Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (148) > Сторінка 2 з 3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4lsg Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.51 грн
10+542.14 грн
100+405.16 грн
500+353.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Transphorm 018_TP65H070G4LSG_1v1-3244312.pdf GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.88 грн
10+538.00 грн
100+366.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PS TP65H070G4PS Transphorm 016_TP65H070G4PS_2v1-3177238.pdf GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.72 грн
50+405.46 грн
100+330.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PS TP65H070G4PS Transphorm datasheet-tp65h070g4ps Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.45 грн
50+412.73 грн
100+380.74 грн
500+320.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4qs Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4qs Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.17 грн
10+509.99 грн
100+378.94 грн
500+318.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS-TR Transphorm TP65H070G4QS_1v0_1-3388047.pdf GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm 014_TP65H070G4RS_1v3-3395631.pdf GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.22 грн
10+502.25 грн
100+337.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4rs Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.65 грн
10+506.67 грн
100+377.66 грн
500+325.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR TP65H070G4RS-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4rs Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG TP65H070LDG Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm TP65H070L_4v0-2065507.pdf GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1040.30 грн
10+747.28 грн
100+545.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070LDG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1128.60 грн
10+763.76 грн
100+581.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG TP65H070LSG Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.92 грн
10+607.14 грн
100+582.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm TP65H070L_4v0-2065507.pdf GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+745.72 грн
10+640.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+581.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.08 грн
10+355.82 грн
100+258.87 грн
500+204.19 грн
1000+202.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR TP65H100G4LSGB-TR Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PS TP65H100G4PS Transphorm Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.33 грн
10+402.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG TP65H150BG4JSG Transphorm 011_TP65H150BG4JSG_3v3-3177260.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.42 грн
10+239.79 грн
100+153.92 грн
500+135.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TR TP65H150BG4JSG-TR Transphorm datasheet-tp65h150bg4jsg Description: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.34 грн
10+246.74 грн
100+175.74 грн
500+137.61 грн
1000+131.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TR TP65H150BG4JSG-TR Transphorm datasheet-tp65h150bg4jsg Description: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.34 грн
10+341.52 грн
100+279.82 грн
500+223.54 грн
1000+188.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm 010_TP65H150G4LSG_3v5-2900669.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.15 грн
10+346.17 грн
25+291.92 грн
100+245.67 грн
250+238.09 грн
500+213.82 грн
1000+181.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG TP65H150G4LSG Transphorm datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm TP65H150G4LSG_3v1-2900669.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet Description: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet Description: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.67 грн
10+294.84 грн
100+212.11 грн
500+165.94 грн
1000+159.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.22 грн
10+595.55 грн
50+308.60 грн
100+283.58 грн
250+282.82 грн
500+257.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.33 грн
50+301.54 грн
100+279.43 грн
500+244.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSG Transphorm TP65H150LSG_v1.pdf Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB TP65H300G4JSGB Transphorm TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+264.50 грн
10+217.99 грн
25+178.94 грн
100+153.92 грн
250+145.58 грн
500+135.72 грн
1000+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.23 грн
10+203.17 грн
100+128.90 грн
500+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4jsgb Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4jsgb Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.28 грн
10+213.81 грн
100+150.97 грн
500+116.52 грн
1000+108.44 грн
2000+105.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG TP65H300G4LSG Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.00 грн
10+288.05 грн
100+235.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB TP65H300G4LSGB Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3388028.pdf MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+253.00 грн
10+209.27 грн
25+171.36 грн
100+147.10 грн
250+138.76 грн
500+130.42 грн
1000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.50 грн
10+196.19 грн
100+125.11 грн
500+105.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h300g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.26 грн
