Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (103) > Сторінка 1 з 2
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TDADP-USBC-65W-KIT | Transphorm |
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO Packaging: Bulk Voltage - Output: 25V Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 65 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TDAIO250P200-KIT | Transphorm |
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KITPackaging: Bulk Voltage - Output: 12V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 20A Frequency - Switching: 200kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3202PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 250 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARDPackaging: Bulk Current - Output: 16A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H070L Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHBG1200DC100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Current - Output: 16.5A Contents: Board(s), Power Supply Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Utilized IC / Part: TPH3212PS Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Frequency - Switching: 100kHz Regulator Topology: Inverting Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PSB Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 1kW inverter |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WSPackaging: Box Voltage - Input: 400V Contents: Board(s) Frequency - Switching: 50kHz Regulator Topology: Full-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H050G4WS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/AC Inverter Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 3 kW |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 22A Frequency - Switching: 50kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H050WS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Power - Output: 3 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW inverter |
на замовлення 12 шт: термін постачання 246-255 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TDINV3000W50B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDPS1000E0E10-KIT | Transphorm |
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDPV1000E0C1-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVAL KITPackaging: Bulk Current - Output: 10A Frequency - Switching: 100kHz Regulator Topology: Inverting Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3206PS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/AC Converter Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Output: 1 kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS Packaging: Bulk Voltage - Output: 390V Frequency - Switching: 66kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H050G4BS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 2.5kW Contents: Board(s) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Frequency - Switching: 100kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3212PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Obsolete Power - Output: 2.5kW Contents: Board(s) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TDTTP4000 | Transphorm | Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065ANPackaging: Bulk Voltage - Output: 387V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Contents: Board(s) Frequency - Switching: 65kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active Power - Output: 4 kW |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 15A Contents: Board(s), Power Supply Frequency - Switching: 66kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H035WS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Power - Output: 4kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W066C-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H015G5WS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H035G4WS | Transphorm |
GaN FETs 650V, 35mOhm |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035G4WSQA | Transphorm |
Description: 650 V 46.5 GAN FETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035G4WSQA | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247 |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WS | Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WSQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WSQA | Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050G4BS | Transphorm |
GaN FETs 650V, 50mOhm |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H050G4WS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247 |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050G4YS | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4 |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WS | Transphorm |
MOSFET 650V, 50mOhm |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WSQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WSQA | Transphorm |
GaN FETs 650V, 50mOhm |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070G4LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H070G4PS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220 |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TP65H070G4RS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070LDG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFNPackaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H070LDG-TR | Transphorm |
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070LDG-TR | Transphorm |
Description: 650 V 25 A GAN FETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H070LDG-TR | Transphorm |
Description: 650 V 25 A GAN FETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFNPackaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H070LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88 |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H100G4LSGB-TR | Transphorm |
Description: Hi Volt FETs Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H100G4LSGB-TR | Transphorm |
Description: Hi Volt FETs Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H150BG4JSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6 |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H150G4LSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TDADP-USBC-65W-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDAIO250P200-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12427.09 грн |
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10810.80 грн |
