Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (231736) > Сторінка 3763 з 3863

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 386 772 1158 1544 1930 2316 2702 3088 3474 3758 3759 3760 3761 3762 3763 3764 3765 3766 3767 3768 3860 3863  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRCW120610K0FKTABC CRCW120610K0FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 113839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
673+0.66 грн
797+0.52 грн
1129+0.36 грн
1378+0.30 грн
2000+0.25 грн
4000+0.21 грн
5000+0.20 грн
10000+0.19 грн
20000+0.18 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA CRCW120610K0JNEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 4264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
66+6.74 грн
138+2.99 грн
180+2.29 грн
220+1.88 грн
268+1.54 грн
500+0.98 грн
1000+0.82 грн
2500+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC CRCW120610K0JNTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+1.88 грн
1000+0.57 грн
5000+0.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1N4001-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+7.98 грн
65+6.43 грн
70+5.93 грн
100+4.64 грн
250+3.83 грн
500+3.30 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 BAT54WS-E3-08 VISHAY bat54ws.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Max. load current: 0.3A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1N4004-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 9889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
100+4.89 грн
250+4.17 грн
500+3.61 грн
1000+3.12 грн
1500+2.82 грн
2000+2.60 грн
2500+2.41 грн
5500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1N4004-E3/73 VISHAY 1n4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.97 грн
40+10.30 грн
100+7.03 грн
500+5.39 грн
1000+4.82 грн
3000+4.04 грн
6000+3.61 грн
9000+3.38 грн
24000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1N4004GP-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.02 грн
13+32.62 грн
25+21.75 грн
100+16.31 грн
500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.10 грн
10+79.91 грн
50+69.20 грн
100+63.44 грн
250+58.49 грн
300+57.67 грн
500+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.04 грн
10+90.62 грн
25+82.38 грн
50+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 BAT54A-E3-08 VISHAY bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
93+4.45 грн
105+3.95 грн
136+3.05 грн
500+2.88 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08 BAT54A-HE3-08 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.68 грн
125+3.31 грн
500+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 BAT54S-E3-08 VISHAY bat54-vi.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 BAT54S-HE3-08 VISHAY BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
75+6.30 грн
115+3.70 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10BQ100-M3/5BT VS-10BQ100-M3/5BT VISHAY VS-10BQ100-M3-5BT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Max. forward impulse current: 38A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.18 грн
23+18.45 грн
25+17.14 грн
50+14.09 грн
100+12.77 грн
500+9.56 грн
1000+8.16 грн
1300+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10BQ100HM3/5BT VS-10BQ100HM3/5BT VISHAY vs-10bq100hm3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.82V
Max. forward impulse current: 780A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
Capacitance: 65pF
Application: automotive industry
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.71 грн
20+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY IRFP240PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 T63XB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T63XB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Track material: cermet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.49 грн
5+177.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 T63YB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T63YB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Track material: cermet
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.73 грн
10+155.71 грн
25+137.58 грн
50+125.22 грн
100+115.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 T93XB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Track material: cermet
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.69 грн
10+72.50 грн
50+67.55 грн
100+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 T93YB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93YB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
Track material: cermet
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.56 грн
5+91.45 грн
10+81.56 грн
25+69.20 грн
30+66.73 грн
50+60.96 грн
100+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-36MT60 VISHAY VS-26MT_36MT.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1085.06 грн
5+886.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY sihb12n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY doc?91486 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 VISHAY sihf12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+267.05 грн
5+199.37 грн
10+137.58 грн
25+111.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY IRFP260.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.86 грн
10+204.31 грн
25+177.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY irfp264.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.26 грн
14+29.99 грн
100+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/57T SS34-E3/57T VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 850pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.28 грн
19+22.08 грн
100+16.81 грн
200+15.24 грн
250+14.75 грн
500+13.18 грн
850+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/9AT VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 13 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 3500pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20mA
Max. forward voltage: 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT-E3/4W MBR20100CT-E3/4W VISHAY mbr20100.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
Max. forward impulse current: 150A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.04 грн
6+77.44 грн
10+72.50 грн
25+64.26 грн
50+59.32 грн
100+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.86 грн
43+9.64 грн
59+7.05 грн
100+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.74 грн
37+11.37 грн
52+7.96 грн
100+6.76 грн
500+4.54 грн
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 VISHAY sihb15n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3 VISHAY sihf15n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 VISHAY sihp15n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/5AT SS16-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 5mA
Quantity in set/package: 7500pcs.
