Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (129402) > Сторінка 2011 з 2157
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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VN540SPTR-E | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - VN540SPTR-E - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 36V Eingangsspannung, 2.8A, 0.05 Ohm, 1 Ausgang, PowerSO-10tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.05ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: PowerSO MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 36V Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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VB525SP-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - VB525SP-E - Hochspannungs-Zündspulentreiber, 380V/10A, PowerSO-10 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Zündspulentreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 IC-Bauform: PowerSO Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SCT018W65G3-4AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 398W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STPSC4H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STM32MP257FAL3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STM32MP257FAL3 - Mikroprozessor, 32 Bit, 64 Bit, 144 I/O, STM32, 1.5GHz, 3.6V Versorgung, -40°C bis 125°C, VFBGA-361 tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Anzahl der CPU-Kerne: 2Cores hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Betriebstemperatur, min.: -40°C MPU-Familie: STM32 Programmspeichergröße: - Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 1.5GHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Ein-/Ausgänge: 144I/O(s) Anzahl der Pins: 361Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit, 64 Bit Produktpalette: STM32 Family STM32MP2 Series Microprocessors productTraceability: No MPU-Baureihe: STM32MP2 usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: FDCAN, I2C, I3C, LPUART, PCIE, SAI, SPI, SPDIFRX, UART, USART, USB Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33172D | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - MC33172D - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 2.1 MHz, 2 V/µs, 4V bis 44V, ± 2V bis ± 22V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4V bis 44V, ± 2V bis ± 22V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.1MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 20nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 2.1MHz productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STGW30NC120HD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STGIF5CH60TS-L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGIF5CH60TS-L - IGBT-Modul, SLLIMM™, 8 A, 600 V, 30 W, 175 °C, SDIP2B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: SDIP2B Dauerkollektorstrom: 8A Produktpalette: SLIMM IPM-2nd Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: - IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STGIB30M60TS-L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGIB30M60TS-L - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 35 A, 1.5 kV, SDIP2B-26L Typ L1, SLLIMM-2 tariffCode: 84733020 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SLLIMM-2 rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 35A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SDIP2B-26L Typ L1 Produktpalette: SLLIMM-2 Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STWA68N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STWA75N65DM6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STEVAL-55G1MBI1 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STEVAL-55G1MBI1 - Hardware-Kit, VD55G1, Bildsensor, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Befestigungsmittel im Kit Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard VD55G1, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: VD55G1 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STEVAL-55G0MBI1 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STEVAL-55G0MBI1 - Hardware-Kit, VD55G0, Bildsensor, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Befestigungsmittel im Kit Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard VD55G0, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: VD55G0 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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STM32H733ZGT6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STM32H733ZGT6 - ARM-MCU, STM32 Family STM32H7 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, 32 Bit, 550 MHz, 1 MB tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit, 16 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7F hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 42Kanäle Programmspeichergröße: 1MB Versorgungsspannung, min.: 1.62V Betriebsfrequenz, max.: 550MHz MCU-Familie: STM32 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 564KB MCU-Baureihe: STM32H7 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 112I/O(s) Anzahl der Pins: 144Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: STM32 Family STM32H7 Series Microcontrollers productTraceability: No usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SAI, SPI, UART, USART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ISM330BXTR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ISM330BXTR - MEMS-Modul, Beschleunigungsmesser, Gyroskop, X, Y, Z, 1.71 V, 3.6 V, LGA, 14 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Sensortyp: Beschleunigungsmesser, Gyroskop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.71V Sensorgehäuse/-bauform: LGA Funktion MEMS-Modul: Drei-Achsen-Gyroskop, Drei-Achsen-Beschleunigungsmesser Bauform - Sensor: LGA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Messachse: X, Y, Z Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Temperaturmessbereich: - Versorgungsspannung, max.: 3.6V Messbereich - Beschleunigungsmesser: ± 2g, ± 4g, ± 8g Betriebstemperatur, max.: 85°C Ausgangsschnittstelle: I2C, I3C, SPI Messbereich - Gyroskop: ± 125°/s, ± 250°/s, ± 500°/s, ± 1000°/s, ± 2000°/s, ± 4000°/s |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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M24M02E-FMC6TG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMC6TG - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UFDFPN-EP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UFDFPN-EP Speicherdichte: 2Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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M24M02E-FMN6TP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMN6TP - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, NSOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423275 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Speicherdichte: 2Mbit Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: No usEccn: 3A991.b.1.b.1 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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M24M02E-FMC6TG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMC6TG - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UFDFPN-EP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UFDFPN-EP Speicherdichte: 2Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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M24M02E-FMN6TP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMN6TP - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, NSOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423275 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Speicherdichte: 2Mbit Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM productTraceability: No usEccn: 3A991.b.1.b.1 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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L5970D013TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - L5970D013TR - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.4V-36Vin, 1.2V-35Vout, 1Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 150°C Wirkungsgrad: 90% Schaltfrequenz: 280kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Eingangsspannung, max.: 36V IC-Montage: Oberflächenmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 4.4V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Ausgangsspannung, max.: 35V Ausgangsspannung, min.: 1.2V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck (Abwärts) Ausgangsstrom, max.: 1A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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CAM-5G0-158CLR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-5G0-158CLR - Promodule VD55G0, 158°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Promodule VD55G0 mit 158°-Objektiv (Bildwinkel) Prozessorhersteller: STMicroelectronics Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: VD55G0 productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CAM-6G3-073CLR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-073CLR - Promodule VD56G3, 73°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 73°-Objektiv (Bildwinkel) Prozessorhersteller: STMicroelectronics Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: VD56G3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CAM-6G3-084CLR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-084CLR - Promodule VD56G3, 84°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 84°-Objektiv (Bildwinkel) Prozessorhersteller: STMicroelectronics Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: VD56G3 productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CAM-6G3-152CLR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-152CLR - Promodule VD56G3, 152°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 152°-Objektiv (Bildwinkel) Prozessorhersteller: STMicroelectronics Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: VD56G3 productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TS332IDT | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - TS332IDT - Analoger Komparator, RRI, Micropower, 2 Kanäle, 200 ns, 1.6V bis 5V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Komparatorausgang: Open-Drain Versorgungsspannung: 1.6V bis 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Komparatortyp: Micropower euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TS332IDT | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - TS332IDT - Analoger Komparator, RRI, Micropower, 2 Kanäle, 200 ns, 1.6V bis 5V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Komparatorausgang: Open-Drain Versorgungsspannung: 1.6V bis 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Komparatortyp: Micropower euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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Z0110MN 5AA4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - Z0110MN 5AA4 - Triac, 600 V, 1 A, SOT-223, 1.3 V, 8 A, 25 mA tariffCode: 85413000 euEccn: NLR Bauform - Triac: SOT-223 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 25mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V isCanonical: N MSL: - RMS-Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Oberflächenmontage usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BUB941ZTT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUB941ZTT4 - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Transistormontage: Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 3Pin(s) Wandlerpolarität: NPN euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB12NM50T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB100N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB11N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB30N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB100N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB15N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STBR3012W | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STBR3012W - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 1.3 V, 300 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-247 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB45N30M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Mdmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB37N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB45N30M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Mdmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 169W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB15N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB37N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB11N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STB6N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STB6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STW48N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BZW04-376B | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BZW04-376B - TVS-Diode, BZW04, Bidirektional, 376 V, 776 V, DO-15, 2 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: DO-15 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 418V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 418V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 376V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZW04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 776V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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LF50ABDT-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - LF50ABDT-TR - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 16V, 450mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 16V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 500mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 3V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 450mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 450mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 16860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STPMIC25APQR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25APQR - Power-Management-IC, 8 LDOs, 15 geregelte Ausgänge, 5.5V Versorgung, -40°C bis 105°C, WFQFN-EP-56 tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung: 5.5V IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren rohsCompliant: YES Anzahl der geregelten Ausgänge: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der LDO-Regler: 3 Anzahl der Pins: 56Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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STPMIC25BPQR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25BPQR - Power-Management-IC, 6 LDO, 15 geregelte Ausgänge, 7 Abwärtswandler, 5.5V Versorgung, WFQFN-EP-56 tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung: 5.5V IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren rohsCompliant: YES Anzahl der geregelten Ausgänge: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN-EP usEccn: EAR99 Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der LDO-Regler: 3 Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STPMIC25APQR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25APQR - Power-Management-IC, 8 LDOs, 15 geregelte Ausgänge, 5.5V Versorgung, -40°C bis 105°C, WFQFN-EP-56 Versorgungsspannung: 5.5V IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren rohsCompliant: YES Anzahl der geregelten Ausgänge: 8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN-EP usEccn: EAR99 Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der LDO-Regler: 3 Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STPST5H100SBY-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPST5H100SBY-TR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 685mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECOPACK2 Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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STPST5H100SFY | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPST5H100SFY - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, zweifache Anode, PSMC (TO-277A), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PSMC (TO-277A) Durchlassstoßstrom: 155A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 680mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECOPACK2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 5024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VN540SPTR-E |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VN540SPTR-E - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 36V Eingangsspannung, 2.8A, 0.05 Ohm, 1 Ausgang, PowerSO-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: PowerSO
