Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (103) > Сторінка 2 з 2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG-TR Transphorm TP65H150G4LSG_3v1-2900669.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.13 грн
10+547.24 грн
50+283.57 грн
100+260.57 грн
250+259.88 грн
500+236.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSG Transphorm TP65H150LSG_v1.pdf Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB TP65H300G4JSGB Transphorm TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+243.04 грн
10+200.31 грн
25+164.43 грн
100+141.44 грн
250+133.77 грн
500+124.71 грн
1000+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR TP65H300G4JSGB-TR Transphorm 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.12 грн
10+186.69 грн
100+118.44 грн
500+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG TP65H300G4LSG Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
10+275.27 грн
100+225.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB TP65H300G4LSGB Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3388028.pdf MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+232.47 грн
10+192.30 грн
25+157.46 грн
100+135.16 грн
250+127.50 грн
500+119.84 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB-TR Transphorm TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.17 грн
10+180.28 грн
100+114.96 грн
500+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
10+217.76 грн
100+155.02 грн
500+120.24 грн
1000+114.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.19 грн
10+207.52 грн
100+133.07 грн
500+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+124.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG TP65H480G4JSG Transphorm 004_TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.35 грн
10+186.69 грн
25+152.58 грн
100+130.98 грн
250+129.59 грн
500+109.39 грн
1000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR TP65H480G4JSGB-TR Transphorm 003_TP65H480G4JSGB_1v3-3244301.pdf GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.29 грн
10+158.64 грн
100+100.33 грн
500+83.61 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR TP65H480G4JSG-TR Transphorm REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.12 грн
10+187.49 грн
25+162.34 грн
100+117.05 грн
500+103.81 грн
1000+103.12 грн
2000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSGB-TR TP70H150G4LSGB-TR Transphorm REN_TP65H150G4LSGB_DST_20230323-3536727.pdf GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSG-TR TP70H150G4LSG-TR Transphorm REN_TP65H150G4LSG_DST_20240813-3536733.pdf GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS Transphorm TP90H050WS_2v0-1837943.pdf MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.05 грн
10+1134.55 грн
30+971.93 грн
60+941.97 грн
120+852.79 грн
270+838.16 грн
510+772.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H180PS TP90H180PS Transphorm datasheet-tp90h180ps-900v-gan-fet Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD3215M TPD3215M Transphorm datasheet-tpd3215m-600v-cascode-gan-module Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LD TPH3202LD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS TPH3202LS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202l Transphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PD TPH3202PD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202p Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PS TPH3202PS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3202p Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSB TPH3205WSB Transphorm TPH3205WS.pdf Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA TPH3205WSBQA Transphorm 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA TPH3205WSBQA Transphorm 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa-2019103-1539027.pdf MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1799.64 грн
10+1636.12 грн
30+1358.61 грн
120+1214.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LD TPH3206LD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3206ld Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDB TPH3206LDB Transphorm tph3206l-20190214.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGB TPH3206LDGB Transphorm tph3206l-20190214.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TR Transphorm tph3206ldg-20180327.pdf Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LS TPH3206LS Transphorm TPH3206LS.pdf Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSB TPH3206LSB Transphorm tph3206l-20190214.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGB Transphorm tph3206lsgb.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PD TPH3206PD Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3206pd Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PS TPH3206PS Transphorm 600v-cascode-gan-fet-tph3206ps Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.22 грн
50+426.26 грн
100+393.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSB TPH3206PSB Transphorm 50v-cascode-gan-fet-tph3206psb-20171130-1539029.pdf MOSFET 650V, 150mO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSB TPH3206PSB Transphorm tph3206psb-20171130.pdf Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WS Transphorm tph3207w-20180717.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WS TPH3207WS Transphorm tph3207w-20180717.pdf Description: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSG TPH3208LSG Transphorm tph3208l-20180526.pdf Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PS TPH3208PS Transphorm 650v_cascode_gan_fet_tph3208ps_20210308-1539033.pdf MOSFET GAN FET 650V 20A TO220
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PS TPH3212PS Transphorm 650v-cascode-gan-fet-tph3212p Description: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4LSG-TR TP65H150G4LSG_3v1-2900669.pdf