10+207.17 грн
100+145.98 грн
500+112.51 грн
1000+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.45 грн
10+227.86 грн
100+162.21 грн
500+125.82 грн
1000+119.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.96 грн
10+225.84 грн
100+144.82 грн
500+125.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG TP65H480G4JSG Transphorm 004_TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.15 грн
10+203.17 грн
25+166.05 грн
100+142.55 грн
250+141.03 грн
500+119.04 грн
1000+107.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm 003_TP65H480G4JSGB_1v3-3244301.pdf GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.88 грн
10+172.65 грн
100+109.19 грн
500+90.99 грн
1000+89.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.53 грн
10+182.84 грн
100+127.95 грн
500+98.08 грн
1000+91.01 грн
2000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm datasheet-tp65h480g4jsg Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.88 грн
10+194.69 грн
100+138.32 грн
500+107.39 грн
1000+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.38 грн
10+204.04 грн
25+176.67 грн
100+127.38 грн
500+112.98 грн
1000+112.22 грн
2000+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSGB-TR TP70H150G4LSGB-TR Transphorm REN_TP65H150G4LSGB_DST_20230323-3536727.pdf GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSG-TR TP70H150G4LSG-TR Transphorm REN_TP65H150G4LSG_DST_20240813-3536733.pdf GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS Transphorm tp90h050ws-1.pdf Description: GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS Transphorm TP90H050WS_2v0-1837943.pdf MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1422.44 грн
10+1234.71 грн
30+1057.73 грн
60+1025.13 грн
120+928.08 грн
270+912.15 грн
510+840.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H180PS TP90H180PS Transphorm datasheet-tp90h180ps-900v-gan-fet Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD3215M TPD3215M Transphorm datasheet-tpd3215m-600v-cascode-gan-module Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LD TPH3202LD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS TPH3202LS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR datasheet-tp65h070g4lsg
TP65H070G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.51 грн
10+542.14 грн
100+405.16 грн
500+353.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4LSG-TR 018_TP65H070G4LSG_1v1-3244312.pdf
TP65H070G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.88 грн
10+538.00 грн
100+366.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PS 016_TP65H070G4PS_2v1-3177238.pdf
TP65H070G4PS
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.72 грн
50+405.46 грн
100+330.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4PS datasheet-tp65h070g4ps
TP65H070G4PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+773.45 грн
50+412.73 грн
100+380.74 грн
500+320.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TR datasheet-tp65h070g4qs
TP65H070G4QS-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TR datasheet-tp65h070g4qs
TP65H070G4QS-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+770.17 грн
10+509.99 грн
100+378.94 грн
500+318.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4QS-TR TP65H070G4QS_1v0_1-3388047.pdf
TP65H070G4QS-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR 014_TP65H070G4RS_1v3-3395631.pdf
TP65H070G4RS-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.22 грн
10+502.25 грн
100+337.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR datasheet-tp65h070g4rs
TP65H070G4RS-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.65 грн
10+506.67 грн
100+377.66 грн
500+325.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070G4RS-TR datasheet-tp65h070g4rs
TP65H070G4RS-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LDG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR TP65H070L_4v0-2065507.pdf
TP65H070LDG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.30 грн
10+747.28 грн
100+545.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LDG-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LDG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LDG-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1128.60 грн
10+763.76 грн
100+581.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LSG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.92 грн
10+607.14 грн
100+582.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR TP65H070L_4v0-2065507.pdf
TP65H070LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.72 грн
10+640.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H070LSG-TR datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TP65H070LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+581.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR
TP65H100G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.08 грн
10+355.82 грн
100+258.87 грн
500+204.19 грн
1000+202.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4LSGB-TR
TP65H100G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H100G4PS
TP65H100G4PS
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.33 грн
10+402.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG 011_TP65H150BG4JSG_3v3-3177260.pdf
TP65H150BG4JSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.42 грн
10+239.79 грн
100+153.92 грн
500+135.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TR datasheet-tp65h150bg4jsg
TP65H150BG4JSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.34 грн
10+246.74 грн
100+175.74 грн