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - VN540SPTR-E - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 36V Eingangsspannung, 2.8A, 0.05 Ohm, 1 Ausgang, PowerSO-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: PowerSO
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VB525SP-E |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VB525SP-E - Hochspannungs-Zündspulentreiber, 380V/10A, PowerSO-10
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Zündspulentreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
IC-Bauform: PowerSO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - VB525SP-E - Hochspannungs-Zündspulentreiber, 380V/10A, PowerSO-10
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Zündspulentreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
IC-Bauform: PowerSO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCT018W65G3-4AG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - SCT018W65G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPSC4H065B-TR |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STM32MP257FAL3 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STM32MP257FAL3 - Mikroprozessor, 32 Bit, 64 Bit, 144 I/O, STM32, 1.5GHz, 3.6V Versorgung, -40°C bis 125°C, VFBGA-361
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 2Cores
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
MPU-Familie: STM32
Programmspeichergröße: -
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 1.5GHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 144I/O(s)
Anzahl der Pins: 361Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit, 64 Bit
Produktpalette: STM32 Family STM32MP2 Series Microprocessors
productTraceability: No
MPU-Baureihe: STM32MP2
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: FDCAN, I2C, I3C, LPUART, PCIE, SAI, SPI, SPDIFRX, UART, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: STMICROELECTRONICS - STM32MP257FAL3 - Mikroprozessor, 32 Bit, 64 Bit, 144 I/O, STM32, 1.5GHz, 3.6V Versorgung, -40°C bis 125°C, VFBGA-361
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 2Cores
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
MPU-Familie: STM32
Programmspeichergröße: -
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 1.5GHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 144I/O(s)
Anzahl der Pins: 361Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit, 64 Bit
Produktpalette: STM32 Family STM32MP2 Series Microprocessors
productTraceability: No
MPU-Baureihe: STM32MP2
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: FDCAN, I2C, I3C, LPUART, PCIE, SAI, SPI, SPDIFRX, UART, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC33172D |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MC33172D - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 2.1 MHz, 2 V/µs, 4V bis 44V, ± 2V bis ± 22V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 44V, ± 2V bis ± 22V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 20nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.1MHz
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: STMICROELECTRONICS - MC33172D - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 2.1 MHz, 2 V/µs, 4V bis 44V, ± 2V bis ± 22V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 44V, ± 2V bis ± 22V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 20nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 2.1MHz
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGW30NC120HD |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGIF5CH60TS-L |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGIF5CH60TS-L - IGBT-Modul, SLLIMM™, 8 A, 600 V, 30 W, 175 °C, SDIP2B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SDIP2B
Dauerkollektorstrom: 8A
Produktpalette: SLIMM IPM-2nd Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGIF5CH60TS-L - IGBT-Modul, SLLIMM™, 8 A, 600 V, 30 W, 175 °C, SDIP2B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SDIP2B
Dauerkollektorstrom: 8A
Produktpalette: SLIMM IPM-2nd Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGIB30M60TS-L |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGIB30M60TS-L - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 35 A, 1.5 kV, SDIP2B-26L Typ L1, SLLIMM-2
tariffCode: 84733020
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SLLIMM-2
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SDIP2B-26L Typ L1
Produktpalette: SLLIMM-2 Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGIB30M60TS-L - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 35 A, 1.5 kV, SDIP2B-26L Typ L1, SLLIMM-2
tariffCode: 84733020
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SLLIMM-2
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SDIP2B-26L Typ L1
Produktpalette: SLLIMM-2 Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STWA68N65DM6AG |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STWA75N65DM6 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STEVAL-55G1MBI1 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STEVAL-55G1MBI1 - Hardware-Kit, VD55G1, Bildsensor, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Befestigungsmittel im Kit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard VD55G1, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: VD55G1
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STEVAL-55G1MBI1 - Hardware-Kit, VD55G1, Bildsensor, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Befestigungsmittel im Kit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard VD55G1, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: VD55G1
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STEVAL-55G0MBI1 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STEVAL-55G0MBI1 - Hardware-Kit, VD55G0, Bildsensor, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Befestigungsmittel im Kit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard VD55G0, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: VD55G0
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STEVAL-55G0MBI1 - Hardware-Kit, VD55G0, Bildsensor, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Befestigungsmittel im Kit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard VD55G0, M12-Linsenhalter, Standardlinse, Halterschrauben, FFC-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: VD55G0
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STM32H733ZGT6 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STM32H733ZGT6 - ARM-MCU, STM32 Family STM32H7 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, 32 Bit, 550 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 16 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 42Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Betriebsfrequenz, max.: 550MHz
MCU-Familie: STM32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 564KB
