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TPN1R603PL,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1R204PL1,LQ(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN4R712MD,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TPH2R306NH1,LQ(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH6400ENH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 11018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH4R10ANL,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3R704PL,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1R712MD,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN3300ANH,LQ(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 27W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1110FNH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TPN2010FNH,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH4R008NH1,LQ(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPHR9003NL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN4R712MD,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1400ANH,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH4R10ANL,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 67W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1400ANH,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3300CNH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TPWR8503NL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPW4R008NH,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 14520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH2R506PL,LQ(M1 | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH6400ENH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 11018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH4R50ANH1,LQ(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPW1R306PL,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00095ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN22006NH,LQ(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH4R50ANH1,LQ(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPHR6503PL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00041ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3300CNH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TPH3R704PL,L1Q(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3R10AQM,LQ(M1 | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH9R00CQH,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3R10AQM,LQ(M1 | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH9R00CQH,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 4781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SK208-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GT40WR21,Q(O | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP292-4(GB,E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 100% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: TLP292 productTraceability: No |
на замовлення 7976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP292-4(E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: TLP292 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 6932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TB67S549FTG(O,EL) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.2A Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 24V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 33V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TB67S549FTG(O,EL) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85423990 IC-Typ: Motortreiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.2A Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 24V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 33V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK155E65Z,S1X(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 18645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3J328R,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 18645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2355(E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 5Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: TLP235 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2358(TPL,E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2309(TPL,E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 15% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 25mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Bauform - Optokoppler: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2391(E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbaud usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2309(TPL,E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 15% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 25mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Bauform - Optokoppler: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2358(TPL,E(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2312(TPL,E(O | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TLP2312(TPL,E(O | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Übertragungsrate: 5Mbps Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TK13P25D,RQ(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK110E65Z,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK110E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK110A65Z,S4X(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6P49NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6P49NU,LF(T - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6P49NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6P49NU,LF(T - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK9A90E,S4X(S | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TTC5200(Q) | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TRS12E65H,S1Q(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS12E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 33 A, 33 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 33nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK33S10N1Z,LQ(O | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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![]() |
TK25A60X,S5X(M | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPN1R603PL,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 99.48 грн |
14+ | 64.88 грн |
100+ | 44.13 грн |
500+ | 31.27 грн |
1000+ | 25.22 грн |
5000+ | 21.35 грн |
TPH1R204PL1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 71.00 грн |
500+ | 53.22 грн |
1000+ | 42.71 грн |
TPN4R712MD,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TPH2R306NH1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 170.91 грн |
10+ | 111.39 грн |
100+ | 76.27 грн |
500+ | 57.01 грн |
1000+ | 52.48 грн |
TPH6400ENH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 155.60 грн |
10+ | 127.54 грн |
100+ | 100.33 грн |
500+ | 75.40 грн |
1000+ | 53.64 грн |
5000+ | 51.16 грн |
TPH4R10ANL,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 187.92 грн |
10+ | 120.74 грн |
100+ | 82.90 грн |
500+ | 61.11 грн |
1000+ | 54.81 грн |
5000+ | 53.13 грн |
TPH3R704PL,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 39.37 грн |
500+ | 34.66 грн |
1000+ | 30.25 грн |
TPH1R712MD,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 534.84 грн |
50+ | 362.23 грн |
250+ | 244.88 грн |
1000+ | 167.39 грн |
3000+ | 151.60 грн |
TPN3300ANH,LQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 55.35 грн |
500+ | 42.64 грн |
1500+ | 36.22 грн |
TPH1110FNH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TPN2010FNH,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 230.43 грн |
50+ | 159.86 грн |
250+ | 117.34 грн |
1000+ | 74.22 грн |
TPH4R008NH1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 78.23 грн |
500+ | 62.22 грн |
1000+ | 52.55 грн |
TPHR9003NL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 123.29 грн |
500+ | 96.33 грн |
1000+ | 81.63 грн |
TPN4R712MD,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 98.63 грн |
14+ | 62.92 грн |
TPH1400ANH,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 72.87 грн |
TPH4R10ANL,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 82.90 грн |
500+ | 61.11 грн |
1000+ | 54.81 грн |
5000+ | 53.13 грн |
TPH1400ANH,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 130.95 грн |
10+ | 100.33 грн |
100+ | 72.87 грн |
TPH3300CNH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
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од. на суму грн.
