Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 230 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UDZS12B RRG UDZS12B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B SERIES_H2212.pdf Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS6V8B RRG UDZS6V8B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B%20SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40A R7 Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40AHM6G SMCJ40AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ SERIES_R2004.pdf Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHRHG ES1CLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CHM2G ES1CHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CL RUG ES1CL RUG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHM2G ES1CLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHRQG ES1CLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHRTG ES1CLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHR3G RS1JLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AH P4KE12AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12A B0G P4KE12A B0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12A A0G P4KE12A A0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AHR1G P4KE12AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AHB0G P4KE12AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AHA0G P4KE12AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation P4KE%20SERIES_N2104.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36LWH SS36LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS34LWH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.00 грн
20000+5.31 грн
30000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SS36LWH SS36LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS34LWH SERIES_A2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 40810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.59 грн
18+19.16 грн
100+12.14 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
2000+6.80 грн
5000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HERA808G Taiwan Semiconductor Corporation HERA801G SERIES_J2103.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
50+49.22 грн
100+47.97 грн
500+35.39 грн
1000+31.34 грн
2000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF808G HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF801G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.78 грн
50+51.87 грн
100+46.79 грн
500+35.36 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DAL HS1DAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS1DAL Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DAL HS1DAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS1DAL Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.16 грн
14+23.87 грн
100+12.05 грн
500+10.02 грн
1000+7.79 грн
2000+6.98 грн
5000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL HS1JAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS1JAL Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL HS1JAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS1JAL Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.16 грн
14+23.87 грн
100+12.05 грн
500+10.02 грн
1000+7.79 грн
2000+6.98 грн
5000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GAL HS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GAL HS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS HS2JFS Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2JFS Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS HS2JFS Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2JFS Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.88 грн
15+23.04 грн
100+13.81 грн
500+12.00 грн
1000+8.16 грн
2000+7.51 грн
5000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL HS2GAL Taiwan Semiconductor Corporation HS2DAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL HS2GAL Taiwan Semiconductor Corporation HS2DAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL HS2DAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2DAL Description: DIODE GEN PURP 200V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL HS2DAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2DAL Description: DIODE GEN PURP 200V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.88 грн
15+23.04 грн
100+13.81 грн
500+12.00 грн
1000+8.16 грн
2000+7.51 грн
5000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL HS2JAL Taiwan Semiconductor Corporation HS2DAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL HS2JAL Taiwan Semiconductor Corporation HS2DAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.44 грн
16+20.98 грн
100+12.58 грн
500+10.93 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KFS HS1KFS Taiwan Semiconductor Corporation HS1DFS SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KFS HS1KFS Taiwan Semiconductor Corporation HS1DFS SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.58 грн
26+13.05 грн
100+8.75 грн
500+6.30 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KAL HS1KAL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KAL HS1KAL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KFS HS2KFS Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2KFS Description: DIODE GEN PURP 800V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KFS HS2KFS Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2KFS Description: DIODE GEN PURP 800V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.02 грн
14+24.53 грн
100+12.36 грн
500+10.28 грн
1000+8.00 грн
2000+7.16 грн
5000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL HS2KAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2KAL Description: DIODE GEN PURP 800V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL HS2KAL Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HS2KAL Description: DIODE GEN PURP 800V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.31 грн
15+23.54 грн
100+11.86 грн
500+9.86 грн
1000+7.68 грн
2000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1606G HERAF1606G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.20 грн
50+69.08 грн
100+54.73 грн
500+43.54 грн
1000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B13 RKG BZX584B13 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 13V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B6V2 RKG BZX584B6V2 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B10 RKG BZX584B10 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 10V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B5V1 RKG BZX584B5V1 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B4V7 RKG BZX584B4V7 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B8V2 RSG BZX584B8V2 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B6V8 RKG BZX584B6V8 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B9V1 RKG BZX584B9V1 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B7V5 RSG BZX584B7V5 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B11 RKG BZX584B11 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 11V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B8V2 RKG BZX584B8V2 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B5V1 RSG BZX584B5V1 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B12 RKG BZX584B12 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 12V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B15 RKG BZX584B15 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 15V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B6V8 RSG BZX584B6V8 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B16 RKG BZX584B16 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf Description: DIODE ZENER 16V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS12B RRG UDZS3V6B SERIES_H2212.pdf