MCU-Baureihe: STM32H7
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 112I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: STM32 Family STM32H7 Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SAI, SPI, UART, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: STMICROELECTRONICS - STM32H733ZGT6 - ARM-MCU, STM32 Family STM32H7 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, 32 Bit, 550 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 16 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 42Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Betriebsfrequenz, max.: 550MHz
MCU-Familie: STM32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 564KB
MCU-Baureihe: STM32H7
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 112I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: STM32 Family STM32H7 Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SAI, SPI, UART, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISM330BXTR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - ISM330BXTR - MEMS-Modul, Beschleunigungsmesser, Gyroskop, X, Y, Z, 1.71 V, 3.6 V, LGA, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Beschleunigungsmesser, Gyroskop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: LGA
Funktion MEMS-Modul: Drei-Achsen-Gyroskop, Drei-Achsen-Beschleunigungsmesser
Bauform - Sensor: LGA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Messachse: X, Y, Z
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Temperaturmessbereich: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Messbereich - Beschleunigungsmesser: ± 2g, ± 4g, ± 8g
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, I3C, SPI
Messbereich - Gyroskop: ± 125°/s, ± 250°/s, ± 500°/s, ± 1000°/s, ± 2000°/s, ± 4000°/s
Description: STMICROELECTRONICS - ISM330BXTR - MEMS-Modul, Beschleunigungsmesser, Gyroskop, X, Y, Z, 1.71 V, 3.6 V, LGA, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Beschleunigungsmesser, Gyroskop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: LGA
Funktion MEMS-Modul: Drei-Achsen-Gyroskop, Drei-Achsen-Beschleunigungsmesser
Bauform - Sensor: LGA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Messachse: X, Y, Z
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Temperaturmessbereich: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Messbereich - Beschleunigungsmesser: ± 2g, ± 4g, ± 8g
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, I3C, SPI
Messbereich - Gyroskop: ± 125°/s, ± 250°/s, ± 500°/s, ± 1000°/s, ± 2000°/s, ± 4000°/s
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| M24M02E-FMC6TG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMC6TG - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UFDFPN-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UFDFPN-EP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMC6TG - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UFDFPN-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UFDFPN-EP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| M24M02E-FMN6TP |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMN6TP - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Speicherdichte: 2Mbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMN6TP - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Speicherdichte: 2Mbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| M24M02E-FMC6TG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMC6TG - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UFDFPN-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UFDFPN-EP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMC6TG - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, UFDFPN-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UFDFPN-EP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| M24M02E-FMN6TP |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMN6TP - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Speicherdichte: 2Mbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
Description: STMICROELECTRONICS - M24M02E-FMN6TP - EEPROM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Speicherdichte: 2Mbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 2Mbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| L5970D013TR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - L5970D013TR - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.4V-36Vin, 1.2V-35Vout, 1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Wirkungsgrad: 90%
Schaltfrequenz: 280kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 36V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.4V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 35V
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: STMICROELECTRONICS - L5970D013TR - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.4V-36Vin, 1.2V-35Vout, 1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Wirkungsgrad: 90%
Schaltfrequenz: 280kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 36V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 4.4V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 35V
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAM-5G0-158CLR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-5G0-158CLR - Promodule VD55G0, 158°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD55G0 mit 158°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD55G0
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-5G0-158CLR - Promodule VD55G0, 158°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD55G0 mit 158°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD55G0
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAM-6G3-073CLR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-073CLR - Promodule VD56G3, 73°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 73°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD56G3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-073CLR - Promodule VD56G3, 73°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 73°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD56G3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAM-6G3-084CLR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-084CLR - Promodule VD56G3, 84°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 84°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD56G3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-084CLR - Promodule VD56G3, 84°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 84°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD56G3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAM-6G3-152CLR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-152CLR - Promodule VD56G3, 152°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 152°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD56G3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: STMICROELECTRONICS - CAM-6G3-152CLR - Promodule VD56G3, 152°-Objektiv (Bildwinkel), monochromer Bildsensor, Computer Embedded-Verarbeitung
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Promodule VD56G3 mit 152°-Objektiv (Bildwinkel)
Prozessorhersteller: STMicroelectronics
Zur Verwendung mit: Computer, integrierte Verarbeitungsplatinen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: VD56G3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TS332IDT |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - TS332IDT - Analoger Komparator, RRI, Micropower, 2 Kanäle, 200 ns, 1.6V bis 5V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Drain
Versorgungsspannung: 1.6V bis 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Micropower
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - TS332IDT - Analoger Komparator, RRI, Micropower, 2 Kanäle, 200 ns, 1.6V bis 5V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Drain
