Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (165578) > Сторінка 336 з 2760

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 276 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 552 828 1104 1380 1656 1932 2208 2484 2760  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
T830-8FP T830-8FP STMicroelectronics DM00058404.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V TO220FPAB
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340UY STPS340UY STMicroelectronics en.CD00270569.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1003SBY-TR STTH1003SBY-TR STMicroelectronics en.DM00042790.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL35K120L1 STGIPL35K120L1 STMicroelectronics STGIPL35K120L1.pdf Description: POWER DRIVER IGBT 1200V SDIP-18L
Packaging: Tube
Package / Case: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 35 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6 STP10P6F6 STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP46NF30 STP46NF30 STMicroelectronics en.DM00022942.pdf Description: MOSFET N CH 300V 42A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.96 грн
50+159.82 грн
100+145.02 грн
500+111.74 грн
1000+103.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM40N STD9NM40N STMicroelectronics en.DM00067012.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N32N3LL STL60N32N3LL STMicroelectronics STL60N32N3LL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8T06DI STTH8T06DI STMicroelectronics en.DM00059176.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.97 грн
50+108.30 грн
100+89.10 грн
500+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU65N3LLH5 STU65N3LLH5 STMicroelectronics en.CD00268670.pdf Description: MOSFET N CH 30V 65A IPAK
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 STMicroelectronics en.DM00060560.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.97 грн
30+157.28 грн
120+142.19 грн
510+130.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ECMF02-4CMX8 ECMF02-4CMX8 STMicroelectronics dm00039389.pdf Description: CMC 2LN SMD ESD
Features: TVS Diode ESD Protection
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN
Filter Type: Signal Line
Size / Dimension: 0.098" L x 0.047" W (2.50mm x 1.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Height (Max): 0.022" (0.55mm)
DC Resistance (DCR) (Max): 4Ohm
Part Status: Active
на замовлення 50980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.20 грн
12+27.90 грн
25+25.85 грн
50+22.86 грн
100+21.55 грн
250+19.94 грн
500+18.49 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA25SC6Y ESDA25SC6Y STMicroelectronics en.DM00231412.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 51VC SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 300W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.10 грн
16+20.73 грн
100+16.16 грн
500+12.76 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA5V3SC6Y ESDA5V3SC6Y STMicroelectronics en.DM00231412.pdf Description: TVS DIODE 3VWM 21VC SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 22A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.46 грн
26+12.30 грн
100+10.48 грн
500+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5 STB15N80K5 STMicroelectronics en.DM00060560.pdf Description: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.71 грн
10+265.79 грн
100+191.35 грн
500+176.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2003CGY-TR STTH2003CGY-TR STMicroelectronics en.DM00040839.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.36 грн
10+125.33 грн
100+86.37 грн
500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+60.30 грн
100+39.97 грн
500+29.34 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5 STD65N3LLH5 STMicroelectronics en.CD00268670.pdf Description: MOSFET N CH 30V 65A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM40N STD9NM40N STMicroelectronics en.DM00067012.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH810GY-TR STTH810GY-TR STMicroelectronics en.DM00031453.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL10DN15F3 STMicroelectronics DM00067592.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL10DN15F3 STMicroelectronics DM00067592.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN9360 STN9360 STMicroelectronics en.DM00055595.pdf Description: TRANS PNP 600V 0.5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.58 грн
10+41.85 грн
100+27.31 грн
500+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1003SBY-TR STTH1003SBY-TR STMicroelectronics en.DM00042790.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
10+40.36 грн
100+35.23 грн
500+25.70 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20L60CGY-TR STPS20L60CGY-TR STMicroelectronics STPS20L60C-Y.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.42 грн
10+86.31 грн
100+65.47 грн
500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N80K5 STF15N80K5 STMicroelectronics en.DM00060560.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI34N65M5 STI34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5 STB15N80K5 STMicroelectronics en.DM00060560.pdf Description: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N80K5 STP15N80K5 STMicroelectronics en.DM00060560.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.26 грн
50+197.40 грн
100+180.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL10DN15F3 STMicroelectronics DM00067592.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065D STPSC4H065D STMicroelectronics en.DM00063407.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340SY STPS340SY STMicroelectronics en.CD00270569.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.57 грн
11+30.82 грн
100+19.78 грн
500+14.09 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340UY STPS340UY STMicroelectronics en.CD00270569.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
16+20.26 грн
100+15.46 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TR STPSC10H065B-TR STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TR STPSC4H065B-TR STMicroelectronics en.DM00063407.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TR STPSC8H065B-TR STMicroelectronics en.DM00063470.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TR STPSC8H065G-TR STMicroelectronics en.DM00063470.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065D STPSC10H065D STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CW STPSC20H065CW STMicroelectronics en.DM00063472.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065D STPSC8H065D STMicroelectronics en.DM00063470.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR STPSC10H065G-TR STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.77 грн
10+195.24 грн
100+137.78 грн
500+118.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TR STPSC10H065B-TR STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.37 грн
10+143.22 грн
100+109.89 грн
500+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TR STPSC4H065B-TR STMicroelectronics en.DM00063407.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.15 грн
10+103.97 грн
100+82.73 грн
