Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (52467) > Сторінка 726 з 875

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 721 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 783 870 875  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K329R,LF(T SSM3K329R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.42 грн
500+8.28 грн
1000+6.36 грн
5000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(T SSM3K318R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.80 грн
32+28.26 грн
100+14.04 грн
500+10.33 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T SSM3K333R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.18 грн
39+22.78 грн
100+10.77 грн
500+8.45 грн
1000+6.28 грн
5000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T SSM3K335R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+32.06 грн
44+20.49 грн
100+13.42 грн
500+9.59 грн
1000+5.83 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T SSM3K333R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+8.45 грн
1000+6.28 грн
5000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T SSM3K36FS,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+24.64 грн
45+19.87 грн
100+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H480FNG(O,EL) TB67H480FNG(O,EL) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FNG(O,EL) TB67H481FNG(O,EL) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H480FNG(O,EL) TB67H480FNG(O,EL) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FNG(O,EL) TB67H481FNG(O,EL) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG(O,EL) TB67S581FNG(O,EL) TOSHIBA 3937462.pdf Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG(O,EL) TB67S580FNG(O,EL) TOSHIBA 3937461.pdf Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG(O,EL) TB67S580FNG(O,EL) TOSHIBA 3937461.pdf Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG(O,EL) TB67S581FNG(O,EL) TOSHIBA 3937462.pdf Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.04 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(S TK16G60W,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+419.49 грн
100+347.96 грн
500+289.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S TK8P60W5,RVQ(S TOSHIBA 3934777.pdf Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.05 грн
500+49.20 грн
1000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ(S TK16G60W5,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.93 грн
500+145.15 грн
1000+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S TK8P60W5,RVQ(S TOSHIBA 3934777.pdf Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.50 грн
13+69.86 грн
100+54.05 грн
500+49.20 грн
1000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.47 грн
10+155.43 грн
100+113.04 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(S TK7P60W5,RVQ(S TOSHIBA 3934766.pdf Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.93 грн
500+52.32 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(S TK6P60W,RVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.26 грн
500+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934787.pdf Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.30 грн
500+61.01 грн
1000+52.00 грн
2500+48.52 грн
5000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.91 грн
11+87.08 грн
100+72.15 грн
500+60.11 грн
1000+51.17 грн
5000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(M TK28A65W,S5X(M TOSHIBA 3934675.pdf Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.63 грн
10+443.34 грн
100+228.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA 3934802.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.75 грн
500+62.73 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA 3934802.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.04 грн
10+115.69 грн
100+79.75 грн
500+62.73 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(M TK20A25D,S5X(M TOSHIBA 3934658.pdf Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.85 грн
10+173.98 грн
100+124.52 грн
500+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(S TK39N60W,S1VF(S TOSHIBA 3934701.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.52 грн
10+395.65 грн
100+344.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA 3934703.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+773.63 грн
10+467.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934702.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.18 грн
10+396.53 грн
100+388.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O TLX9000(TEE-TL,F(O TOSHIBA 3622611.pdf Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.62 грн
10+145.72 грн
25+136.00 грн
50+116.45 грн
100+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O TLX9000(TEE-TL,F(O TOSHIBA 3622611.pdf Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG(Z,HZW) TBD62084APG(Z,HZW) TOSHIBA 3937417.pdf Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.50 грн
10+112.16 грн
50+105.09 грн
100+84.47 грн
250+73.12 грн
500+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T TLP176AM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.51 грн
10+99.79 грн
25+92.73 грн
50+82.83 грн
100+73.65 грн
500+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T TLP176AM(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(S TK62N60X,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+837.22 грн
5+683.55 грн
10+529.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(S TK065N65Z,S1F(S TOSHIBA 3934606.pdf Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.85 грн
5+544.90 грн
10+400.95 грн
50+343.60 грн
100+289.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(S TK49N65W,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+755.97 грн
5+669.42 грн
10+582.87 грн
50+530.58 грн
100+479.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(S TK49N65W5,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.28 грн
5+927.30 грн
10+684.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O TLX9175J(TEETL,F(O TOSHIBA 3622612.pdf Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O TLX9175J(TEETL,F(O TOSHIBA 3622612.pdf Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.63 грн
10+174.86 грн
25+173.10 грн
50+159.09 грн
100+145.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O TTA009,L1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.98 грн
29+31.35 грн
100+23.40 грн
500+19.27 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O TTA009,L1Q(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.40 грн
