Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (52468) > Сторінка 724 з 875

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 719 720 721 722 723 724 725 726 727 728 729 783 870 875  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK380A65Y,S4X(S TK380A65Y,S4X(S TOSHIBA 3934699.pdf Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.50 грн
10+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X(S TK2R4A08QM,S4X(S TOSHIBA 3934684.pdf Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+274.66 грн
10+255.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S TK5A90E,S4X(S TOSHIBA 3934733.pdf Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.56 грн
10+127.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S TOSHIBA 3934749.pdf Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.55 грн
10+215.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M TOSHIBA 3934647.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.80 грн
10+159.85 грн
100+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(S TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA 3934683.pdf Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.16 грн
10+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4X(S TK12A80W,S4X(S TOSHIBA 3934631.pdf Description: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.71 грн
10+263.18 грн
100+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4X(S TK5R1A08QM,S4X(S TOSHIBA 3934735.pdf Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.51 грн
10+90.96 грн
100+71.53 грн
500+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S TOSHIBA 3934619.pdf Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.73 грн
10+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4X(S TK1K0A60F,S4X(S TOSHIBA 3934654.pdf Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.57 грн
16+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(S TK3R2A10PL,S4X(S TOSHIBA 3934712.pdf Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.98 грн
10+131.59 грн
100+119.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(S TK17A80W,S4X(S TOSHIBA 3934650.pdf Description: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.13 грн
10+393.00 грн
100+262.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60F,S4X(S TOSHIBA 3934655.pdf Description: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.25 грн
10+107.74 грн
100+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4X(S TK5A80E,S4X(S TOSHIBA 3934732.pdf Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.34 грн
10+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934746.pdf Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.93 грн
10+121.87 грн
100+112.16 грн
500+77.33 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M TOSHIBA TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+856.65 грн
5+709.16 грн
10+560.79 грн
50+464.97 грн
100+376.97 грн
250+369.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(S TK3A90E,S4X(S TOSHIBA 3934706.pdf Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.56 грн
11+85.31 грн
100+78.95 грн
500+54.21 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(M TK31A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934687.pdf Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(S TK6R8A08QM,S4X(S TOSHIBA 3934753.pdf Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.72 грн
10+143.95 грн
100+80.28 грн
500+49.45 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934646.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.27 грн
10+153.67 грн
100+145.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4X(M TK8A25DA,S4X(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X(S TK5R3A06PL,S4X(S TOSHIBA 3934738.pdf Description: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.76 грн
17+53.25 грн
100+50.43 грн
500+44.28 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934616.pdf Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.97 грн
10+115.69 грн
100+113.92 грн
500+101.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(S TK15A20D,S4X(S TOSHIBA 3934645.pdf Description: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.86 грн
11+82.04 грн
100+60.58 грн
500+48.88 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4X(S TK290A65Y,S4X(S TOSHIBA 3934681.pdf Description: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.29 грн
10+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X(S TK10A80E,S4X(S TOSHIBA 3934618.pdf Description: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.24 грн
10+259.64 грн
100+151.90 грн
500+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T TLP2310(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.34 грн
15+61.91 грн
25+60.14 грн
50+54.21 грн
100+45.80 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T TLP2310(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.80 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ(S TRS12V65H,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.54 грн
500+184.51 грн
1000+169.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NU,LF(T TOSHIBA 3622445.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.70 грн
500+23.21 грн
1000+16.73 грн
3000+15.37 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NU,LF(T TOSHIBA 3622445.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.52 грн
20+46.36 грн
100+31.70 грн
500+23.21 грн
1000+16.73 грн
3000+15.37 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(S TK13P25D,RQ(S TOSHIBA 3934635.pdf Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.89 грн
500+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(TPL,E(T TLP183(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP183(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 135515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.16 грн
500+34.44 грн
1500+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA 3934661.pdf Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.73 грн
10+604.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(S TK20V60W,LVQ(S TOSHIBA TOSCS49613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.48 грн
500+127.11 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(S TK20N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934662.pdf Description: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.45 грн
