Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (52615) > Сторінка 727 з 877

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 783 870 877  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.24 грн
500+120.40 грн
1000+108.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA 3622627.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.48 грн
500+79.74 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.76 грн
500+54.46 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622644.pdf Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.86 грн
500+35.40 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3622639.pdf Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.55 грн
500+26.07 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.53 грн
500+102.86 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.54 грн
500+45.37 грн
1000+39.53 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934826.pdf Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.22 грн
15+57.53 грн
100+39.50 грн
500+31.02 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.38 грн
500+110.84 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.60 грн
15+60.63 грн
100+42.08 грн
500+31.42 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934795.pdf Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.72 грн
10+112.49 грн
100+74.54 грн
500+55.90 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PL,L1Q(M TOSHIBA 3934834.pdf Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.46 грн
16+55.99 грн
100+37.35 грн
500+32.21 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M TPH6R30ANL,L1Q(M TOSHIBA 3934814.pdf Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.62 грн
500+43.14 грн
1000+35.92 грн
5000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.81 грн
10+89.31 грн
100+60.54 грн
500+45.37 грн
1000+39.53 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M TPW5200FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.27 грн
500+114.03 грн
1000+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M TPN12008QM,L1Q(M TOSHIBA 3934825.pdf Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.45 грн
15+60.54 грн
100+47.14 грн
500+37.80 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA 3934848.pdf Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.53 грн
500+98.88 грн
1000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M TPH7R506NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.22 грн
10+95.32 грн
100+65.86 грн
500+52.95 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934832.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.35 грн
500+28.71 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.04 грн
10+116.79 грн
100+83.21 грн
500+66.58 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934826.pdf Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.50 грн
500+31.02 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M TPH5R60APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.23 грн
500+49.36 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NH,L1Q(M TOSHIBA 3934842.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M TPH5R60APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.25 грн
10+97.04 грн
100+64.23 грн
500+49.36 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA 3934844.pdf Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.70 грн
10+165.73 грн
100+120.22 грн
500+90.90 грн
1000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.88 грн
500+71.84 грн
1000+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2900ENH,L1Q(M TPW2900ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934846.pdf Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.09 грн
500+101.27 грн
1000+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.82 грн
10+94.46 грн
100+69.90 грн
500+63.31 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M TPN4800CQH,L1Q(M TOSHIBA 3934835.pdf Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.74 грн
500+38.27 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934799.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.81 грн
500+28.23 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.08 грн
500+31.42 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.06 грн
10+182.91 грн
100+131.38 грн
500+110.84 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA 3934848.pdf Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.64 грн
10+186.34 грн
100+130.53 грн
500+98.88 грн
1000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.90 грн
500+63.31 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M TPN4R806PL,L1Q(M TOSHIBA 3934837.pdf Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.76 грн
12+72.99 грн
100+46.97 грн
500+35.24 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.21 грн
500+66.58 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NH,L1Q(M TOSHIBA 3934842.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934799.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.74 грн
15+58.48 грн
100+38.81 грн
500+28.23 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M TPN4800CQH,L1Q(M TOSHIBA 3934835.pdf Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.17 грн
15+61.31 грн
100+47.74 грн
500+38.27 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934832.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.97 грн
16+56.50 грн
100+37.35 грн
500+28.71 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(M TPH1R204PB,L1Q(M TOSHIBA 3934791.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.69 грн
10+92.74 грн
100+62.69 грн
500+56.85 грн
1000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M TPH7R506NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.86 грн
500+52.95 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(M TPN14006NH,L1Q(M TOSHIBA 3934827.pdf Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.83 грн
21+41.91 грн
100+34.69 грн
500+28.87 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(M TPN2R703NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.84 грн
500+43.38 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R408QM,L1Q(M TPN8R408QM,L1Q(M TOSHIBA 3934843.pdf Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.94 грн
500+46.97 грн
1000+40.11 грн
5000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.08 грн
10+129.67 грн
100+91.88 грн
500+71.84 грн
1000+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.73 грн
500+66.82 грн
1000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M TPN4R806PL,L1Q(M TOSHIBA 3934837.pdf Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.97 грн
