Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25053) > Сторінка 263 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM60NC196CI C0G TSM60NC196CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CI_B2209.pdf Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 300 V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.56 грн
10+153.96 грн
100+117.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC165CI C0G TSM60NC165CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC165CI_B2209.pdf Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.02 грн
10+167.75 грн
100+135.67 грн
500+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FR151GH FR151GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ36AH SMAJ36AH Taiwan Semiconductor Corporation SMAJH%20SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 58.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.82 грн
19+16.70 грн
100+10.51 грн
500+7.35 грн
1000+6.53 грн
2000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.56 грн
5000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.55 грн
10+62.01 грн
100+48.24 грн
500+38.37 грн
1000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TBS610 TBS610 Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TBS610 Description: 6A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
TBS610 TBS610 Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TBS610 Description: 6A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.37 грн
10+91.16 грн
100+70.92 грн
500+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SR303 SR303 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR303H SR303H Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5817 L0G LL5817 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL5817 SERIES_I2006.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5817-J0 L0 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5817 L0 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C36 RYG BZY55C36 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 36V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B10 RYG BZY55B10 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C33 RYG BZY55C33 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C4V3 RYG BZY55C4V3 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C18 RYG BZY55C18 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C9V1 RYG BZY55C9V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C10 RYG BZY55C10 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B13 RYG BZY55B13 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B18 RYG BZY55B18 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C7V5 RYG BZY55C7V5 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B4V7 RYG BZY55B4V7 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B15 RYG BZY55B15 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B24 RYG BZY55B24 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C20 RYG BZY55C20 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C15 RYG BZY55C15 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C22 RYG BZY55C22 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B4V3 RYG BZY55B4V3 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C30 RYG BZY55C30 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B33 RYG BZY55B33 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03GH TS15P03GH Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TS15P03G Description: DIODE BRIDGE 15A 200V TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03G TS15P03G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TS15P03G Description: DIODE BRIDGE 15A 200V TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03G C2G TS15P03G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03G D2G TS15P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03GHD2G TS15P03GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03GHC2G TS15P03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48G SF48G Taiwan Semiconductor Corporation SF41G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48GH SF48GH Taiwan Semiconductor Corporation SF41G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48G B0G SF48G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF41G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48GHA0G SF48GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF41G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48GHB0G SF48GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF41G%20SERIES_G2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S12AH TLD6S12AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S12AH TLD6S12AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10LS SS1H10LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H4LS%20SERIES_C2208.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10LS SS1H10LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H4LS%20SERIES_C2208.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 20226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.19 грн
10+36.56 грн
100+27.27 грн
500+20.11 грн
1000+15.54 грн
2000+14.17 грн
5000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ48AH SMBJ48AH Taiwan Semiconductor Corporation SMBJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10U120S TSP10U120S Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10U120S TSP10U120S Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 120 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.38 грн
10+104.40 грн
100+70.81 грн
500+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS206GH DBLS206GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A DBLS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.40 грн
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS205GH DBLS205GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.24 грн
3000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SF27GH SF27GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF27G SF27G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL MTG RS1AL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL RFG RS1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL MHG RS1AL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL RQG RS1AL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1ALHM2G RS1ALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1ALHRHG RS1ALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC196CI C0G TSM60NC196CI_B2209.pdf
TSM60NC196CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 300 V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.56 грн
10+153.96 грн
100+117.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NC165CI C0G TSM60NC165CI_B2209.pdf
TSM60NC165CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 300 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.02 грн
10+167.75 грн
100+135.67 грн
500+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FR151GH
FR151GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ36AH SMAJH%20SERIES_A2102.pdf
SMAJ36AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 58.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.82 грн
19+16.70 грн
100+10.51 грн
500+7.35 грн
1000+6.53 грн
2000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG
TSM300NB06LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.56 грн
5000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM300NB06LDCR RLG
TSM300NB06LDCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 966pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.55 грн
10+62.01 грн
100+48.24 грн
500+38.37 грн
1000+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TBS610 pdf.php?pn=TBS610
TBS610
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 6A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
TBS610 pdf.php?pn=TBS610
TBS610
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 6A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TBS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.37 грн
10+91.16 грн
100+70.92 грн
500+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SR303
SR303
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SR303H
SR303H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5817 L0G LL5817 SERIES_I2006.pdf
LL5817 L0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5817-J0 L0
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LL5817 L0
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C36 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C36 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 36V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B10 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B10 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C33 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C33 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C4V3 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C4V3 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C18 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C18 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C9V1 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C9V1 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6.8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C10 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C10 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B13 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B13 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B18 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B18 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C7V5 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C7V5 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B4V7 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B4V7 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B15 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B15 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B24 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B24 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C20 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C20 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C15 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C15 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C22 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C22 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 500MW 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: 0805
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B4V3 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B4V3 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55C30 RYG BZY55C2V4%20SERIES_D1612.pdf
BZY55C30 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZY55B33 RYG BZY55B2V4%20SERIES_C1612.pdf
BZY55B33 RYG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 500MW 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03GH pdf.php?pn=TS15P03G
TS15P03GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 15A 200V TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03G pdf.php?pn=TS15P03G
TS15P03G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE BRIDGE 15A 200V TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03G C2G TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf
TS15P03G C2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03G D2G TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf
TS15P03G D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03GHD2G TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf
TS15P03GHD2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS15P03GHC2G TS15P01G%20SERIES_N2203.pdf
TS15P03GHC2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48G SF41G%20SERIES_G2105.pdf
SF48G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48GH SF41G%20SERIES_G2105.pdf
SF48GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48G B0G SF41G%20SERIES_G2105.pdf
SF48G B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48GHA0G SF41G%20SERIES_G2105.pdf
SF48GHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF48GHB0G SF41G%20SERIES_G2105.pdf
SF48GHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S12AH TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf
TLD6S12AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S12AH TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf
TLD6S12AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10LS SS1H4LS%20SERIES_C2208.pdf
SS1H10LS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SS1H10LS SS1H4LS%20SERIES_C2208.pdf
SS1H10LS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 20226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.19 грн
10+36.56 грн
100+27.27 грн
500+20.11 грн
1000+15.54 грн
2000+14.17 грн
5000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ48AH SMBJH SERIES_A2102.pdf
SMBJ48AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10U120S
TSP10U120S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSP10U120S
TSP10U120S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 120 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.38 грн
10+104.40 грн
100+70.81 грн
500+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS206GH DBLS201G SERIES_J2103.pdf
DBLS206GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A DBLS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.40 грн
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS205GH DBLS201G SERIES_J2103.pdf
DBLS205GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.24 грн
3000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SF27GH
SF27GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF27G
SF27G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL MTG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1AL MTG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL RFG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1AL RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL MHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1AL MHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1AL RQG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1AL RQG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1ALHM2G RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1ALHM2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1ALHRHG RS1AL%20SERIES_N2103.pdf
RS1ALHRHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]