10+425.67 грн
100+294.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S TK20V60W5,LVQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0001740315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.59 грн
10+205.77 грн
100+149.25 грн
500+127.93 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S TK20V60W5,LVQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0001740315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.25 грн
500+127.93 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRS05 CRS05 TOSHIBA 3732135.pdf Description: TOSHIBA - CRS05 - Schottky-Gleichrichterdiode, Miniatur, 30 V, 1 A, Einfach, 3-2A1A, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 3-2A1A
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CRS05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.57 грн
500+13.53 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(TP,E(O TLP2719(TP,E(O TOSHIBA 3622555.pdf Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT TCTH012BE,LF(CT TOSHIBA 3985393.pdf Description: TOSHIBA - TCTH012BE,LF(CT - Temperatursensor-IC, Thermoflagger, Digital, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Gemessene Temperatur, min.: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-553
Bauform - Sensor: SOT-553
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.67 грн
40+22.43 грн
100+18.81 грн
500+14.35 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT TCTH012BE,LF(CT TOSHIBA 3985393.pdf Description: TOSHIBA - TCTH012BE,LF(CT - Temperatursensor-IC, Thermoflagger, Digital, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Gemessene Temperatur, min.: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-553
Bauform - Sensor: SOT-553
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.81 грн
500+14.35 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.55 грн
27+33.38 грн
100+22.17 грн
500+15.83 грн
1000+10.14 грн
5000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.17 грн
500+15.83 грн
1000+10.14 грн
5000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH14FU,LJ(CT TC7WH14FU,LJ(CT TOSHIBA TC7WH14FU%2CFK%202007.pdf Description: TOSHIBA - TC7WH14FU,LJ(CT - Logik-IC, Wechselrichter, Drei, 1 Inputs, 8 Pin(s), SOT-505
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WH
Bauform - Logikbaustein: SOT-505
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.89 грн
48+18.55 грн
100+10.16 грн
500+7.87 грн
1000+5.75 грн
5000+4.84 грн
10000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M) TK3A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA TK3A60DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=22751&prodName=TK3A60DA Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.41 грн
15+62.00 грн
100+49.90 грн
500+36.08 грн
1000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+753.32 грн
10+675.60 грн
50+588.17 грн
200+517.46 грн
500+452.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A65W,S5X(M TK11A65W,S5X(M TOSHIBA 3934627.pdf Description: TOSHIBA - TK11A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.33 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.26 грн
11+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA EVB-TCKE805NA TOSHIBA docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false Description: TOSHIBA - EVB-TCKE805NA - Evaluationsboard, TCKE805NA, elektronische Sicherung, Power-Management
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: TCKE805NA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Toshiba
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TCKE805NA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Elektronische Sicherung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6409.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.57 грн
12+79.04 грн
100+55.55 грн
500+46.09 грн
1000+38.68 грн
5000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S TPH2R003PL,LQ(S TOSHIBA 3973722.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.34 грн
500+42.97 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S TPH2R003PL,LQ(S TOSHIBA 3973722.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.39 грн
12+75.77 грн
100+50.34 грн
500+42.97 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ(O XPJR6604PB,LXHQ(O TOSHIBA 4002396.pdf Description: TOSHIBA - XPJR6604PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 660 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.30 грн
10+142.19 грн
100+120.11 грн
500+107.43 грн
1000+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG(DBB) TMPM3HQF10BFG(DBB) TOSHIBA 3975704.pdf Description: TOSHIBA - TMPM3HQF10BFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 21Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: TMPM3H
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 134I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.17 грн
10+726.82 грн
25+676.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4KNFYAFG(DBB) TMPM4KNFYAFG(DBB) TOSHIBA 3765814.pdf Description: TOSHIBA - TMPM4KNFYAFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 22Channels
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 24KB
MCU-Baureihe: TMPM4K
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 87I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, UART, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.89 грн
10+548.43 грн
25+513.10 грн
50+465.79 грн
100+414.82 грн
250+401.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3934840.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.30 грн
15+59.52 грн
100+43.89 грн
500+34.20 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M TPN7R006PL,L1Q(M TOSHIBA 3934840.pdf Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.89 грн
500+34.20 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.55 грн
500+46.09 грн
1000+38.68 грн
5000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(S TW060Z120C,S1F(S TOSHIBA 3983300.pdf Description: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1760.10 грн
5+1695.63 грн
10+1631.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T SSM3K339R,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.54 грн
50+31.88 грн
100+25.17 грн
500+16.89 грн
1500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S 3934699.pdf
TK380A65Y,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.50 грн