500+19.27 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.93 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M TPH12008NH,L1Q(M TOSHIBA 3934788.pdf Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.44 грн
13+70.83 грн
100+53.52 грн
500+39.94 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.94 грн
10+191.64 грн
100+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622644.pdf Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.11 грн
12+75.77 грн
100+50.25 грн
500+36.41 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M TPH3R70APL1,LQ(M TOSHIBA 3622635.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.08 грн
10+151.02 грн
100+117.46 грн
500+93.49 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M TPH3R70APL1,LQ(M TOSHIBA 3622635.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.46 грн
500+93.49 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA 3622627.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.19 грн
10+132.47 грн
100+109.51 грн
500+82.01 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.73 грн
10+164.26 грн
100+139.54 грн
500+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.55 грн
10+108.63 грн
100+75.86 грн
500+56.01 грн
1000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.50 грн
10+170.45 грн
100+134.24 грн
500+105.79 грн
1000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3622639.pdf Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.73 грн
15+62.79 грн
100+36.56 грн
500+26.82 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.54 грн
500+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA 3622627.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.51 грн
500+82.01 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.86 грн
500+56.01 грн
1000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANH,L1Q(M TOSHIBA 3622644.pdf Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.25 грн
500+36.41 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K329R,LF(T
SSM3K329R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K329R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.096 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.42 грн
500+8.28 грн
1000+6.36 грн
5000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF(T
SSM3K318R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.80 грн
32+28.26 грн
100+14.04 грн
500+10.33 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T
SSM3K333R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.18 грн
39+22.78 грн
100+10.77 грн
500+8.45 грн
1000+6.28 грн
5000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(T
SSM3K335R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.06 грн
44+20.49 грн
100+13.42 грн
500+9.59 грн
1000+5.83 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K333R,LF(T
SSM3K333R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K333R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0257ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0257ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.77 грн
500+8.45 грн
1000+6.28 грн
5000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(T
SSM3K36FS,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+24.64 грн
45+19.87 грн
100+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H480FNG(O,EL)
TB67H480FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FNG(O,EL)
TB67H481FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H480FNG(O,EL)
TB67H480FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H480FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H481FNG(O,EL)
TB67H481FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67H481FNG(O,EL) - Motortreiber, Schrittmotor und DC-Bürstenmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: DC-Bürstenmotor, Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG(O,EL) 3937462.pdf
TB67S581FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG(O,EL) 3937461.pdf
TB67S580FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG(O,EL) 3937461.pdf
TB67S580FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S580FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/1.28Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.28A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG(O,EL) 3937462.pdf
TB67S581FNG(O,EL)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB67S581FNG(O,EL) - Motortreiber, Zwei-Phasen-Schrittmotor, 4 Ausgänge, 50V/2Aout, HTSSOP-28, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Motortyp: Zwei-Phasen-Schrittmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.55 грн
10+154.55 грн
50+141.30 грн
100+113.99 грн
250+98.41 грн
500+90.84 грн
1000+81.75 грн
2500+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W
TK12P60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.04 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ(S
TK16G60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+419.49 грн
100+347.96 грн
500+289.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S 3934777.pdf
TK8P60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.05 грн
500+49.20 грн
1000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W5,RVQ(S
TK16G60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16G60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+181.93 грн
500+145.15 грн
1000+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(S 3934777.pdf
TK8P60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.50 грн
13+69.86 грн
100+54.05 грн
500+49.20 грн
1000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W
TK12P60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.47 грн
10+155.43 грн
100+113.04 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W5,RVQ(S 3934766.pdf
TK7P60W5,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.93 грн
500+52.32 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(S
TK6P60W,RVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.26 грн
500+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M 3934787.pdf
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.30 грн
500+61.01 грн
1000+52.00 грн
2500+48.52 грн
5000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.91 грн
11+87.08 грн
100+72.15 грн
500+60.11 грн
1000+51.17 грн
5000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(M 3934675.pdf
TK28A65W,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.63 грн
10+443.34 грн
100+228.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S 3934802.pdf
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.75 грн
500+62.73 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S 3934802.pdf
