Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (52468) > Сторінка 727 з 875

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 783 870 875  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3622639.pdf Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.56 грн
500+26.82 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.24 грн
500+105.79 грн
1000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.26 грн
500+46.66 грн
1000+40.65 грн
5000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934826.pdf Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.68 грн
12+77.01 грн
100+52.81 грн
500+41.49 грн
1000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.12 грн
500+113.99 грн
1000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.26 грн
15+62.35 грн
100+43.27 грн
500+32.31 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934795.pdf Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.26 грн
10+115.69 грн
100+76.66 грн
500+57.49 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PL,L1Q(M TOSHIBA 3934834.pdf Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.75 грн
16+57.58 грн
100+38.42 грн
500+33.13 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M TPH6R30ANL,L1Q(M TOSHIBA 3934814.pdf Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.26 грн
500+44.37 грн
1000+36.94 грн
5000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.47 грн
10+91.85 грн
100+62.26 грн
500+46.66 грн
1000+40.65 грн
5000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M TPW5200FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.37 грн
500+117.27 грн
1000+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M TPN12008QM,L1Q(M TOSHIBA 3934825.pdf Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.96 грн
15+62.26 грн
100+48.48 грн
500+38.87 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA 3934848.pdf Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.24 грн
500+101.69 грн
1000+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M TPH7R506NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+123.64 грн
10+98.03 грн
100+67.74 грн
500+54.45 грн
1000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934832.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.42 грн
500+29.52 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.04 грн
10+120.11 грн
100+85.58 грн
500+68.47 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934826.pdf Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.81 грн
500+41.49 грн
1000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M TPH5R60APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.06 грн
500+50.76 грн
1000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NH,L1Q(M TOSHIBA 3934842.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M TPH5R60APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+142.19 грн
10+99.79 грн
100+66.06 грн
500+50.76 грн
1000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA 3934844.pdf Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.15 грн
10+170.45 грн
100+123.64 грн
500+93.49 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.50 грн
500+73.89 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2900ENH,L1Q(M TPW2900ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934846.pdf Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.70 грн
500+104.15 грн
1000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.65 грн
10+97.15 грн
100+71.89 грн
500+65.11 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M TPN4800CQH,L1Q(M TOSHIBA 3934835.pdf Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.10 грн
500+39.36 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934799.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.92 грн
500+29.03 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.27 грн
500+32.31 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+274.66 грн
10+188.11 грн
100+135.12 грн
500+113.99 грн
1000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA 3934848.pdf Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+277.31 грн
10+191.64 грн
100+134.24 грн
500+101.69 грн
1000+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.89 грн
500+65.11 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M TPN4R806PL,L1Q(M TOSHIBA 3934837.pdf Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.74 грн
12+75.07 грн
100+48.31 грн
500+36.25 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.58 грн
500+68.47 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NH,L1Q(M TOSHIBA 3934842.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934799.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.38 грн
15+60.14 грн
100+39.92 грн
500+29.03 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M TPN4800CQH,L1Q(M TOSHIBA 3934835.pdf Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.73 грн
15+63.06 грн
100+49.10 грн
500+39.36 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934832.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.10 грн
16+58.11 грн
100+38.42 грн
500+29.52 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(M TPH1R204PB,L1Q(M TOSHIBA 3934791.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.48 грн
10+102.44 грн
100+69.94 грн
500+56.50 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M TPH7R506NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.74 грн
500+54.45 грн
1000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(M TPN14006NH,L1Q(M TOSHIBA 3934827.pdf Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.19 грн
21+43.10 грн
100+35.68 грн
500+29.69 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(M TPN2R703NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.37 грн
500+44.61 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R408QM,L1Q(M TPN8R408QM,L1Q(M TOSHIBA 3934843.pdf Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.64 грн
500+48.30 грн
1000+41.26 грн
5000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.77 грн
10+133.35 грн
100+94.50 грн
500+73.89 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.20 грн
500+68.72 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M TPN4R806PL,L1Q(M TOSHIBA 3934837.pdf Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.31 грн
500+36.25 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PL,L1Q(M TOSHIBA 3934834.pdf Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.42 грн
500+33.13 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(M TPH14006NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.41 грн
11+80.72 грн
100+58.20 грн
500+43.22 грн
1000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T TLP2368(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.25 грн
16+57.49 грн
25+55.90 грн
50+50.35 грн
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T TLP2368(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GB,E(T TLP293-4(GB,E(T TOSHIBA 2017836.pdf Description: TOSHIBA - TLP293-4(GB,E(T - Optokoppler, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP293