500+137.61 грн
1000+131.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150BG4JSG-TR datasheet-tp65h150bg4jsg
TP65H150BG4JSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 6V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet
TP65H150G4LSG
Виробник: Transphorm
Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.34 грн
10+341.52 грн
100+279.82 грн
500+223.54 грн
1000+188.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG 010_TP65H150G4LSG_3v5-2900669.pdf
TP65H150G4LSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.15 грн
10+346.17 грн
25+291.92 грн
100+245.67 грн
250+238.09 грн
500+213.82 грн
1000+181.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet
TP65H150G4LSG
Виробник: Transphorm
Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG_3v1-2900669.pdf
TP65H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet
TP65H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR datasheet-tp65h150g4lsg-650v-gan-fet
TP65H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 13 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.67 грн
10+294.84 грн
100+212.11 грн
500+165.94 грн
1000+159.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf
TP65H150G4PS
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.22 грн
10+595.55 грн
50+308.60 грн
100+283.58 грн
250+282.82 грн
500+257.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet
TP65H150G4PS
Виробник: Transphorm
Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.33 грн
50+301.54 грн
100+279.43 грн
500+244.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSG TP65H150LSG_v1.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.50 грн
10+217.99 грн
25+178.94 грн
100+153.92 грн
250+145.58 грн
500+135.72 грн
1000+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.23 грн
10+203.17 грн
100+128.90 грн
500+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR datasheet-tp65h300g4jsgb
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR datasheet-tp65h300g4jsgb
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 400 V
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.28 грн
10+213.81 грн
100+150.97 грн
500+116.52 грн
1000+108.44 грн
2000+105.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.00 грн
10+288.05 грн
100+235.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB TP65H300G4LSGB_0v1-3388028.pdf
TP65H300G4LSGB
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.00 грн
10+209.27 грн
25+171.36 грн
100+147.10 грн
250+138.76 грн
500+130.42 грн
1000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR datasheet-tp65h300g4lsgb
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.50 грн
10+196.19 грн
100+125.11 грн
500+105.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR datasheet-tp65h300g4lsgb
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 6.5A, 6V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.26 грн
10+207.17 грн
100+145.98 грн
500+112.51 грн
1000+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.45 грн
10+227.86 грн
100+162.21 грн
500+125.82 грн
1000+119.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.96 грн
10+225.84 грн
100+144.82 грн
500+125.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+129.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG 004_TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf
TP65H480G4JSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.15 грн
10+203.17 грн
25+166.05 грн
100+142.55 грн
250+141.03 грн
500+119.04 грн
1000+107.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR 003_TP65H480G4JSGB_1v3-3244301.pdf
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.88 грн
10+172.65 грн
100+109.19 грн
500+90.99 грн
1000+89.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR datasheet-tp65h480g4jsgb-650v-gan-fet
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3A, 6V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 400 V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.53 грн
10+182.84 грн
100+127.95 грн
500+98.08 грн
1000+91.01 грн
2000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR datasheet-tp65h480g4jsg
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR datasheet-tp65h480g4jsg
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 13.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.88 грн
10+194.69 грн
100+138.32 грн
500+107.39 грн
1000+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.38 грн
10+204.04 грн
25+176.67 грн
100+127.38 грн
500+112.98 грн
1000+112.22 грн
2000+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSGB-TR REN_TP65H150G4LSGB_DST_20230323-3536727.pdf
TP70H150G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSG-TR REN_TP65H150G4LSG_DST_20240813-3536733.pdf
TP70H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS tp90h050ws-1.pdf
TP90H050WS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS_2v0-1837943.pdf
TP90H050WS
Виробник: Transphorm
MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1422.44 грн
10+1234.71 грн
30+1057.73 грн
60+1025.13 грн
120+928.08 грн
270+912.15 грн
510+840.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H180PS datasheet-tp90h180ps-900v-gan-fet
TP90H180PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD3215M datasheet-tpd3215m-600v-cascode-gan-module
TPD3215M
Виробник: Transphorm
Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LD 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
TPH3202LD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
TPH3202LS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]