Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (103) > Сторінка 1 з 2
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TDADP-USBC-65W-KIT | Transphorm |
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO Power - Output: 65 W Part Status: Obsolete Outputs and Type: 1, Isolated Main Purpose: AC/DC Converter Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W Board Type: Fully Populated Voltage - Output: 25V Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TDAIO250P200-KIT | Transphorm |
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KITPackaging: Bulk Voltage - Output: 12V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 20A Frequency - Switching: 200kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3202PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 250 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARDPackaging: Bulk Current - Output: 16A Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H070L Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: DC/DC Converter Outputs and Type: 1, Non-Isolated Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHB-65H070L-DC | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHBG1200DC100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDHBG2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPower - Output: 2.5kW Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Main Purpose: DC/DC Converter Utilized IC / Part: TPH3212PS Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Contents: Board(s), Power Supply Current - Output: 16.5A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KITPackaging: Bulk Power - Output: 1 kW Part Status: Obsolete Outputs and Type: 1, Isolated Main Purpose: DC/AC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TPH3206PSB Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Inverting Frequency - Switching: 100kHz Current - Output: 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV1000P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 1kW inverter |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDINV3000W050B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WSContents: Board(s) Power - Output: 3 kW Part Status: Active Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Main Purpose: DC/AC Inverter Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: TP65H050G4WS Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Full-Bridge Frequency - Switching: 50kHz Voltage - Input: 400V Packaging: Box |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KITPower - Output: 3 kW Outputs and Type: 1, Non-Isolated Main Purpose: DC/AC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TP65H050WS Board Type: Fully Populated Frequency - Switching: 50kHz Current - Output: 22A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3000W050-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3kW inverter |
на замовлення 12 шт: термін постачання 246-255 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TDINV3000W50B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDINV3500P100-KIT | Transphorm |
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDPS1000E0E10-KIT | Transphorm |
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KITPower - Output: 1 kW Part Status: Obsolete Outputs and Type: 1, Non-Isolated Main Purpose: DC/DC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TPH3206PS Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge Packaging: Bulk Current - Output: 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDPV1000E0C1-KIT | Transphorm |
Description: 1KW INVERTER EVAL KITPower - Output: 1 kW Part Status: Discontinued at Digi-Key Outputs and Type: 1, Isolated Main Purpose: DC/AC Converter Supplied Contents: Board(s), Power Supply Utilized IC / Part: TPH3206PS Board Type: Fully Populated Regulator Topology: Inverting Frequency - Switching: 100kHz Current - Output: 10A Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDTTP2500B066B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS Power - Output: 2.5kW Part Status: Active Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: TP65H050G4BS Board Type: Fully Populated Frequency - Switching: 66kHz Contents: Board(s) Voltage - Output: 390V Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP2500P100-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Contents: Board(s) Frequency - Switching: 100kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPH3212PS Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Obsolete Power - Output: 2.5kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TDTTP4000 | Transphorm | Transphorm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065ANContents: Board(s) Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN Power - Output: 4 kW Part Status: Active Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Supplied Contents: Board(s) Board Type: Fully Populated Frequency - Switching: 65kHz Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC Voltage - Output: 387V Packaging: Bulk |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TDTTP4000W065AN-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WSPackaging: Bulk Voltage - Output: 390V Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC Current - Output: 15A Contents: Board(s), Power Supply Frequency - Switching: 66kHz Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TP65H035WS Supplied Contents: Board(s), Power Supply Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Power - Output: 4kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W066B-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TDTTP4000W066C-KIT | Transphorm |
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H015G5WS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H035G4WS | Transphorm |
GaN FETs 650V, 35mOhm |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035G4WSQA | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247 |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035G4WSQA | Transphorm |
Description: 650 V 46.5 GAN FETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WS | Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WSQA | Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H035WSQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050G4BS | Transphorm |