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.35 грн
13+69.06 грн
25+67.47 грн
50+61.26 грн
100+55.18 грн
500+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281(TPH3,F) 1SV281(TPH3,F) TOSHIBA 1SV281_datasheet_en_20140301.pdf?did=2798&prodName=1SV281 Description: TOSHIBA - 1SV281(TPH3,F) - Diode mit variabler Kapazität, 8 pF, 10 V, 125 °C, SOD-523, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 8pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.85 грн
51+17.57 грн
100+12.98 грн
500+8.20 грн
1000+6.17 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLP184(GB-TPL,SE(T TLP184(GB-TPL,SE(T TOSHIBA 3622526.pdf Description: TOSHIBA - TLP184(GB-TPL,SE(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP184 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.43 грн
500+17.63 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP182(BL-TPL,E(T TLP182(BL-TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP182(BL-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP182 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.41 грн
33+27.20 грн
100+25.08 грн
500+19.68 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GB-TPL,E(T TLP183(GB-TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP183(GB-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.43 грн
500+17.47 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(S TW030Z120C,S1F(S TOSHIBA 3983297.pdf Description: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2516.06 грн
5+2311.18 грн
10+2106.29 грн
50+1764.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMS10(TE12L,Q,M) CMS10(TE12L,Q,M) TOSHIBA 3620983.pdf Description: TOSHIBA - CMS10(TE12L,Q,M) - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 550 mV, 50 pF, SMD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 550mV
Diodenkapazität: 50pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.15 грн
30+29.59 грн
100+21.90 грн
500+14.27 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2363(TPL,E(T TLP2363(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2363(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 15 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.06 грн
500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2363(TPL,E(T TLP2363(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2363(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 15 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.98 грн
17+52.81 грн
25+51.31 грн
50+46.25 грн
100+39.06 грн
500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA 3934615.pdf Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.46 грн
10+227.85 грн
100+204.01 грн
500+176.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62004AFNG(Z,EL) TBD62004AFNG(Z,EL) TOSHIBA 3937414.pdf Description: TOSHIBA - TBD62004AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.21 грн
250+47.46 грн
500+45.57 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62004AFNG(Z,EL) TBD62004AFNG(Z,EL) TOSHIBA 3937414.pdf Description: TOSHIBA - TBD62004AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.09 грн
12+75.77 грн
50+65.97 грн
100+54.21 грн
250+47.46 грн
500+45.57 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M 3622639.pdf
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.56 грн
500+26.82 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.24 грн
500+105.79 грн
1000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.26 грн
500+46.66 грн
1000+40.65 грн
5000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M 3934826.pdf
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.68 грн
12+77.01 грн
100+52.81 грн
500+41.49 грн
1000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.12 грн
500+113.99 грн
1000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.26 грн
15+62.35 грн
100+43.27 грн
500+32.31 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M 3934795.pdf
TPH2010FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.26 грн
10+115.69 грн
100+76.66 грн
500+57.49 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M 3934834.pdf
TPN3R704PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.75 грн
16+57.58 грн
100+38.42 грн
500+33.13 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M 3934814.pdf
TPH6R30ANL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.26 грн
500+44.37 грн
1000+36.94 грн
5000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.47 грн
10+91.85 грн
100+62.26 грн
500+46.66 грн
1000+40.65 грн
5000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M
TPW5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.37 грн
500+117.27 грн
1000+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M 3934825.pdf
TPN12008QM,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.96 грн
15+62.26 грн
100+48.48 грн
500+38.87 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M 3934848.pdf
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.24 грн
500+101.69 грн
1000+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.64 грн
10+98.03 грн
100+67.74 грн
500+54.45 грн
1000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M 3934832.pdf
TPN2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.42 грн
500+29.52 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M
TPH4R606NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.04 грн
10+120.11 грн
100+85.58 грн
500+68.47 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M 3934826.pdf
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.81 грн
500+41.49 грн
1000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M
TPH5R60APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.06 грн
500+50.76 грн
1000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M 3934842.pdf
TPN7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M
TPH5R60APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+142.19 грн
10+99.79 грн
100+66.06 грн
500+50.76 грн
1000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M 3934844.pdf
TPW1500CNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.15 грн
10+170.45 грн
100+123.64 грн
500+93.49 грн
1000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M
TPW2R508NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.50 грн
500+73.89 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2900ENH,L1Q(M 3934846.pdf
TPW2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.70 грн
500+104.15 грн
1000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M
TPH5R906NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.65 грн
10+97.15 грн
100+71.89 грн
500+65.11 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M 3934835.pdf
TPN4800CQH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.10 грн
500+39.36 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M 3934799.pdf
TPH2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.92 грн
500+29.03 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.27 грн