500+35.24 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PL,L1Q(M TOSHIBA 3934834.pdf Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.35 грн
500+32.21 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(M TPH14006NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.94 грн
11+78.49 грн
100+56.59 грн
500+42.02 грн
1000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T TLP2368(TPL,E(T TOSHIBA 3622540.pdf Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 20Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.49 грн
14+61.74 грн
25+59.77 грн
50+53.66 грн
100+44.97 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T TLP2368(TPL,E(T TOSHIBA 3622540.pdf Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 20Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.97 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GB,E(T TLP293-4(GB,E(T TOSHIBA 2017836.pdf Description: TOSHIBA - TLP293-4(GB,E(T - Optokoppler, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP293
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.67 грн
12+72.82 грн
25+70.16 грн
50+62.59 грн
100+55.50 грн
500+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281(TPH3,F) 1SV281(TPH3,F) TOSHIBA 1SV281_datasheet_en_20140301.pdf?did=2798&prodName=1SV281 Description: TOSHIBA - 1SV281(TPH3,F) - Diode mit variabler Kapazität, 8 pF, 10 V, 125 °C, SOD-523, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 8pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.11 грн
51+17.09 грн
100+12.62 грн
500+7.97 грн
1000+6.00 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLP184(GB-TPL,SE(T TLP184(GB-TPL,SE(T TOSHIBA 3622526.pdf Description: TOSHIBA - TLP184(GB-TPL,SE(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP184 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.81 грн
500+17.14 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP182(BL-TPL,E(T TLP182(BL-TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP182(BL-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP182 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.43 грн
33+26.45 грн
100+24.39 грн
500+19.14 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GB-TPL,E(T TLP183(GB-TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP183(GB-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.72 грн
500+15.79 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(S TW030Z120C,S1F(S TOSHIBA 3983297.pdf Description: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2446.50 грн
5+2247.27 грн
10+2048.05 грн
50+1715.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMS10(TE12L,Q,M) CMS10(TE12L,Q,M) TOSHIBA 3620983.pdf Description: TOSHIBA - CMS10(TE12L,Q,M) - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 550 mV, 50 pF, SMD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 550mV
Diodenkapazität: 50pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.18 грн
30+28.77 грн
100+21.30 грн
500+13.87 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2363(TPL,E(T TLP2363(TPL,E(T TOSHIBA 3622538.pdf Description: TOSHIBA - TLP2363(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 15 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 15Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.22 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M 3622655.pdf
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.24 грн
500+120.40 грн
1000+108.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M 3622627.pdf
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.48 грн
500+79.74 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M 3622632.pdf
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.76 грн
500+54.46 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M 3622644.pdf
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.86 грн
500+35.40 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M 3622639.pdf
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.55 грн
500+26.07 грн
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.53 грн
500+102.86 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.54 грн
500+45.37 грн
1000+39.53 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M 3934826.pdf
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.22 грн
15+57.53 грн
100+39.50 грн
500+31.02 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.38 грн
500+110.84 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.60 грн
15+60.63 грн
100+42.08 грн
500+31.42 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M 3934795.pdf
TPH2010FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.72 грн
10+112.49 грн
100+74.54 грн
500+55.90 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M 3934834.pdf
TPN3R704PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.46 грн
16+55.99 грн
100+37.35 грн
500+32.21 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M 3934814.pdf
TPH6R30ANL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.62 грн
500+43.14 грн
1000+35.92 грн
5000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.81 грн
10+89.31 грн
100+60.54 грн
500+45.37 грн
1000+39.53 грн
5000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M
TPW5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.27 грн
500+114.03 грн
1000+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M 3934825.pdf
TPN12008QM,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.45 грн
15+60.54 грн
100+47.14 грн
500+37.80 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M 3934848.pdf
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.53 грн
500+98.88 грн
1000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.22 грн
10+95.32 грн
100+65.86 грн
500+52.95 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M 3934832.pdf
TPN2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.35 грн
500+28.71 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M
TPH4R606NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.04 грн
10+116.79 грн
100+83.21 грн
500+66.58 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M 3934826.pdf
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.50 грн
500+31.02 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M
TPH5R60APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.23 грн
500+49.36 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M 3934842.pdf
TPN7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M
TPH5R60APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.25 грн
10+97.04 грн
100+64.23 грн
500+49.36 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M 3934844.pdf
TPW1500CNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.70 грн
10+165.73 грн
100+120.22 грн
500+90.90 грн
1000+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M