TP65H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150G4PS REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf
TP65H150G4PS
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.13 грн
10+547.24 грн
50+283.57 грн
100+260.57 грн
250+259.88 грн
500+236.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H150LSG TP65H150LSG_v1.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.04 грн
10+200.31 грн
25+164.43 грн
100+141.44 грн
250+133.77 грн
500+124.71 грн
1000+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4JSGB-TR 007_TP65H300G4JSGB_1V0-3244319.pdf
TP65H300G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.12 грн
10+186.69 грн
100+118.44 грн
500+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.23 грн
10+275.27 грн
100+225.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB TP65H300G4LSGB_0v1-3388028.pdf
TP65H300G4LSGB
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.47 грн
10+192.30 грн
25+157.46 грн
100+135.16 грн
250+127.50 грн
500+119.84 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSGB-TR TP65H300G4LSGB_0v1-3359785.pdf
TP65H300G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.17 грн
10+180.28 грн
100+114.96 грн
500+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.15 грн
10+217.76 грн
100+155.02 грн
500+120.24 грн
1000+114.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 240mOhm
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.19 грн
10+207.52 грн
100+133.07 грн
500+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf
TP65H300G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+124.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG 004_TP65H480G4JSG_3v3-1920428.pdf
TP65H480G4JSG
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.35 грн
10+186.69 грн
25+152.58 грн
100+130.98 грн
250+129.59 грн
500+109.39 грн
1000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSGB-TR 003_TP65H480G4JSGB_1v3-3244301.pdf
TP65H480G4JSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.29 грн
10+158.64 грн
100+100.33 грн
500+83.61 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP65H480G4JSG-TR REN_TP65H480G4JSG_DST_20230912-1920428.pdf
TP65H480G4JSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.12 грн
10+187.49 грн
25+162.34 грн
100+117.05 грн
500+103.81 грн
1000+103.12 грн
2000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSGB-TR REN_TP65H150G4LSGB_DST_20230323-3536727.pdf
TP70H150G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP70H150G4LSG-TR REN_TP65H150G4LSG_DST_20240813-3536733.pdf
TP70H150G4LSG-TR
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H050WS TP90H050WS_2v0-1837943.pdf
TP90H050WS
Виробник: Transphorm
MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1307.05 грн
10+1134.55 грн
30+971.93 грн
60+941.97 грн
120+852.79 грн
270+838.16 грн
510+772.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TP90H180PS datasheet-tp90h180ps-900v-gan-fet
TP90H180PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPD3215M datasheet-tpd3215m-600v-cascode-gan-module
TPD3215M
Виробник: Transphorm
Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LD 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
TPH3202LD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
TPH3202LS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202LS 600v-cascode-gan-fet-tph3202l
Виробник: Transphorm
Transphorm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PD 600v-cascode-gan-fet-tph3202p
TPH3202PD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3202PS 600v-cascode-gan-fet-tph3202p
TPH3202PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSB TPH3205WS.pdf
TPH3205WSB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa
TPH3205WSBQA
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3205WSBQA 650v-aec-q101-cascode-gan-fet-tph3205wsbqa-2019103-1539027.pdf
TPH3205WSBQA
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1799.64 грн
10+1636.12 грн
30+1358.61 грн
120+1214.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LD 600v-cascode-gan-fet-tph3206ld
TPH3206LD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDB tph3206l-20190214.pdf
TPH3206LDB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDGB tph3206l-20190214.pdf
TPH3206LDGB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LDG-TR tph3206ldg-20180327.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LS TPH3206LS.pdf
TPH3206LS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSB tph3206l-20190214.pdf
TPH3206LSB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206LSGB tph3206lsgb.pdf
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PD 600v-cascode-gan-fet-tph3206pd
TPH3206PD
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PS 600v-cascode-gan-fet-tph3206ps
TPH3206PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.22 грн
50+426.26 грн
100+393.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSB 50v-cascode-gan-fet-tph3206psb-20171130-1539029.pdf
TPH3206PSB
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 150mO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3206PSB tph3206psb-20171130.pdf
TPH3206PSB
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WS tph3207w-20180717.pdf
Виробник: Transphorm
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3207WS tph3207w-20180717.pdf
TPH3207WS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208LSG tph3208l-20180526.pdf
TPH3208LSG
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3208PS 650v_cascode_gan_fet_tph3208ps_20210308-1539033.pdf
TPH3208PS
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 20A TO220
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3212PS 650v-cascode-gan-fet-tph3212p
TPH3212PS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2