Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 409 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 378 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMBJ28CA SMBJ28CA Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA SMBJ28CA Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 5398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.30 грн
21+16.10 грн
100+11.98 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SA160H SA160H Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160 SA160 Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CA SA160CA Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CAH SA160CAH Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CH SA160CH Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160C SA160C Taiwan Semiconductor Corporation SA SERIES_L2105.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG TSM013NM04LTL RAG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM013NM04LTL Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG TSM013NM04LTL RAG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM013NM04LTL Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.55 грн
10+133.38 грн
100+92.08 грн
500+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC846BWH Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC846BWH Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG BC856BSH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BSH Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG BC856BSH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BSH Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG BC807-40WH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40WH Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG BC807-40WH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40WH Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.86 грн
89+3.72 грн
105+3.17 грн
125+2.50 грн
250+2.26 грн
500+2.12 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG BC807-40H RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40H Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG BC807-40H RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC807-40H Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MBR745 MBR745 Taiwan Semiconductor Corporation MBR735 SERIES_K2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE130A 1.5KE130A Taiwan Semiconductor Corporation 1.5KE SERIES_O2104.pdf Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 111V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 124V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 179V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ120A Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ120A Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 5128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
30+11.31 грн
100+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BH Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BH Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.86 грн
89+3.72 грн
105+3.17 грн
125+2.50 грн
250+2.26 грн
500+2.12 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG BC856BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BWH Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG BC856BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BWH Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS4H Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_Q2309.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS4H Taiwan Semiconductor Corporation MBS2%20SERIES_Q2309.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.74 грн
12+29.65 грн
100+19.04 грн
500+13.56 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P07G-K TS25P07G-K Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G-K SERIES_C2104.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1004 Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1001 SERIES_D2211.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1004 Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1001 SERIES_D2211.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.49 грн
10+63.92 грн
100+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GH UGF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004G SERIES_F2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.34 грн
10+60.54 грн
100+40.03 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004G UGF1004G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004G SERIES_F2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.34 грн
50+45.03 грн
100+40.03 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GAH UGF1004GAH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GA SERIES_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.20 грн
10+60.95 грн
100+40.37 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GA UGF1004GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GA SERIES_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.20 грн
10+60.95 грн
100+40.37 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004G UG1004G Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.63 грн
50+47.24 грн
100+42.03 грн
500+30.85 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004GH UG1004GH Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G SERIES_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.63 грн
50+47.24 грн
100+42.03 грн
500+30.85 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004G HERAF1004G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.64 грн
50+53.09 грн
100+47.32 грн
500+34.90 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004GH HERAF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.64 грн
50+53.09 грн
100+47.32 грн
500+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004G SFA1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001G SERIES_K2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
50+60.72 грн
100+54.23 грн
500+40.22 грн
1000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004GH SFA1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001G%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
50+60.72 грн
100+54.23 грн
500+40.22 грн
1000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 SS24 Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SS24 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
6000+5.51 грн
9000+4.77 грн
15000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 SS24 Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SS24 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.44 грн
19+17.59 грн
100+12.13 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG TSM60NE285CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE285CE Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG TSM60NE285CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE285CE Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG TSM60NE180CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE180CE Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG TSM60NE180CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE180CE Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG TSM60NE110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE110CE Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG TSM60NE110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM60NE110CE Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.57 грн
10+314.08 грн
100+229.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82A 1.5KE82A Taiwan Semiconductor Corporation 1.5KE SERIES_O2104.pdf Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AH SMCJ6.5AH Taiwan Semiconductor Corporation SMCJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 140A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG BC857BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC857BH Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG BC857BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC857BH Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.86 грн
89+3.72 грн
104+3.20 грн
124+2.51 грн
250+2.28 грн
500+2.13 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG BAT54GWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BAT54GWH Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG BAT54GWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BAT54GWH Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.58 грн
39+8.67 грн
100+5.37 грн
500+3.68 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JFL ES1JFL Taiwan Semiconductor Corporation datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JFL ES1JFL Taiwan Semiconductor Corporation datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 82195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.87 грн
23+14.54 грн
100+7.12 грн
500+5.26 грн
1000+4.24 грн
2000+3.96 грн
5000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE15CA P6KE15CA Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 28A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE15CA P6KE15CA Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 28A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.73 грн
26+12.80 грн
100+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWH RHG SD103AWH RHG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SD103AWH Description: SOD-123, 40V, 0.35A, SCHOTTKY DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 28 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ28CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ28CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 5398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.30 грн