GaN FETs 650V, 50mOhm |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H050G4WS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247 |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050G4YS | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4 |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WS | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WS | Transphorm |
MOSFET 650V, 50mOhm |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WSQA | Transphorm |
GaN FETs 650V, 50mOhm |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H050WSQA | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070G4LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
на замовлення 2756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP65H070G4PS | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220 |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070G4QS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TP65H070G4RS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070LDG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFNPackaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H070LDG-TR | Transphorm |
Description: 650 V 25 A GAN FETMounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H070LDG-TR | Transphorm |
Description: 650 V 25 A GAN FETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070LDG-TR | Transphorm |
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H070LSG | Transphorm |
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFNPackaging: Tube Package / Case: 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TP65H070LSG-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88 |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H100G4LSGB-TR | Transphorm |
Description: Hi Volt FETs Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H100G4LSGB-TR | Transphorm |
Description: Hi Volt FETs Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TP65H150BG4JSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6 |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TP65H150G4LSG | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TDADP-USBC-65W-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Power - Output: 65 W
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: AC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Board Type: Fully Populated
Voltage - Output: 25V
Packaging: Bulk
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Power - Output: 65 W
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: AC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Board Type: Fully Populated
Voltage - Output: 25V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDAIO250P200-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12389.76 грн |
| TDHB-65H070L-DC |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10778.32 грн |
| TDHBG1200DC100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28108.17 грн |
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDHBG2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Power - Output: 2.5kW
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/DC Converter
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Contents: Board(s), Power Supply
Current - Output: 16.5A
Packaging: Bulk
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Power - Output: 2.5kW
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/DC Converter
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Contents: Board(s), Power Supply
Current - Output: 16.5A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV1000P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 3kW Totem-pole PFC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 66825.60 грн |
| TDINV3000W050B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Contents: Board(s)
Power - Output: 3 kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/AC Inverter
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Full-Bridge
Frequency - Switching: 50kHz
Voltage - Input: 400V
Packaging: Box
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Contents: Board(s)
Power - Output: 3 kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: DC/AC Inverter
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Full-Bridge
Frequency - Switching: 50kHz
Voltage - Input: 400V
Packaging: Box
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 60902.40 грн |
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Power - Output: 3 kW
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 50kHz
Current - Output: 22A
Packaging: Bulk
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Power - Output: 3 kW
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 50kHz
Current - Output: 22A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDINV3000W050-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 246-255 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 61077.16 грн |
| TDINV3000W50B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 66825.60 грн |
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDINV3500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDPS1000E0E10-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Obsolete
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDPV1000E0C1-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
Packaging: Bulk
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Power - Output: 1 kW
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Outputs and Type: 1, Isolated
Main Purpose: DC/AC Converter
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Inverting
Frequency - Switching: 100kHz
Current - Output: 10A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500B066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 103186.59 грн |
| TDTTP2500B066B-KIT |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS
Power - Output: 2.5kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 66kHz
Contents: Board(s)
Voltage - Output: 390V
Packaging: Bulk
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4BS
Power - Output: 2.5kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 66kHz
Contents: Board(s)
Voltage - Output: 390V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDTTP2500P100-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
Description: EVAL BOARD FOR TPH3212PS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Power - Output: 4 kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Supplied Contents: Board(s)
