Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (53) > Сторінка 1 з 1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TDADP-USBC-65W-KIT | Transphorm |
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO Packaging: Bulk Voltage - Output: 25V Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 65 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TDAIO250P200-KIT | Transphorm |
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KITPackaging: Bulk Voltage - Output: 12V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 20A Frequency - Switching: 200kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3202PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 250 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card |
на замовлення 3 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Current - Output: 16.5A Contents: Board(s), Power Supply Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Utilized IC / Part: TPH3212PS Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 7 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Frequency - Switching: 100kHz Regulator Topology: Inverting Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PSB Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 1kW inverter |
на замовлення 6 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC |
на замовлення 6 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW inverter |
на замовлення 12 шт: термін постачання 256-265 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TDINV3000W50B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDPS1000E0E10-KIT | Transphorm |
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDPV1000E0C1-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Frequency - Switching: 100kHz Regulator Topology: Inverting Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Contents: Board(s) Frequency - Switching: 100kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3212PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Obsolete Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TDTTP4000 | Transphorm | Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065ANPackaging: Bulk Voltage - Output: 387V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Contents: Board(s) Frequency - Switching: 65kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 4 kW |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W066C-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H035G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TP65H150BG4JSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6 |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H150G4LSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H150G4LSG-TR | Transphorm |
MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TP65H150G4PS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TP65H150LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TP65H300G4JSGB | Transphorm |
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 143-152 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H300G4JSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6 |
на замовлення 6909 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H300G4LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H300G4LSGB | Transphorm |
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 143-152 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H300G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H300G4LSG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V |
на замовлення 6351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H300G4LSG-TR | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H480G4JSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56 |
на замовлення 984 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H480G4JSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6 |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H480G4JSG-TR | Transphorm |
GaN FETs 650V, 480mOhm |
на замовлення 3113 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP70H150G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TP70H150G4LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP90H050WS | Transphorm |
MOSFET 900V, 50mOhm |
на замовлення 297 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TPH3202LS | Transphorm |
Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TPH3205WSBQA | Transphorm |
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TPH3206LDB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFNPackaging: Tube Package / Case: 4-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TPH3206LDGB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFNPackaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPH3206LSGB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFNPackaging: Tray Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TPH3206PSB | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TPH3206PSB | Transphorm |
MOSFET 650V, 150mO |
на замовлення 514 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPH3207WS | Transphorm |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TPH3207WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TPH3208LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNPackaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TPH3208PS | Transphorm |
MOSFET GAN FET 650V 20A TO220 |
на замовлення 301 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TPH3212PS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 27A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TDADP-USBC-65W-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDAIO250P200-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11313.61 грн |
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Current - Output: 16.5A
Contents: Board(s), Power Supply
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Current - Output: 16.5A
Contents: Board(s), Power Supply
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 70144.39 грн |
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 256-265 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 64110.46 грн |
| TDINV3000W50B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 70144.39 грн |
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TDPS1000E0E10-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDPV1000E0C1-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500B066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 108311.19 грн |
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 84572.95 грн |
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TDTTP4000W066C-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H035G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H150BG4JSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.02 грн |
| 10+ | 231.28 грн |
| 100+ | 148.46 грн |
| 500+ | 130.91 грн |
| TP65H150G4LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 390.77 грн |
| 10+ | 333.89 грн |
| 25+ | 281.56 грн |
| 100+ | 236.95 грн |
| 250+ | 229.64 грн |
| 500+ | 206.23 грн |
| 1000+ | 175.52 грн |
| TP65H150G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET
MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H150G4PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 619.43 грн |
| 10+ | 574.42 грн |
| 50+ | 297.65 грн |
| 100+ | 273.52 грн |
| 250+ | 272.78 грн |
| 500+ | 247.92 грн |
| TP65H150LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Description: GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H300G4JSGB |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 143-152 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.11 грн |
| 10+ | 210.26 грн |
| 25+ | 172.59 грн |
| 100+ | 148.46 грн |
| 250+ | 140.41 грн |
| 500+ | 130.91 грн |
| 1000+ | 112.62 грн |
| TP65H300G4JSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 9.2A QFN5x6
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 286.68 грн |
| 10+ | 195.96 грн |
| 100+ | 124.33 грн |
| 500+ | 106.77 грн |
| TP65H300G4LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 313.16 грн |
| 10+ | 270.88 грн |
| 100+ | 221.93 грн |
| TP65H300G4LSGB |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
MOSFETs Gan FET 650 V 6.5 A PQFN88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 143-152 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.02 грн |
| 10+ | 201.85 грн |
| 25+ | 165.28 грн |
| 100+ | 141.88 грн |
| 250+ | 133.83 грн |
| 500+ | 125.79 грн |
| 1000+ | 108.24 грн |
| TP65H300G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 6.5A QFN8x8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.29 грн |
| 10+ | 189.23 грн |
| 100+ | 120.67 грн |
| 500+ | 101.65 грн |
| TP65H300G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 345.55 грн |
| 10+ | 214.28 грн |
| 100+ | 152.55 грн |
| 500+ | 118.32 грн |
| 1000+ | 112.84 грн |
| TP65H300G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 122.19 грн |
| TP65H480G4JSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
GaN FETs GAN FET 650V 3.6 A PQFN56
на замовлення 984 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 235.49 грн |
| 10+ | 195.96 грн |
| 25+ | 160.16 грн |
| 100+ | 137.49 грн |
| 250+ | 136.03 грн |
| 500+ | 114.82 грн |
| 1000+ | 103.85 грн |
| TP65H480G4JSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 3.6A QFN5x6
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.87 грн |
| 10+ | 166.52 грн |
| 100+ | 105.31 грн |
| 500+ | 87.76 грн |
| 1000+ | 86.30 грн |
| TP65H480G4JSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 480mOhm
GaN FETs 650V, 480mOhm
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.33 грн |
| 10+ | 196.80 грн |
| 25+ | 170.40 грн |
| 100+ | 122.86 грн |
| 500+ | 108.97 грн |
| 1000+ | 108.24 грн |
| 2000+ | 100.92 грн |
| TP70H150G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP70H150G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP90H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 900V, 50mOhm
MOSFET 900V, 50mOhm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1371.97 грн |
| 10+ | 1190.89 грн |
| 30+ | 1020.20 грн |
| 60+ | 988.75 грн |
| 120+ | 895.14 грн |
| 270+ | 879.78 грн |
| 510+ | 811.04 грн |
| TPH3205WSBQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
MOSFET GAN FET 650V 35A TO247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1889.01 грн |
| 10+ | 1717.37 грн |
| 30+ | 1426.09 грн |
| 120+ | 1274.70 грн |
| TPH3206LDB |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LDGB |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206LSGB |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206PSB |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Description: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3206PSB |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 150mO
MOSFET 650V, 150mO
на замовлення 514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TPH3207WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3208LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH3208PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 20A TO220
MOSFET GAN FET 650V 20A TO220
на замовлення 301 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| TPH3212PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


































