Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25150) > Сторінка 166 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZD27C18PW BZD27C18PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PW SERIES_D2203.pdf Description: DIODE ZENER 18V 1W SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.4%
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123W
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13 V
на замовлення 24895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.33 грн
16+21.32 грн
100+13.54 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
2000+7.63 грн
5000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH C5G TSM4NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60_L1901.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 14316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.14 грн
75+42.57 грн
150+33.74 грн
525+26.83 грн
1050+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TS2940CZ33 C0G TS2940CZ33 C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TS2940CZ33 Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 15 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Voltage Dropout (Max): 0.8V @ 800mA
Protection Features: Over Voltage, Thermal Shutdown, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 110 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS2940CZ50 C0G TS2940CZ50 C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TS2940CZ50 Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 15 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.8V @ 800mA
Protection Features: Over Voltage, Thermal Shutdown, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 110 mA
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.02 грн
10+145.20 грн
25+137.03 грн
100+109.56 грн
250+102.87 грн
500+90.01 грн
1000+73.36 грн
2500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30AHR5G SMB10J30AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+55.49 грн
1700+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30AHR5G SMB10J30AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMB10J%20SERIES_B2102.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.53 грн
10+81.06 грн
100+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DA R3G HS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DA R3G HS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAL M3G RS2DAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAL M3G RS2DAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 2A, 200V, STANDARD RECOVERY RECT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 2A, 200V, STANDARD RECOVERY RECT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL M3G HS2DAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL M3G HS2DAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DA R3G RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DA R3G RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2DA M2G S2DA M2G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_J15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DA M2G RS2DA M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2DA R3G S2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_J15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2DA R3G S2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA%20SERIES_J15.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAHM2G RS2DAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAHR3G RS2DAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAHR3G RS2DAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2AA%20SERIES_G14.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1603G MNG SFS1603G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1601G%20SERIES_N15.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1603GHMNG SFS1603GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1601G%20SERIES_N15.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U100C C0G TSF20U100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF20U100C_E2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RQG RS1GL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1GL RFG ES1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RHG RS1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RHG S1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1xL_Rev.O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RTG RS1GL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RTG S1GL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RFG HS1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RFG RS1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RFG S1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RUG HS1GL RUG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RVG S1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_O15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFS MXG RS1MFS MXG Taiwan Semiconductor Corporation RS1xFS_DS.pdf Description: DIODE, FAST, 1A, 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.69 грн
10000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 11217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.58 грн
10+50.28 грн
100+33.02 грн
500+24.00 грн
1000+21.74 грн
2000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AAHR3G ES2AAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AAHR3G ES2AAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AA R3G ES2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AA R3G ES2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AAHM2G ES2AAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AA M2G ES2AA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A R5G ES2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AHM4G ES2AHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AHR5G ES2AHR5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35B M4G SK35B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK32B%20SERIES_P2212.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35BHM4G SK35BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation SK32BH%20SERIES_B2212.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35B R5G SK35B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK32B%20SERIES_P2212.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35BHR5G SK35BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK32BH%20SERIES_B2212.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13 R3G SS13 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS12%20SERIES_Q2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GAL M3G ES2GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GAL M3G ES2GAL M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GFS M3G ES2GFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GFS M3G ES2GFS M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SK315A R3G SK315A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A%20SERIES_V2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK315A R3G SK315A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A%20SERIES_V2102.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AC
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C18PW BZD27C11PW SERIES_D2203.pdf
BZD27C18PW
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 1W SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.4%
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123W
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 13 V
на замовлення 24895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.33 грн
16+21.32 грн
100+13.54 грн
500+9.53 грн
1000+8.50 грн
2000+7.63 грн
5000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH C5G TSM4NB60_L1901.pdf
TSM4NB60CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 14316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.14 грн
75+42.57 грн
150+33.74 грн
525+26.83 грн
1050+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TS2940CZ33 C0G pdf.php?pn=TS2940CZ33
TS2940CZ33 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 15 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Voltage Dropout (Max): 0.8V @ 800mA
Protection Features: Over Voltage, Thermal Shutdown, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 110 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS2940CZ50 C0G pdf.php?pn=TS2940CZ50
TS2940CZ50 C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 15 mA
Voltage - Input (Max): 26V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.8V @ 800mA
Protection Features: Over Voltage, Thermal Shutdown, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 110 mA
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.02 грн
10+145.20 грн
25+137.03 грн
100+109.56 грн
250+102.87 грн
500+90.01 грн
1000+73.36 грн
2500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30AHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J30AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+55.49 грн
1700+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMB10J30AHR5G SMB10J%20SERIES_B2102.pdf
SMB10J30AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.53 грн
10+81.06 грн
100+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DA R3G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2DA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DA R3G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2DA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAL M3G
RS2DAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAL M3G
RS2DAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A, 200V, STANDARD RECOVERY RECT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2DAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A, 200V, STANDARD RECOVERY RECT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL M3G
HS2DAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL M3G
HS2DAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DA R3G RS2AA%20SERIES_G14.pdf
RS2DA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DA R3G RS2AA%20SERIES_G14.pdf
RS2DA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2DA M2G S2AA%20SERIES_J15.pdf
S2DA M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DA M2G RS2AA%20SERIES_G14.pdf
RS2DA M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2DA R3G S2AA%20SERIES_J15.pdf
S2DA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2DA R3G S2AA%20SERIES_J15.pdf
S2DA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAHM2G RS2AA%20SERIES_G14.pdf
RS2DAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAHR3G RS2AA%20SERIES_G14.pdf
RS2DAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS2DAHR3G RS2AA%20SERIES_G14.pdf
RS2DAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1603G MNG SFS1601G%20SERIES_N15.pdf
SFS1603G MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFS1603GHMNG SFS1601G%20SERIES_N15.pdf
SFS1603GHMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF20U100C C0G TSF20U100C_E2105.pdf
TSF20U100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1GL RFG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1GL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RHG S1xL_Rev.O15.pdf
S1GL RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL RTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RTG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1GL RTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RFG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GL RFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1GL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 400V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RFG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1GL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GL RUG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1GL RUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GL RVG S1AL%20SERIES_O15.pdf
S1GL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFS MXG RS1xFS_DS.pdf
RS1MFS MXG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, FAST, 1A, 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33_B1610.pdf
TSM038N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.69 грн
10000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM038N03PQ33 RGG TSM038N03PQ33_B1610.pdf
TSM038N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V
на замовлення 11217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.58 грн
10+50.28 грн
100+33.02 грн
500+24.00 грн
1000+21.74 грн
2000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AAHR3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2AAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AAHR3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2AAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AA R3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AA R3G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2AA R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2AAHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2AA M2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A R5G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2A R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AHM4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2AHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2AHR5G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2AHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35B M4G SK32B%20SERIES_P2212.pdf
SK35B M4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35BHM4G SK32BH%20SERIES_B2212.pdf
SK35BHM4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35B R5G SK32B%20SERIES_P2212.pdf
SK35B R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK35BHR5G SK32BH%20SERIES_B2212.pdf
SK35BHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS13 R3G SS12%20SERIES_Q2102.pdf
SS13 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GAL M3G
ES2GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GAL M3G
ES2GAL M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GFS M3G
ES2GFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2GFS M3G
ES2GFS M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 2A, 400V, SUPER FAST RECOV
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SK315A R3G SK32A%20SERIES_V2102.pdf
SK315A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK315A R3G SK32A%20SERIES_V2102.pdf
SK315A R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AC
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]