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.87 грн
57+7.25 грн
100+5.91 грн
500+4.93 грн
1000+4.50 грн
2500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/61T SS16-E3/61T VISHAY ss12.pdf description Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.08 грн
35+11.86 грн
38+10.87 грн
50+8.68 грн
100+7.84 грн
500+5.95 грн
1000+5.22 грн
1300+4.98 грн
1800+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H SS16HE3_B/H VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Application: automotive industry
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.20 грн
38+10.96 грн
40+10.46 грн
50+8.82 грн
100+7.83 грн
250+6.67 грн
500+5.68 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.10 грн
5+87.33 грн
10+66.73 грн
50+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B10-TAP BZX55B10-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 25380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
140+3.24 грн
235+1.79 грн
500+1.58 грн
2500+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JG4702W00L GRC00JG4702W00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 47uF; 450VDC; ±20%; 2000h; -40÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x25mm
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.07 грн
10+41.85 грн
50+33.37 грн
150+30.81 грн
300+29.08 грн
600+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JG3321E00L GRC00JG3321E00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 3300uF; 25VDC; ±20%; 2000h; -40÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 3.3mF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x25mm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.54 грн
12+35.84 грн
50+28.83 грн
150+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.89 грн
10+43.66 грн
11+39.05 грн
50+30.48 грн
100+27.10 грн
250+23.23 грн
500+22.08 грн
1000+21.34 грн
2500+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY irf530s.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.69 грн
10+69.20 грн
50+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C10-TAP BZX55C10-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C12-TAP BZX55C12-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
56+7.41 грн
69+6.01 грн
127+3.25 грн
250+3.07 грн
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MUR460-E3/54 MUR460-E3/54 VISHAY mur440.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 4A; 13 inch reel; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.05V
Reverse recovery time: 50ns
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.62 грн
100+22.82 грн
500+19.28 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/54 1N4007-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Quantity in set/package: 5500pcs.
на замовлення 11761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.31 грн
56+7.41 грн
100+5.86 грн
500+4.23 грн
1000+3.59 грн
2000+3.01 грн
2500+2.83 грн
5500+2.22 грн
11000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/73 1N4007-E3/73 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 18786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.31 грн
41+10.22 грн
44+9.47 грн
100+4.96 грн
500+4.17 грн
1000+3.88 грн
3000+3.39 грн
6000+3.06 грн
9000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
293D476X0025D2TE3 293D476X0025D2TE3 VISHAY 293d.pdf Category: SMD tantalum capacitors
Description: Capacitor: tantalum; 47uF; 25VDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C
Type of capacitor: tantalum
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: Tantamount
Case - mm: 7343
Case: D
Case - inch: 2917
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.22 грн
11+40.86 грн
50+36.17 грн
100+34.60 грн
200+33.12 грн
500+31.80 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
293D476X9025D2TE3 293D476X9025D2TE3 VISHAY 293d.pdf Category: SMD tantalum capacitors
Description: Capacitor: tantalum; 47uF; 25VDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Type of capacitor: tantalum
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: Tantamount
Case - mm: 7343
Case: D
Case - inch: 2917
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.25 грн
12+35.84 грн
50+30.65 грн
100+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y104KXACW1BC VJ1206Y104KXACW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 100nF; 50V; X7R; ±10%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 15376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.44 грн
129+3.21 грн
207+1.99 грн
256+1.61 грн
500+1.13 грн
1000+1.03 грн
2000+0.96 грн
4000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-TAP 1N4148-TAP VISHAY 1N4148-TAP.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 8ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 2A
Case: DO35
Reverse recovery time: 8ns
Max. load current: 0.5A
на замовлення 45271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.21 грн
112+3.71 грн
180+2.29 грн
500+1.66 грн
1000+1.46 грн
2000+1.29 грн
10000+0.98 грн
20000+0.88 грн
30000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 VISHAY siha20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 VISHAY sihb20n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 113839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
673+0.66 грн
797+0.52 грн
1129+0.36 грн
1378+0.30 грн
2000+0.25 грн
4000+0.21 грн
5000+0.20 грн
10000+0.19 грн
20000+0.18 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0JNEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 4264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
66+6.74 грн
138+2.99 грн
180+2.29 грн
220+1.88 грн
268+1.54 грн
500+0.98 грн
1000+0.82 грн
2500+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0JNTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.88 грн
