Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (126) > Сторінка 2 з 3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm 014_TP65H070G4RS_1v3-3395631.pdf GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.73 грн
10+508.26 грн
100+341.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG TP65H070LDG Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.10 грн
10+772.90 грн
100+588.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm TP65H070L_4v0-2065507.pdf GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1052.74 грн
10+756.21 грн
100+551.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG TP65H070LSG Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.69 грн
10+614.40 грн
100+589.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm TP65H070L_4v0-2065507.pdf GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.64 грн
10+648.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+588.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.62 грн
10+360.07 грн
100+261.96 грн
500+206.63 грн
1000+205.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PS TP65H100G4PS Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.68 грн
10+406.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG TP65H150BG4JSG Transphorm 011_TP65H150BG4JSG_3v3-3177260.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.60 грн
10+242.66 грн
100+155.76 грн
500+137.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm 010_TP65H150G4LSG_3v5-2900669.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.00 грн
10+350.31 грн
25+295.41 грн
100+248.61 грн
250+240.93 грн
500+216.38 грн
1000+184.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm TP65H150G4LSG_3v1-2900669.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.81 грн
50+305.15 грн
100+282.77 грн
500+247.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.91 грн
10+602.68 грн
50+312.29 грн
100+286.97 грн
250+286.20 грн
500+260.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSG Transphorm TP65H150LSG_v1.pdf Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB TP65H300G4JSGB Transphorm TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+267.66 грн
10+220.60 грн
25+181.08 грн
100+155.76 грн
250+147.32 грн
500+137.35 грн
1000+118.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.78 грн
10+205.60 грн
100+130.44 грн
500+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4jsgb Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4jsgb Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.31 грн
10+216.36 грн
100+152.77 грн
500+117.91 грн
1000+109.73 грн
2000+107.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG TP65H300G4LSG Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.99 грн
10+291.49 грн
100+238.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB TP65H300G4LSGB Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3388028.pdf MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+256.02 грн
10+211.78 грн
25+173.41 грн
100+148.86 грн
250+140.42 грн
500+131.98 грн
1000+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.94 грн
10+198.54 грн
100+126.60 грн
500+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+331.18 грн
10+209.65 грн
100+147.73 грн
500+113.85 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.85 грн
10+230.59 грн
100+164.15 грн
500+127.33 грн
1000+121.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.90 грн
10+228.54 грн
100+146.55 грн
500+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG TP65H480G4JSG Transphorm 004_TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.07 грн
10+205.60 грн
25+168.04 грн
100+144.25 грн
250+142.72 грн
500+120.47 грн
1000+108.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.00 грн
10+185.03 грн
100+129.48 грн
500+99.25 грн
1000+92.10 грн
2000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm 003_TP65H480G4JSGB_1v3-3244301.pdf GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.92 грн
10+174.71 грн
100+110.49 грн
500+92.08 грн
1000+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.71 грн
10+197.02 грн
100+139.98 грн
500+108.67 грн
1000+103.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.11 грн
10+206.48 грн
25+178.78 грн
100+128.91 грн
500+114.33 грн
1000+113.56 грн
2000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSGB-TR TP70H150G4LSGB-TR Transphorm REN_TP65H150G4LSGB_DST_20230323-3536727.pdf GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSG-TR TP70H150G4LSG-TR Transphorm REN_TP65H150G4LSG_DST_20240813-3536733.pdf GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS Transphorm TP90H050WS_2v0-1837943.pdf MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1439.46 грн
10+1249.48 грн
30+1070.39 грн
60+1037.39 грн
120+939.18 грн
270+923.06 грн
510+850.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H180PS TP90H180PS Transphorm datasheet-tp90h180ps-900v-gan-fet Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD3215M TPD3215M Transphorm datasheet-tpd3215m-600v-cascode-gan-module Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LD TPH3202LD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS TPH3202LS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Transphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PD TPH3202PD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202p Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PS TPH3202PS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202p Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSB TPH3205WSB Transphorm TPH3205WS.pdf Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA TPH3205WSBQA Transphorm 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa-2019103-1539027.pdf MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1981.94 грн
10+1801.86 грн
30+1496.24 грн
120+1337.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA TPH3205WSBQA Transphorm 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LD TPH3206LD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3206ld Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDB TPH3206LDB Transphorm tph3206l-20190214.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGB TPH3206LDGB Transphorm tph3206l-20190214.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TR Transphorm tph3206ldg-20180327.pdf Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LS TPH3206LS Transphorm TPH3206LS.pdf Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSB TPH3206LSB Transphorm tph3206l-20190214.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGB Transphorm tph3206lsgb.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PD TPH3206PD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3206pd Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PS TPH3206PS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3206ps Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+839.97 грн
50+451.38 грн
100+416.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSB TPH3206PSB Transphorm tph3206psb-20171130.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR 014_TP65H070G4RS_1v3-3395631.pdf
TP65H070G4RS-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.73 грн