| TDHBG1200DC100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28192.87 грн |
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Current - Output: 16.5A
Contents: Board(s), Power Supply
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Current - Output: 16.5A
Contents: Board(s), Power Supply
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 67026.96 грн |
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Packaging: Box
Voltage - Input: 400V
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 50kHz
Regulator Topology: Full-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/AC Inverter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 3 kW
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Packaging: Box
Voltage - Input: 400V
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 50kHz
Regulator Topology: Full-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/AC Inverter
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 3 kW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 61085.91 грн |
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 22A
Frequency - Switching: 50kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 3 kW
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 22A
Frequency - Switching: 50kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 3 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 246-255 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 61261.20 грн |
| TDINV3000W50B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 67026.96 грн |
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDPS1000E0E10-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDPV1000E0C1-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500B066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 103497.51 грн |
| TDTTP2500B066B-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 2.5kW
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 2.5kW
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 86201.89 грн |
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Contents: Board(s), Power Supply
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 4kW
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Contents: Board(s), Power Supply
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 4kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDTTP4000W066C-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H015G5WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2494.80 грн |
| 30+ | 1612.12 грн |
| 120+ | 1398.35 грн |
| TP65H035G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H035G4WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 35mOhm
GaN FETs 650V, 35mOhm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1271.86 грн |
| 30+ | 822.13 грн |
| TP65H035G4WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1459.14 грн |
| 30+ | 883.44 грн |
| 120+ | 795.20 грн |
| TP65H035G4WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1349.31 грн |
| 30+ | 884.82 грн |
| TP65H035WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1523.78 грн |
| 10+ | 1385.49 грн |
| 120+ | 1028.67 грн |
| 510+ | 934.33 грн |
| 1020+ | 879.12 грн |
| TP65H035WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1200.49 грн |
| 30+ | 978.67 грн |
| 120+ | 924.78 грн |
| TP65H035WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1547.20 грн |
| 60+ | 1234.75 грн |
| 120+ | 1157.58 грн |
| TP65H035WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1624.88 грн |
| 10+ | 1477.91 грн |
| 120+ | 1097.15 грн |
| 510+ | 995.82 грн |
| 1020+ | 937.82 грн |
| TP65H050G4BS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 50mOhm
GaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 954.71 грн |
| 50+ | 574.61 грн |
| TP65H050G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H050G4WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1063.96 грн |
| 30+ | 678.28 грн |
| 510+ | 572.34 грн |
| TP65H050G4YS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1063.96 грн |
| 10+ | 767.48 грн |
| 30+ | 666.68 грн |
| 270+ | 572.34 грн |
| TP65H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 50mOhm
MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1347.68 грн |
| 10+ | 1220.74 грн |
| 120+ | 915.46 грн |
| 510+ | 797.36 грн |
| 1020+ | 760.32 грн |
| 2520+ | 741.45 грн |
| TP65H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1125.02 грн |
| 30+ | 751.56 грн |
| TP65H050WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1323.92 грн |
| TP65H050WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 50mOhm
GaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1359.10 грн |
| 10+ | 1281.01 грн |
| 30+ | 772.20 грн |
| TP65H070G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 767.19 грн |
| 10+ | 545.68 грн |
| 100+ | 379.46 грн |
| TP65H070G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 700.34 грн |
| 10+ | 495.85 грн |
| 100+ | 338.23 грн |
| TP65H070G4PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 644.90 грн |
| 50+ | 373.70 грн |
| 100+ | 304.69 грн |
| TP65H070G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070G4RS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 655.50 грн |
| 10+ | 462.90 грн |
| 100+ | 310.98 грн |
| TP65H070LDG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070LDG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 958.79 грн |
| 10+ | 688.73 грн |
| 100+ | 502.45 грн |
| TP65H070LDG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070LDG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: 650 V 25 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1081.78 грн |
| 10+ | 732.08 грн |
| 100+ | 557.31 грн |
| TP65H070LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 687.29 грн |
| 10+ | 590.68 грн |
| TP65H100G4LSGB-TR |
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H100G4LSGB-TR |
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 524.38 грн |
| 10+ | 341.06 грн |
| 100+ | 248.13 грн |
| 500+ | 195.72 грн |
| 1000+ | 194.50 грн |
| TP65H150BG4JSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 322.04 грн |
| 10+ | 221.00 грн |
| 100+ | 141.86 грн |
| 500+ | 125.09 грн |
| TP65H150G4LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 373.40 грн |
| 10+ | 319.05 грн |
| 25+ | 269.05 грн |
| 100+ | 226.42 грн |
| 250+ | 219.43 грн |
| 500+ | 197.07 грн |
| 1000+ | 167.72 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]







