500+32.31 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.66 грн
10+188.11 грн
100+135.12 грн
500+113.99 грн
1000+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M 3934848.pdf
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+277.31 грн
10+191.64 грн
100+134.24 грн
500+101.69 грн
1000+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M
TPH5R906NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.89 грн
500+65.11 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M 3934837.pdf
TPN4R806PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.74 грн
12+75.07 грн
100+48.31 грн
500+36.25 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M
TPH4R606NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.58 грн
500+68.47 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M 3934842.pdf
TPN7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M 3934799.pdf
TPH2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.38 грн
15+60.14 грн
100+39.92 грн
500+29.03 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M 3934835.pdf
TPN4800CQH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.73 грн
15+63.06 грн
100+49.10 грн
500+39.36 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M 3934832.pdf
TPN2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.10 грн
16+58.11 грн
100+38.42 грн
500+29.52 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q(M 3934791.pdf
TPH1R204PB,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.48 грн
10+102.44 грн
100+69.94 грн
500+56.50 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.74 грн
500+54.45 грн
1000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q(M 3934827.pdf
TPN14006NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.19 грн
21+43.10 грн
100+35.68 грн
500+29.69 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R703NL,L1Q(M
TPN2R703NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.37 грн
500+44.61 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R408QM,L1Q(M 3934843.pdf
TPN8R408QM,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.64 грн
500+48.30 грн
1000+41.26 грн
5000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M
TPW2R508NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 2000 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.77 грн
10+133.35 грн
100+94.50 грн
500+73.89 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.20 грн
500+68.72 грн
1000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R806PL,L1Q(M 3934837.pdf
TPN4R806PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.31 грн
500+36.25 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M 3934834.pdf
TPN3R704PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.42 грн
500+33.13 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q(M
TPH14006NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+125.41 грн
11+80.72 грн
100+58.20 грн
500+43.22 грн
1000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T
TLP2368(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+78.25 грн
16+57.49 грн
25+55.90 грн
50+50.35 грн
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2368(TPL,E(T
TLP2368(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2368(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GB,E(T 2017836.pdf
TLP293-4(GB,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP293-4(GB,E(T - Optokoppler, 4 Kanäle, SOIC, 16 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: TLP293
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.35 грн
13+69.06 грн
25+67.47 грн
50+61.26 грн
100+55.18 грн
500+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1SV281(TPH3,F) 1SV281_datasheet_en_20140301.pdf?did=2798&prodName=1SV281
1SV281(TPH3,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SV281(TPH3,F) - Diode mit variabler Kapazität, 8 pF, 10 V, 125 °C, SOD-523, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 8pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.85 грн
51+17.57 грн
100+12.98 грн
500+8.20 грн
1000+6.17 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLP184(GB-TPL,SE(T 3622526.pdf
TLP184(GB-TPL,SE(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP184(GB-TPL,SE(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP184 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.43 грн
500+17.63 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP182(BL-TPL,E(T
TLP182(BL-TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP182(BL-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP182 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.41 грн
33+27.20 грн
100+25.08 грн
500+19.68 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GB-TPL,E(T
TLP183(GB-TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP183(GB-TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 100 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.43 грн
500+17.47 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(S 3983297.pdf
TW030Z120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2516.06 грн
5+2311.18 грн
10+2106.29 грн
50+1764.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMS10(TE12L,Q,M) 3620983.pdf
CMS10(TE12L,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CMS10(TE12L,Q,M) - HF-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 550 mV, 50 pF, SMD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 550mV
Diodenkapazität: 50pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+35.15 грн
30+29.59 грн
100+21.90 грн
500+14.27 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2363(TPL,E(T
TLP2363(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2363(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 15 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.06 грн
500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2363(TPL,E(T
TLP2363(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2363(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kVrms, 15 Mbps, SOIC, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kVrms
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.98 грн
17+52.81 грн
25+51.31 грн
50+46.25 грн
100+39.06 грн
500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TK100E10N1,S1X(S 3934615.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+389.46 грн
10+227.85 грн
100+204.01 грн
500+176.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62004AFNG(Z,EL) 3937414.pdf
TBD62004AFNG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62004AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.21 грн
250+47.46 грн
500+45.57 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62004AFNG(Z,EL) 3937414.pdf
TBD62004AFNG(Z,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62004AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.09 грн
12+75.77 грн
50+65.97 грн
100+54.21 грн
250+47.46 грн
500+45.57 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 783 870 875  [ Наступна Сторінка >> ]