21+16.10 грн
100+11.98 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SA160H SA SERIES_L2105.pdf
SA160H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160 SA SERIES_L2105.pdf
SA160
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CA SA SERIES_L2105.pdf
SA160CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CAH SA SERIES_L2105.pdf
SA160CAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160CH SA SERIES_L2105.pdf
SA160CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA160C SA SERIES_L2105.pdf
SA160C
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 160VWM 257VC DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 257V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG pdf.php?pn=TSM013NM04LTL
TSM013NM04LTL RAG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM013NM04LTL RAG pdf.php?pn=TSM013NM04LTL
TSM013NM04LTL RAG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.55 грн
10+133.38 грн
100+92.08 грн
500+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG pdf.php?pn=BC846BWH
BC846BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BWH RFG pdf.php?pn=BC846BWH
BC846BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG pdf.php?pn=BC856BSH
BC856BSH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BSH RFG pdf.php?pn=BC856BSH
BC856BSH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-363, -80V, -0.1A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG pdf.php?pn=BC807-40WH
BC807-40WH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WH RFG pdf.php?pn=BC807-40WH
BC807-40WH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-323, -50V, -0.5A, PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.86 грн
89+3.72 грн
105+3.17 грн
125+2.50 грн
250+2.26 грн
500+2.12 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG pdf.php?pn=BC807-40H
BC807-40H RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40H RFG pdf.php?pn=BC807-40H
BC807-40H RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 500MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MBR745 MBR735 SERIES_K2103.pdf
MBR745
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE130A 1.5KE SERIES_O2104.pdf
1.5KE130A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 111V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 124V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 179V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ120A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ120A SMBJ SERIES_R2104.pdf
SMBJ120A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 5128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
30+11.31 грн
100+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG pdf.php?pn=BC856BH
BC856BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BH RFG pdf.php?pn=BC856BH
BC856BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.86 грн
89+3.72 грн
105+3.17 грн
125+2.50 грн
250+2.26 грн
500+2.12 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG pdf.php?pn=BC856BWH
BC856BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWH RFG pdf.php?pn=BC856BWH
BC856BWH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, -80V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
37+9.08 грн
100+5.62 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS2%20SERIES_Q2309.pdf
MBS4H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBS4H MBS2%20SERIES_Q2309.pdf
MBS4H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.74 грн
12+29.65 грн
100+19.04 грн
500+13.56 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TS25P07G-K TS25P05G-K SERIES_C2104.pdf
TS25P07G-K
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1001 SERIES_D2211.pdf
GPAS1004
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GPAS1004 GPAS1001 SERIES_D2211.pdf
GPAS1004
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.49 грн
10+63.92 грн
100+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GH UGF1004G SERIES_F2105.pdf
UGF1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.34 грн
10+60.54 грн
100+40.03 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004G UGF1004G SERIES_F2105.pdf
UGF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.34 грн
50+45.03 грн
100+40.03 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GAH UGF1004GA SERIES_C2105.pdf
UGF1004GAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.20 грн
10+60.95 грн
100+40.37 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1004GA UGF1004GA SERIES_C2105.pdf
UGF1004GA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.20 грн
10+60.95 грн
100+40.37 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004G UG1004G SERIES_B2104.pdf
UG1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.63 грн
50+47.24 грн
100+42.03 грн
500+30.85 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UG1004GH UG1004G SERIES_B2104.pdf
UG1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.63 грн
50+47.24 грн
100+42.03 грн
500+30.85 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004G HERAF1001G SERIES_I2105.pdf
HERAF1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
50+53.09 грн
100+47.32 грн
500+34.90 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1004GH
HERAF1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 300V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
50+53.09 грн
100+47.32 грн
500+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004G SFA1001G SERIES_K2103.pdf
SFA1004G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.08 грн
50+60.72 грн
100+54.23 грн
500+40.22 грн
1000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SFA1004GH SFA1001G%20SERIES_K2103.pdf
SFA1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.08 грн
50+60.72 грн
100+54.23 грн
500+40.22 грн
1000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 pdf.php?pn=SS24
SS24
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.31 грн
6000+5.51 грн
9000+4.77 грн
15000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 pdf.php?pn=SS24
SS24
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 40 V
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.44 грн
19+17.59 грн
100+12.13 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE285CE
TSM60NE285CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE285CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE285CE
TSM60NE285CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 16A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 12V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE180CE
TSM60NE180CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE180CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE180CE
TSM60NE180CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 12V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE110CE
TSM60NE110CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM60NE110CE RVG pdf.php?pn=TSM60NE110CE
TSM60NE110CE RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2306 pF @ 300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.57 грн
10+314.08 грн
100+229.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82A 1.5KE SERIES_O2104.pdf
1.5KE82A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ6.5AH SMCJH SERIES_A2102.pdf
SMCJ6.5AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 140A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG pdf.php?pn=BC857BH
BC857BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BH RFG pdf.php?pn=BC857BH
BC857BH RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, -50V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.86 грн
89+3.72 грн
104+3.20 грн
124+2.51 грн
250+2.28 грн
500+2.13 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG pdf.php?pn=BAT54GWH
BAT54GWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54GWH RHG pdf.php?pn=BAT54GWH
BAT54GWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.58 грн
39+8.67 грн
100+5.37 грн
500+3.68 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JFL datasheet
ES1JFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.41 грн
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JFL datasheet
ES1JFL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 82195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.87 грн
23+14.54 грн
100+7.12 грн
500+5.26 грн
1000+4.24 грн
2000+3.96 грн
5000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE15CA P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE15CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 28A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE15CA P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE15CA
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 28A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: Yes
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.73 грн
26+12.80 грн
100+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SD103AWH RHG pdf.php?pn=SD103AWH
SD103AWH RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 40V, 0.35A, SCHOTTKY DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 28 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 336 378 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 420  [ Наступна Сторінка >> ]