Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25553) > Сторінка 404 з 426

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 378 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 420 426  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC817-25H RFG BC817-25H RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC817-25H Description: SOT-23, 50V, 0.5A, NPN TRANSISTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25H RFG BC817-25H RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC817-25H Description: SOT-23, 50V, 0.5A, NPN TRANSISTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
29+10.30 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA110CA P4SMA110CA Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 94VWM 152VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 94V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 105V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 152V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA110CH P4SMA110CH Taiwan Semiconductor Corporation P4SMAH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 89.2VWM 158V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 89.2V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 99V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 158V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA110C P4SMA110C Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 89.2VWM 158V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 89.2V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 99V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 158V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160H SA160H Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160 SA160 Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CA SA160CA Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CAH SA160CAH Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CH SA160CH Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160C SA160C Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG TSM013NM04LTL RAG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM013NM04LTL Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG TSM013NM04LTL RAG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM013NM04LTL Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.15 грн
10+123.87 грн
100+85.16 грн
500+64.38 грн
1000+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC846BWH Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC846BWH Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.65 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG BC856BSH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BSH Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG BC856BSH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BSH Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.28 грн
100+8.29 грн
500+5.75 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG BC807-40WH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40WH Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG BC807-40WH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40WH Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
28+10.67 грн
100+6.64 грн
500+4.57 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG BC807-40H RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40H Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.20 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG BC807-40H RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40H Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
32+9.33 грн
100+5.78 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR745 MBR745 Taiwan Semiconductor Corporation MBR735 SERIES_K2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ120A Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ120A Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 7608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
13+24.85 грн
100+15.87 грн
500+11.24 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BH Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BH Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG BC856BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BWH Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
6000+2.53 грн
9000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG BC856BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BWH Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.65 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS4H Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_Q2309.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS4H Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_Q2309.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
12+26.79 грн
100+17.20 грн
500+12.26 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P07G-K TS25P07G-K Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G-K SERIES_C2104.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1004 Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1001 SERIES_D2211.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1004 Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1001 SERIES_D2211.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.76 грн
100+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GH UGF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004G SERIES_F2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+53.80 грн
100+35.59 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004G UGF1004G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004G SERIES_F2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
50+40.04 грн
100+35.59 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GAH UGF1004GAH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GA%20SERIES_D2501.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.17 грн
100+35.89 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GA UGF1004GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GA%20SERIES_D2501.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.17 грн
100+35.89 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004G UG1004G Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.54 грн
50+42.68 грн
100+37.97 грн
500+27.88 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004GH UG1004GH Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.54 грн
50+42.68 грн
100+37.97 грн
500+27.88 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004G HERAF1004G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
50+47.97 грн
100+42.76 грн
500+31.54 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004GH HERAF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
50+47.97 грн
100+42.76 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004G SFA1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001G SERIES_K2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
50+54.86 грн
100+49.00 грн
500+36.34 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004GH SFA1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001G%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
50+54.86 грн
100+49.00 грн
500+36.34 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG TSM60NE285CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE285CE Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG TSM60NE285CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE285CE Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG TSM60NE180CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE180CE Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG TSM60NE180CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE180CE Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG TSM60NE110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE110CE Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+175.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG TSM60NE110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE110CE Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.82 грн
10+283.78 грн
100+207.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AH SMCJ6.5AH Taiwan Semiconductor Corporation SMCJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 140A
Applications: Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG BC857BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC857BH Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG BC857BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC857BH Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG BAT54GWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BAT54GWH Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG BAT54GWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BAT54GWH Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
36+8.43 грн
100+5.22 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWH RHG SD103AWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SD103AWH Description: SOD-123, 40V, 0.35A, SCHOTTKY DI
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 28 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWH RHG SD103AWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SD103AWH Description: SOD-123, 40V, 0.35A, SCHOTTKY DI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 28 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
30+10.22 грн
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170NH10LCR RLG TSM170NH10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM170NH10LCR Description: 100A, 50V, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.10 грн
5000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170NH10LCR RLG TSM170NH10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM170NH10LCR Description: 100A, 50V, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
10+69.77 грн
100+46.56 грн