500+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TR STPSC8H065B-TR STMicroelectronics en.DM00063470.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 13528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.65 грн
10+126.90 грн
100+103.12 грн
500+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TR STPSC8H065G-TR STMicroelectronics en.DM00063470.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E160AJ EV-VND5E160AJ STMicroelectronics en.DM00070774.pdf Description: BOARD EVAL FOR VND5E160AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E160AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5T100AJ EV-VND5T100AJ STMicroelectronics en.DM00509645.pdf Description: BOARD EVAL FOR VND5T100AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5T100AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E050AJ EV-VND5E050AJ STMicroelectronics en.DM00070773.pdf Description: BOARD EVAL FOR VND5E050AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E050AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E160J EV-VND5E160J STMicroelectronics en.DM00070777.pdf Description: EVAL BOARD FOR VND5E160J
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VND5E160J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5E050J EV-VN5E050J STMicroelectronics EV-VN5E050J_(Rev2).pdf Description: BOARD EVAL FOR VN5E050J
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VN5E050J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 1-Channel (Single)
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5E050AJ EV-VN5E050AJ STMicroelectronics en.CD00189802.pdf Description: BOARD EVAL FOR VN5E050AJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5E025AJ EV-VN5E025AJ STMicroelectronics en.DM00070771.pdf Description: BOARD EVAL FOR VN5E025AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VN5E025AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 1-Channel (Single)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E050K EV-VND5E050K STMicroelectronics ev-vnd5e050k.pdf Description: BOARD EVAL FOR VND5E050K
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E050K
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E050J EV-VND5E050J STMicroelectronics ev-vnd5e050j.pdf Description: BOARD EVAL FOR VND5E050J
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E050J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5016AJ EV-VN5016AJ STMicroelectronics en.CD00044270.pdf Description: EVAL BOARD FOR VN5016AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VN5016AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 1-Channel (Single)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VNQ5E050AK EV-VNQ5E050AK STMicroelectronics EV-VNQ5E050AK_%28Rev1%29.pdf Description: EVAL BOARD FOR VNQ5E050AK
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VNQ5E050AK
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 4-Channel (Quad)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VNQ5E160AK EV-VNQ5E160AK STMicroelectronics EV-VNQ5E160AK_(Rev1).pdf Description: BOARD EVAL FOR VNQ5E160AK
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VNQ5E160AK
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 4-Channel (Quad)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E025AK EV-VND5E025AK STMicroelectronics en.DM00071083.pdf Description: EVAL BOARD FOR VND5E025AK
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VND5E025AK
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T830-8FP DM00058404.pdf
T830-8FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V TO220FPAB
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340UY en.CD00270569.pdf
STPS340UY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1003SBY-TR en.DM00042790.pdf
STTH1003SBY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 300V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGIPL35K120L1 STGIPL35K120L1.pdf
STGIPL35K120L1
Виробник: STMicroelectronics
Description: POWER DRIVER IGBT 1200V SDIP-18L
Packaging: Tube
Package / Case: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 1 Phase
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 35 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 en.DM00051198.pdf
STD10P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STP10P6F6 en.DM00051198.pdf
STP10P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP46NF30 en.DM00022942.pdf
STP46NF30
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 300V 42A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.96 грн
50+159.82 грн
100+145.02 грн
500+111.74 грн
1000+103.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM40N en.DM00067012.pdf
STD9NM40N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL60N32N3LL STL60N32N3LL.pdf
STL60N32N3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH8T06DI en.DM00059176.pdf
STTH8T06DI
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE GP 600V 8A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.97 грн
50+108.30 грн
100+89.10 грн
500+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STU65N3LLH5 en.CD00268670.pdf
STU65N3LLH5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 30V 65A IPAK
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 en.DM00060560.pdf
STW15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.97 грн
30+157.28 грн
120+142.19 грн
510+130.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ECMF02-4CMX8 dm00039389.pdf
ECMF02-4CMX8
Виробник: STMicroelectronics
Description: CMC 2LN SMD ESD
Features: TVS Diode ESD Protection
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN
Filter Type: Signal Line
Size / Dimension: 0.098" L x 0.047" W (2.50mm x 1.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Height (Max): 0.022" (0.55mm)
DC Resistance (DCR) (Max): 4Ohm
Part Status: Active
на замовлення 50980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.20 грн
12+27.90 грн
25+25.85 грн
50+22.86 грн
100+21.55 грн
250+19.94 грн
500+18.49 грн
1000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA25SC6Y en.DM00231412.pdf
ESDA25SC6Y
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 24VWM 51VC SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V
Power - Peak Pulse: 300W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.10 грн
16+20.73 грн
100+16.16 грн
500+12.76 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA5V3SC6Y en.DM00231412.pdf
ESDA5V3SC6Y
Виробник: STMicroelectronics
Description: TVS DIODE 3VWM 21VC SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 22A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.46 грн
26+12.30 грн
100+10.48 грн
500+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5 en.DM00060560.pdf
STB15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.71 грн
10+265.79 грн
100+191.35 грн
500+176.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2003CGY-TR en.DM00040839.pdf
STTH2003CGY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.36 грн
10+125.33 грн
100+86.37 грн
500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 en.DM00051198.pdf
STD10P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.41 грн
10+60.30 грн
100+39.97 грн
500+29.34 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5 en.CD00268670.pdf
STD65N3LLH5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 30V 65A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD9NM40N en.DM00067012.pdf