UDZS12B RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS6V8B RRG UDZS3V6B%20SERIES_G1804.pdf
UDZS6V8B RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40A R7
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 1500W DO214AB SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ40AHM6G SMCJ SERIES_R2004.pdf
SMCJ40AHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHRHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CLHRHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CHM2G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1CHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CL RUG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CL RUG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHM2G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CLHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHRQG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CLHRQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CLHRTG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CLHRTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JLHR3G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1JLHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AH
P4KE12AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12A B0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE12A B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12A A0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE12A A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AHR1G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE12AHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AHB0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE12AHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE12AHA0G P4KE%20SERIES_N2104.pdf
P4KE12AHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36LWH SS34LWH SERIES_A2103.pdf
SS36LWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.00 грн
20000+5.31 грн
30000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SS36LWH SS34LWH SERIES_A2103.pdf
SS36LWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 40810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.59 грн
18+19.16 грн
100+12.14 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
2000+6.80 грн
5000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HERA808G HERA801G SERIES_J2103.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.05 грн
50+49.22 грн
100+47.97 грн
500+35.39 грн
1000+31.34 грн
2000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF808G HERAF801G SERIES_K2105.pdf
HERAF808G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.78 грн
50+51.87 грн
100+46.79 грн
500+35.36 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DAL pdf.php?pn=HS1DAL
HS1DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1DAL pdf.php?pn=HS1DAL
HS1DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.16 грн
14+23.87 грн
100+12.05 грн
500+10.02 грн
1000+7.79 грн
2000+6.98 грн
5000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL pdf.php?pn=HS1JAL
HS1JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL pdf.php?pn=HS1JAL
HS1JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.16 грн
14+23.87 грн
100+12.05 грн
500+10.02 грн
1000+7.79 грн
2000+6.98 грн
5000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GAL HS1DAL SERIES_D2103.pdf
HS1GAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1GAL HS1DAL SERIES_D2103.pdf
HS1GAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS pdf.php?pn=HS2JFS
HS2JFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JFS pdf.php?pn=HS2JFS
HS2JFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.88 грн
15+23.04 грн
100+13.81 грн
500+12.00 грн
1000+8.16 грн
2000+7.51 грн
5000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL HS2DAL SERIES_C2103.pdf
HS2GAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GAL HS2DAL SERIES_C2103.pdf
HS2GAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL pdf.php?pn=HS2DAL
HS2DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2DAL pdf.php?pn=HS2DAL
HS2DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.88 грн
15+23.04 грн
100+13.81 грн
500+12.00 грн
1000+8.16 грн
2000+7.51 грн
5000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL HS2DAL SERIES_C2103.pdf
HS2JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2JAL HS2DAL SERIES_C2103.pdf
HS2JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.44 грн
16+20.98 грн
100+12.58 грн
500+10.93 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KFS HS1DFS SERIES_C2103.pdf
HS1KFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KFS HS1DFS SERIES_C2103.pdf
HS1KFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.58 грн
26+13.05 грн
100+8.75 грн
500+6.30 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KAL HS1DAL SERIES_D2103.pdf
HS1KAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1KAL HS1DAL SERIES_D2103.pdf
HS1KAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KFS pdf.php?pn=HS2KFS
HS2KFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KFS pdf.php?pn=HS2KFS
HS2KFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.02 грн
14+24.53 грн
100+12.36 грн
500+10.28 грн
1000+8.00 грн
2000+7.16 грн
5000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL pdf.php?pn=HS2KAL
HS2KAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS2KAL pdf.php?pn=HS2KAL
HS2KAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.31 грн
15+23.54 грн
100+11.86 грн
500+9.86 грн
1000+7.68 грн
2000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1606G
HERAF1606G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.20 грн
50+69.08 грн
100+54.73 грн
500+43.54 грн
1000+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B13 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B13 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B6V2 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B6V2 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B10 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B10 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B5V1 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B5V1 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B4V7 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B4V7 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B8V2 RSG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B8V2 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B6V8 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B6V8 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B9V1 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B9V1 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 9.1V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B7V5 RSG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B7V5 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B11 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B11 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B8V2 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B8V2 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B5V1 RSG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B5V1 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B12 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B12 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B15 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B15 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B6V8 RSG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B6V8 RSG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584B16 RKG BZX584B5V1%20SERIES_C1711.pdf
BZX584B16 RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 150MW SOD523F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]