10+508.26 грн
100+341.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LDG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LDG-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LDG-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1142.10 грн
10+772.90 грн
100+588.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070L_4v0-2065507.pdf
TP65H070LDG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1052.74 грн
10+756.21 грн
100+551.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LSG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+826.69 грн
10+614.40 грн
100+589.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070L_4v0-2065507.pdf
TP65H070LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.64 грн
10+648.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+588.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR
TP65H100G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.62 грн
10+360.07 грн
100+261.96 грн
500+206.63 грн
1000+205.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR
TP65H100G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PS
TP65H100G4PS
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.68 грн
10+406.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG 011_TP65H150BG4JSG_3v3-3177260.pdf
TP65H150BG4JSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.60 грн
10+242.66 грн
100+155.76 грн
500+137.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG 010_TP65H150G4LSG_3v5-2900669.pdf
TP65H150G4LSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.00 грн
10+350.31 грн
25+295.41 грн
100+248.61 грн
250+240.93 грн
500+216.38 грн
1000+184.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG_3v1-2900669.pdf
TP65H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet
TP65H150G4PS
Виробник: Transphorm
Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.81 грн
50+305.15 грн
100+282.77 грн
500+247.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf
TP65H150G4PS
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.91 грн
10+602.68 грн
50+312.29 грн
100+286.97 грн
250+286.20 грн
500+260.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSG TP65H150LSG_v1.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.66 грн
10+220.60 грн
25+181.08 грн
100+155.76 грн
250+147.32 грн
500+137.35 грн
1000+118.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.78 грн
10+205.60 грн
100+130.44 грн
500+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR datasheet-tp65h300g4jsgb
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR datasheet-tp65h300g4jsgb
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.31 грн
10+216.36 грн
100+152.77 грн
500+117.91 грн
1000+109.73 грн
2000+107.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.99 грн
10+291.49 грн
100+238.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB TP65H300G4LSGB_0v1-3388028.pdf
TP65H300G4LSGB
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.02 грн
10+211.78 грн
25+173.41 грн
100+148.86 грн
250+140.42 грн
500+131.98 грн
1000+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR datasheet-tp65h300g4lsgb
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.94 грн
10+198.54 грн
100+126.60 грн
500+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR datasheet-tp65h300g4lsgb
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.18 грн
10+209.65 грн
100+147.73 грн
500+113.85 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.85 грн
10+230.59 грн
100+164.15 грн
500+127.33 грн
1000+121.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.90 грн
10+228.54 грн
100+146.55 грн
500+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG 004_TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf
TP65H480G4JSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.07 грн
10+205.60 грн
25+168.04 грн
100+144.25 грн
250+142.72 грн
500+120.47 грн
1000+108.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.00 грн
10+185.03 грн
100+129.48 грн
500+99.25 грн
1000+92.10 грн
2000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR 003_TP65H480G4JSGB_1v3-3244301.pdf
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.92 грн
10+174.71 грн
100+110.49 грн
500+92.08 грн
1000+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR datasheet-tp65h480g4jsg
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR datasheet-tp65h480g4jsg
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.71 грн
10+197.02 грн
100+139.98 грн
500+108.67 грн
1000+103.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.11 грн
10+206.48 грн
25+178.78 грн
100+128.91 грн
500+114.33 грн
1000+113.56 грн
2000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSGB-TR REN_TP65H150G4LSGB_DST_20230323-3536727.pdf
TP70H150G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSG-TR REN_TP65H150G4LSG_DST_20240813-3536733.pdf
TP70H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS_2v0-1837943.pdf
TP90H050WS
Виробник: Transphorm
MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1439.46 грн
10+1249.48 грн
30+1070.39 грн
60+1037.39 грн
120+939.18 грн
270+923.06 грн
510+850.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H180PS datasheet-tp90h180ps-900v-gan-fet
TP90H180PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD3215M datasheet-tpd3215m-600v-cascode-gan-module
TPD3215M
Виробник: Transphorm
Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LD 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
TPH3202LD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
TPH3202LS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
Виробник: Transphorm
Transphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PD 600v-cascode-gan-fet-tph3202p
TPH3202PD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PS 600v-cascode-gan-fet-tph3202p
TPH3202PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSB TPH3205WS.pdf
TPH3205WSB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa-2019103-1539027.pdf
TPH3205WSBQA
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1981.94 грн
10+1801.86 грн
30+1496.24 грн
120+1337.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa
TPH3205WSBQA
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LD 600v-cascode-gan-fet-tph3206ld
TPH3206LD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDB tph3206l-20190214.pdf
TPH3206LDB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGB tph3206l-20190214.pdf
TPH3206LDGB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TR tph3206ldg-20180327.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LS TPH3206LS.pdf
TPH3206LS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSB tph3206l-20190214.pdf
TPH3206LSB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGB tph3206lsgb.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PD 600v-cascode-gan-fet-tph3206pd
TPH3206PD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PS 600v-cascode-gan-fet-tph3206ps
TPH3206PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.97 грн
50+451.38 грн
100+416.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSB tph3206psb-20171130.pdf
TPH3206PSB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]