500+34.36 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GA HS2GA Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.97 грн
15000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GA HS2GA Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA SERIES_J2102.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 18358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
17+18.51 грн
100+11.67 грн
500+8.18 грн
1000+7.28 грн
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25H RFG pdf.php?pn=BC817-25H
BC817-25H RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, 50V, 0.5A, NPN TRANSISTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25H RFG pdf.php?pn=BC817-25H
BC817-25H RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, 50V, 0.5A, NPN TRANSISTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
29+10.30 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA110CA P4SMA SERIES_S2102.pdf
P4SMA110CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 94VWM 152VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 94V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 105V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 152V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA110CH P4SMAH SERIES_A2102.pdf
P4SMA110CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 89.2VWM 158V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 89.2V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 99V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 158V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA110C P4SMA SERIES_S2102.pdf
P4SMA110C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 89.2VWM 158V DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 89.2V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 99V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 158V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160H SA SERIES_L2105.pdf
SA160H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160 SA SERIES_L2105.pdf
SA160
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CA SA SERIES_L2105.pdf
SA160CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CAH SA SERIES_L2105.pdf
SA160CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CH SA SERIES_L2105.pdf
SA160CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SA160C SA SERIES_L2105.pdf
SA160C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Voltage - Breakdown (Min): 178V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG pdf.php?pn=TSM013NM04LTL
TSM013NM04LTL RAG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG pdf.php?pn=TSM013NM04LTL
TSM013NM04LTL RAG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.15 грн
10+123.87 грн
100+85.16 грн
500+64.38 грн
1000+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG pdf.php?pn=BC846BWH
BC846BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG pdf.php?pn=BC846BWH
BC846BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.65 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG pdf.php?pn=BC856BSH
BC856BSH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG pdf.php?pn=BC856BSH
BC856BSH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.28 грн
100+8.29 грн
500+5.75 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG pdf.php?pn=BC807-40WH
BC807-40WH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG pdf.php?pn=BC807-40WH
BC807-40WH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
28+10.67 грн
100+6.64 грн
500+4.57 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG pdf.php?pn=BC807-40H
BC807-40H RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.20 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG pdf.php?pn=BC807-40H
BC807-40H RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.50 грн
32+9.33 грн
100+5.78 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR745 MBR735 SERIES_K2103.pdf
MBR745
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ120A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.47 грн
6000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ120A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 7608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
13+24.85 грн
100+15.87 грн
500+11.24 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG pdf.php?pn=BC856BH
BC856BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG pdf.php?pn=BC856BH
BC856BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG pdf.php?pn=BC856BWH
BC856BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.94 грн
6000+2.53 грн
9000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG pdf.php?pn=BC856BWH
BC856BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.65 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS2%20SERIES_Q2309.pdf
MBS4H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS2%20SERIES_Q2309.pdf
MBS4H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.94 грн
12+26.79 грн
100+17.20 грн
500+12.26 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P07G-K TS25P05G-K SERIES_C2104.pdf
TS25P07G-K
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: TS-6P
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1001 SERIES_D2211.pdf
GPAS1004
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1001 SERIES_D2211.pdf
GPAS1004
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+57.76 грн
100+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GH UGF1004G SERIES_F2105.pdf
UGF1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
10+53.80 грн
100+35.59 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004G UGF1004G SERIES_F2105.pdf
UGF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
50+40.04 грн
100+35.59 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GAH UGF1004GA%20SERIES_D2501.pdf
UGF1004GAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.17 грн
100+35.89 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GA UGF1004GA%20SERIES_D2501.pdf
UGF1004GA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.17 грн
100+35.89 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004G UG1004G SERIES_B2104.pdf
UG1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
50+42.68 грн
100+37.97 грн
500+27.88 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004GH UG1004G SERIES_B2104.pdf
UG1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
50+42.68 грн
100+37.97 грн
500+27.88 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004G HERAF1001G SERIES_I2105.pdf
HERAF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
50+47.97 грн
100+42.76 грн
500+31.54 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004GH
HERAF1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
50+47.97 грн
100+42.76 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004G SFA1001G SERIES_K2103.pdf
SFA1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.34 грн
50+54.86 грн
100+49.00 грн
500+36.34 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004GH SFA1001G%20SERIES_K2103.pdf
SFA1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.34 грн
50+54.86 грн
100+49.00 грн
500+36.34 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE285CE
TSM60NE285CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE285CE
TSM60NE285CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE180CE
TSM60NE180CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE180CE
TSM60NE180CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE110CE
TSM60NE110CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+175.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE110CE
TSM60NE110CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.82 грн
10+283.78 грн
100+207.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AH SMCJH SERIES_A2102.pdf
SMCJ6.5AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 140A
Applications: Telecom
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG pdf.php?pn=BC857BH
BC857BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG pdf.php?pn=BC857BH
BC857BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
37+8.21 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG pdf.php?pn=BAT54GWH
BAT54GWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG pdf.php?pn=BAT54GWH
BAT54GWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
36+8.43 грн
100+5.22 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWH RHG pdf.php?pn=SD103AWH
SD103AWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 40V, 0.35A, SCHOTTKY DI
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 28 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWH RHG pdf.php?pn=SD103AWH
SD103AWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 40V, 0.35A, SCHOTTKY DI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 28 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
30+10.22 грн
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170NH10LCR RLG pdf.php?pn=TSM170NH10LCR
TSM170NH10LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100A, 50V, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.10 грн
5000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170NH10LCR RLG pdf.php?pn=TSM170NH10LCR
TSM170NH10LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100A, 50V, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.69 грн
10+69.77 грн
100+46.56 грн
500+34.36 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GA HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2GA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+5.97 грн
15000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS2GA HS2AA SERIES_J2102.pdf
HS2GA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 18358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
17+18.51 грн
100+11.67 грн
500+8.18 грн
1000+7.28 грн
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 378 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 420 426  [ Наступна Сторінка >> ]