Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (52166) > Сторінка 727 з 870

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 783 870  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA 3934703.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+606.67 грн
10+363.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934702.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.93 грн
10+318.81 грн
100+266.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O TLX9000(TEE-TL,F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O TLX9000(TEE-TL,F(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG(Z,HZW) TBD62084APG(Z,HZW) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.75 грн
10+171.54 грн
50+157.31 грн
100+115.00 грн
250+99.70 грн
500+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T TLP176AM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.56 грн
10+98.74 грн
25+91.21 грн
50+78.48 грн
100+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T TLP176AM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(S TK62N60X,S1F(S TOSHIBA 3934742.pdf Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.13 грн
5+805.82 грн
10+770.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(S TK065N65Z,S1F(S TOSHIBA 3934606.pdf Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.69 грн
5+516.29 грн
10+379.90 грн
50+325.57 грн
100+274.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(S TK49N65W,S1F(S TOSHIBA 3934721.pdf Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.93 грн
5+746.41 грн
10+620.89 грн
50+496.51 грн
100+422.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(S TK49N65W5,S1F(S TOSHIBA 3934722.pdf Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+959.79 грн
5+762.31 грн
10+564.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O TLX9175J(TEETL,F(O TOSHIBA 3622612.pdf Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O TLX9175J(TEETL,F(O TOSHIBA 3622612.pdf Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.36 грн
10+165.68 грн
25+164.01 грн
50+150.74 грн
100+137.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O TTA009,L1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.83 грн
29+29.71 грн
100+22.17 грн
500+18.26 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O TTA009,L1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.17 грн
500+18.26 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.10 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.90 грн
14+62.09 грн
100+44.35 грн
500+33.10 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622654.pdf Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.73 грн
10+170.70 грн
100+120.50 грн
500+92.46 грн
1000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622644.pdf Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.07 грн
14+63.60 грн
100+43.09 грн
500+32.09 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622654.pdf Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.50 грн
500+92.46 грн
1000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M TPH3R70APL1,LQ(M TOSHIBA 3622635.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.22 грн
10+143.09 грн
100+111.29 грн
500+88.58 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M TPH3R70APL1,LQ(M TOSHIBA 3622635.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.29 грн
500+88.58 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.99 грн
10+107.11 грн
100+84.51 грн
500+59.44 грн
1000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.71 грн
10+177.40 грн
100+128.03 грн
500+106.45 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.74 грн
10+85.35 грн
100+65.27 грн
500+48.80 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.40 грн
10+161.50 грн
100+127.19 грн
500+100.23 грн
1000+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.70 грн
15+57.82 грн
100+36.57 грн
500+28.36 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.03 грн
500+106.45 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.51 грн
500+59.44 грн
1000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.27 грн
500+48.80 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622644.pdf Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
500+32.09 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.57 грн
500+28.36 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.19 грн
500+100.23 грн
1000+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934824.pdf Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.89 грн
500+55.48 грн
1000+43.54 грн
5000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934826.pdf Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.49 грн
14+63.18 грн
100+44.94 грн
500+33.64 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.70 грн
15+59.75 грн
100+43.18 грн
500+33.64 грн
1000+26.90 грн
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.93 грн
10+112.13 грн
100+84.51 грн
500+65.11 грн
1000+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PL,L1Q(M TOSHIBA 3934834.pdf Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.41 грн
16+54.56 грн
100+36.40 грн
500+31.39 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M TPH6R30ANL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.21 грн
1000+32.92 грн
5000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934824.pdf Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.66 грн
10+110.46 грн
100+74.89 грн
500+55.48 грн
1000+43.54 грн
5000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M TPW5200FNH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.80 грн
500+94.80 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M TPN12008QM,L1Q(M TOSHIBA 3934825.pdf Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.23 грн
15+55.90 грн
100+38.49 грн
500+30.46 грн
1000+25.53 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA 3934848.pdf Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.84 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M TPH7R506NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.52 грн
10+95.39 грн
100+70.21 грн
500+55.25 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M TPN2R903PL,L1Q(M TOSHIBA 3934832.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.89 грн
500+25.10 грн
1000+19.58 грн
5000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.54 грн
10+113.80 грн
100+81.08 грн
500+64.88 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M TPN13008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934826.pdf Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.94 грн
500+33.64 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M TPH5R60APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.17 грн
500+45.38 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NH,L1Q(M TOSHIBA 3934842.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.68 грн
500+33.33 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M TPH5R60APL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.91 грн
10+90.37 грн
100+61.17 грн
500+45.38 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA 3934844.pdf Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.46 грн
10+138.91 грн
100+103.76 грн
500+89.36 грн
1000+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M TPW2R508NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.56 грн
500+72.03 грн
1000+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2900ENH,L1Q(M TPW2900ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934846.pdf Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.48 грн
500+89.36 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.35 грн
10+87.86 грн
100+59.58 грн
500+50.51 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M TPN4800CQH,L1Q(M TOSHIBA 3934835.pdf Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.86 грн
500+35.98 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.00 грн
500+29.84 грн
1000+23.88 грн
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M TPH4R003NL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.18 грн
500+33.64 грн
1000+26.90 грн
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.07 грн
10+154.80 грн
100+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA 3934848.pdf Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.42 грн
10+174.89 грн
100+123.84 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S 3934703.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+606.67 грн
10+363.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(S 3934702.pdf
