Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (126) > Сторінка 1 з 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TDADP-USBC-65W-KIT | Transphorm |
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO Packaging: Bulk Voltage - Output: 25V Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 65 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
TDAIO250P200-KIT | Transphorm |
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KITPackaging: Bulk Voltage - Output: 12V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 20A Frequency - Switching: 200kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3202PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 250 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARDPackaging: Bulk Current - Output: 16A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H070L Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDHBG1200DC100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDHBG1200DC100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H070LPackaging: Bulk Current - Output: 16A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H070L Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 1.2kW Contents: Board(s) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Current - Output: 16.5A Contents: Board(s), Power Supply Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Utilized IC / Part: TPH3212PS Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 1kW inverter |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Frequency - Switching: 100kHz Regulator Topology: Inverting Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PSB Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WSPackaging: Box Voltage - Input: 400V Frequency - Switching: 50kHz Regulator Topology: Full-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H050G4WS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/AC Inverter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 3 kW Contents: Board(s) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW inverter |
на замовлення 12 шт: термін постачання 246-255 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 22A Frequency - Switching: 50kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H050WS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Power - Output: 3 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TDINV3000W50B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDPS1000E0E10-KIT | Transphorm |
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDPV1000E0C1-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Frequency - Switching: 100kHz Regulator Topology: Inverting Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS Packaging: Bulk Voltage - Output: 390V Frequency - Switching: 66kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H050G4BS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 2.5kW Contents: Board(s) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Contents: Board(s) Frequency - Switching: 100kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3212PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Obsolete Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TDTTP4000 | Transphorm | Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065ANPackaging: Bulk Voltage - Output: 387V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Frequency - Switching: 65kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 4 kW Contents: Board(s) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 15A Contents: Board(s), Power Supply Frequency - Switching: 66kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H035WS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Power - Output: 4kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TDTTP4000W066C-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TP65H015G5WS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TP65H035G4WS | Transphorm |
GaN FETs 650V, 35mOhm |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035G4WSQA | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247 |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035G4WSQA | Transphorm |
Description: 650 V 46.5 GAN FETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035WS | Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035WSQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H035WSQA | Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050G4BS | Transphorm |
GaN FETs 650V, 50mOhm |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050G4QS-TR | Transphorm |
Description: 650 V 34 A GAN FETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TP65H050G4QS-TR | Transphorm |
Description: 650 V 34 A GAN FETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TP65H050G4WS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247 |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050G4YS | Transphorm |
Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050G4YS | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4 |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050WS | Transphorm |
MOSFET 650V, 50mOhm |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050WSQA | Transphorm |
GaN FETs 650V, 50mOhm |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H050WSQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4LSGB-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TP65H070G4LSGB-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4LSG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4LSG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
TP65H070G4PS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220 |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4PS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TP65H070G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TP65H070G4RS-TR | Transphorm |
Description: 650 V 29 A GAN FETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TOLT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TP65H070G4RS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TDADP-USBC-65W-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDAIO250P200-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13243.01 грн |
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11981.42 грн |
| TDHBG1200DC100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31245.67 грн |
| TDHBG1200DC100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H070L
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 1.2kW
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR TP65H070L
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 1.2kW
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26336.90 грн |
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Current - Output: 16.5A
Contents: Board(s), Power Supply
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Current - Output: 16.5A
Contents: Board(s), Power Supply
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 74284.83 грн |
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Packaging: Box
Voltage - Input: 400V
Frequency - Switching: 50kHz
Regulator Topology: Full-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/AC Inverter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 3 kW
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Packaging: Box
Voltage - Input: 400V
Frequency - Switching: 50kHz
Regulator Topology: Full-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/AC Inverter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 3 kW
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 65096.60 грн |
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 246-255 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 67894.74 грн |
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 22A
Frequency - Switching: 50kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 3 kW
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 22A
Frequency - Switching: 50kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 3 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV3000W50B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 74284.83 грн |
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDPS1000E0E10-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDPV1000E0C1-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500B066B-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 2.5kW
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 2.5kW
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500B066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 114704.52 грн |
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 91861.61 грн |
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Contents: Board(s), Power Supply
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 4kW
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Contents: Board(s), Power Supply
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 4kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W066C-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H015G5WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2764.94 грн |
| 30+ | 1786.68 грн |
| 120+ | 1549.76 грн |
| TP65H035G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H035G4WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 35mOhm
GaN FETs 650V, 35mOhm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1409.58 грн |
| 30+ | 911.15 грн |
| TP65H035G4WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1495.42 грн |
| 30+ | 980.63 грн |
| TP65H035G4WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1554.95 грн |
| 30+ | 941.44 грн |
| 120+ | 847.41 грн |
| TP65H035WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1279.31 грн |
| 30+ | 1042.93 грн |
| 120+ | 985.50 грн |
| TP65H035WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1688.78 грн |
| 10+ | 1535.51 грн |
| 120+ | 1140.06 грн |
| 510+ | 1035.50 грн |
| 1020+ | 974.31 грн |
| TP65H035WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1648.78 грн |
| 60+ | 1315.82 грн |
| 120+ | 1233.58 грн |
| TP65H035WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1800.83 грн |
| 10+ | 1637.94 грн |
| 120+ | 1215.96 грн |
| 510+ | 1103.65 грн |
| 1020+ | 1039.37 грн |
| TP65H050G4BS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 50mOhm
GaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1058.09 грн |
| 50+ | 636.83 грн |
| TP65H050G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H050G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 950.90 грн |
| 10+ | 636.13 грн |
| 100+ | 478.52 грн |
| 500+ | 417.24 грн |
| TP65H050G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H050G4WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1179.17 грн |
| 30+ | 751.72 грн |
| 510+ | 634.31 грн |
| TP65H050G4YS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Description: 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1234.07 грн |
| 10+ | 839.84 грн |
| TP65H050G4YS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1179.17 грн |
| 10+ | 850.59 грн |
| 30+ | 738.87 грн |
| 270+ | 634.31 грн |
| TP65H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 50mOhm
MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1493.61 грн |
| 10+ | 1352.93 грн |
| 120+ | 1014.59 грн |
| 510+ | 883.70 грн |
| 1020+ | 842.65 грн |
| 2520+ | 821.74 грн |
| TP65H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1198.88 грн |
| 30+ | 800.90 грн |
| TP65H050WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 50mOhm
GaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1506.26 грн |
| 10+ | 1419.73 грн |
| 30+ | 855.82 грн |
| TP65H050WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1410.85 грн |
| TP65H070G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 850.27 грн |
| 10+ | 604.76 грн |
| 100+ | 420.55 грн |
| TP65H070G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 929.95 грн |
| 10+ | 608.70 грн |
| 100+ | 457.15 грн |
| 500+ | 405.13 грн |
| TP65H070G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 776.17 грн |
| 10+ | 549.54 грн |
| 100+ | 374.86 грн |
| TP65H070G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 850.36 грн |
| 10+ | 553.76 грн |
| 100+ | 413.85 грн |
| 500+ | 360.92 грн |
| TP65H070G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070G4PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 714.73 грн |
| 50+ | 414.16 грн |
| 100+ | 337.68 грн |
| TP65H070G4PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 790.04 грн |
| 50+ | 421.58 грн |
| 100+ | 388.90 грн |
| 500+ | 326.87 грн |
| TP65H070G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070G4RS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 798.42 грн |
| 10+ | 517.54 грн |
| 100+ | 385.76 грн |
| 500+ | 332.04 грн |
| TP65H070G4RS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 726.48 грн |
| 10+ | 513.02 грн |
| 100+ | 344.65 грн |









