TPWR8503NL,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 238.08 грн |
10+ | 155.60 грн |
100+ | 109.69 грн |
500+ | 93.96 грн |
1000+ | 77.98 грн |
TPW4R008NH,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 113.09 грн |
500+ | 88.43 грн |
1000+ | 80.90 грн |
TPH2R506PL,LQ(M1 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 305.26 грн |
250+ | 220.23 грн |
1000+ | 174.49 грн |
3000+ | 150.14 грн |
TPH6400ENH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 155.60 грн |
10+ | 127.54 грн |
100+ | 100.33 грн |
500+ | 75.40 грн |
1000+ | 53.64 грн |
5000+ | 51.16 грн |
TPH4R50ANH1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 147.10 грн |
10+ | 97.78 грн |
100+ | 66.66 грн |
500+ | 49.90 грн |
1000+ | 44.60 грн |
TPW1R306PL,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00095ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 265.29 грн |
10+ | 178.56 грн |
100+ | 159.86 грн |
500+ | 130.28 грн |
1000+ | 104.22 грн |
TPN22006NH,LQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 39.54 грн |
500+ | 32.53 грн |
1000+ | 29.30 грн |
5000+ | 27.11 грн |
TPH4R50ANH1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 66.66 грн |
500+ | 49.90 грн |
1000+ | 44.60 грн |
TPHR6503PL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00041ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 88.43 грн |
500+ | 78.96 грн |
1000+ | 72.23 грн |
5000+ | 62.75 грн |
TPH3300CNH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TPH3R704PL,L1Q(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 83.50 грн |
16+ | 55.61 грн |
100+ | 39.37 грн |
500+ | 34.66 грн |
1000+ | 30.25 грн |
TPH3R10AQM,LQ(M1 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 678.53 грн |
50+ | 437.90 грн |
250+ | 296.75 грн |
1000+ | 251.08 грн |
TPH9R00CQH,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 159.86 грн |
10+ | 121.59 грн |
100+ | 86.73 грн |
500+ | 76.90 грн |
1000+ | 67.63 грн |
TPH3R10AQM,LQ(M1 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 678.53 грн |
50+ | 437.90 грн |
250+ | 296.75 грн |
1000+ | 251.08 грн |
TPH9R00CQH,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 86.73 грн |
500+ | 76.90 грн |
1000+ | 67.63 грн |
2SK208-O(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 49.57 грн |
28+ | 30.87 грн |
100+ | 19.73 грн |
500+ | 13.90 грн |
1000+ | 11.37 грн |
5000+ | 9.40 грн |
GT40WR21,Q(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 919.17 грн |
5+ | 778.87 грн |
10+ | 638.57 грн |
50+ | 518.74 грн |
100+ | 410.33 грн |
TLP292-4(GB,E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP292-4(GB,E(T - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP292
productTraceability: No
Description: TOSHIBA - TLP292-4(GB,E(T - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP292
productTraceability: No
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 177.71 грн |
10+ | 125.84 грн |
25+ | 115.64 грн |
50+ | 97.12 грн |
100+ | 80.90 грн |
500+ | 73.61 грн |
TLP292-4(E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP292-4(E(T - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP292
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: TOSHIBA - TLP292-4(E(T - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP292
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 176.86 грн |
10+ | 124.99 грн |
25+ | 114.79 грн |
50+ | 96.33 грн |
100+ | 80.17 грн |
500+ | 72.88 грн |
TB67S549FTG(O,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S549FTG(O,EL) - MOTORTREIBER, -40 BIS 85°C, VQFN-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 24V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 33V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TB67S549FTG(O,EL) - MOTORTREIBER, -40 BIS 85°C, VQFN-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 24V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 33V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 104.22 грн |
250+ | 89.65 грн |
500+ | 81.63 грн |
1000+ | 71.79 грн |
2500+ | 68.14 грн |
TB67S549FTG(O,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S549FTG(O,EL) - MOTORTREIBER, -40 BIS 85°C, VQFN-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 24V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 33V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TB67S549FTG(O,EL) - MOTORTREIBER, -40 BIS 85°C, VQFN-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 24V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 33V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 211.72 грн |
10+ | 143.70 грн |
50+ | 130.95 грн |
100+ | 104.22 грн |
250+ | 89.65 грн |
500+ | 81.63 грн |
1000+ | 71.79 грн |
2500+ | 68.14 грн |
TK155E65Z,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 278.05 грн |
10+ | 153.90 грн |
SSM3J328R,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 111.39 грн |