1000+0.57 грн
5000+0.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1n400x.pdf
1N4001-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.98 грн
65+6.43 грн
70+5.93 грн
100+4.64 грн
250+3.83 грн
500+3.30 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 bat54ws.pdf
BAT54WS-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Max. load current: 0.3A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1n400x.pdf
1N4004-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 9889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.10 грн
100+4.89 грн
250+4.17 грн
500+3.61 грн
1000+3.12 грн
1500+2.82 грн
2000+2.60 грн
2500+2.41 грн
5500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1n4001.pdf
1N4004-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.97 грн
40+10.30 грн
100+7.03 грн
500+5.39 грн
1000+4.82 грн
3000+4.04 грн
6000+3.61 грн
9000+3.38 грн
24000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1n400x.pdf
1N4004GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.02 грн
13+32.62 грн
25+21.75 грн
100+16.31 грн
500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.10 грн
10+79.91 грн
50+69.20 грн
100+63.44 грн
250+58.49 грн
300+57.67 грн
500+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.04 грн
10+90.62 грн
25+82.38 грн
50+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640S.pdf
IRF640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54A-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.10 грн
93+4.45 грн
105+3.95 грн
136+3.05 грн
500+2.88 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08
BAT54A-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.68 грн
125+3.31 грн
500+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 bat54-vi.pdf
BAT54S-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54S-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+6.30 грн
115+3.70 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10BQ100-M3/5BT VS-10BQ100-M3-5BT.pdf
VS-10BQ100-M3/5BT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.59V
Max. forward impulse current: 38A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.18 грн
23+18.45 грн
25+17.14 грн
50+14.09 грн
100+12.77 грн
500+9.56 грн
1000+8.16 грн
1300+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10BQ100HM3/5BT vs-10bq100hm3.pdf
VS-10BQ100HM3/5BT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.82V
Max. forward impulse current: 780A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
Capacitance: 65pF
Application: automotive industry
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.71 грн
20+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF.pdf
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 t63.pdf
T63XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T63XB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Track material: cermet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.49 грн
5+177.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 t63.pdf
T63YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T63YB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Track material: cermet
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.73 грн
10+155.71 грн
25+137.58 грн
50+125.22 грн
100+115.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 t93.pdf
T93XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Track material: cermet
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.69 грн
10+72.50 грн
50+67.55 грн
100+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 t93.pdf
T93YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93YB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
Track material: cermet
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.56 грн
5+91.45 грн
10+81.56 грн
25+69.20 грн
30+66.73 грн
50+60.96 грн
100+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-26MT_36MT.pdf
VS-36MT60
Виробник: VISHAY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1085.06 грн
5+886.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 doc?91486
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.05 грн
5+199.37 грн
10+137.58 грн
25+111.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description IRFP260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.86 грн
10+204.31 грн
25+177.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF irfp264.pdf
IRFP264PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.26 грн
14+29.99 грн
100+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/57T ss32_ss36.pdf
SS34-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 850pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.28 грн
19+22.08 грн
100+16.81 грн
200+15.24 грн
250+14.75 грн
500+13.18 грн
850+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/9AT ss32_ss36.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 13 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 3500pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20mA
Max. forward voltage: 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT-E3/4W mbr20100.pdf
MBR20100CT-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
Max. forward impulse current: 150A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.04 грн
6+77.44 грн
10+72.50 грн
25+64.26 грн
50+59.32 грн
100+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.86 грн
43+9.64 грн
59+7.05 грн
100+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.74 грн
37+11.37 грн
52+7.96 грн
100+6.76 грн
500+4.54 грн
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 sihb15n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3 sihf15n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/5AT ss12.pdf
SS16-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 5mA
Quantity in set/package: 7500pcs.