10+122.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X(S 3934684.pdf
TK2R4A08QM,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.66 грн
10+255.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S 3934733.pdf
TK5A90E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.56 грн
10+127.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S 3934749.pdf
TK6A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.55 грн
10+215.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(M 3934647.pdf
TK16A60W5,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.80 грн
10+159.85 грн
100+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(S 3934683.pdf
TK2K2A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.16 грн
10+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4X(S 3934631.pdf
TK12A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.71 грн
10+263.18 грн
100+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4X(S 3934735.pdf
TK5R1A08QM,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.51 грн
10+90.96 грн
100+71.53 грн
500+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S 3934619.pdf
TK10A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.73 грн
10+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4X(S 3934654.pdf
TK1K0A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.57 грн
16+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(S 3934712.pdf
TK3R2A10PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.98 грн
10+131.59 грн
100+119.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(S 3934650.pdf
TK17A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+407.13 грн
10+393.00 грн
100+262.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X(S 3934655.pdf
TK1K2A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.25 грн
10+107.74 грн
100+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4X(S 3934732.pdf
TK5A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.34 грн
10+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(M 3934746.pdf
TK6A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.93 грн
10+121.87 грн
100+112.16 грн
500+77.33 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK39A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+856.65 грн
5+709.16 грн
10+560.79 грн
50+464.97 грн
100+376.97 грн
250+369.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(S 3934706.pdf
TK3A90E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.56 грн
11+85.31 грн
100+78.95 грн
500+54.21 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(M 3934687.pdf
TK31A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+699.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(S 3934753.pdf
TK6R8A08QM,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.72 грн
10+143.95 грн
100+80.28 грн
500+49.45 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M 3934646.pdf
TK16A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.27 грн
10+153.67 грн
100+145.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4X(M
TK8A25DA,S4X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X(S 3934738.pdf
TK5R3A06PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.76 грн
17+53.25 грн
100+50.43 грн
500+44.28 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX(M 3934616.pdf
TK10A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.97 грн
10+115.69 грн
100+113.92 грн
500+101.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(S 3934645.pdf
TK15A20D,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.86 грн
11+82.04 грн
100+60.58 грн
500+48.88 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4X(S 3934681.pdf
TK290A65Y,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.29 грн
10+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X(S 3934618.pdf
TK10A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.24 грн
10+259.64 грн
100+151.90 грн
500+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T
TLP2310(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.34 грн
15+61.91 грн
25+60.14 грн
50+54.21 грн
100+45.80 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T
TLP2310(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.80 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ(S
TRS12V65H,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+207.54 грн
500+184.51 грн
1000+169.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T 3622445.pdf
SSM6J505NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.70 грн
500+23.21 грн
1000+16.73 грн
3000+15.37 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T 3622445.pdf
SSM6J505NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.52 грн
20+46.36 грн
100+31.70 грн
500+23.21 грн
1000+16.73 грн
3000+15.37 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(S 3934635.pdf
TK13P25D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.89 грн
500+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(TPL,E(T
TLP183(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP183(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 135515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.16 грн
500+34.44 грн
1500+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S 3934661.pdf
TK20N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+621.73 грн
10+604.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(S TOSCS49613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK20V60W,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.48 грн
500+127.11 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(S 3934662.pdf
TK20N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.45 грн
10+425.67 грн
100+294.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S TOSC-S-A0001740315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK20V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.59 грн
10+205.77 грн
100+149.25 грн
500+127.93 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S TOSC-S-A0001740315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK20V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.25 грн
500+127.93 грн
1000+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRS05 3732135.pdf
CRS05
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CRS05 - Schottky-Gleichrichterdiode, Miniatur, 30 V, 1 A, Einfach, 3-2A1A, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 3-2A1A