STD9NM40N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH810GY-TR en.DM00031453.pdf
STTH810GY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 1000V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL10DN15F3 DM00067592.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL10DN15F3 DM00067592.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN9360 en.DM00055595.pdf
STN9360
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 600V 0.5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.58 грн
10+41.85 грн
100+27.31 грн
500+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1003SBY-TR en.DM00042790.pdf
STTH1003SBY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE STANDARD 300V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.48 грн
10+40.36 грн
100+35.23 грн
500+25.70 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STPS20L60CGY-TR STPS20L60C-Y.pdf
STPS20L60CGY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.42 грн
10+86.31 грн
100+65.47 грн
500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N80K5 en.DM00060560.pdf
STF15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STI34N65M5 en.DM00049181.pdf
STI34N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5 en.DM00060560.pdf
STB15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N80K5 en.DM00060560.pdf
STP15N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.26 грн
50+197.40 грн
100+180.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL10DN15F3 DM00067592.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065D en.DM00063407.pdf
STPSC4H065D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340SY en.CD00270569.pdf
STPS340SY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.57 грн
11+30.82 грн
100+19.78 грн
500+14.09 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STPS340UY en.CD00270569.pdf
STPS340UY
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.29 грн
16+20.26 грн
100+15.46 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TR en.DM00063471.pdf
STPSC10H065B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR en.DM00063471.pdf
STPSC10H065G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TR en.DM00063407.pdf
STPSC4H065B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TR en.DM00063470.pdf
STPSC8H065B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TR en.DM00063470.pdf
STPSC8H065G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065D en.DM00063471.pdf
STPSC10H065D
Виробник: STMicroelectronics
Description: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CW en.DM00063472.pdf
STPSC20H065CW
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065D en.DM00063470.pdf
STPSC8H065D
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TR en.DM00063471.pdf
STPSC10H065G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.77 грн
10+195.24 грн
100+137.78 грн
500+118.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TR en.DM00063471.pdf
STPSC10H065B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 6023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.37 грн
10+143.22 грн
100+109.89 грн
500+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC4H065B-TR en.DM00063407.pdf
STPSC4H065B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.15 грн
10+103.97 грн
100+82.73 грн
500+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TR en.DM00063470.pdf
STPSC8H065B-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 13528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.65 грн
10+126.90 грн
100+103.12 грн
500+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065G-TR en.DM00063470.pdf
STPSC8H065G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E160AJ en.DM00070774.pdf
EV-VND5E160AJ
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VND5E160AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E160AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5T100AJ en.DM00509645.pdf
EV-VND5T100AJ
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VND5T100AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5T100AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E050AJ en.DM00070773.pdf
EV-VND5E050AJ
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VND5E050AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E050AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E160J en.DM00070777.pdf
EV-VND5E160J
Виробник: STMicroelectronics
Description: EVAL BOARD FOR VND5E160J
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VND5E160J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5E050J EV-VN5E050J_(Rev2).pdf
EV-VN5E050J
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VN5E050J
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VN5E050J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 1-Channel (Single)
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5E050AJ en.CD00189802.pdf
EV-VN5E050AJ
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VN5E050AJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5E025AJ en.DM00070771.pdf
EV-VN5E025AJ
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VN5E025AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VN5E025AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 1-Channel (Single)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E050K ev-vnd5e050k.pdf
EV-VND5E050K
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VND5E050K
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E050K
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1088.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E050J ev-vnd5e050j.pdf
EV-VND5E050J
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VND5E050J
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VND5E050J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VN5016AJ en.CD00044270.pdf
EV-VN5016AJ
Виробник: STMicroelectronics
Description: EVAL BOARD FOR VN5016AJ
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VN5016AJ
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 1-Channel (Single)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VNQ5E050AK EV-VNQ5E050AK_%28Rev1%29.pdf
EV-VNQ5E050AK
Виробник: STMicroelectronics
Description: EVAL BOARD FOR VNQ5E050AK
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VNQ5E050AK
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 4-Channel (Quad)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VNQ5E160AK EV-VNQ5E160AK_(Rev1).pdf
EV-VNQ5E160AK
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL FOR VNQ5E160AK
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: VNQ5E160AK
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 4-Channel (Quad)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EV-VND5E025AK en.DM00071083.pdf
EV-VND5E025AK
Виробник: STMicroelectronics
Description: EVAL BOARD FOR VND5E025AK
Packaging: Bulk
Function: High Side Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: VND5E025AK
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 2-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 276 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 552 828 1104 1380 1656 1932 2208 2484 2760  [ Наступна Сторінка >> ]