel transistors
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.81 грн |
| 74+ | 16.03 грн |
| 203+ | 15.13 грн |
| STD13N60M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.20 грн |
| 10+ | 132.34 грн |
| 100+ | 102.55 грн |
| 250+ | 94.59 грн |
| STD13NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.87 грн |
| 10+ | 163.36 грн |
| 100+ | 122.46 грн |
| 250+ | 111.51 грн |
| 500+ | 104.54 грн |
| 1000+ | 97.57 грн |
| 2500+ | 89.61 грн |
| STD15NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.72 грн |
| 10+ | 74.13 грн |
| 50+ | 56.35 грн |
| 100+ | 51.08 грн |
| 250+ | 45.50 грн |
| 500+ | 41.92 грн |
| 1000+ | 39.03 грн |
| STD16N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.70 грн |
| 5+ | 146.82 грн |
| 10+ | 139.39 грн |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.68 грн |
| 10+ | 40.22 грн |
| 50+ | 30.57 грн |
| 100+ | 27.68 грн |
| 500+ | 22.30 грн |
| 1000+ | 20.31 грн |
| 2500+ | 18.82 грн |
| STD1802T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1802T4 NPN SMD transistors
STD1802T4 NPN SMD transistors
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.39 грн |
| 25+ | 48.18 грн |
| 28+ | 42.41 грн |
| 77+ | 40.12 грн |
| STD18N60M6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.74 грн |
| 10+ | 97.19 грн |
| 25+ | 82.64 грн |
| 50+ | 78.66 грн |
| STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.19 грн |
| 5+ | 206.79 грн |
| 10+ | 178.22 грн |
| 25+ | 152.33 грн |
| 50+ | 135.41 грн |
| 100+ | 122.46 грн |
| 250+ | 121.47 грн |
| STD1NK60-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1NK60-1 THT N channel transistors
STD1NK60-1 THT N channel transistors
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.51 грн |
| 49+ | 24.19 грн |
| 135+ | 22.80 грн |
| STD1NK60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1NK60T4 SMD N channel transistors
STD1NK60T4 SMD N channel transistors
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.37 грн |
| 46+ | 25.99 грн |
| 125+ | 24.59 грн |
| STD1NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors
STD1NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.76 грн |
| 44+ | 27.38 грн |
| 119+ | 25.89 грн |
| STD20NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors
STD20NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.30 грн |
| 17+ | 70.69 грн |
| 47+ | 66.71 грн |
| 100+ | 66.17 грн |
| STD20NF06T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.01 грн |
| 26+ | 46.20 грн |
| 71+ | 43.61 грн |
| STD20NF20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF20 SMD N channel transistors
STD20NF20 SMD N channel transistors
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.46 грн |
| 15+ | 81.64 грн |
| 40+ | 77.66 грн |
| STD25NF10LA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF10LA SMD N channel transistors
STD25NF10LA SMD N channel transistors
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.69 грн |
| 10+ | 120.47 грн |
| 25+ | 117.87 грн |
| 27+ | 113.50 грн |
| STD25NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD25NF10T4 SMD N channel transistors
STD25NF10T4 SMD N channel transistors
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.83 грн |
| 27+ | 44.11 грн |
| 74+ | 41.72 грн |
| STD2HNK60Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2HNK60Z SMD N channel transistors
STD2HNK60Z SMD N channel transistors
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.61 грн |
| 52+ | 22.90 грн |
| 143+ | 21.61 грн |
| STD2LN60K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.42 грн |
| 39+ | 30.47 грн |
| 107+ | 28.77 грн |
| STD2N105K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N105K5 SMD N channel transistors
STD2N105K5 SMD N channel transistors
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.44 грн |
| 14+ | 87.62 грн |
| 38+ | 82.64 грн |
| STD2NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.16A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.31 грн |
| 10+ | 82.61 грн |
| 75+ | 63.92 грн |
| 100+ | 62.23 грн |
| 250+ | 57.25 грн |
| 500+ | 54.06 грн |
| 1000+ | 51.28 грн |
| STD2NK90ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors
STD2NK90ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.65 грн |
| 26+ | 46.10 грн |
| 71+ | 43.61 грн |
| STD30NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.31 грн |
| 10+ | 85.82 грн |
| 50+ | 77.66 грн |
| STD35NF06LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.23 грн |
| 18+ | 65.71 грн |
| 50+ | 61.73 грн |
| STD35P6LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.55 грн |
| 5+ | 86.85 грн |
| 10+ | 73.68 грн |
| 50+ | 60.73 грн |
| STD3N62K3 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N62K3 SMD N channel transistors
STD3N62K3 SMD N channel transistors
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.61 грн |
| 42+ | 28.28 грн |
| 116+ | 26.68 грн |
| STD3NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.09 грн |
| 5+ | 84.16 грн |
| 10+ | 42.71 грн |
| 75+ | 39.83 грн |
| 150+ | 38.03 грн |
| 525+ | 34.75 грн |
| 750+ | 32.76 грн |
| STD3NK80Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.60 грн |
| 75+ | 58.11 грн |
| 525+ | 49.88 грн |
| STD3NK80ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.76 грн |
| 5+ | 119.11 грн |
| 10+ | 103.05 грн |
| 50+ | 81.44 грн |
| 100+ | 74.18 грн |
| 250+ | 66.11 грн |
| 500+ | 61.03 грн |
| STD3NK90ZT4 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD3NK90ZT4 SMD N channel transistors
STD3NK90ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.69 грн |
| 30+ | 40.82 грн |
| 81+ | 37.83 грн |
| STD45N10F7 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD45N10F7 SMD N channel transistors
STD45N10F7 SMD N channel transistors
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.54 грн |
| 18+ | 66.71 грн |
| 50+ | 62.73 грн |
| STD46P4LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
STD46P4LLF6 SMD P channel transistors
STD46P4LLF6 SMD P channel transistors
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.71 грн |
| 21+ | 57.35 грн |
| 57+ | 54.16 грн |
| STD4NK60Z-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.84 грн |
| 10+ | 46.63 грн |
| 75+ | 33.55 грн |
| 150+ | 30.37 грн |
| 525+ | 25.39 грн |
| 1050+ | 24.89 грн |