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CRS05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.57 грн
500+13.53 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(TP,E(O 3622555.pdf
TLP2719(TP,E(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT 3985393.pdf
TCTH012BE,LF(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCTH012BE,LF(CT - Temperatursensor-IC, Thermoflagger, Digital, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Gemessene Temperatur, min.: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-553
Bauform - Sensor: SOT-553
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+23.67 грн
40+22.43 грн
100+18.81 грн
500+14.35 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
TCTH012BE,LF(CT 3985393.pdf
TCTH012BE,LF(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCTH012BE,LF(CT - Temperatursensor-IC, Thermoflagger, Digital, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Gemessene Temperatur, min.: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-553
Bauform - Sensor: SOT-553
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -40°C
Erfassungstemperatur, max.: 125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.81 грн
500+14.35 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(T
SSM6L61NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.55 грн
27+33.38 грн
100+22.17 грн
500+15.83 грн
1000+10.14 грн
5000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(T
SSM6L61NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.17 грн
500+15.83 грн
1000+10.14 грн
5000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH14FU,LJ(CT TC7WH14FU%2CFK%202007.pdf
TC7WH14FU,LJ(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7WH14FU,LJ(CT - Logik-IC, Wechselrichter, Drei, 1 Inputs, 8 Pin(s), SOT-505
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WH
Bauform - Logikbaustein: SOT-505
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.89 грн
48+18.55 грн
100+10.16 грн
500+7.87 грн
1000+5.75 грн
5000+4.84 грн
10000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A60DA(STA4,Q,M) TK3A60DA_datasheet_en_20131101.pdf?did=22751&prodName=TK3A60DA
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+125.41 грн
15+62.00 грн
100+49.90 грн
500+36.08 грн
1000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+753.32 грн
10+675.60 грн
50+588.17 грн
200+517.46 грн
500+452.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK11A65W,S5X(M 3934627.pdf
TK11A65W,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK11A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.33 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.26 грн
11+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false
EVB-TCKE805NA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - EVB-TCKE805NA - Evaluationsboard, TCKE805NA, elektronische Sicherung, Power-Management
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: TCKE805NA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Toshiba
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TCKE805NA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Elektronische Sicherung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6409.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M 3934829.pdf
TPN2R203NC,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.57 грн
12+79.04 грн
100+55.55 грн
500+46.09 грн
1000+38.68 грн
5000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S 3973722.pdf
TPH2R003PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.34 грн
500+42.97 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ(S 3973722.pdf
TPH2R003PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1300 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.39 грн
12+75.77 грн
100+50.34 грн
500+42.97 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ(O 4002396.pdf
XPJR6604PB,LXHQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJR6604PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 660 µohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.30 грн
10+142.19 грн
100+120.11 грн
500+107.43 грн
1000+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM3HQF10BFG(DBB) 3975704.pdf
TMPM3HQF10BFG(DBB)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TMPM3HQF10BFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 21Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: TMPM3H
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 134I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ+ Family TMPM3H Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.17 грн
10+726.82 грн
25+676.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4KNFYAFG(DBB) 3765814.pdf
TMPM4KNFYAFG(DBB)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TMPM4KNFYAFG(DBB) - ARM-MCU, TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 22Channels
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: TXZ+
RAM-Speichergröße: 24KB
MCU-Baureihe: TMPM4K
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 87I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: TXZ Family TMPM4K Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, UART, SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+665.89 грн
10+548.43 грн
25+513.10 грн
50+465.79 грн
100+414.82 грн
250+401.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M 3934840.pdf
TPN7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+73.30 грн
15+59.52 грн
100+43.89 грн
500+34.20 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PL,L1Q(M 3934840.pdf
TPN7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.89 грн
500+34.20 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R203NC,L1Q(M 3934829.pdf
TPN2R203NC,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.55 грн
500+46.09 грн
1000+38.68 грн
5000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(S 3983300.pdf
TW060Z120C,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1760.10 грн
5+1695.63 грн
10+1631.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T
SSM3K339R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.54 грн
50+31.88 грн
100+25.17 грн
500+16.89 грн
1500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 87 174 261 348 435 522 609 696 719 720 721 722 723 724 725 726 727 728 729 783 870 875  [ Наступна Сторінка >> ]