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.04 грн
10+115.69 грн
100+79.75 грн
500+62.73 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(M 3934658.pdf
TK20A25D,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.85 грн
10+173.98 грн
100+124.52 грн
500+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF(S 3934701.pdf
TK39N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+585.52 грн
10+395.65 грн
100+344.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S 3934703.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+773.63 грн
10+467.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF(S 3934702.pdf
TK39N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+535.18 грн
10+396.53 грн
100+388.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O 3622611.pdf
TLX9000(TEE-TL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.62 грн
10+145.72 грн
25+136.00 грн
50+116.45 грн
100+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TEE-TL,F(O 3622611.pdf
TLX9000(TEE-TL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9000(TEE-TL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 30 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 30mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG(Z,HZW) 3937417.pdf
TBD62084APG(Z,HZW)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62084APG(Z,HZW) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 8 Ausgänge, PDIP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsspannung: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Treiber: PDIP
Ausgangsstrom: 500mA
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.50 грн
10+112.16 грн
50+105.09 грн
100+84.47 грн
250+73.12 грн
500+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T
TLP176AM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.51 грн
10+99.79 грн
25+92.73 грн
50+82.83 грн
100+73.65 грн
500+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP176AM(TPL,E(T
TLP176AM(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP176AM(TPL,E(T - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 60 V, 700 mA, SOP-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85414900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 60V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 700mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 0.8pF
Bauform MOSFET-Relais: SOP-4
Durchlasswiderstand, max.: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(S
TK62N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+837.22 грн
5+683.55 грн
10+529.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(S 3934606.pdf
TK065N65Z,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+688.85 грн
5+544.90 грн
10+400.95 грн
50+343.60 грн
100+289.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F(S
TK49N65W,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.97 грн
5+669.42 грн
10+582.87 грн
50+530.58 грн
100+479.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F(S
TK49N65W5,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK49N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49.2 A, 0.051 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.28 грн
5+927.30 грн
10+684.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O 3622612.pdf
TLX9175J(TEETL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9175J(TEETL,F(O 3622612.pdf
TLX9175J(TEETL,F(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLX9175J(TEETL,F(O - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 4 Pin(s), 3.75 kV
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.63 грн
10+174.86 грн
25+173.10 грн
50+159.09 грн
100+145.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O
TTA009,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.98 грн
29+31.35 грн
100+23.40 грн
500+19.27 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TTA009,L1Q(O
TTA009,L1Q(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TTA009,L1Q(O - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 12 W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.40 грн
500+19.27 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+34.93 грн
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q(M 3934788.pdf
TPH12008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.44 грн
13+70.83 грн
100+53.52 грн
500+39.94 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.94 грн
10+191.64 грн
100+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M 3622644.pdf
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.11 грн
12+75.77 грн
100+50.25 грн
500+36.41 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M 3622635.pdf
TPH3R70APL1,LQ(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.08 грн
10+151.02 грн
100+117.46 грн
500+93.49 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ(M 3622635.pdf
TPH3R70APL1,LQ(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.46 грн
500+93.49 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M 3622627.pdf
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.19 грн
10+132.47 грн
100+109.51 грн
500+82.01 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M 3622655.pdf
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.73 грн
10+164.26 грн
100+139.54 грн
500+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M 3622632.pdf
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.55 грн
10+108.63 грн
100+75.86 грн
500+56.01 грн
1000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.50 грн
10+170.45 грн
100+134.24 грн
500+105.79 грн
1000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M 3622639.pdf
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.73 грн
15+62.79 грн
100+36.56 грн
500+26.82 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q(M 3622655.pdf
TPWR8004PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 650 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.54 грн
500+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M 3622627.pdf
TPH1R005PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.51 грн
500+82.01 грн
1000+71.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q(M 3622632.pdf
TPH2R608NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.86 грн
500+56.01 грн
1000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN1600ANH,L1Q(M 3622644.pdf
TPN1600ANH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.25 грн
500+36.41 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 721 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 783 870 875  [ Наступна Сторінка >> ]