TK39N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.93 грн
10+318.81 грн
100+266.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O
TLX9000(TEE-TL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O
TLX9000(TEE-TL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG(Z,HZW)
TBD62084APG(Z,HZW)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.75 грн
10+171.54 грн
50+157.31 грн
100+115.00 грн
250+99.70 грн
500+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T
TLP176AM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.56 грн
10+98.74 грн
25+91.21 грн
50+78.48 грн
100+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T
TLP176AM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(S 3934742.pdf
TK62N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+840.13 грн
5+805.82 грн
10+770.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(S 3934606.pdf
TK065N65Z,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+652.69 грн
5+516.29 грн
10+379.90 грн
50+325.57 грн
100+274.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(S 3934721.pdf
TK49N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.93 грн
5+746.41 грн
10+620.89 грн
50+496.51 грн
100+422.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(S 3934722.pdf
TK49N65W5,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.79 грн
5+762.31 грн
10+564.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O 3622612.pdf
TLX9175J(TEETL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O 3622612.pdf
TLX9175J(TEETL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.36 грн
10+165.68 грн
25+164.01 грн
50+150.74 грн
100+137.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O
TTA009,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.83 грн
29+29.71 грн
100+22.17 грн
500+18.26 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O
TTA009,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.17 грн
500+18.26 грн
1000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.10 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.90 грн
14+62.09 грн
100+44.35 грн
500+33.10 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M 3622654.pdf
TPW4R50ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.73 грн
10+170.70 грн
100+120.50 грн
500+92.46 грн
1000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M 3622644.pdf
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.07 грн
14+63.60 грн
100+43.09 грн
500+32.09 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M 3622654.pdf
TPW4R50ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.50 грн
500+92.46 грн
1000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M 3622635.pdf
TPH3R70APL1,LQ(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.22 грн
10+143.09 грн
100+111.29 грн
500+88.58 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M 3622635.pdf
TPH3R70APL1,LQ(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.29 грн
500+88.58 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.99 грн
10+107.11 грн
100+84.51 грн
500+59.44 грн
1000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M 3622655.pdf
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.71 грн
10+177.40 грн
100+128.03 грн
500+106.45 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M 3622632.pdf
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.74 грн
10+85.35 грн
100+65.27 грн
500+48.80 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.40 грн
10+161.50 грн
100+127.19 грн
500+100.23 грн
1000+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.70 грн
15+57.82 грн
100+36.57 грн
500+28.36 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M 3622655.pdf
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.03 грн
500+106.45 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.51 грн
500+59.44 грн
1000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M 3622632.pdf
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.27 грн
500+48.80 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M 3622644.pdf
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.09 грн
500+32.09 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.57 грн
500+28.36 грн
1000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.19 грн
500+100.23 грн
1000+80.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M 3934824.pdf
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.89 грн
500+55.48 грн
1000+43.54 грн
5000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M 3934826.pdf
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.49 грн
14+63.18 грн
100+44.94 грн
500+33.64 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.70 грн
15+59.75 грн
100+43.18 грн
500+33.64 грн
1000+26.90 грн
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.93 грн
10+112.13 грн
100+84.51 грн
500+65.11 грн
1000+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q(M 3934834.pdf
TPN3R704PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.41 грн
16+54.56 грн
100+36.40 грн
500+31.39 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R30ANL,L1Q(M
TPH6R30ANL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+36.21 грн
1000+32.92 грн
5000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1110ENH,L1Q(M 3934824.pdf
TPN1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.66 грн
10+110.46 грн
100+74.89 грн
500+55.48 грн
1000+43.54 грн
5000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPW5200FNH,L1Q(M
TPW5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.80 грн
500+94.80 грн
1000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN12008QM,L1Q(M 3934825.pdf
TPN12008QM,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.23 грн
15+55.90 грн
100+38.49 грн
500+30.46 грн
1000+25.53 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M 3934848.pdf
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.84 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R506NH,L1Q(M
TPH7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.52 грн
10+95.39 грн
100+70.21 грн
500+55.25 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q(M 3934832.pdf
TPN2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.89 грн
500+25.10 грн
1000+19.58 грн
5000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R606NH,L1Q(M
TPH4R606NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.54 грн
10+113.80 грн
100+81.08 грн
500+64.88 грн
1000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPN13008NH,L1Q(M 3934826.pdf
TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.94 грн
500+33.64 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M
TPH5R60APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.17 грн
500+45.38 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(M 3934842.pdf
TPN7R506NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.68 грн
500+33.33 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q(M
TPH5R60APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.91 грн
10+90.37 грн
100+61.17 грн
500+45.38 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1500CNH,L1Q(M 3934844.pdf
TPW1500CNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.46 грн
10+138.91 грн
100+103.76 грн
500+89.36 грн
1000+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2R508NH,L1Q(M
TPW2R508NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.56 грн
500+72.03 грн
1000+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPW2900ENH,L1Q(M 3934846.pdf
TPW2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.48 грн
500+89.36 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M
TPH5R906NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.35 грн
10+87.86 грн
100+59.58 грн
500+50.51 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4800CQH,L1Q(M 3934835.pdf
TPN4800CQH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.86 грн
500+35.98 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M
TPH2R903PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.00 грн
500+29.84 грн
1000+23.88 грн
5000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.18 грн
500+33.64 грн
1000+26.90 грн
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.07 грн
10+154.80 грн
100+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPW3R70APL,L1Q(M 3934848.pdf
TPW3R70APL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.42 грн
10+174.89 грн
100+123.84 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 783 870  [ Наступна Сторінка >> ]