TPW2R508NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.88 грн
500+71.84 грн
1000+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2900ENH,L1Q(M 3934846.pdf
TPW2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.09 грн
500+101.27 грн
1000+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M
TPH5R906NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.82 грн
10+94.46 грн
100+69.90 грн
500+63.31 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M 3934835.pdf
TPN4800CQH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.74 грн
500+38.27 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M 3934799.pdf
TPH2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.81 грн
500+28.23 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.08 грн
500+31.42 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.06 грн
10+182.91 грн
100+131.38 грн
500+110.84 грн
1000+97.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M 3934848.pdf
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+269.64 грн
10+186.34 грн
100+130.53 грн
500+98.88 грн
1000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M
TPH5R906NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.90 грн
500+63.31 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M 3934837.pdf
TPN4R806PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.76 грн
12+72.99 грн
100+46.97 грн
500+35.24 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M
TPH4R606NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.21 грн
500+66.58 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M 3934842.pdf
TPN7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M 3934799.pdf
TPH2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.74 грн
15+58.48 грн
100+38.81 грн
500+28.23 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M 3934835.pdf
TPN4800CQH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.17 грн
15+61.31 грн
100+47.74 грн
500+38.27 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M 3934832.pdf
TPN2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.97 грн
16+56.50 грн
100+37.35 грн
500+28.71 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(M 3934791.pdf
TPH1R204PB,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.69 грн
10+92.74 грн
100+62.69 грн
500+56.85 грн
1000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.86 грн
500+52.95 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(M 3934827.pdf
TPN14006NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.83 грн
21+41.91 грн
100+34.69 грн
500+28.87 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(M
TPN2R703NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.84 грн
500+43.38 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R408QM,L1Q(M 3934843.pdf
TPN8R408QM,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.94 грн
500+46.97 грн
1000+40.11 грн
5000+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M
TPW2R508NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.08 грн
10+129.67 грн
100+91.88 грн
500+71.84 грн
1000+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.73 грн
500+66.82 грн
1000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M 3934837.pdf
TPN4R806PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.97 грн
500+35.24 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M 3934834.pdf
TPN3R704PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.35 грн
500+32.21 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(M
TPH14006NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.94 грн
11+78.49 грн
100+56.59 грн
500+42.02 грн
1000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T 3622540.pdf
TLP2368(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 20Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.49 грн
14+61.74 грн
25+59.77 грн
50+53.66 грн
100+44.97 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T 3622540.pdf
TLP2368(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 20Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.97 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GB,E(T 2017836.pdf
TLP293-4(GB,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP293-4(GB,E(T - Optokoppler, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP293
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.67 грн
12+72.82 грн
25+70.16 грн
50+62.59 грн
100+55.50 грн
500+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281(TPH3,F) 1SV281_datasheet_en_20140301.pdf?did=2798&prodName=1SV281
1SV281(TPH3,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SV281(TPH3,F) - Diode mit variabler Kapazität, 8 pF, 10 V, 125 °C, SOD-523, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 8pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.11 грн
51+17.09 грн
100+12.62 грн
500+7.97 грн
1000+6.00 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLP184(GB-TPL,SE(T 3622526.pdf
TLP184(GB-TPL,SE(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP184(GB-TPL,SE(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP184 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.81 грн
500+17.14 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP182(BL-TPL,E(T
TLP182(BL-TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP182(BL-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP182 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.43 грн
33+26.45 грн
100+24.39 грн
500+19.14 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GB-TPL,E(T
TLP183(GB-TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP183(GB-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.72 грн
500+15.79 грн
1000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(S 3983297.pdf
TW030Z120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2446.50 грн
5+2247.27 грн
10+2048.05 грн
50+1715.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMS10(TE12L,Q,M) 3620983.pdf
CMS10(TE12L,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CMS10(TE12L,Q,M) - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 550 mV, 50 pF, SMD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 550mV
Diodenkapazität: 50pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.18 грн
30+28.77 грн
100+21.30 грн
500+13.87 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2363(TPL,E(T 3622538.pdf
TLP2363(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2363(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 15 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Übertragungsrate: 15Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.22 грн
500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 783 870 877  [ Наступна Сторінка >> ]