Versorgungsspannung: 1.6V bis 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Micropower
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TS332IDT |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - TS332IDT - Analoger Komparator, RRI, Micropower, 2 Kanäle, 200 ns, 1.6V bis 5V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Drain
Versorgungsspannung: 1.6V bis 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Micropower
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - TS332IDT - Analoger Komparator, RRI, Micropower, 2 Kanäle, 200 ns, 1.6V bis 5V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: Open-Drain
Versorgungsspannung: 1.6V bis 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Micropower
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Z0110MN 5AA4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - Z0110MN 5AA4 - Triac, 600 V, 1 A, SOT-223, 1.3 V, 8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: STMICROELECTRONICS - Z0110MN 5AA4 - Triac, 600 V, 1 A, SOT-223, 1.3 V, 8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
MSL: -
RMS-Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUB941ZTT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUB941ZTT4 - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Transistormontage: Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Wandlerpolarität: NPN
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - BUB941ZTT4 - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Transistormontage: Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Wandlerpolarität: NPN
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB12NM50T4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB100N6F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB11N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB26N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB25N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB30N65DM6AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB30N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB100N6F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB6N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB25N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB15N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STBR3012W |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STBR3012W - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 1.3 V, 300 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STBR3012W - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 1.3 V, 300 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB45N30M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB37N60DM2AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB35N65DM2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB45N30M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N30M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 53 A, 0.037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB26N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB26N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB15N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB37N60DM2AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STB37N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB35N65DM2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB11N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB6N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB6N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW48N60M2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZW04-376B |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BZW04-376B - TVS-Diode, BZW04, Bidirektional, 376 V, 776 V, DO-15, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: DO-15
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 418V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 418V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 376V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZW04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 776V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - BZW04-376B - TVS-Diode, BZW04, Bidirektional, 376 V, 776 V, DO-15, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: DO-15
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 418V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 418V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 376V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZW04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 776V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LF50ABDT-TR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - LF50ABDT-TR - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 16V, 450mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 450mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 450mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: STMICROELECTRONICS - LF50ABDT-TR - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 16V, 450mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 450mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 450mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 16860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPMIC25APQR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25APQR - Power-Management-IC, 8 LDOs, 15 geregelte Ausgänge, 5.5V Versorgung, -40°C bis 105°C, WFQFN-EP-56
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 5.5V
IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25APQR - Power-Management-IC, 8 LDOs, 15 geregelte Ausgänge, 5.5V Versorgung, -40°C bis 105°C, WFQFN-EP-56
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 5.5V
IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPMIC25BPQR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25BPQR - Power-Management-IC, 6 LDO, 15 geregelte Ausgänge, 7 Abwärtswandler, 5.5V Versorgung, WFQFN-EP-56
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 5.5V
IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25BPQR - Power-Management-IC, 6 LDO, 15 geregelte Ausgänge, 7 Abwärtswandler, 5.5V Versorgung, WFQFN-EP-56
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 5.5V
IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPMIC25APQR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25APQR - Power-Management-IC, 8 LDOs, 15 geregelte Ausgänge, 5.5V Versorgung, -40°C bis 105°C, WFQFN-EP-56
Versorgungsspannung: 5.5V
IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPMIC25APQR - Power-Management-IC, 8 LDOs, 15 geregelte Ausgänge, 5.5V Versorgung, -40°C bis 105°C, WFQFN-EP-56
Versorgungsspannung: 5.5V
IC-Typ: PMIC für Mikroprozessoren
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: 5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPST5H100SBY-TR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPST5H100SBY-TR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 685mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPST5H100SBY-TR - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, zweifache Anode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 685mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPST5H100SFY |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPST5H100SFY - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, zweifache Anode, PSMC (TO-277A), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PSMC (TO-277A)
Durchlassstoßstrom: 155A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 680mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STPST5H100SFY - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, zweifache Anode, PSMC (TO-277A), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PSMC (TO-277A)
Durchlassstoßstrom: 155A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 680mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)