Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (68) > Сторінка 1 з 2
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TDADP-USBC-65W-KIT | Transphorm |
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO Power - Output: 65 W Part Status: Obsolete Outputs and Type: 1, Isolated Main Purpose: AC/DC Converter Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W Board Type: Fully Populated Voltage - Output: 25V Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
 |
TDAIO250P200-KIT | Transphorm |
 Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KITPackaging: Bulk Voltage - Output: 12V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 20A Frequency - Switching: 200kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3202PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 250 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDHBG1200DC100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS Power - Output: 2.5kW Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Main Purpose: DC/DC Converter Utilized IC / Part: TPH3212PS Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Contents: Board(s), Power Supply Current - Output: 16.5A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 1kW inverter |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT Packaging: Bulk Power - Output: 1 kW Part Status: Obsolete Outputs and Type: 1, Isolated Main Purpose: DC/AC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TPH3206PSB Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Inverting Frequency - Switching: 100kHz Current - Output: 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW inverter |
на замовлення 12 шт: термін постачання 246-255 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TDINV3000W50B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
 |
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDPS1000E0E10-KIT | Transphorm |
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT Power - Output: 1 kW Part Status: Obsolete Outputs and Type: 1, Non-Isolated Main Purpose: DC/DC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TPH3206PS Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Packaging: Bulk Current - Output: 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDPV1000E0C1-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT Power - Output: 1 kW Part Status: Discontinued at Digi-Key Outputs and Type: 1, Isolated Main Purpose: DC/AC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TPH3206PS Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Inverting Frequency - Switching: 100kHz Current - Output: 10A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS Packaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Contents: Board(s) Frequency - Switching: 100kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3212PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Obsolete Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TDTTP4000 | Transphorm | Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
 |
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN Contents: Board(s) Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN Power - Output: 4 kW Part Status: Active Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Supplied Contents: Board(s) Board Type: Fully Populated Frequency - Switching: 65kHz Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Voltage - Output: 387V Packaging: Bulk |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TDTTP4000W066C-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H035G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H150BG4JSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6 |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H150G4LSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TP65H150G4LSG-TR | Transphorm |
MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H150G4PS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TP65H150LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
 |
TP65H300G4JSGB | Transphorm |
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TP65H300G4JSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6 |
на замовлення 6909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H300G4LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP65H300G4LSGB | Transphorm |
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H300G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H300G4LSG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TP65H300G4LSG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TP65H480G4JSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56 |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TP65H480G4JSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6 |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP65H480G4JSG-TR | Transphorm |
GaN FETs 650V, 480mOhm |
на замовлення 3113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP70H150G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TP70H150G4LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP90H050WS | Transphorm |
MOSFET 900V, 50mOhm |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TP90H180PS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TPD3215M | Transphorm |
Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Power - Max: 470W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TPH3202LD | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN Packaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TPH3202LS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN Packaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TPH3202LS | Transphorm |
Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
TPH3202PD | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TPH3202PS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TPH3205WSB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TPH3205WSBQA | Transphorm |
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TPH3205WSBQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 540 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
.jpg "TPH3206LD") |
TPH3206LD | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN Packaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TPH3206LDB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerDFN Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TPH3206LDGB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TPH3206LDG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN Packaging: Tray Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
.jpg "TPH3206LS") |
TPH3206LS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TPH3206LSB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TPH3206LSGB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN Packaging: Tray Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
TPH3206PD | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TDADP-USBC-65W-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Power - Output: 65 W
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: AC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Board Type: Fully Populated
Voltage - Output: 25V
Packaging: Bulk
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Power - Output: 65 W
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: AC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Board Type: Fully Populated
Voltage - Output: 25V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDAIO250P200-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDHB-65H070L-DC |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDHBG1200DC100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDHBG2500P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDHBG2500P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Power - Output: 2.5kW
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/DC Converter
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Contents: Board(s), Power Supply
Current - Output: 16.5A
Packaging: Bulk
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Power - Output: 2.5kW
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/DC Converter
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Contents: Board(s), Power Supply
Current - Output: 16.5A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDINV1000P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV3000W050B-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDINV3000W050-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 246-255 дні (днів)
| TDINV3000W50B-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDINV3500P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDINV3500P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDPS1000E0E10-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDPV1000E0C1-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
Packaging: Bulk
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500B066B-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDTTP2500P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDTTP4000W065AN-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Power - Output: 4 kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Supplied Contents: Board(s)
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 65kHz
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Voltage - Output: 387V
Packaging: Bulk
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Power - Output: 4 kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Supplied Contents: Board(s)
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 65kHz
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Voltage - Output: 387V
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 84966.30 грн |
| TDTTP4000W066B-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TDTTP4000W066C-KIT |
|
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H035G4QS-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H150BG4JSG |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H150G4LSG |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H150G4LSG-TR |
|
Виробник: Transphorm
MOSFET
MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H150G4PS |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H150LSG |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H300G4JSGB |
|
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
| TP65H300G4JSGB-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H300G4LSG |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 314.61 грн |
| 10+ | 272.14 грн |
| 100+ | 222.96 грн |
| TP65H300G4LSGB |
|
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
| TP65H300G4LSGB-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H300G4LSG-TR |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 347.16 грн |
| 10+ | 215.28 грн |
| 100+ | 153.26 грн |
| 500+ | 118.87 грн |
| 1000+ | 113.36 грн |
| TP65H300G4LSG-TR |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 122.76 грн |
| TP65H480G4JSG |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H480G4JSGB-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP65H480G4JSG-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 480mOhm
GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP70H150G4LSGB-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP70H150G4LSG-TR |
|
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP90H050WS |
|
Виробник: Transphorm
MOSFET 900V, 50mOhm
MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TP90H180PS |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
Description: GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPD3215M |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Description: GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max: 470W
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 8V
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3202LD |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3202LS |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3202PD |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3202PS |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3205WSB |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3205WSBQA |
|
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TPH3205WSBQA |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LD |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LDB |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerDFN
Packaging: Tube
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LDGB |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LDG-TR |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LS |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Description: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LSB |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LSGB |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206PD |
|
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 835.35 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]