50+ | 73.30 грн |
100+ | 46.00 грн |
500+ | 32.53 грн |
1500+ | 26.46 грн |
SSM3J328R,LF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 52.04 грн |
500+ | 36.00 грн |
1500+ | 27.19 грн |
TLP2355(E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2355(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s), TLP235
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP235
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TLP2355(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s), TLP235
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP235
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 62.24 грн |
22+ | 39.71 грн |
25+ | 37.50 грн |
50+ | 32.69 грн |
100+ | 28.13 грн |
500+ | 23.91 грн |
TLP2358(TPL,E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2358(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2358(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 62.92 грн |
20+ | 44.22 грн |
25+ | 40.47 грн |
50+ | 34.19 грн |
100+ | 28.35 грн |
500+ | 24.05 грн |
TLP2309(TPL,E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2309(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 15 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 15%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2309(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 15 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 15%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 102.04 грн |
12+ | 71.76 грн |
25+ | 65.73 грн |
50+ | 55.35 грн |
100+ | 45.92 грн |
500+ | 38.92 грн |
TLP2391(E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2391(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TLP2391(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 84.86 грн |
14+ | 63.60 грн |
25+ | 61.99 грн |
50+ | 55.98 грн |
100+ | 46.86 грн |
500+ | 41.91 грн |
TLP2309(TPL,E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2309(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 15 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 15%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2309(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 15 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 15%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 45.92 грн |
500+ | 38.92 грн |
TLP2358(TPL,E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2358(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2358(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 28.35 грн |
500+ | 24.05 грн |
TLP2312(TPL,E(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TLP2312(TPL,E(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TLP2312(TPL,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 5Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TK13P25D,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 64.71 грн |
16+ | 55.52 грн |
100+ | 45.15 грн |
500+ | 35.14 грн |
TK110E65Z,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK110E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 373.28 грн |
10+ | 372.43 грн |
TK110A65Z,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK110A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.092 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 452.36 грн |
10+ | 443.85 грн |
100+ | 275.50 грн |
SSM6P49NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6P49NU,LF(T - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6P49NU,LF(T - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 37.33 грн |
32+ | 26.61 грн |
100+ | 18.11 грн |
500+ | 13.11 грн |
1000+ | 9.55 грн |
5000+ | 8.02 грн |
SSM6P49NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6P49NU,LF(T - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6P49NU,LF(T - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 18.11 грн |
500+ | 13.11 грн |
1000+ | 9.55 грн |
5000+ | 8.02 грн |
TK9A90E,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK9A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 261.89 грн |
10+ | 121.59 грн |
100+ | 113.94 грн |
500+ | 104.22 грн |
TTC5200(Q) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTC5200(Q) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TTC5200(Q) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 265.29 грн |
10+ | 167.51 грн |
100+ | 125.84 грн |
500+ | 112.91 грн |
TRS12E65H,S1Q(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS12E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 33 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TRS12E65H,S1Q(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 33 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 282.30 грн |
10+ | 155.60 грн |
TK33S10N1Z,LQ(O |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 132.65 грн |
10+ | 96.08 грн |
100+ | 72.96 грн |
500+ | 57.95 грн |
1000+ | 49.05 грн |
TK25A60X,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 270.39 грн |