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 65kHz
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Voltage - Output: 387V
Packaging: Bulk
Description: EVAL BOARD FOR TDTTP4000W065AN
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Power - Output: 4 kW
Part Status: Active
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Supplied Contents: Board(s)
Board Type: Fully Populated
Frequency - Switching: 65kHz
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Voltage - Output: 387V
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85942.92 грн |
| TDTTP4000W065AN-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Contents: Board(s), Power Supply
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 4kW
Description: EVAL BOARD FOR TP65H035WS
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Contents: Board(s), Power Supply
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 4kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDTTP4000W066B-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TDTTP4000W066C-KIT |
![]() |
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H015G5WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2487.31 грн |
| 30+ | 1607.27 грн |
| 120+ | 1394.14 грн |
| TP65H035G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H035G4WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 35mOhm
GaN FETs 650V, 35mOhm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1268.04 грн |
| 30+ | 819.66 грн |
| TP65H035G4WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247
GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1345.26 грн |
| 30+ | 882.16 грн |
| TP65H035G4WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1454.76 грн |
| 30+ | 880.78 грн |
| 120+ | 792.81 грн |
| TP65H035WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1519.21 грн |
| 10+ | 1381.33 грн |
| 120+ | 1025.58 грн |
| 510+ | 931.52 грн |
| 1020+ | 876.48 грн |
| TP65H035WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1196.88 грн |
| 30+ | 975.73 грн |
| 120+ | 922.00 грн |
| TP65H035WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1620.00 грн |
| 10+ | 1473.47 грн |
| 120+ | 1093.86 грн |
| 510+ | 992.83 грн |
| 1020+ | 935.00 грн |
| TP65H035WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1542.55 грн |
| 60+ | 1231.04 грн |
| 120+ | 1154.10 грн |
| TP65H050G4BS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 50mOhm
GaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 951.84 грн |
| 50+ | 572.88 грн |
| TP65H050G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 34A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H050G4WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
GaN FETs GAN FET 650V 34A TO247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1060.76 грн |
| 30+ | 676.24 грн |
| 510+ | 570.62 грн |
| TP65H050G4YS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
GaN FETs GaN FET 650 V 35A TO-247-4
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1060.76 грн |
| 10+ | 765.18 грн |
| 30+ | 664.67 грн |
| 270+ | 570.62 грн |
| TP65H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1121.64 грн |
| 30+ | 749.30 грн |
| TP65H050WS |
![]() |
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 50mOhm
MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1343.63 грн |
| 10+ | 1217.07 грн |
| 120+ | 912.71 грн |
| 510+ | 794.96 грн |
| 1020+ | 758.04 грн |
| 2520+ | 739.22 грн |
| TP65H050WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 650V, 50mOhm
GaN FETs 650V, 50mOhm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1355.01 грн |
| 10+ | 1277.17 грн |
| 30+ | 769.88 грн |
| TP65H050WSQA |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1319.94 грн |
| TP65H070G4LSGB-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 764.89 грн |
| 10+ | 544.04 грн |
| 100+ | 378.32 грн |
| TP65H070G4LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 698.23 грн |
| 10+ | 494.36 грн |
| 100+ | 337.21 грн |
| TP65H070G4PS |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 29A TO220
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 642.96 грн |
| 50+ | 372.57 грн |
| 100+ | 303.77 грн |
| TP65H070G4QS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070G4RS-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 653.53 грн |
| 10+ | 461.51 грн |
| 100+ | 310.04 грн |
| TP65H070LDG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070LDG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: 650 V 25 A GAN FET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070LDG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 25 A GAN FET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 650 V 25 A GAN FET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1078.53 грн |
| 10+ | 729.88 грн |
| 100+ | 555.63 грн |
| TP65H070LDG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
GaN FETs 227-TP65H070LSG-TR
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 955.91 грн |
| 10+ | 686.66 грн |
| 100+ | 500.94 грн |
| TP65H070LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H070LSG-TR |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
GaN FETs GAN FET 650V 25A PQFN88
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 685.23 грн |
| 10+ | 588.91 грн |
| TP65H100G4LSGB-TR |
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 522.80 грн |
| 10+ | 340.03 грн |
| 100+ | 247.38 грн |
| 500+ | 195.13 грн |
| 1000+ | 193.91 грн |
| TP65H100G4LSGB-TR |
Виробник: Transphorm
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
Description: Hi Volt FETs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 1.8mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 818 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TP65H150BG4JSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
GaN FETs GAN FET 650V 13A QFN5x6
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.07 грн |
| 10+ | 220.34 грн |
| 100+ | 141.44 грн |
| 500+ | 124.71 грн |
| TP65H150G4LSG |
![]() |
Виробник: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.28 грн |
| 10+ | 318.09 грн |
| 25+ | 268.24 грн |
| 100+ | 225.74 грн |
| 250+ | 218.77 грн |
| 500+ | 196.48 грн |
| 1000+ | 167.21 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]







