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.87 грн
57+7.25 грн
100+5.91 грн
500+4.93 грн
1000+4.50 грн
2500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/61T description ss12.pdf
SS16-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.08 грн
35+11.86 грн
38+10.87 грн
50+8.68 грн
100+7.84 грн
500+5.95 грн
1000+5.22 грн
1300+4.98 грн
1800+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H ss12.pdf
SS16HE3_B/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Application: automotive industry
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.20 грн
38+10.96 грн
40+10.46 грн
50+8.82 грн
100+7.83 грн
250+6.67 грн
500+5.68 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.10 грн
5+87.33 грн
10+66.73 грн
50+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B10-TAP BZX55C10-TAP.pdf
BZX55B10-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 25380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+3.24 грн
235+1.79 грн
500+1.58 грн
2500+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JG4702W00L GRC.pdf
GRC00JG4702W00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 47uF; 450VDC; ±20%; 2000h; -40÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x25mm
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.07 грн
10+41.85 грн
50+33.37 грн
150+30.81 грн
300+29.08 грн
600+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JG3321E00L GRC.pdf
GRC00JG3321E00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 3300uF; 25VDC; ±20%; 2000h; -40÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 3.3mF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x25mm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.54 грн
12+35.84 грн
50+28.83 грн
150+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description IRF530PBF.pdf
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.89 грн
10+43.66 грн
11+39.05 грн
50+30.48 грн
100+27.10 грн
250+23.23 грн
500+22.08 грн
1000+21.34 грн
2500+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF description irf530s.pdf
IRF530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.69 грн
10+69.20 грн
50+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C10-TAP description BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C10-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.10 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C12-TAP BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C12-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; Ammo Pack; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.53 грн
56+7.41 грн
69+6.01 грн
127+3.25 грн
250+3.07 грн
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MUR460-E3/54 mur440.pdf
MUR460-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 4A; 13 inch reel; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.05V
Reverse recovery time: 50ns
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.62 грн
100+22.82 грн
500+19.28 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/54 1n400x.pdf
1N4007-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Quantity in set/package: 5500pcs.
на замовлення 11761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.31 грн
56+7.41 грн
100+5.86 грн
500+4.23 грн
1000+3.59 грн
2000+3.01 грн
2500+2.83 грн
5500+2.22 грн
11000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/73 1n400x.pdf
1N4007-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 18786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.31 грн
41+10.22 грн
44+9.47 грн
100+4.96 грн
500+4.17 грн
1000+3.88 грн
3000+3.39 грн
6000+3.06 грн
9000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
293D476X0025D2TE3 293d.pdf
293D476X0025D2TE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD tantalum capacitors
Description: Capacitor: tantalum; 47uF; 25VDC; SMD; D; 2917; ±20%; -55÷125°C
Type of capacitor: tantalum
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: Tantamount
Case - mm: 7343
Case: D
Case - inch: 2917
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.22 грн
11+40.86 грн
50+36.17 грн
100+34.60 грн
200+33.12 грн
500+31.80 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
293D476X9025D2TE3 293d.pdf
293D476X9025D2TE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD tantalum capacitors
Description: Capacitor: tantalum; 47uF; 25VDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Type of capacitor: tantalum
Mounting: SMD
Capacitance: 47µF
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Manufacturer series: Tantamount
Case - mm: 7343
Case: D
Case - inch: 2917
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.25 грн
12+35.84 грн
50+30.65 грн
100+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y104KXACW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ1206Y104KXACW1BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 100nF; 50V; X7R; ±10%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 15376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.44 грн
129+3.21 грн
207+1.99 грн
256+1.61 грн
500+1.13 грн
1000+1.03 грн
2000+0.96 грн
4000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-TAP 1N4148-TAP.pdf
1N4148-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; 8ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 2A
Case: DO35
Reverse recovery time: 8ns
Max. load current: 0.5A
на замовлення 45271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.21 грн
112+3.71 грн
180+2.29 грн
500+1.66 грн
1000+1.46 грн
2000+1.29 грн
10000+0.98 грн
20000+0.88 грн
30000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA20N50E-GE3 siha20n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 sihb20n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 386 772 1158 1544 1930 2316 2702 3088 3474 3758 3759 3760 3761 3762 3763 3764 3765 3766 3767 3768 3860 3863  [ Наступна Сторінка >> ]